JPH10150115A - 電子部品の封止用ケース材料 - Google Patents
電子部品の封止用ケース材料Info
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- JPH10150115A JPH10150115A JP30653396A JP30653396A JPH10150115A JP H10150115 A JPH10150115 A JP H10150115A JP 30653396 A JP30653396 A JP 30653396A JP 30653396 A JP30653396 A JP 30653396A JP H10150115 A JPH10150115 A JP H10150115A
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- Japan
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- plating
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 絞り加工前の洋白材からなる母材にＮｉめっ
き層を施してなり、つづく絞り加工の際に該Ｎｉめっき
層が破断することなくすぐれた絞り加工性を有する電子
部品の封止用ケース材料を提供すること。 【解決手段】 洋白材の表面に厚さ０．５〜５．０μｍ
のＮｉめっきを施した後、熱処理によりＮｉめっき層の
Ｎｉを再結晶化させてなる電子部品の封止用ケース材
料。
き層を施してなり、つづく絞り加工の際に該Ｎｉめっき
層が破断することなくすぐれた絞り加工性を有する電子
部品の封止用ケース材料を提供すること。 【解決手段】 洋白材の表面に厚さ０．５〜５．０μｍ
のＮｉめっきを施した後、熱処理によりＮｉめっき層の
Ｎｉを再結晶化させてなる電子部品の封止用ケース材
料。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水晶振動子のキャ
ップなどの電子部品を封止するために用いられるケース
材料に関する。
ップなどの電子部品を封止するために用いられるケース
材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、水晶振動子キャップなどの電
子部品の封止用ケースに用いられる封止用ケース材料と
しては、成形加工時に良好な絞り加工性を示すという点
から、６４Ｃｕ−１８Ｎｉ−Ｚｎなどの洋白材が母材と
して主に使用されている。また、洋白材は強度および絞
り加工性にはすぐれているものの、耐食性、耐応力腐食
割れ性、めっき性およびはんだ付け性に劣るため、通常
はＮｉめっきが施されている。ところが、母材である洋
白材の絞り加工前にＮｉめっきを施したばあい、つづく
絞り加工の際にＮｉめっき層が破断してしまう。そこ
で、たとえば特開平５−３２７３８９号公報には、絞り
加工後の洋白材にＮｉめっきを施す技術が開示されてい
る。しかし、一般的に、絞り加工後のめっき層の厚さを
制御するのは困難であるという問題がある。
子部品の封止用ケースに用いられる封止用ケース材料と
しては、成形加工時に良好な絞り加工性を示すという点
から、６４Ｃｕ−１８Ｎｉ−Ｚｎなどの洋白材が母材と
して主に使用されている。また、洋白材は強度および絞
り加工性にはすぐれているものの、耐食性、耐応力腐食
割れ性、めっき性およびはんだ付け性に劣るため、通常
はＮｉめっきが施されている。ところが、母材である洋
白材の絞り加工前にＮｉめっきを施したばあい、つづく
絞り加工の際にＮｉめっき層が破断してしまう。そこ
で、たとえば特開平５−３２７３８９号公報には、絞り
加工後の洋白材にＮｉめっきを施す技術が開示されてい
る。しかし、一般的に、絞り加工後のめっき層の厚さを
制御するのは困難であるという問題がある。
【０００３】そこで、たとえば特開平５−１３６７号公
報には、絞り加工前の母材にＮｉめっきを施した後に該
Ｎｉを母材に熱拡散させることを特徴とする電気・電子
機器用銅合金材料に関する技術が開示されている。この
技術によれば、母材の絞り加工前にＮｉめっきを施して
も、つづく絞り加工時にＮｉめっき層は破断しない。
報には、絞り加工前の母材にＮｉめっきを施した後に該
Ｎｉを母材に熱拡散させることを特徴とする電気・電子
機器用銅合金材料に関する技術が開示されている。この
技術によれば、母材の絞り加工前にＮｉめっきを施して
も、つづく絞り加工時にＮｉめっき層は破断しない。
