JPH101482A - 3−ノルセフェム化合物の製造法 - Google Patents
3−ノルセフェム化合物の製造法Info
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- JPH101482A JPH101482A JP8175529A JP17552996A JPH101482A JP H101482 A JPH101482 A JP H101482A JP 8175529 A JP8175529 A JP 8175529A JP 17552996 A JP17552996 A JP 17552996A JP H101482 A JPH101482 A JP H101482A
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- JP
- Japan
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- compound
- group
- hydride
- reaction
- reagent
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D501/00—Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高収率、高純度で3−ノルセフェム化合物を
容易に製造し得る方法を提供する。 【解決手段】 一般式(1)で表されるハロゲン化β−
ラクタム化合物に、1価銅化合物の存在下、ヒドリド試
薬を作用させることを特徴とする、一般式(2)で表さ
れる3−ノルセフェム化合物の製造法。 【化1】 [式中R1は水素原子、アミノ基又は保護されたアミノ
基を示す。R2は置換基を有することのあるアリール基
を示す。nは0〜2を示す。R3は水素原子又はカルボ
ン酸保護基を示す。Xはハロゲン原子を示し、Yはハロ
ゲン原子又は脱離基を示す。] 【化2】 [式中R1及びR3は上記に同じ。]
容易に製造し得る方法を提供する。 【解決手段】 一般式(1)で表されるハロゲン化β−
ラクタム化合物に、1価銅化合物の存在下、ヒドリド試
薬を作用させることを特徴とする、一般式(2)で表さ
れる3−ノルセフェム化合物の製造法。 【化1】 [式中R1は水素原子、アミノ基又は保護されたアミノ
基を示す。R2は置換基を有することのあるアリール基
を示す。nは0〜2を示す。R3は水素原子又はカルボ
ン酸保護基を示す。Xはハロゲン原子を示し、Yはハロ
ゲン原子又は脱離基を示す。] 【化2】 [式中R1及びR3は上記に同じ。]
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、3−ノルセフェム化合
物の製造法に関する。本発明の3−ノルセフェム化合物
は、例えば注射薬として広く利用されているセフチゾキ
シム(最新抗生剤要覧第9版、薬事時報社、第72〜7
3頁)又は経口薬として広く利用されているセフチブテ
ン(最新抗生剤要覧第9版、薬事時報社、第85頁)の
原料として有用であり、工業的に広く用いられている。
物の製造法に関する。本発明の3−ノルセフェム化合物
は、例えば注射薬として広く利用されているセフチゾキ
シム(最新抗生剤要覧第9版、薬事時報社、第72〜7
3頁)又は経口薬として広く利用されているセフチブテ
ン(最新抗生剤要覧第9版、薬事時報社、第85頁)の
原料として有用であり、工業的に広く用いられている。
【0002】
【従来の技術】従来、一般式(2)で表される3−ノル
セフェム化合物の製造法としては、例えば、一般式
(3)で表される3−ハロセフェム化合物又は3−スル
ホニルオキシセフェム化合物に亜鉛粉末等の還元剤を作
用させる方法が報告されている(特開昭52−5918
6号公報、Recent Advances in the Chemistry of
β−Lactam Antibiotics, P.170, 1977、Pu
re & Appl. Chem., 1987, 59, 1041
等)。
セフェム化合物の製造法としては、例えば、一般式
(3)で表される3−ハロセフェム化合物又は3−スル
ホニルオキシセフェム化合物に亜鉛粉末等の還元剤を作
用させる方法が報告されている(特開昭52−5918
6号公報、Recent Advances in the Chemistry of
β−Lactam Antibiotics, P.170, 1977、Pu
re & Appl. Chem., 1987, 59, 1041
等)。
【0003】
【化3】 [式中R1は水素原子、アミノ基又は保護されたアミノ
基を示す。R3は水素原子又はカルボン酸保護基を示
す。]
基を示す。R3は水素原子又はカルボン酸保護基を示
す。]
【0004】
【化4】 [式中R1及びR3は上記に同じ。Xはハロゲン原子、C
1〜C3のアルカンスルホニルオキシ基又はトルエンスル
ホニルオキシ基を示す。]
1〜C3のアルカンスルホニルオキシ基又はトルエンスル
ホニルオキシ基を示す。]
【0005】しかしながら、この方法では製造そのもの
が難しい3−ハロセフェム化合物や3−スルホニルオキ
シセフェム化合物を出発原料として用いなければならず
実用化は難しい。また、3−ヒドロキシセフェム化合物
を接触水添して3−ヒドロキシセファムを得、これをハ
ロギ酸エステル/塩基により1,2−脱離して3−ノル
セフェムとする方法が報告されている(特開昭58−2
13785号公報、特開昭58−34714号公報、P
ure & Appl. Chem., 1987, 59, 1041
等)。
が難しい3−ハロセフェム化合物や3−スルホニルオキ
シセフェム化合物を出発原料として用いなければならず
実用化は難しい。また、3−ヒドロキシセフェム化合物
を接触水添して3−ヒドロキシセファムを得、これをハ
ロギ酸エステル/塩基により1,2−脱離して3−ノル
セフェムとする方法が報告されている(特開昭58−2
13785号公報、特開昭58−34714号公報、P
ure & Appl. Chem., 1987, 59, 1041
等)。
【0006】
【化5】
【0007】本法においても、合成の難しい3−ヒドロ
キシセフェムを出発原料とし、加えて接触水添及び1,
2−脱離の2行程を必要とするので、実用的な方法とは
言えない。更に、Chemistry and Biology of β−La
ctam Antibiotics Penicilinsand Cephalosporins
Volume1, P.170には、下記反応行程式(5)の様
な3−ホルミルセフェムを出発原料とする方法、或いは
下記反応行程式(6)の様なヴィッティッヒ反応を用い
る方法等が報告されている。
キシセフェムを出発原料とし、加えて接触水添及び1,
2−脱離の2行程を必要とするので、実用的な方法とは
言えない。更に、Chemistry and Biology of β−La
ctam Antibiotics Penicilinsand Cephalosporins
Volume1, P.170には、下記反応行程式(5)の様
な3−ホルミルセフェムを出発原料とする方法、或いは
下記反応行程式(6)の様なヴィッティッヒ反応を用い
る方法等が報告されている。
【0008】
【化6】
【0009】
【化7】
【0010】しかしながら、いずれの方法も、やはり出
発物質の入手が非常に困難であり、しかも前者では高価
なロジュウム錯体を用いなければならず、また後者では
ヴィッティッヒ反応を利用するため大量のリン廃棄物が
副生するという問題点を抱えている。
発物質の入手が非常に困難であり、しかも前者では高価
なロジュウム錯体を用いなければならず、また後者では
ヴィッティッヒ反応を利用するため大量のリン廃棄物が
