JPH10147764A - ダイアタッチペースト及び半導体装置 - Google Patents
ダイアタッチペースト及び半導体装置Info
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- JPH10147764A JPH10147764A JP30930196A JP30930196A JPH10147764A JP H10147764 A JPH10147764 A JP H10147764A JP 30930196 A JP30930196 A JP 30930196A JP 30930196 A JP30930196 A JP 30930196A JP H10147764 A JPH10147764 A JP H10147764A
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- die attach
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- epoxy resin
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 作業性、硬化性、相溶性及びワイヤーボンデ
ィング性に優れたダイアタッチペースト及びこれを用い
た高信頼性の半導体装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）無機フィラー及び（Ｄ）硬化促進剤を含むダイア
タッチペーストにおいて（Ｂ）硬化剤がシアネート樹脂
とエポキシ基を有するジメチルシロキサン化合物との反
応生成物であるダイアタッチペースト、及びこのダイア
タッチペーストを用いて半導体素子を基板に接着してな
る半導体装置。
ィング性に優れたダイアタッチペースト及びこれを用い
た高信頼性の半導体装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）無機フィラー及び（Ｄ）硬化促進剤を含むダイア
タッチペーストにおいて（Ｂ）硬化剤がシアネート樹脂
とエポキシ基を有するジメチルシロキサン化合物との反
応生成物であるダイアタッチペースト、及びこのダイア
タッチペーストを用いて半導体素子を基板に接着してな
る半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ及びＬＳＩ等
の半導体素子をリードフレーム等の基板に接着するため
のダイアタッチペースト及びこれを用いた半導体装置に
関するものである。
の半導体素子をリードフレーム等の基板に接着するため
のダイアタッチペースト及びこれを用いた半導体装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体素子とリードフレームとの接
着には、ダイボンディング用ダイアタッチペーストが主
に使用されている。しかしながら、半導体素子の用途拡
大に伴う封止形態の多様化のため、半導体素子とリード
フレーム材との線膨張係数のミスマッチによる熱応力の
問題が顕在化してきた。この問題を解決するために、カ
ルボン酸末端ポリブタジエン変性エポキシ樹脂を用いる
方法（特開昭６２−１９９６６９号公報）、エポキシ化
ポリブタジエンを用いる方法（特開昭６３−１６１０１
５号公報）、エポキシ基を有するジメチルシロキサン化
合物を用いる方法（特開平０７−１６１７４０号公報）
等が行われている。
着には、ダイボンディング用ダイアタッチペーストが主
に使用されている。しかしながら、半導体素子の用途拡
大に伴う封止形態の多様化のため、半導体素子とリード
フレーム材との線膨張係数のミスマッチによる熱応力の
問題が顕在化してきた。この問題を解決するために、カ
ルボン酸末端ポリブタジエン変性エポキシ樹脂を用いる
方法（特開昭６２−１９９６６９号公報）、エポキシ化
ポリブタジエンを用いる方法（特開昭６３−１６１０１
５号公報）、エポキシ基を有するジメチルシロキサン化
合物を用いる方法（特開平０７−１６１７４０号公報）
等が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
各方法においてはカルボン酸末端ポリブタジエン変性エ
ポキシ樹脂の分子量が大きいために粘度が高くなりダイ
アタッチペーストの塗布作業性が低下する。エポキシ化
ポリブタジエンの硬化性が遅いため短時間硬化が難しく
生産性が低下する。ジメチルシロキサン化合物とエポキ
シ樹脂との相溶性が悪く保管中に分離が起こったりグリ
シジルエーテル基の反応性が充分でなく硬化中に揮発し
てチップ上を汚染してワイヤーボンディング性を低下さ
せる等の不具合があった。本発明は上記した欠点のな
い、作業性、硬化性、相溶性に優れたダイアタッチペー
スト及びこれを用いた高信頼性の半導体装置を提供する
ものである。
各方法においてはカルボン酸末端ポリブタジエン変性エ
ポキシ樹脂の分子量が大きいために粘度が高くなりダイ
アタッチペーストの塗布作業性が低下する。エポキシ化
ポリブタジエンの硬化性が遅いため短時間硬化が難しく
生産性が低下する。ジメチルシロキサン化合物とエポキ