【０００４】しかし、該技術によれば、Ｎｉめっき層の
厚さおよびＮｉ拡散層の形成を制御するのが困難である
という問題があり、さらに該公報には母材として銅合
金、とくにりん青銅および黄銅を用いることは記載され
ているが、洋白材を用いるとの記載はない。
厚さおよびＮｉ拡散層の形成を制御するのが困難である
という問題があり、さらに該公報には母材として銅合
金、とくにりん青銅および黄銅を用いることは記載され
ているが、洋白材を用いるとの記載はない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記事実に鑑み、本発
明の目的は、絞り加工前の洋白材からなる母材にＮｉめ
っき層を施してなり、つづく絞り加工の際に該Ｎｉめっ
き層が破断することなくすぐれた加工性を有する電子部
品の封止用ケース材料を提供することにある。
明の目的は、絞り加工前の洋白材からなる母材にＮｉめ
っき層を施してなり、つづく絞り加工の際に該Ｎｉめっ
き層が破断することなくすぐれた加工性を有する電子部
品の封止用ケース材料を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、洋白材の表面
に厚さ０．５〜５．０μｍのＮｉめっきを施した後、熱
処理によりＮｉめっき層のＮｉを再結晶化させてなる電
子部品の封止用ケース材料に関する。
に厚さ０．５〜５．０μｍのＮｉめっきを施した後、熱
処理によりＮｉめっき層のＮｉを再結晶化させてなる電
子部品の封止用ケース材料に関する。
【０００７】このばあい、Ｎｉめっき層の硬さがＨＶ
０．０２５で１００〜１２０であるのが好ましい。
０．０２５で１００〜１２０であるのが好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明においては、洋白材（以
下、「母材」ともいう）の表面にＮｉめっきを施した後
に熱処理を行なう。これは、めっき上がりのＮｉめっき
層の組織は絞り加工に対応するだけの伸び率を有さない
ため、該熱処理によりＮｉの再結晶組織を生成し、Ｎｉ
めっき層に充分な伸び率を付与するためである。
下、「母材」ともいう）の表面にＮｉめっきを施した後
に熱処理を行なう。これは、めっき上がりのＮｉめっき
層の組織は絞り加工に対応するだけの伸び率を有さない
ため、該熱処理によりＮｉの再結晶組織を生成し、Ｎｉ
めっき層に充分な伸び率を付与するためである。
【０００９】また、この熱処理により母材の平均結晶粒
径も大きくなり、絞り加工の際にＮｉめっき層と同程度
の伸び率を発揮する。したがって、該絞り加工時に、Ｎ
ｉめっき層の破断が生じないのである。
径も大きくなり、絞り加工の際にＮｉめっき層と同程度
の伸び率を発揮する。したがって、該絞り加工時に、Ｎ
ｉめっき層の破断が生じないのである。
【００１０】本発明において母材として用いる洋白材
は、通常はＣｕを４５〜７０％、Ｎｉを５〜３５％およ
びＺｎを１３〜３５％含んでなるが、従来から電子部品
の封止用ケースに用いられているものであればよく、と
くに、すぐれた絞り加工性および強度を有するという点
からＪＩＳ Ｃ ７５２１合金を用いるのが好ましい。
は、通常はＣｕを４５〜７０％、Ｎｉを５〜３５％およ
びＺｎを１３〜３５％含んでなるが、従来から電子部品
の封止用ケースに用いられているものであればよく、と
くに、すぐれた絞り加工性および強度を有するという点
からＪＩＳ Ｃ ７５２１合金を用いるのが好ましい。
【００１１】また、前記母材は、えられる電子部品の封
止用ケースの種類によって異なるが、概して板状の形状
を有する。
止用ケースの種類によって異なるが、概して板状の形状
を有する。
【００１２】また、母材の厚さとしては絞り加工後に充
分な強度を有するという点から０．１０ｍｍ以上であれ
ばよく、プレス装置および加工部品の大きさの制約とい
う点から０．１０〜０．２６ｍｍであるのが好ましい。
分な強度を有するという点から０．１０ｍｍ以上であれ
ばよく、プレス装置および加工部品の大きさの制約とい
う点から０．１０〜０．２６ｍｍであるのが好ましい。
【００１３】本発明においては、母材に耐食性、耐応力
腐食割れ性およびはんだ付け性を付与するために、Ｎｉ
めっきを施す。Ｎｉめっきを施す方法としては従来から
用いられている方法でよいが、生産性およびめっき膜厚
の均一性という点から電気めっき法を用いるのが好まし
い。
腐食割れ性およびはんだ付け性を付与するために、Ｎｉ
めっきを施す。Ｎｉめっきを施す方法としては従来から
用いられている方法でよいが、生産性およびめっき膜厚