副生するという問題点を抱えている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の従来の製造方法に見られる欠点を克服し、高収率、高
純度で目的とする3−ノルセフェム化合物を容易に製造
し得る方法を提供することにある。
の従来の製造方法に見られる欠点を克服し、高収率、高
純度で目的とする3−ノルセフェム化合物を容易に製造
し得る方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式(1)で
表されるハロゲン化β−ラクタム化合物に、1価銅化合
物の存在下、ヒドリド試薬を作用させることを特徴とす
る、一般式(2)で表される3−ノルセフェム化合物の
製造法に係る。
表されるハロゲン化β−ラクタム化合物に、1価銅化合
物の存在下、ヒドリド試薬を作用させることを特徴とす
る、一般式(2)で表される3−ノルセフェム化合物の
製造法に係る。
【0013】
【化8】 [式中R1は水素原子、アミノ基又は保護されたアミノ
基を示す。R2は置換基を有することのあるアリール基
を示す。nは0〜2を示す。R3は水素原子又はカルボ
ン酸保護基を示す。Xはハロゲン原子を示し、Yはハロ
ゲン原子又は脱離基を示す。]
基を示す。R2は置換基を有することのあるアリール基
を示す。nは0〜2を示す。R3は水素原子又はカルボ
ン酸保護基を示す。Xはハロゲン原子を示し、Yはハロ
ゲン原子又は脱離基を示す。]
【0014】
【化9】 [式中R1及びR3は上記に同じ。]
【0015】本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、上記
の公知の製造法のように、合成が困難なセフェム化合物
を出発原料とするのではなく、ペニシリンより容易に誘
導できるハロゲン化β−ラクタム化合物を出発原料と
し、これに特定の金属化合物の存在下特定の試薬を作用
させることにより、還元と同時に環化反応が進行し、一
行程で目的の3−ノルセフェム化合物を製造しうるとい
う優れた反応形式を見出し、本発明を完成するに至っ
た。本発明によれば、簡便な操作により且つ一行程で、
安定に、目的とする3−ノルセフェム化合物を製造する
ことができる。また、目的とする3−ノルセフェム化合
物を高収率且つ高純度で製造することができる。
の公知の製造法のように、合成が困難なセフェム化合物
を出発原料とするのではなく、ペニシリンより容易に誘
導できるハロゲン化β−ラクタム化合物を出発原料と
し、これに特定の金属化合物の存在下特定の試薬を作用
させることにより、還元と同時に環化反応が進行し、一
行程で目的の3−ノルセフェム化合物を製造しうるとい
う優れた反応形式を見出し、本発明を完成するに至っ
た。本発明によれば、簡便な操作により且つ一行程で、
安定に、目的とする3−ノルセフェム化合物を製造する
ことができる。また、目的とする3−ノルセフェム化合
物を高収率且つ高純度で製造することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】本明細書において示される各基
は、より具体的にはそれぞれ次の通りである。R1で示
される保護されたアミノ基としては、プロテクティブグ
ループインオーガニックシンセシス(Protective Gro
ups in Organic Synthsis, TheodoraW.Greene
著、1981年、以下単に「文献」という)の第7章
(第218〜287頁)に記載されている各種の基の
他、フェノキシアセトアミド、p−メチルフェノキシア
セトアミド、p−メトキシフェノキシアセトアミド、p
−クロロフェノキシアセトアミド、p−ブロモフェノキ
シアセトアミド、フェニルアセトアミド、p−メチルフ
ェニルアセトアミド、p−メトキシフェニルアセトアミ
ド、p−クロロフェニルアセトアミド、p−ブロモフェ
ニルアセトアミド、フェニルモノクロロアセトアミド、
フェニルジクロロアセトアミド、フェニルヒドロキシア
セトアミド、チエニルアセトアミド、フェニルアセトキ
シアセトアミド、α−オキソフェニルアセトアミド、ベ
ンズアミド、p−メチルベンズアミド、p−メトキシベ
ンズアミド、p−クロロベンズアミド、p−ブロモベン
ズアミド、フェニルグリシルアミドやアミノ基の保護さ
れたフェニルグリシルアミド、p−ヒドロキシフェニル
グリシルアミドやアミノ基及び水酸基の一方又は両方が
保護されたp−ヒドロキシフェニルグリシルアミド等の
アミド類、フタルイミド、ニトロフタルイミド等イミド
類を例示できる。フェニルグリシルアミド及びp−ヒド
ロキシフェニルグリシルアミドのアミノ基の保護基とし
ては、上記文献の第7章(第218〜287頁)に記載
されている各種基を例示できる。また、p−ヒドロキシ
フェニルグリシルアミドの水酸基の保護基としては、上
記文献の第2章(第10〜72頁)に記載されている各
種基を例示できる。
は、より具体的にはそれぞれ次の通りである。R1で示
される保護されたアミノ基としては、プロテクティブグ
ループインオーガニックシンセシス(Protective Gro
ups in Organic Synthsis, TheodoraW.Greene
著、1981年、以下単に「文献」という)の第7章
(第218〜287頁)に記載されている各種の基の
他、フェノキシアセトアミド、p−メチルフェノキシア
セトアミド、p−メトキシフェノキシアセトアミド、p
−クロロフェノキシアセトアミド、p−ブロモフェノキ
シアセトアミド、フェニルアセトアミド、p−メチルフ
ェニルアセトアミド、p−メトキシフェニルアセトアミ
ド、p−クロロフェニルアセトアミド、p−ブロモフェ
ニルアセトアミド、フェニルモノクロロアセトアミド、
フェニルジクロロアセトアミド、フェニルヒドロキシア
セトアミド、チエニルアセトアミド、フェニルアセトキ
シアセトアミド、α−オキソフェニルアセトアミド、ベ
ンズアミド、p−メチルベンズアミド、p−メトキシベ
ンズアミド、p−クロロベンズアミド、p−ブロモベン
ズアミド、フェニルグリシルアミドやアミノ基の保護さ
れたフェニルグリシルアミド、p−ヒドロキシフェニル
グリシルアミドやアミノ基及び水酸基の一方又は両方が
保護されたp−ヒドロキシフェニルグリシルアミド等の
アミド類、フタルイミド、ニトロフタルイミド等イミド
類を例示できる。フェニルグリシルアミド及びp−ヒド
ロキシフェニルグリシルアミドのアミノ基の保護基とし
ては、上記文献の第7章(第218〜287頁)に記載
されている各種基を例示できる。また、p−ヒドロキシ
フェニルグリシルアミドの水酸基の保護基としては、上
記文献の第2章(第10〜72頁)に記載されている各
種基を例示できる。
【0017】R2で示される置換基を有することのある
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、含窒素
ヘテロ環等を例示できる。含窒素ヘテロ環の種類として
は、ベンゾチアゾ−ル基、トリアゾ−ル基、チアゾ−ル
基、テトラゾ−ル基等を例示できる。これらのアリ−ル
基に置換してもよい置換基の種類としては、例えばハロ
ゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子等)、C1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルコ
キシ基(例えばメトキシ基、エトキシ基等)、C1〜C4
の直鎖もしくは分枝鎖状アルキルチオ基(例えばメチル
チオ基、エキルチオ基等)、C1〜C4の直鎖もしくは分
岐鎖状アルキルスルホニルオキシ基(例えばメタンスル
ホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ
基等)、置換基を有してもよい芳香族スルホニルオキシ