シ樹脂との相溶性が悪く保管中に分離が起こったりグリ
シジルエーテル基の反応性が充分でなく硬化中に揮発し
てチップ上を汚染してワイヤーボンディング性を低下さ
せる等の不具合があった。本発明は上記した欠点のな
い、作業性、硬化性、相溶性に優れたダイアタッチペー
スト及びこれを用いた高信頼性の半導体装置を提供する
ものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機フィラー及び（Ｄ）
硬化促進剤を含むダイアタッチペーストにおいて（Ｂ）
硬化剤がシアネート樹脂とエポキシ基を有するジメチル
シロキサン化合物との反応生成物であるダイアタッチペ
ーストである。また、エポキシ基を有するジメチルシロ
キサン化合物が下記一般式（１）で示される前記のダイ
アタッチペーストである。
シ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機フィラー及び（Ｄ）
硬化促進剤を含むダイアタッチペーストにおいて（Ｂ）
硬化剤がシアネート樹脂とエポキシ基を有するジメチル
シロキサン化合物との反応生成物であるダイアタッチペ
ーストである。また、エポキシ基を有するジメチルシロ
キサン化合物が下記一般式（１）で示される前記のダイ
アタッチペーストである。
【０００５】
【化１】
【０００６】（式中Ｒ1 ，Ｒ2 は炭素数１〜５の２価の
脂肪族基、又は炭素数６以上の芳香族環を含む２価の有
機基を示し、互いに同じであっても異なっていてもよ
い） さらにこれらのダイアタッチペーストを用いて半導体素
子を基板に接着してなる半導体装置である。
脂肪族基、又は炭素数６以上の芳香族環を含む２価の有
機基を示し、互いに同じであっても異なっていてもよ
い） さらにこれらのダイアタッチペーストを用いて半導体素
子を基板に接着してなる半導体装置である。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に用いるエポキシ基を有す
るジメチルシロキサン化合物は一般式（１）で示される
ものであれば特に限定されるものではないが、例を挙げ
ると、１，３−ビス（３−グリシドキシプロピル）−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、商品名と
しては例えばＴＳＬ−９９０６（東芝シリコーン（株）
社製）である。
るジメチルシロキサン化合物は一般式（１）で示される
ものであれば特に限定されるものではないが、例を挙げ
ると、１，３−ビス（３−グリシドキシプロピル）−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、商品名と
しては例えばＴＳＬ−９９０６（東芝シリコーン（株）
社製）である。
【０００８】本発明に用いる式（１）のエポキシ樹脂は
低弾性率，低吸水率の特徴を有するものの単独では硬化
剤との反応が遅く沸点が比較的低いので２００℃程度の
硬化温度では揮発してしまう欠点を有している。この揮
発成分が半導体チップの表面に再付着して後工程のワイ
ヤーボンディングプロセスにおいて接着不良の原因とな
る。そこで予め分子内にシアン酸エステル基を有するシ
アネート樹脂と反応させ、高分子量化しておくと揮発分
を１％以下にまで押えることが可能となる。さらにこの
反応生成物をエポキシ樹脂の硬化剤として用いると熱応
力低減効果のみならず、その優れたエポキシとの反応性
から短時間硬化が可能となり生産性の向上に寄与するこ
とができるものである。特に昨今の半導体業界では歩留
り向上のためにｐｐｍオーダーのワイヤーボンディング
不良が問題となるが、１％以下の式（１）の化合物はシ
アネート樹脂との反応性が高いので硬化中に全て反応し
揮発分をゼロにしワイヤーボンディング不良率をｐｐｍ
以下にすることができるものである。
低弾性率，低吸水率の特徴を有するものの単独では硬化
剤との反応が遅く沸点が比較的低いので２００℃程度の
硬化温度では揮発してしまう欠点を有している。この揮
発成分が半導体チップの表面に再付着して後工程のワイ
ヤーボンディングプロセスにおいて接着不良の原因とな
る。そこで予め分子内にシアン酸エステル基を有するシ
アネート樹脂と反応させ、高分子量化しておくと揮発分
を１％以下にまで押えることが可能となる。さらにこの
反応生成物をエポキシ樹脂の硬化剤として用いると熱応
力低減効果のみならず、その優れたエポキシとの反応性
から短時間硬化が可能となり生産性の向上に寄与するこ
とができるものである。特に昨今の半導体業界では歩留
り向上のためにｐｐｍオーダーのワイヤーボンディング
不良が問題となるが、１％以下の式（１）の化合物はシ
アネート樹脂との反応性が高いので硬化中に全て反応し
揮発分をゼロにしワイヤーボンディング不良率をｐｐｍ
以下にすることができるものである。
【０００９】式（１）のエポキシ樹脂とシアネート樹脂
の反応例としては式（１）のエポキシ樹脂とシアネート
樹脂とを混合し、必要により溶媒を加えて反応させる。
エポキシ樹脂とシアネート樹脂との反応を促進するため
に、必要により触媒を添加してもよい。触媒の例として
はステアリン酸亜鉛、ステアリン酸コバルト、ナフテン