の均一性という点から電気めっき法を用いるのが好まし
い。
【００１４】また、Ｎｉめっき層の厚さとしては、０．
５μｍ未満では絞り加工の際の母材の伸び率に対してＮ
ｉめっき層に充分な伸び率を与えることができずにＮｉ
めっき層に破断を生じる点、および５．０μｍを超える
とめっき加工に多大な処理時間を要し、かつ価格が高く
なる点から０．５〜５．０μｍであるのがよいが、母材
中のＺｎが熱処理により拡散して表層に出やすいため、
１．０〜５．０μｍであるのが温度コントロールが容易
である点から好ましく、さらに、Ｎｉめっき層の軟化に
高温度あるいは長時間が必要となるため、１．０〜３．
０μｍであるのが経済的に有利である点からとくに好ま
しい。
５μｍ未満では絞り加工の際の母材の伸び率に対してＮ
ｉめっき層に充分な伸び率を与えることができずにＮｉ
めっき層に破断を生じる点、および５．０μｍを超える
とめっき加工に多大な処理時間を要し、かつ価格が高く
なる点から０．５〜５．０μｍであるのがよいが、母材
中のＺｎが熱処理により拡散して表層に出やすいため、
１．０〜５．０μｍであるのが温度コントロールが容易
である点から好ましく、さらに、Ｎｉめっき層の軟化に
高温度あるいは長時間が必要となるため、１．０〜３．
０μｍであるのが経済的に有利である点からとくに好ま
しい。
【００１５】本発明において母材の表面に施されたＮｉ
めっき層はそのままでは母材の絞り加工時に破断してし
まうため、熱処理を行なってＮｉめっき層を再結晶化さ
せ、一方、母材の結晶粒径を大きくして母材自体にも充
分な伸び率を付与する。
めっき層はそのままでは母材の絞り加工時に破断してし
まうため、熱処理を行なってＮｉめっき層を再結晶化さ
せ、一方、母材の結晶粒径を大きくして母材自体にも充
分な伸び率を付与する。
【００１６】本発明においては、前記のようにＮｉめっ
き層を再結晶化させる方法として連続焼鈍炉を用いて高
温で短時間の熱処理を施す。この熱処理が不充分である
と、Ｎｉめっき層に再結晶化が起こらないために該Ｎｉ
めっき層が充分に軟化せずに加工性が改善されず、過度
であると、従来技術におけるばあいのように、Ｎｉめっ
き層のＮｉが母材である洋白材に拡散してしまい、再結
晶化が起こらない。
き層を再結晶化させる方法として連続焼鈍炉を用いて高
温で短時間の熱処理を施す。この熱処理が不充分である
と、Ｎｉめっき層に再結晶化が起こらないために該Ｎｉ
めっき層が充分に軟化せずに加工性が改善されず、過度
であると、従来技術におけるばあいのように、Ｎｉめっ
き層のＮｉが母材である洋白材に拡散してしまい、再結
晶化が起こらない。
【００１７】該熱処理の条件および方法としては、Ｎｉ
めっき層の軟化が生じるという点から７００〜８５０℃
の温度範囲で１〜３分間加熱すればよく、製造における
処理コストの点より、高温・短時間がより有利であると
いう点から７５０〜８５０℃の温度範囲で１〜２分間加
熱するのが好ましい。
めっき層の軟化が生じるという点から７００〜８５０℃
の温度範囲で１〜３分間加熱すればよく、製造における
処理コストの点より、高温・短時間がより有利であると
いう点から７５０〜８５０℃の温度範囲で１〜２分間加
熱するのが好ましい。
【００１８】また本発明において、前記熱処理後のＮｉ
めっき層は、ビッカース硬さ試験法にもとづき、ＨＶ
０．０２５で１００〜１２０の範囲に入る硬度をもたせ
るのが好ましい。該硬度が１００未満では加熱のしすぎ
により母材自体の軟化が進行し、母材の結晶粒径の一部
または全部が粗大化してしまい、絞り加工時に表面の肌
荒れの度合いが大きくなるという点、および１２０を超
えるとＮｉめっき層の軟化が不充分で、絞り加工時にし
わ状の模様が生じ、結果として表面の肌荒れの度合いが
大きくなるという点から、前記範囲とするのがよいが、
同一部品を加工するばあいに絞り加工に要するプレス工
程数を増加させないという点から１００〜１１０である
のがとくに好ましい。表面の肌荒れの度合いが大きい
と、えられるケース材料表面にラベルなどの印字を施す
ことが困難となるため、望ましくない。
めっき層は、ビッカース硬さ試験法にもとづき、ＨＶ
０．０２５で１００〜１２０の範囲に入る硬度をもたせ
るのが好ましい。該硬度が１００未満では加熱のしすぎ
により母材自体の軟化が進行し、母材の結晶粒径の一部
または全部が粗大化してしまい、絞り加工時に表面の肌
荒れの度合いが大きくなるという点、および１２０を超
えるとＮｉめっき層の軟化が不充分で、絞り加工時にし
わ状の模様が生じ、結果として表面の肌荒れの度合いが