基(例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスル
ホニルオキシ基等)、C1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状
アルキル基(例えばメチル基、エチル基等)、アミノ
基、置換基としてC1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アル
キル基を1個又は2個有するアミノ基(例えばメチルア
ミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチル
アミノ基等)、水酸基、RCOO−(Rはフェニル基、
トリル基又はC1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル
基)で表されるアシルオキシ基(例えばフェニルカルボ
ニルオキシ基、アセチルオキシ基等)、RCO−(Rは
上記に同じ)で表されるアシル基(例えばフェニルカル
ボニル基、アセチル基等)、ニトロ基、シアノ基、フェ
ニル基等を例示できる。これらの置換基はR2で示され
るアリールがフェニル基である場合は1〜5個、好まし
くは1、2又は3個、R2で示されるアリール基がナフ
チルである場合は1〜7個、好ましくは1、2又は3
個、同一又は異なる種類が置換してもよい。
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、含窒素
ヘテロ環等を例示できる。含窒素ヘテロ環の種類として
は、ベンゾチアゾ−ル基、トリアゾ−ル基、チアゾ−ル
基、テトラゾ−ル基等を例示できる。これらのアリ−ル
基に置換してもよい置換基の種類としては、例えばハロ
ゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子等)、C1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルコ
キシ基(例えばメトキシ基、エトキシ基等)、C1〜C4
の直鎖もしくは分枝鎖状アルキルチオ基(例えばメチル
チオ基、エキルチオ基等)、C1〜C4の直鎖もしくは分
岐鎖状アルキルスルホニルオキシ基(例えばメタンスル
ホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ
基等)、置換基を有してもよい芳香族スルホニルオキシ
基(例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスル
ホニルオキシ基等)、C1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状
アルキル基(例えばメチル基、エチル基等)、アミノ
基、置換基としてC1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アル
キル基を1個又は2個有するアミノ基(例えばメチルア
ミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチル
アミノ基等)、水酸基、RCOO−(Rはフェニル基、
トリル基又はC1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル
基)で表されるアシルオキシ基(例えばフェニルカルボ
ニルオキシ基、アセチルオキシ基等)、RCO−(Rは
上記に同じ)で表されるアシル基(例えばフェニルカル
ボニル基、アセチル基等)、ニトロ基、シアノ基、フェ
ニル基等を例示できる。これらの置換基はR2で示され
るアリールがフェニル基である場合は1〜5個、好まし
くは1、2又は3個、R2で示されるアリール基がナフ
チルである場合は1〜7個、好ましくは1、2又は3
個、同一又は異なる種類が置換してもよい。
【0018】R3で示されるカルボン酸の保護基として
は、上記文献の第5章(第152〜192頁)に示され
ている各種基の他、アリル基、ベンジル基、p−メトキ
シベンジル基、p−ニトロベンジル基、ジフェニルメチ
ル基、トリクロロメチル基、tert−ブチル基等を例
示できる。X,Yで示されるハロゲン原子としてはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素を例示出来る。Yで示される脱
離基としては置換基を有してもよい低級アルキルスルホ
ニルオキシ基(例えばメタンスルホニルオキシ基、トリ
フルオロメタンスルホニルオキシ基、トリクロロメタン
スルホニルオキシ基等)、芳香族スルホニルオキシ基
(例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホ
ニルオキシ基等)、ハロゲン化スルホニルオキシ基(例
えばフルオロメタンスルホニルオキシ基等)、低級アル
キルホスホニルオキシ基(例えばトリメチルオキシ基、
トリエチルオキシ基、トリブチルホスホニルオキシ基
等)、芳香族ホスホニルオキシ基(例えばトリフェニル
ホスホニルオキシ基、トリトリルホスホニルオキシ基
等)等を例示できる。
は、上記文献の第5章(第152〜192頁)に示され
ている各種基の他、アリル基、ベンジル基、p−メトキ
シベンジル基、p−ニトロベンジル基、ジフェニルメチ
ル基、トリクロロメチル基、tert−ブチル基等を例
示できる。X,Yで示されるハロゲン原子としてはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素を例示出来る。Yで示される脱
離基としては置換基を有してもよい低級アルキルスルホ
ニルオキシ基(例えばメタンスルホニルオキシ基、トリ
フルオロメタンスルホニルオキシ基、トリクロロメタン
スルホニルオキシ基等)、芳香族スルホニルオキシ基
(例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホ
ニルオキシ基等)、ハロゲン化スルホニルオキシ基(例
えばフルオロメタンスルホニルオキシ基等)、低級アル
キルホスホニルオキシ基(例えばトリメチルオキシ基、
トリエチルオキシ基、トリブチルホスホニルオキシ基
等)、芳香族ホスホニルオキシ基(例えばトリフェニル
ホスホニルオキシ基、トリトリルホスホニルオキシ基
等)等を例示できる。
【0019】本発明の方法によれば、1価銅化合物の存
在下、上記一般式(1)のハロゲン化β−ラクタム化合
物(以下「ハロゲン化β−ラクタム化合物(1)」とい
う)に、ヒドリド試薬を作用させることにより、一般式
(2)の3−ノルセフェム化合物(以下「3−ノルセフ
ェム化合物(2)」という)を製造することができる。
1価銅化合物としては、公知の1価銅塩がいずれも使用
でき、例えば、塩化銅(I)、臭化銅(I)、ヨウ化銅
(I)、フッ化銅(I)等のハロゲン化銅、酸化銅
(I)等の銅酸化物等を挙げることができ、これらの中
でも、ハロゲン化銅が好ましく、塩化銅(I)、臭化銅
(I)等が特に好ましい。また1価銅塩は無水物であっ
ても結晶水を含んでいてもよい。1価銅塩は1種を単独
で又は2種以上を混合して用いても良い。1価銅塩の使
用量は特に制限はなく、広い範囲から適宜選択できる
が、通常1当量〜30当量程度、好ましくは1当量〜5
当量程度とすればよい。
在下、上記一般式(1)のハロゲン化β−ラクタム化合
物(以下「ハロゲン化β−ラクタム化合物(1)」とい
う)に、ヒドリド試薬を作用させることにより、一般式
(2)の3−ノルセフェム化合物(以下「3−ノルセフ
ェム化合物(2)」という)を製造することができる。
1価銅化合物としては、公知の1価銅塩がいずれも使用
でき、例えば、塩化銅(I)、臭化銅(I)、ヨウ化銅
(I)、フッ化銅(I)等のハロゲン化銅、酸化銅