酸コバルト、ナフテン酸亜鉛、アセチルアセトナート亜
鉛、アセチルアセトナートコバルト、アセチルアセトナ
ート銅などの金属触媒化合物を挙げることができる。さ
らにフェノール類の添加が助触媒として働くので好まし
い。反応生成物をエポキシ樹脂の硬化剤として用いるた
めには、生成物中にはシアネート基（−ＯＣＮ）を残存
させる必要があり、式（１）のエポキシ樹脂のエポキシ
基に対してシアネート樹脂のシアネート基が過剰となる
条件で反応させ、末端或いは分子中にシアネート基を残
存させることが重要である。
の反応例としては式（１）のエポキシ樹脂とシアネート
樹脂とを混合し、必要により溶媒を加えて反応させる。
エポキシ樹脂とシアネート樹脂との反応を促進するため
に、必要により触媒を添加してもよい。触媒の例として
はステアリン酸亜鉛、ステアリン酸コバルト、ナフテン
酸コバルト、ナフテン酸亜鉛、アセチルアセトナート亜
鉛、アセチルアセトナートコバルト、アセチルアセトナ
ート銅などの金属触媒化合物を挙げることができる。さ
らにフェノール類の添加が助触媒として働くので好まし
い。反応生成物をエポキシ樹脂の硬化剤として用いるた
めには、生成物中にはシアネート基（−ＯＣＮ）を残存
させる必要があり、式（１）のエポキシ樹脂のエポキシ
基に対してシアネート樹脂のシアネート基が過剰となる
条件で反応させ、末端或いは分子中にシアネート基を残
存させることが重要である。
【００１０】本発明に用いられるシアネート樹脂は特に
限定されるものではないが芳香族環を骨格に含むことが
耐熱性の点から好ましい。その例を挙げると３，３’，
５，５’−テトラメチル−４，４’−ジシアネートジフ
ェニルメタン、２，２−ビス（４−シアネートフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４−シアネートフェニ
ル）エタン等の化合物とこれらを適当な金属触媒の存在
下で加熱し、シアン酸エステルを３量化してトリアジン
環を一部形成したプレポリマー等がある。本発明のシア
ネート樹脂は式（１）のエポキシ樹脂との反応性に富
み、その反応生成物を本ペースト組成物中に配合するこ
とにより（Ａ）の反応生成物中に残存する未反応物を１
％以下にすることが可能となり、後工程のワイヤーボン
ディング性を向上させる効果を有する。未反応のエポキ
シ樹脂（Ａ）が１％を超える量残存するとワイヤーボン
ディング性を低下させるので好ましくない。
限定されるものではないが芳香族環を骨格に含むことが
耐熱性の点から好ましい。その例を挙げると３，３’，
５，５’−テトラメチル−４，４’−ジシアネートジフ
ェニルメタン、２，２−ビス（４−シアネートフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４−シアネートフェニ
ル）エタン等の化合物とこれらを適当な金属触媒の存在
下で加熱し、シアン酸エステルを３量化してトリアジン
環を一部形成したプレポリマー等がある。本発明のシア
ネート樹脂は式（１）のエポキシ樹脂との反応性に富
み、その反応生成物を本ペースト組成物中に配合するこ
とにより（Ａ）の反応生成物中に残存する未反応物を１
％以下にすることが可能となり、後工程のワイヤーボン
ディング性を向上させる効果を有する。未反応のエポキ
シ樹脂（Ａ）が１％を超える量残存するとワイヤーボン
ディング性を低下させるので好ましくない。
【００１１】本発明で用いる無機フィラーとしては、炭
酸カルシウム、シリカ、アルミナ等の絶縁フィラー、銀
粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性フィラーが挙げ
られ、用途によりこれらを複数混合してもよい。更に、
ニードル詰りを防止するため、これらの粒径は５０μｍ
以下のものが好ましい。本発明においてはエポキシ樹脂
の硬化剤としてシアネート樹脂と式（１）のエポキシ化
合物との反応生成物を用いるが、この反応速度を調整す
るために前述した金属触媒やフェノール類を硬化促進剤
として含むことが好ましい。本発明によると式（１）で
示されるジシロキサン骨格を有するエポキシ樹脂をシア
ネート樹脂と予め反応させ、これを硬化剤として用いる
ことにより、ダイアタッチペーストとして適度な粘度の
樹脂が得られ、硬化時に樹脂成分のブリード、アウトガ
スによるチップやその周囲の汚染も極めて少なくするこ
とができる。
酸カルシウム、シリカ、アルミナ等の絶縁フィラー、銀
粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性フィラーが挙げ
られ、用途によりこれらを複数混合してもよい。更に、
ニードル詰りを防止するため、これらの粒径は５０μｍ
以下のものが好ましい。本発明においてはエポキシ樹脂
の硬化剤としてシアネート樹脂と式（１）のエポキシ化
合物との反応生成物を用いるが、この反応速度を調整す
るために前述した金属触媒やフェノール類を硬化促進剤
として含むことが好ましい。本発明によると式（１）で
示されるジシロキサン骨格を有するエポキシ樹脂をシア
ネート樹脂と予め反応させ、これを硬化剤として用いる
ことにより、ダイアタッチペーストとして適度な粘度の