大きくなるという点から、前記範囲とするのがよいが、
同一部品を加工するばあいに絞り加工に要するプレス工
程数を増加させないという点から１００〜１１０である
のがとくに好ましい。表面の肌荒れの度合いが大きい
と、えられるケース材料表面にラベルなどの印字を施す
ことが困難となるため、望ましくない。
【００１９】本発明においてえられる電子部品の封止用
ケース材料の用途としては、水晶発振子キャップ、水晶
振動子キャップ、電池用キャップなど、電子部品の素子
を封止するためのケースなどがあげられる。
ケース材料の用途としては、水晶発振子キャップ、水晶
振動子キャップ、電池用キャップなど、電子部品の素子
を封止するためのケースなどがあげられる。
【００２０】
【実施例】以下に、本発明を実施例を用いて具体的に説
明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではな
い。
明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではな
い。
【００２１】実施例１〜４ 母材としてＣｕ ６４％、Ｎｉ １８％およびＺｎ １８
％を含有する厚さ０．２ｍｍの板状の洋白材を用い、ま
ず硫酸ニッケル２４０ｇ／ｌ、塩化ニッケル４５ｇ／
ｌ、ホウ酸３０ｇ／ｌのワット浴にて電流密度１〜８Ａ
／ｄｍ2の条件で、表１に示す厚さのＮｉめっき層を設
けた。ついで、母材の最終焼鈍とＮｉめっき層の軟化を
かねて、Ｎ2 ９７％およびＨ2 ３％の雰囲気下、７７５
℃の温度で２分間の条件で連続焼鈍炉を用いて加熱して
熱処理を行ない、本発明の封止用ケース材料１〜４をえ
た。
％を含有する厚さ０．２ｍｍの板状の洋白材を用い、ま
ず硫酸ニッケル２４０ｇ／ｌ、塩化ニッケル４５ｇ／
ｌ、ホウ酸３０ｇ／ｌのワット浴にて電流密度１〜８Ａ
／ｄｍ2の条件で、表１に示す厚さのＮｉめっき層を設
けた。ついで、母材の最終焼鈍とＮｉめっき層の軟化を
かねて、Ｎ2 ９７％およびＨ2 ３％の雰囲気下、７７５
℃の温度で２分間の条件で連続焼鈍炉を用いて加熱して
熱処理を行ない、本発明の封止用ケース材料１〜４をえ
た。
【００２２】えられたケース材料１〜４について、その
絞り加工性を評価するためにプレス装置を用い、ＪＩＳ
Ｚ ２２０１にしたがう５号試験片に加工し、ＪＩＳ
Ｚ２２４１に記載された引張試験を適用し、断面減少
率１５％の引張り加工試験片をえた。ついで、＃８０、
＃３２０、＃６００および＃１０００の紙やすりを順に
用いて、母材とＮｉめっき層の断面が現れるように研磨
を行なった。最後に粒径２．０μｍのアルミナ研磨材を
用いて仕上げバフ研磨を行ない、現れた断面を金属顕微
鏡で観察し、Ｎｉめっき層の破断の有無を外観で評価し
た。結果を表１に示す。
絞り加工性を評価するためにプレス装置を用い、ＪＩＳ
Ｚ ２２０１にしたがう５号試験片に加工し、ＪＩＳ
Ｚ２２４１に記載された引張試験を適用し、断面減少
率１５％の引張り加工試験片をえた。ついで、＃８０、
＃３２０、＃６００および＃１０００の紙やすりを順に
用いて、母材とＮｉめっき層の断面が現れるように研磨
を行なった。最後に粒径２．０μｍのアルミナ研磨材を
用いて仕上げバフ研磨を行ない、現れた断面を金属顕微
鏡で観察し、Ｎｉめっき層の破断の有無を外観で評価し
た。結果を表１に示す。
【００２３】比較例１〜４ 実施例１と同様にして表１に示す厚さのＮｉめっき層を
有する比較ケース材料１〜４をえて、さらに、実施例１
と同様にしてＮｉめっき層の破断の有無を評価した。結
果を表１に示す。
有する比較ケース材料１〜４をえて、さらに、実施例１
と同様にしてＮｉめっき層の破断の有無を評価した。結
果を表１に示す。
【００２４】
【表１】 表１よりＮｉめっき層の厚さは０．５μｍ以上であれば
加工性に問題はないものと判断されるが、上限について
は、経済的観点から５．０μｍ以下であるほうが好まし
い。
加工性に問題はないものと判断されるが、上限について
は、経済的観点から５．０μｍ以下であるほうが好まし
い。
【００２５】実験例 Ｎｉめっき層に対する熱処理の効果を評価するために、
実施例３でえたケース材料３と、Ｃｕ ６４％、Ｎｉ １
８％およびＺｎ １８％からなる厚さ０．２ｍｍの洋白
材に厚さ４．０μｍのＮｉめっき層を実施例１と同様に
して設けて熱処理を行なわずにえた比較ケース材料５と
を用い、引張り強さ、エリクセン値および表面硬さを評
価し、ついで１８０°密着曲げ試験を行なった。
実施例３でえたケース材料３と、Ｃｕ ６４％、Ｎｉ １