(I)等の銅酸化物等を挙げることができ、これらの中
でも、ハロゲン化銅が好ましく、塩化銅(I)、臭化銅
(I)等が特に好ましい。また1価銅塩は無水物であっ
ても結晶水を含んでいてもよい。1価銅塩は1種を単独
で又は2種以上を混合して用いても良い。1価銅塩の使
用量は特に制限はなく、広い範囲から適宜選択できる
が、通常1当量〜30当量程度、好ましくは1当量〜5
当量程度とすればよい。
【0020】ヒドリド試薬としては、有機錫ヒドリド
(例えばトリブチル錫ヒドリド等のトリアルキル錫ヒド
リド、フェニルジブチル錫ヒドリド等の芳香族錫ヒドリ
ド、ビニルジブチル錫ヒドリド等のアルケニル錫ヒドリ
ド等)、アルミニウムヒドリド(リチウムアルミニウム
ヒドリド等)、硼素ヒドリド(ボラン、ボラン−アンモ
ニア錯体、ソディウムボロヒドリド等)、シリルヒドリ
ド化合物(トリメチルシリルヒドリド等のトリアルキル
シリルヒドリド化合物、トリフェニルシリルヒドリド等
のトリアリールシリルヒドリド化合物、ビニルジメチル
シリルヒドリド等のアルケニルシリルヒドリド化合
物)、リチウムヒドリド、ナトリウムヒドリド等のアル
カリ金属ヒドリド、カルシウムヒドリド等のアルカリ土
類金属ヒドリド等を例示できる。ヒドリド試薬は1種を
単独で又は2種以上を混合して使用できる。ヒドリド試
薬は、ハロゲン化β−ラクタム化合物(1)に対して通
常1〜30倍モル量程度、好ましくは1〜10倍モル量
程度になるように使用するのがよい。
(例えばトリブチル錫ヒドリド等のトリアルキル錫ヒド
リド、フェニルジブチル錫ヒドリド等の芳香族錫ヒドリ
ド、ビニルジブチル錫ヒドリド等のアルケニル錫ヒドリ
ド等)、アルミニウムヒドリド(リチウムアルミニウム
ヒドリド等)、硼素ヒドリド(ボラン、ボラン−アンモ
ニア錯体、ソディウムボロヒドリド等)、シリルヒドリ
ド化合物(トリメチルシリルヒドリド等のトリアルキル
シリルヒドリド化合物、トリフェニルシリルヒドリド等
のトリアリールシリルヒドリド化合物、ビニルジメチル
シリルヒドリド等のアルケニルシリルヒドリド化合
物)、リチウムヒドリド、ナトリウムヒドリド等のアル
カリ金属ヒドリド、カルシウムヒドリド等のアルカリ土
類金属ヒドリド等を例示できる。ヒドリド試薬は1種を
単独で又は2種以上を混合して使用できる。ヒドリド試
薬は、ハロゲン化β−ラクタム化合物(1)に対して通
常1〜30倍モル量程度、好ましくは1〜10倍モル量
程度になるように使用するのがよい。
【0021】本反応は、必要に応じて撹拌しながら、無
溶媒下又は溶媒中にて行われるが、溶媒中で行うのが好
ましい。溶媒として反応に影響を与えないものであれば
特に制限されず、例えば、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻
酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル等の低級カルボン酸の低級アルキルエステ
ル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピル
ケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、ジエチルケトン等のケトン類、ジエチルエーテル、
エチルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、ジプ
ロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエ
ーテル、メチルセロシルブ、ジメトキシエタン等のエー
テル類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラ
ン等の環状エーテル類、アセトニトリル、プロピオニト
リル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、バレロニ
トリル等のニトリル類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロロベンゼン、アニソール等の置換もしくは非置
換の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホル
ム、ジクロロエタン、トリクロロエタン、ジブロモエタ
ン、プロピレンジクロライド、四塩化炭素、フロン類等
のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、シクロペンタン、
シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の
シクロアルカン類、ジメチルホルムアミド、ジエチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類、N−
メチルピロリジノン等の環状アミド類、ジメチルスルホ
キシド等を挙げることができる。これらは1種単独で又
は2種以上混合して使用される。またこれらの有機溶媒
には、必要に応じて水が含有されていてもよい。溶媒
は、ハロゲン化β−ラクタム化合物(1)1kg当たり、
通常10〜200リットル程度、好ましくは20〜10
0リットル程度使用すればよい。
溶媒下又は溶媒中にて行われるが、溶媒中で行うのが好
ましい。溶媒として反応に影響を与えないものであれば
特に制限されず、例えば、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻
酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル等の低級カルボン酸の低級アルキルエステ
ル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピル
ケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、ジエチルケトン等のケトン類、ジエチルエーテル、
エチルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、ジプ
ロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエ
ーテル、メチルセロシルブ、ジメトキシエタン等のエー
テル類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラ
ン等の環状エーテル類、アセトニトリル、プロピオニト
リル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、バレロニ
トリル等のニトリル類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロロベンゼン、アニソール等の置換もしくは非置
換の芳香族炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホル
ム、ジクロロエタン、トリクロロエタン、ジブロモエタ
ン、プロピレンジクロライド、四塩化炭素、フロン類等
のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、シクロペンタン、
シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の
シクロアルカン類、ジメチルホルムアミド、ジエチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類、N−
メチルピロリジノン等の環状アミド類、ジメチルスルホ
キシド等を挙げることができる。これらは1種単独で又
は2種以上混合して使用される。またこれらの有機溶媒
には、必要に応じて水が含有されていてもよい。溶媒