樹脂が得られ、硬化時に樹脂成分のブリード、アウトガ
スによるチップやその周囲の汚染も極めて少なくするこ
とができる。
【００１２】本発明の硬化剤を用いたダイアタッチペー
ストはシロキサン骨格導入により低応力性、接着性に優
れ、低吸水性、低汚染性であるため、ワイヤーボンディ
ング性も良好である。従って本ペーストを用いて半導体
素子をボンディングすることにより、半導体装置の信頼
性を大幅に向上させることができるものである。単に式
（１）のエポキシ樹脂を単独、又は式（１）のエポキシ
樹脂と他のエポキシ樹脂を混合したダイアタッチペース
トでは硬化時にアウトガスやブリードが発生して半導体
周辺を汚染してしまうという欠点がある。本発明の樹脂
組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び無機
フィラー、必要に応じて顔料、汚染、消泡剤、シランカ
ップリング剤、チタネートカップリング剤、溶剤等の添
加剤を予備混合し、三本ロール、らいかい機等を用いて
混練し、ペーストを得て真空脱泡することにより製造す
ることができる。
ストはシロキサン骨格導入により低応力性、接着性に優
れ、低吸水性、低汚染性であるため、ワイヤーボンディ
ング性も良好である。従って本ペーストを用いて半導体
素子をボンディングすることにより、半導体装置の信頼
性を大幅に向上させることができるものである。単に式
（１）のエポキシ樹脂を単独、又は式（１）のエポキシ
樹脂と他のエポキシ樹脂を混合したダイアタッチペース
トでは硬化時にアウトガスやブリードが発生して半導体
周辺を汚染してしまうという欠点がある。本発明の樹脂
組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び無機
フィラー、必要に応じて顔料、汚染、消泡剤、シランカ
ップリング剤、チタネートカップリング剤、溶剤等の添
加剤を予備混合し、三本ロール、らいかい機等を用いて
混練し、ペーストを得て真空脱泡することにより製造す
ることができる。
【００１３】
＜硬化剤の製造例１＞式（２）のエポキシ樹脂（エポキ
シ当量１８１）１００ｇ、旭チバ（株）製シアネート樹
脂Ｌ−１０ ２００ｇに触媒として１０％ノニルフェノ
ール溶液の銅アセチルアセトナートを１００ｐｐｍ添加
し１５０℃で３時間反応させた。この反応生成物を示差
熱重量分析装置（以下ＴＧＡという）で分析したところ
２５０℃までの昇温で加熱減量は０．１％であった。こ
の生成物を硬化剤（Ｉ）とする。
シ当量１８１）１００ｇ、旭チバ（株）製シアネート樹
脂Ｌ−１０ ２００ｇに触媒として１０％ノニルフェノ
ール溶液の銅アセチルアセトナートを１００ｐｐｍ添加
し１５０℃で３時間反応させた。この反応生成物を示差
熱重量分析装置（以下ＴＧＡという）で分析したところ
２５０℃までの昇温で加熱減量は０．１％であった。こ
の生成物を硬化剤（Ｉ）とする。
【００１４】
【化２】
【００１５】＜硬化剤の製造例２＞式（２）のエポキシ
樹脂（エポキシ当量１８１）１００ｇ、旭チバ（株）製
シアネート樹脂Ｍ−３０ ２００ｇに触媒として１０％
ノニルフェノール溶液のコバルトアセチルアセトナート
を１５０ｐｐｍ添加し１５０℃で５時間反応させた。こ
の反応生成物をＴＧＡで分析したところ２５０℃までの
昇温で加熱減量は０．２％であった。この生成物を硬化
剤（II）とする。以下本発明を実施例で具体的に説明す
る。
樹脂（エポキシ当量１８１）１００ｇ、旭チバ（株）製
シアネート樹脂Ｍ−３０ ２００ｇに触媒として１０％
ノニルフェノール溶液のコバルトアセチルアセトナート
を１５０ｐｐｍ添加し１５０℃で５時間反応させた。こ
の反応生成物をＴＧＡで分析したところ２５０℃までの
昇温で加熱減量は０．２％であった。この生成物を硬化
剤（II）とする。以下本発明を実施例で具体的に説明す
る。
【００１６】［実施例１］エポキシ樹脂としてビスフェ
ノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７０）（以下
ＢＰＦＥという）７０ｇ、希釈剤のモノエポキシとして
ｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル（以下ＴＧＥと
いう）３０ｇ、硬化剤として硬化剤（Ｉ）２００ｇ、１
０％ノニルフェノール溶液のアセチルアセトナート亜鉛
（以下Ｚｎ（ＡｃＡｃ）という）３００ｐｐｍ、平均粒
径３μｍのフレーク状銀粉９００ｇを配合し三本ロール
で混練してダイアタッチペーストを調整した。このダイ
アタッチペーストを用いて銀メッキ付銅フレームに２×
２ｍｍ角のシリコンチップを２００℃、６０分間で硬化
接着させ、３００℃における熱時接着力をプッシュプル
ゲージで測定した。同様に１５×６×０．３ｍｍ（厚
さ）のシリコンチップを厚さ５０μｍの銀メッキ付銅フ
レームに２００℃、６０分間で硬化接着させ、低応力性
の尺度としてチップの長手方向を表面粗さ計を用いて上
下方向の変位の最大値を求めた。又ダイアタッチペース
ト硬化物（２００℃、６０分で硬化）の弾性率及び８５
℃、８５％ＲＨ下での飽和吸水率を測定した。更にブリ