８％およびＺｎ １８％からなる厚さ０．２ｍｍの洋白
材に厚さ４．０μｍのＮｉめっき層を実施例１と同様に
して設けて熱処理を行なわずにえた比較ケース材料５と
を用い、引張り強さ、エリクセン値および表面硬さを評
価し、ついで１８０°密着曲げ試験を行なった。
【００２６】引張強さはＪＩＳ Ｚ ２２４１、エリク
セン値はＪＩＳ Ｚ ２２４７、表面硬さはＪＩＳ Ｚ
２２４４にもとづいて評価した。また、１８０°密着
曲げ試験では、ＪＩＳ Ｚ ２２４８にもとづいて行な
った曲げ試験片の曲げ部の外観を実体顕微鏡で観察し、
表面のＮｉめっき層の割れの有無を評価した。
セン値はＪＩＳ Ｚ ２２４７、表面硬さはＪＩＳ Ｚ
２２４４にもとづいて評価した。また、１８０°密着
曲げ試験では、ＪＩＳ Ｚ ２２４８にもとづいて行な
った曲げ試験片の曲げ部の外観を実体顕微鏡で観察し、
表面のＮｉめっき層の割れの有無を評価した。
【００２７】前記評価および試験の結果を表２に示す。
また、ケース材料３および比較ケース材料５の表面を走
査電子顕微鏡にて試料傾斜角度３０°、拡大倍率１６０
０倍にて撮影した写真を図１および２に示す。
また、ケース材料３および比較ケース材料５の表面を走
査電子顕微鏡にて試料傾斜角度３０°、拡大倍率１６０
０倍にて撮影した写真を図１および２に示す。
【００２８】なお、エリクセン値とは、一般に金属板の
変形能、とくに張り出し性を示す値であり、大きいほど
張り出し性にすぐれる材料であることを示す。
変形能、とくに張り出し性を示す値であり、大きいほど
張り出し性にすぐれる材料であることを示す。
【００２９】
【表２】 表２より、本発明によるケース材料３は比較ケース材料
５に比較して引張り強さおよびエリクセン値は同程度で
あるが、表面硬さは低い。
５に比較して引張り強さおよびエリクセン値は同程度で
あるが、表面硬さは低い。
【００３０】また、図１および２より、本発明によるケ
ース材料３のＮｉめっき層は再結晶化しているが、比較
ケース材料５のＮｉめっき層は再結晶化していないこと
がわかる。
ース材料３のＮｉめっき層は再結晶化しているが、比較
ケース材料５のＮｉめっき層は再結晶化していないこと
がわかる。
【００３１】以上の結果より、本発明のケース材料３は
Ｎｉめっき層の割れがなく、かつ再結晶化をしており、
加工性にすぐれることがわかる。
Ｎｉめっき層の割れがなく、かつ再結晶化をしており、
加工性にすぐれることがわかる。
【００３２】実施例５および６ 熱処理温度を７００℃および８５０℃に変えた以外は、
実施例３と同様にして本発明のケース材料５および６を
えた。実施例３でえたケース材料３と、該ケース材料５
および６について、母材の結晶粒径（ＪＩＳ Ｈ ０５
０１による）およびＮｉめっき層の硬さ（ＪＩＳ Ｚ
２２４４による）を評価した。また、実施例１と同様の
条件および方法で引張り加工後のＮｉめっき層の破断の
有無を評価し、引張り加工後の表面粗さについてはＪＩ
Ｓ Ｂ ０６０１にしたがって評価した。結果を表３に
示す。
実施例３と同様にして本発明のケース材料５および６を
えた。実施例３でえたケース材料３と、該ケース材料５
および６について、母材の結晶粒径（ＪＩＳ Ｈ ０５
０１による）およびＮｉめっき層の硬さ（ＪＩＳ Ｚ
２２４４による）を評価した。また、実施例１と同様の
条件および方法で引張り加工後のＮｉめっき層の破断の
有無を評価し、引張り加工後の表面粗さについてはＪＩ
Ｓ Ｂ ０６０１にしたがって評価した。結果を表３に
示す。
【００３３】比較例６〜８ 熱処理の温度を表３に示す温度に変えた以外は、実施例
３と同様にして比較ケース材料６〜８をえた。
３と同様にして比較ケース材料６〜８をえた。
【００３４】ついで、えられた比較ケース材料６〜８に
ついて実施例５と同様にして評価を行なった。結果を表
３に示す。
ついて実施例５と同様にして評価を行なった。結果を表
３に示す。
【００３５】
【表３】 表３よりＨＶ０．０２５で硬さが１２０を超えると母材
の平均粒径が小さくなり軟化が不充分となり、加工時に
しわ状の模様を発生させ、結果として表面粗さが大きく
なるとともにＮｉめっき層の破断が認められて不都合で
ある。一方、１００未満のものについては、Ｎｉめっき
層の破断は認められないが、母材の平均結晶粒径が大き
くなりすぎ、加工時に肌荒れの度合いが大きくなり、結
果として表面粗さが大きくなって不都合である。
の平均粒径が小さくなり軟化が不充分となり、加工時に
しわ状の模様を発生させ、結果として表面粗さが大きく
なるとともにＮｉめっき層の破断が認められて不都合で