は、ハロゲン化β−ラクタム化合物(1)1kg当たり、
通常10〜200リットル程度、好ましくは20〜10
0リットル程度使用すればよい。
【0022】本反応は、通常−10〜80℃程度、好ま
しくは0〜50℃程度の温度下に行われる。室温付近の
反応温度でも本反応は良好に進行する。また必要により
密封容器中、または不活性ガス例えば窒素ガス中で行な
うこともできる。得られる3−ノルセフェム化合物
(2)は通常の精製操作により単離することができる。
ここで、出発原料として用いられるβ−ラクタム化合物
(1)は、例えば、一般式で表されるβ−ラクタム化合
物(以下「β−ラクタム化合物(4)」という)の水酸
基に、ハロゲン化試剤又は脱離基生成試剤を作用させる
ことにより、製造することができる。
しくは0〜50℃程度の温度下に行われる。室温付近の
反応温度でも本反応は良好に進行する。また必要により
密封容器中、または不活性ガス例えば窒素ガス中で行な
うこともできる。得られる3−ノルセフェム化合物
(2)は通常の精製操作により単離することができる。
ここで、出発原料として用いられるβ−ラクタム化合物
(1)は、例えば、一般式で表されるβ−ラクタム化合
物(以下「β−ラクタム化合物(4)」という)の水酸
基に、ハロゲン化試剤又は脱離基生成試剤を作用させる
ことにより、製造することができる。
【0023】
【化10】 [式中R1、R2、R3及びXは上記に同じ。nは0〜2
を示す。]
を示す。]
【0024】ハロゲン化試剤としては、水酸基のハロゲ
ン化試剤として常用されるものであれば特に制限なく、
例えば、オキシ塩化リン、五塩化リン等のリン(V)塩
化物、三塩化リン、三臭化リン等のリン(III)塩化物
及び臭化物、置換基を有してもよいトリアリールホスフ
ィン二塩素錯体、トリアリールホスフィン二臭素錯体等
のトリアリールホスフィンハロゲン錯体、置換基を有し
てもよいトリアリールホスフィン又はトリアルキルホス
フィンとハロゲン分子の混合物、塩化チオニル、臭化チ
オニル等のハロゲン化チオニル、塩化スルホニル、臭化
スルホニル等のハロゲン化スルホニル等が例示できる。
ハロゲン化試剤は、1種を単独で又は2種以上を併用し
て使用できる。ハロゲン化試剤の使用量は特に制限はな
いが、通常β−ラクタム化合物(4)に対して1〜50
倍モル量程度、好ましくは1〜10倍モル量程度とすれ
ばよい。また、反応をより一層有利に進行させるため、
ハロゲン化試剤と共に例えば重炭酸ナトリウム、炭酸ナ
トリウム等の無機塩基、トリエチルアミン、エチルジイ
ソプロピルアミン、N,N−ジメチルアニリン等の有機
塩基、アンバーライトXE−583等の塩基性樹脂を併
用してもよい。
ン化試剤として常用されるものであれば特に制限なく、
例えば、オキシ塩化リン、五塩化リン等のリン(V)塩
化物、三塩化リン、三臭化リン等のリン(III)塩化物
及び臭化物、置換基を有してもよいトリアリールホスフ
ィン二塩素錯体、トリアリールホスフィン二臭素錯体等
のトリアリールホスフィンハロゲン錯体、置換基を有し
てもよいトリアリールホスフィン又はトリアルキルホス
フィンとハロゲン分子の混合物、塩化チオニル、臭化チ
オニル等のハロゲン化チオニル、塩化スルホニル、臭化
スルホニル等のハロゲン化スルホニル等が例示できる。
ハロゲン化試剤は、1種を単独で又は2種以上を併用し
て使用できる。ハロゲン化試剤の使用量は特に制限はな
いが、通常β−ラクタム化合物(4)に対して1〜50
倍モル量程度、好ましくは1〜10倍モル量程度とすれ
ばよい。また、反応をより一層有利に進行させるため、
ハロゲン化試剤と共に例えば重炭酸ナトリウム、炭酸ナ
トリウム等の無機塩基、トリエチルアミン、エチルジイ
ソプロピルアミン、N,N−ジメチルアニリン等の有機
塩基、アンバーライトXE−583等の塩基性樹脂を併
用してもよい。
【0025】脱離基生成試剤としては、塩化メタンスル
ホニル、塩化トリフルオロメタンスルホニル等の置換基
を有してもよい低級アルキルスルホン酸塩化物、塩化ベ
ンゼンスルホニル、塩化トルエンスルホニル等の置換基
を有してもよい芳香族スルホン酸塩化物、メタンスルホ
ン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物等の
置換基を有してもよい低級アルキルスルホン酸無水物、
ベンゼンスルホン酸無水物、トルエンスルホン酸無水物
等の置換基を有してもよい芳香族スルホン酸無水物、塩
化ジエチルホスホニル等の置換基を有してもよい低級ア
ルキル燐酸塩化物、塩化ジフェニルホスホニル等の置換
基を有してもよい芳香族リン酸塩化物等を例示できる。
これらの脱離基生成試剤に置換していてもよい置換基の
種類としては、例えばハロゲン原子(例えばフッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等)、C1〜C4の
直鎖もしくは分枝鎖状アルコキシ基(例えばメトキシ
基、エトキシ基等)、C1〜C4の直鎖又は分枝鎖状アル
キルチオ基(例えばメチルチオ基、エキルチオ基等)、
C1〜C4の直鎖又は分岐鎖状アルキルスルホニルオキシ
基(例えばメタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメ
タンスルホニルオキシ基等)、C1〜C4の直鎖又は分枝
鎖状アルキル基(例えばメチル基、エチル基等)、アミ
ノ基、置換基としてC1〜C4の直鎖又は分枝鎖状アルキ
ル基を1個又は2個有するアミノ基(例えばメチルアミ
ノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基等)、RCOO−(Rはフェニル基、トリル基又
はC1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル基)で表さ
れるアシルオキシ基(例えばフェニルカルボニルオキシ
基、アセチルオキシ基等)、RCO−(Rは上記に同
じ)で表されるアシル基(例えばフェニルカルボニル
基、アセチル基等)、ニトロ基、シアノ基、フェニル基
等を例示できる。これらの置換基は低級アルキルスルホ
ン酸塩化物、低級アルキルスルホン酸無水物、低級アル
キル燐酸塩化物に通常1〜5個程度、好ましくは1、2
又は3個、同一又は異なる種類が置換してもよい。ま
た、芳香族スルホン酸塩化物、芳香族スルホン酸無水
物、芳香族燐酸塩化物等においては、芳香族基がフェニ
ル基である場合は1〜5個程度、好ましくは1、2又は
3個、芳香族基がナフチルである場合は1〜7個程度、
好ましくは1、2又は3個、同一又は異なる種類の置換
基が置換していてもよい。脱離基生成試剤の使用量は、
β−ラクタム化合物(4)に対して通常1〜50倍モル
量程度、好ましくは1〜10倍モル量程度とするのが良
い。また脱離基生成試剤と共に例えば重炭酸ナトリウ
ム、炭酸ナトリウム等の無機塩基、トリエチルアミン、
エチルジイソプロピルアミン、N,N−ジメチルアニリ
ン等の有機塩基、アンバーライトXE−583等の塩基
性樹脂を併用することも可能である。
ホニル、塩化トリフルオロメタンスルホニル等の置換基
を有してもよい低級アルキルスルホン酸塩化物、塩化ベ
ンゼンスルホニル、塩化トルエンスルホニル等の置換基
を有してもよい芳香族スルホン酸塩化物、メタンスルホ
ン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物等の
置換基を有してもよい低級アルキルスルホン酸無水物、
ベンゼンスルホン酸無水物、トルエンスルホン酸無水物
等の置換基を有してもよい芳香族スルホン酸無水物、塩
化ジエチルホスホニル等の置換基を有してもよい低級ア
ルキル燐酸塩化物、塩化ジフェニルホスホニル等の置換
基を有してもよい芳香族リン酸塩化物等を例示できる。
これらの脱離基生成試剤に置換していてもよい置換基の