ード性を調べた。ワイヤーボンディング性を調べるため
に表面にＡｌ蒸着したシリコンウェハーから８×８ｍｍ
のダミーチップをダイシングし銀メッキ付銅フレームに
このペーストを用いて２００℃、６０分間で硬化接着
し、２５μｍのＡｕワイヤーで２５０℃、２．５ｍｓｅ
ｃ、荷重６０ｇ、超音波パワー０．７５Ｗの条件で１チ
ップあたり１００回のワイヤーボンディングを実施し
た。チップ数ｎ＝１０とし合計１０００個のＡｕワイヤ
ーをプッシュプルゲージを用いて剥離荷重を測定して１
ｇ以下を不良と判断した。上記の結果を表１に示す。
ノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７０）（以下
ＢＰＦＥという）７０ｇ、希釈剤のモノエポキシとして
ｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル（以下ＴＧＥと
いう）３０ｇ、硬化剤として硬化剤（Ｉ）２００ｇ、１
０％ノニルフェノール溶液のアセチルアセトナート亜鉛
（以下Ｚｎ（ＡｃＡｃ）という）３００ｐｐｍ、平均粒
径３μｍのフレーク状銀粉９００ｇを配合し三本ロール
で混練してダイアタッチペーストを調整した。このダイ
アタッチペーストを用いて銀メッキ付銅フレームに２×
２ｍｍ角のシリコンチップを２００℃、６０分間で硬化
接着させ、３００℃における熱時接着力をプッシュプル
ゲージで測定した。同様に１５×６×０．３ｍｍ（厚
さ）のシリコンチップを厚さ５０μｍの銀メッキ付銅フ
レームに２００℃、６０分間で硬化接着させ、低応力性
の尺度としてチップの長手方向を表面粗さ計を用いて上
下方向の変位の最大値を求めた。又ダイアタッチペース
ト硬化物（２００℃、６０分で硬化）の弾性率及び８５
℃、８５％ＲＨ下での飽和吸水率を測定した。更にブリ
ード性を調べた。ワイヤーボンディング性を調べるため
に表面にＡｌ蒸着したシリコンウェハーから８×８ｍｍ
のダミーチップをダイシングし銀メッキ付銅フレームに
このペーストを用いて２００℃、６０分間で硬化接着
し、２５μｍのＡｕワイヤーで２５０℃、２．５ｍｓｅ
ｃ、荷重６０ｇ、超音波パワー０．７５Ｗの条件で１チ
ップあたり１００回のワイヤーボンディングを実施し
た。チップ数ｎ＝１０とし合計１０００個のＡｕワイヤ
ーをプッシュプルゲージを用いて剥離荷重を測定して１
ｇ以下を不良と判断した。上記の結果を表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】［実施例２〜６及び比較例１〜４］表１に
示した配合例に従ってペーストを調整した以外は全て実
施例１と同様に行ない、各種特性を測定して結果を表１
及び表２に示した。
示した配合例に従ってペーストを調整した以外は全て実
施例１と同様に行ない、各種特性を測定して結果を表１
及び表２に示した。
【００１９】
【表２】
【００２０】
【発明の効果】表１及び表２に示したように実施例では
いずれも低応力性、接着性、低吸水性に優れており、か
つワイヤーボンディング性に優れ、しかも硬化時にブリ
ードがないことが判る。
いずれも低応力性、接着性、低吸水性に優れており、か
つワイヤーボンディング性に優れ、しかも硬化時にブリ
ードがないことが判る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）無機フィラー及び（Ｄ）硬化促進剤を含むダイア
タッチペーストにおいて（Ｂ）硬化剤がシアネート樹脂
とエポキシ基を有するジメチルシロキサン化合物との反
応生成物であるダイアタッチペースト。 - 【請求項２】 エポキシ基を有するジメチルシロキサン
化合物が下記一般式（１）で示される請求項１記載のダ
イアタッチペースト。 【化１】 （式中Ｒ1 ，Ｒ2 は炭素数１〜５の２価の脂肪族基、又
は炭素数６以上の芳香族環を含む２価の有機基を示し、
互いに同じであっても異なっていてもよい） - 【請求項３】 請求項１又は２記載のダイアタッチペー
ストを用いて半導体素子を基板に接着してなる半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30930196A JPH10147764A (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30930196A JPH10147764A (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10147764A true JPH10147764A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=17991366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30930196A Pending JPH10147764A (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10147764A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7781522B2 (en) | 2003-11-07 | 2010-08-24 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and cured product thereof |