ある。一方、１００未満のものについては、Ｎｉめっき
層の破断は認められないが、母材の平均結晶粒径が大き
くなりすぎ、加工時に肌荒れの度合いが大きくなり、結
果として表面粗さが大きくなって不都合である。
【００３６】また、ＨＶ０．０２５にて硬さを１００〜
１２０の範囲に制御するには、熱処理温度が７００〜８
５０℃であるのが好ましいのがわかる。
１２０の範囲に制御するには、熱処理温度が７００〜８
５０℃であるのが好ましいのがわかる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、洋白材からなる母材に
Ｎｉめっき層を施してなる材料において、つづく絞り加
工の際に該Ｎｉめっき層が破断することなくすぐれた加
工性を有する電子部品の封止用ケース材料をうることが
できる。
Ｎｉめっき層を施してなる材料において、つづく絞り加
工の際に該Ｎｉめっき層が破断することなくすぐれた加
工性を有する電子部品の封止用ケース材料をうることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例３でえたケース材料３の再結
晶化したＮｉめっき層表面の走査電子顕微鏡写真を示す
図である。
晶化したＮｉめっき層表面の走査電子顕微鏡写真を示す
図である。
【図２】 実験例でえた比較ケース材料５の再結晶化し
ていないＮｉめっき層表面を示す走査電子顕微鏡写真を
示す図である。
ていないＮｉめっき層表面を示す走査電子顕微鏡写真を
示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 洋白材の表面に厚さ０．５〜５．０μｍ
のＮｉめっきを施した後、熱処理によりＮｉめっき層の
Ｎｉを再結晶化させてなる電子部品の封止用ケース材
料。 - 【請求項２】 熱処理後のＮｉめっき層の硬さがＨＶ
０．０２５で１００〜１２０である請求項１記載の電子
部品の封止用ケース材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30653396A JPH10150115A (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 電子部品の封止用ケース材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30653396A JPH10150115A (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 電子部品の封止用ケース材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10150115A true JPH10150115A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=17958184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30653396A Pending JPH10150115A (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 電子部品の封止用ケース材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10150115A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7276667B2 (en) | 2003-11-14 | 2007-10-02 | Seiko Epson Corporation | Press-fit sealed electronic component and method for producing the same |
-
1996
- 1996-11-18 JP JP30653396A patent/JPH10150115A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7276667B2 (en) | 2003-11-14 | 2007-10-02 | Seiko Epson Corporation | Press-fit sealed electronic component and method for producing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040817 |