種類としては、例えばハロゲン原子(例えばフッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等)、C1〜C4の
直鎖もしくは分枝鎖状アルコキシ基(例えばメトキシ
基、エトキシ基等)、C1〜C4の直鎖又は分枝鎖状アル
キルチオ基(例えばメチルチオ基、エキルチオ基等)、
C1〜C4の直鎖又は分岐鎖状アルキルスルホニルオキシ
基(例えばメタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメ
タンスルホニルオキシ基等)、C1〜C4の直鎖又は分枝
鎖状アルキル基(例えばメチル基、エチル基等)、アミ
ノ基、置換基としてC1〜C4の直鎖又は分枝鎖状アルキ
ル基を1個又は2個有するアミノ基(例えばメチルアミ
ノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基等)、RCOO−(Rはフェニル基、トリル基又
はC1〜C4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル基)で表さ
れるアシルオキシ基(例えばフェニルカルボニルオキシ
基、アセチルオキシ基等)、RCO−(Rは上記に同
じ)で表されるアシル基(例えばフェニルカルボニル
基、アセチル基等)、ニトロ基、シアノ基、フェニル基
等を例示できる。これらの置換基は低級アルキルスルホ
ン酸塩化物、低級アルキルスルホン酸無水物、低級アル
キル燐酸塩化物に通常1〜5個程度、好ましくは1、2
又は3個、同一又は異なる種類が置換してもよい。ま
た、芳香族スルホン酸塩化物、芳香族スルホン酸無水
物、芳香族燐酸塩化物等においては、芳香族基がフェニ
ル基である場合は1〜5個程度、好ましくは1、2又は
3個、芳香族基がナフチルである場合は1〜7個程度、
好ましくは1、2又は3個、同一又は異なる種類の置換
基が置換していてもよい。脱離基生成試剤の使用量は、
β−ラクタム化合物(4)に対して通常1〜50倍モル
量程度、好ましくは1〜10倍モル量程度とするのが良
い。また脱離基生成試剤と共に例えば重炭酸ナトリウ
ム、炭酸ナトリウム等の無機塩基、トリエチルアミン、
エチルジイソプロピルアミン、N,N−ジメチルアニリ
ン等の有機塩基、アンバーライトXE−583等の塩基
性樹脂を併用することも可能である。
【0026】本反応も、必要に応じて撹拌しながら、無
溶媒下又は溶媒中にて行われるが、溶媒中で行うのが好
ましい。溶媒としては3−ノルセフェム化合物(2)を
製造する際に用いられるのと同様のものを使用できる。
溶媒は、β−ラクタム化合物(4)1kg当たり、通常1
0〜200リットル程度、好ましくは20〜100リッ
トル程度使用されるのがよい。本反応は、通常−78〜
60℃程度、好ましくは−40〜30℃程度の温度下に
行われる。
溶媒下又は溶媒中にて行われるが、溶媒中で行うのが好
ましい。溶媒としては3−ノルセフェム化合物(2)を
製造する際に用いられるのと同様のものを使用できる。
溶媒は、β−ラクタム化合物(4)1kg当たり、通常1
0〜200リットル程度、好ましくは20〜100リッ
トル程度使用されるのがよい。本反応は、通常−78〜
60℃程度、好ましくは−40〜30℃程度の温度下に
行われる。
【0027】また、β−ラクタム化合物(4)に脱離基
生成試剤を作用させ、次いでハロゲン化試剤を作用させ
ることによっても、ハロゲン化β−ラクタム化合物
(1)を製造できる。この時、脱離基生成試剤としては
上記と同様のものを使用できる。ハロゲン化試剤として
も上記と同様のものを使用できるが、それ以外に塩化リ
チウム、臭化リチウム等のハロゲン化アルカリ金属塩、
塩化カルシウム、臭化カルシウム等のハロゲン化アルカ
リ土類金属塩、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム等
のハロゲン化アルミニウム塩等も使用できる。その他の
各種条件は、上記の反応と同様でよい。上記の方法によ
り得られるハロゲン化β−ラクタム化合物(1)は通常
の精製方法によって単離できるが、そのまま次の反応に
用いることもできる。
生成試剤を作用させ、次いでハロゲン化試剤を作用させ
ることによっても、ハロゲン化β−ラクタム化合物
(1)を製造できる。この時、脱離基生成試剤としては
上記と同様のものを使用できる。ハロゲン化試剤として
も上記と同様のものを使用できるが、それ以外に塩化リ
チウム、臭化リチウム等のハロゲン化アルカリ金属塩、
塩化カルシウム、臭化カルシウム等のハロゲン化アルカ
リ土類金属塩、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム等
のハロゲン化アルミニウム塩等も使用できる。その他の
各種条件は、上記の反応と同様でよい。上記の方法によ
り得られるハロゲン化β−ラクタム化合物(1)は通常
の精製方法によって単離できるが、そのまま次の反応に
用いることもできる。
【0028】
実施例1 化合物(Ia)(R1=PhCH2CONH,R2=Ph,
R3=CH2C6H4OCH3−p,X=Cl,Y=Cl,n
=2)100mg及び塩化第一銅30mg(2当量)を10
mlナス型フラスコに計り取り、アルゴンガスにより系内
を置換した。これにN−メチルピロリジノン3mlを加え
た後、トリブチル錫ヒドリド175ml(4当量)を30
分毎4回に分けて滴下し、更に30分撹拌した。反応終
了後、反応液を酢酸エチルにより希釈し、5%塩酸、
水、飽和食塩水で順次洗浄した。得られた有機層を硫酸
ナトリウム上で乾燥した後、減圧下溶媒を留去した。残
査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(トルエン/
酢酸エチル=2/1)にて精製すると、化合物(2a)
59mg(90%)が得られた。1 H−NMR(300MHz,CDCl3)δ 3.33
(dd,J=6.3,19.2Hz,1H),3.53(d
d,J=2.7,19.2Hz,1H),3.59,3.7
1(Abq,J=16.1Hz,2H),3.80(s,
3H),4.90(d,J=5.1Hz,1H),5.1
5,5.22(Abq,J=11.8Hz,2H),5.8
6(dd,J=5.1,9.2Hz,1H),6.15
(d,J=9.2Hz,1H),6.50(dd,J=2.
7,6.3Hz,1H),6.86〜7.35(m,9
H).
R3=CH2C6H4OCH3−p,X=Cl,Y=Cl,n
=2)100mg及び塩化第一銅30mg(2当量)を10
mlナス型フラスコに計り取り、アルゴンガスにより系内
を置換した。これにN−メチルピロリジノン3mlを加え
た後、トリブチル錫ヒドリド175ml(4当量)を30
分毎4回に分けて滴下し、更に30分撹拌した。反応終
了後、反応液を酢酸エチルにより希釈し、5%塩酸、
水、飽和食塩水で順次洗浄した。得られた有機層を硫酸
ナトリウム上で乾燥した後、減圧下溶媒を留去した。残
査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(トルエン/
酢酸エチル=2/1)にて精製すると、化合物(2a)
59mg(90%)が得られた。1 H−NMR(300MHz,CDCl3)δ 3.33
(dd,J=6.3,19.2Hz,1H),3.53(d
d,J=2.7,19.2Hz,1H),3.59,3.7
1(Abq,J=16.1Hz,2H),3.80(s,
3H),4.90(d,J=5.1Hz,1H),5.1
5,5.22(Abq,J=11.8Hz,2H),5.8
6(dd,J=5.1,9.2Hz,1H),6.15
(d,J=9.2Hz,1H),6.50(dd,J=2.
7,6.3Hz,1H),6.86〜7.35(m,9
H).