| US7863399B2 (en) | 2003-12-26 | 2011-01-04 | Dow Corning Toray Company, Ltd | Curing silicone composition and cured product thereof |
| US7915439B2 (en) | 2004-10-13 | 2011-03-29 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Method of producing silylalkoxymethyl halide |
| US8273815B2 (en) | 2006-09-11 | 2012-09-25 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and electronic component |
| US8309652B2 (en) | 2005-04-27 | 2012-11-13 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and cured product therefrom |
| US8338527B2 (en) | 2005-04-27 | 2012-12-25 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and electronic components |
| WO2014157175A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物 |
| JP2014196436A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物 |
| JP2014196437A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物 |
-
1996
- 1996-11-20 JP JP30930196A patent/JPH10147764A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7781522B2 (en) | 2003-11-07 | 2010-08-24 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and cured product thereof |
| US7863399B2 (en) | 2003-12-26 | 2011-01-04 | Dow Corning Toray Company, Ltd | Curing silicone composition and cured product thereof |
| US7915439B2 (en) | 2004-10-13 | 2011-03-29 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Method of producing silylalkoxymethyl halide |
| US8309652B2 (en) | 2005-04-27 | 2012-11-13 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and cured product therefrom |
| US8338527B2 (en) | 2005-04-27 | 2012-12-25 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and electronic components |
| US8273815B2 (en) | 2006-09-11 | 2012-09-25 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and electronic component |
| WO2014157175A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物 |
| JP2014196436A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物 |
| JP2014196437A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物 |
| KR20150139843A (ko) * | 2013-03-29 | 2015-12-14 | 나믹스 가부시끼가이샤 | 수지 조성물 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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