【0029】実施例2 臭化第一銅2当量を用いて、その他の条件を変えずに実
施例1と同様の反応を行った結果、3時間後に原料はほ
ぼ消失し、化合物(2a)58mg(88%)が得られ
た。得られた化合物(2a)のスペクトルデータは実施
例1のそれに完全に一致した。 実施例3 トリブチル錫ヒドリド2当量を用いて、その他の条件を
変えずに実施例1と同様の反応を行った結果、3時間反
応後に原料はほぼ消失し、化合物(2a)58mg(88
%)が得られた。得られた化合物(2a)のスペクトル
データは実施例1のそれに完全に一致した。 実施例4 反応温度を45℃とし、その他の条件を変えずに実施例
1と同様の反応を行った結果、2時間反応後に原料はほ
ぼ消失し、化合物(2a)56mg(85%)が得られ
た。得られた化合物(2a)のスペクトルデータは実施
例1のそれに完全に一致した。 実施例5 反応温度を3℃とし、その他の条件を変えずに実施例1
と同様の反応を行った結果、2時間反応後に原料はほぼ
消失し、化合物(2a)59mg(90%)が得られた。
得られた化合物(2a)のスペクトルデータは実施例1
のそれに完全に一致した。 実施例6〜10 反応条件を実施例1と同様にし溶媒を変えて行った結果
を、下記表1に示す。
施例1と同様の反応を行った結果、3時間後に原料はほ
ぼ消失し、化合物(2a)58mg(88%)が得られ
た。得られた化合物(2a)のスペクトルデータは実施
例1のそれに完全に一致した。 実施例3 トリブチル錫ヒドリド2当量を用いて、その他の条件を
変えずに実施例1と同様の反応を行った結果、3時間反
応後に原料はほぼ消失し、化合物(2a)58mg(88
%)が得られた。得られた化合物(2a)のスペクトル
データは実施例1のそれに完全に一致した。 実施例4 反応温度を45℃とし、その他の条件を変えずに実施例
1と同様の反応を行った結果、2時間反応後に原料はほ
ぼ消失し、化合物(2a)56mg(85%)が得られ
た。得られた化合物(2a)のスペクトルデータは実施
例1のそれに完全に一致した。 実施例5 反応温度を3℃とし、その他の条件を変えずに実施例1
と同様の反応を行った結果、2時間反応後に原料はほぼ
消失し、化合物(2a)59mg(90%)が得られた。
得られた化合物(2a)のスペクトルデータは実施例1
のそれに完全に一致した。 実施例6〜10 反応条件を実施例1と同様にし溶媒を変えて行った結果
を、下記表1に示す。
【0030】
【表1】
【0031】実施例11 化合物(1a)(R1=PhCH2CONH,R2=Ph,
R3=CHPh2,X=Cl,Y=Cl,n=2)100mg
及び塩化第一銅29mg(2当量)を10mlナス型フラス
コに計り取り、アルゴンガスにより系内を置換した。こ
れにN−メチルピロリジノン3mlを加えた後、トリブチ
ル錫ヒドリド155ml(4当量)を30分毎4回に分け
て滴下し、更に30分撹拌した。反応終了後、反応液を
酢酸エチルにより希釈し、5%塩酸、水、飽和食塩水で
順次洗浄した。得られた有機層は硫酸ナトリウム上で乾
燥した後、減圧下、溶媒を留去した。残査をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(トルエン/酢酸エチル=2
/1)にて精製を行うと化合物(2b)64mg(92
%)が得られた。1 H−NMR(300MHz,CDCl3)δ 3.46
(dd,J=6.2,19.0Hz,1H),3.67(d
d,J=2.2,19.0Hz,1H),3.71,3.7
9(Abq,J=15.8Hz,2H),5.04(d,
J=4.3Hz,1H),6.00(dd,J=4.3,
9.0Hz,1H),6.19(d,J=9.0Hz,1
H),6.71(dd,J=2.2,6.2Hz,1H),
7.03(s,1H),7.35〜7.58(m,15
H).
R3=CHPh2,X=Cl,Y=Cl,n=2)100mg
及び塩化第一銅29mg(2当量)を10mlナス型フラス
コに計り取り、アルゴンガスにより系内を置換した。こ
れにN−メチルピロリジノン3mlを加えた後、トリブチ
ル錫ヒドリド155ml(4当量)を30分毎4回に分け
て滴下し、更に30分撹拌した。反応終了後、反応液を
酢酸エチルにより希釈し、5%塩酸、水、飽和食塩水で
順次洗浄した。得られた有機層は硫酸ナトリウム上で乾
燥した後、減圧下、溶媒を留去した。残査をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(トルエン/酢酸エチル=2
/1)にて精製を行うと化合物(2b)64mg(92
%)が得られた。1 H−NMR(300MHz,CDCl3)δ 3.46
(dd,J=6.2,19.0Hz,1H),3.67(d
d,J=2.2,19.0Hz,1H),3.71,3.7
9(Abq,J=15.8Hz,2H),5.04(d,
J=4.3Hz,1H),6.00(dd,J=4.3,
9.0Hz,1H),6.19(d,J=9.0Hz,1
H),6.71(dd,J=2.2,6.2Hz,1H),
7.03(s,1H),7.35〜7.58(m,15
H).
【0032】実施例12 臭化第一銅2当量を用いて、その他の条件を変えずに実
施例2と同様の反応を行った結果、3時間後に原料はほ
ぼ消失し、化合物(2b)62mg(89%)が得られ
た。得られた化合物(2b)のスペクトルデータは実施
例11のそれに完全に一致した。 実施例13 トリブチル錫ヒドリド2当量を用いて、その他の条件を
変えずに実施例11と同様の反応を行った結果、3時間
反応後に原料はほぼ消失し、化合物(2b)62mg(8
9%)が得られた。得られた化合物(2b)のスペクト
ルデータは実施例11のそれに完全に一致した。
施例2と同様の反応を行った結果、3時間後に原料はほ
ぼ消失し、化合物(2b)62mg(89%)が得られ
た。得られた化合物(2b)のスペクトルデータは実施
例11のそれに完全に一致した。 実施例13 トリブチル錫ヒドリド2当量を用いて、その他の条件を
変えずに実施例11と同様の反応を行った結果、3時間
反応後に原料はほぼ消失し、化合物(2b)62mg(8
9%)が得られた。得られた化合物(2b)のスペクト
ルデータは実施例11のそれに完全に一致した。
【0033】実施例14 出発物質を化合物(1d)(R1=PhCH2CONH,
R2=Ph,R3=CH2C6H4OCH3−p,X=Cl,Y
=OSO2CF3,n=2)に変えて実施例1と同様の反
応を行なった結果化合物(2a)54mg(94%)が得
られた。得られた化合物(2a)のスペクトルデータは
実施例1のそれに完全に一致した。 実施例15 出発物質を化合物(1e)(R1=PhCH2CONH,
R2=Ph,R3=CHPh2,X=Cl,Y=OSO2CF
3,n=2)に変えて実施例11と同様の反応を行なっ
た結果化合物(2b)55mg(91%)が得られた。得
られた化合物(2b)のスペクトルデータは実施例11
のそれに完全に一致した。
R2=Ph,R3=CH2C6H4OCH3−p,X=Cl,Y
=OSO2CF3,n=2)に変えて実施例1と同様の反
応を行なった結果化合物(2a)54mg(94%)が得
られた。得られた化合物(2a)のスペクトルデータは
実施例1のそれに完全に一致した。 実施例15 出発物質を化合物(1e)(R1=PhCH2CONH,
R2=Ph,R3=CHPh2,X=Cl,Y=OSO2CF
3,n=2)に変えて実施例11と同様の反応を行なっ
た結果化合物(2b)55mg(91%)が得られた。得
られた化合物(2b)のスペクトルデータは実施例11
のそれに完全に一致した。
【0034】実施例16 出発物質を化合物(1f)(R1=PhCH2CONH,
R2=Ph,R3=CH2C6H4OCH3−p,X=Cl,Y
=OSO2C6H4−CH3−P,n=2)に変えて実施例
1と同様の反応を行なった結果化合物(2a)50mg
(89%)が得られた。得られた化合物(2a)のスペ
クトルデータは実施例1のそれに完全に一致した。 実施例17 出発物質を化合物(1g)(R1=PhCH2CONH,
R2=Ph,R3=CHPh2,X=Cl,Y=OSO2C6H
4−CH3−p,n=2)に変えて実施例11と同様の反
応を行なった結果、化合物(2b)52mg(90%)が
得られた。得られた化合物(2b)スペクトルデータは
実施例11のそれに完全に一致した。
R2=Ph,R3=CH2C6H4OCH3−p,X=Cl,Y
=OSO2C6H4−CH3−P,n=2)に変えて実施例
1と同様の反応を行なった結果化合物(2a)50mg
(89%)が得られた。得られた化合物(2a)のスペ
クトルデータは実施例1のそれに完全に一致した。 実施例17 出発物質を化合物(1g)(R1=PhCH2CONH,
R2=Ph,R3=CHPh2,X=Cl,Y=OSO2C6H
4−CH3−p,n=2)に変えて実施例11と同様の反
応を行なった結果、化合物(2b)52mg(90%)が
得られた。得られた化合物(2b)スペクトルデータは
実施例11のそれに完全に一致した。
【0035】実施例18 出発物質を化合物(1f)(R1=PhCH2CONH,
R2=Ph,R3=CH2C6H4OCH3−p,X=Cl,
Y=OSO2CH3,n=2)に変えて実施例1と同様の
反応を行なった結果、化合物(2a)53mg(86%)
が得られた。得られた化合物(2a)スペクトルデータ
は実施例1のそれに完全に一致した。 実施例19 出発物質を化合物(1g)(R1=PhCH2CONH,
R2=Ph,R3=CHPh2,X=Cl,Y=OSO2C
H3,n=2)に変えて実施例11と同様の反応を行な
った結果、化合物(2b)56mg(88%)が得られ
た。得られた化合物(2b)のスペクトルデータは実施
例11のそれに完全に一致した。
R2=Ph,R3=CH2C6H4OCH3−p,X=Cl,
Y=OSO2CH3,n=2)に変えて実施例1と同様の
反応を行なった結果、化合物(2a)53mg(86%)
が得られた。得られた化合物(2a)スペクトルデータ
は実施例1のそれに完全に一致した。 実施例19 出発物質を化合物(1g)(R1=PhCH2CONH,
R2=Ph,R3=CHPh2,X=Cl,Y=OSO2C
H3,n=2)に変えて実施例11と同様の反応を行な
った結果、化合物(2b)56mg(88%)が得られ
た。得られた化合物(2b)のスペクトルデータは実施
例11のそれに完全に一致した。
【0036】参考例1 (セフチブテンまでの合成例) J.Antibiotics,1987,XL,1468記載の方
法による。なお、ZNH=PhCH2CONH、BH=C
HPh2である。
法による。なお、ZNH=PhCH2CONH、BH=C
HPh2である。
【0037】
【化11】
【0038】
【発明の効果】本発明によれば、上記の従来の製造方法
に見られる欠点を克服し、高収率、高純度で目的とする
3−ノルセフェム化合物を容易に製造することができ
る。
に見られる欠点を克服し、高収率、高純度で目的とする
3−ノルセフェム化合物を容易に製造することができ
る。
フロントページの続き (72)発明者 菊池 亮 徳島県徳島市川内町加賀須野463 大塚化 学株式会社徳島研究所内 (72)発明者 亀山 豊 徳島県徳島市川内町加賀須野463 大塚化 学株式会社徳島研究所内
Claims (3)
- 【請求項1】 一般式(1)で表されるハロゲン化β−
ラクタム化合物に、1価銅化合物の存在下、ヒドリド試
薬を作用させることを特徴とする、一般式(2)で表さ
れる3−ノルセフェム化合物の製造法。 【化1】 [式中R1は水素原子、アミノ基又は保護されたアミノ
基を示す。R2は置換基を有することのあるアリール基
を示す。nは0〜2を示す。R3は水素原子又はカルボ
ン酸保護基を示す。Xはハロゲン原子を示し、Yはハロ
ゲン原子又は脱離基を示す。] 【化2】 [式中R1及びR3は上記に同じ。] - 【請求項2】 1価銅化合物がハロゲン化銅又は銅酸化
物である請求項1に記載の製造法。 - 【請求項3】 ヒドリド試薬が有機錫ヒドリド、アルミ
ニウムヒドリド、硼素ヒドリド、シリルヒドリド化合
物、アルカリ金属ヒドリド又はアルカリ土類金属ヒドリ
ドである請求項1に記載の製造法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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AT97924375T ATE205497T1 (de) | 1996-06-13 | 1997-06-09 | Verfahren zur herstellung von 3-norcephem- verbindungen |
ES97924375T ES2164345T3 (es) | 1996-06-13 | 1997-06-09 | Procedimiento de produccion de compuestos 3-norcefema. |
EP97924375A EP0844247B1 (en) | 1996-06-13 | 1997-06-09 | Process for producing 3-norcephem compounds |
PCT/JP1997/001994 WO1997047627A1 (fr) | 1996-06-13 | 1997-06-09 | Procede de production de composes 3-norcephem |
CN97190714A CN1098268C (zh) | 1996-06-13 | 1997-06-09 | 3-头孢烯化合物的制备方法 |
KR1019980701083A KR100254312B1 (ko) | 1996-06-13 | 1997-06-09 | 3-노르세펨 화합물의 제조방법 |
DE69706632T DE69706632T2 (de) | 1996-06-13 | 1997-06-09 | Verfahren zur herstellung von 3-norcephem-verbindungen |
US09/011,041 US5977352A (en) | 1996-06-13 | 1997-06-09 | Process for preparing 3-norcephem compounds |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8175529A JPH101482A (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 3−ノルセフェム化合物の製造法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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---|---|
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KR (1) | KR100254312B1 (ja) |
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WO (1) | WO1997047627A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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JPS58213785A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-12 | Fujisawa Pharmaceut Co Ltd | 3−セフエム−4−カルボン酸エステルの製造法 |
AU575854B2 (en) * | 1983-10-04 | 1988-08-11 | Shionogi & Co., Ltd. | 7beta-(carboxyalkenamido) cephalosporins |
JP3224279B2 (ja) * | 1992-07-27 | 2001-10-29 | 大塚化学株式会社 | セフエム化合物の製造法 |
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-
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- 1997-06-09 KR KR1019980701083A patent/KR100254312B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-06-09 WO PCT/JP1997/001994 patent/WO1997047627A1/ja active IP Right Grant
- 1997-06-09 AT AT97924375T patent/ATE205497T1/de not_active IP Right Cessation
- 1997-06-09 CN CN97190714A patent/CN1098268C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-09 ES ES97924375T patent/ES2164345T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-09 DE DE69706632T patent/DE69706632T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-09 EP EP97924375A patent/EP0844247B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-09 US US09/011,041 patent/US5977352A/en not_active Expired - Fee Related
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EP0844247A1 (en) | 1998-05-27 |
DE69706632D1 (de) | 2001-10-18 |
US5977352A (en) | 1999-11-02 |
KR19990036414A (ko) | 1999-05-25 |
ATE205497T1 (de) | 2001-09-15 |
EP0844247B1 (en) | 2001-09-12 |
EP0844247A4 (en) | 1998-12-09 |
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DE69706632T2 (de) | 2002-06-27 |
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