JPH10137666A - 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成装置及び薄膜形成方法Info
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- JPH10137666A JPH10137666A JP30632896A JP30632896A JPH10137666A JP H10137666 A JPH10137666 A JP H10137666A JP 30632896 A JP30632896 A JP 30632896A JP 30632896 A JP30632896 A JP 30632896A JP H10137666 A JPH10137666 A JP H10137666A
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- Japan
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- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、基板が大型化したものとなっても
薄膜の厚さを均一に出来るようにすることを目的として
いる。 【解決手段】 薄膜形成に当たって、基板に塗布した塗
布剤に超電導磁石による磁界を印加させてモーゼ効果を
利用し、基板と超電導磁石とを相対移動させるようにす
る。
薄膜の厚さを均一に出来るようにすることを目的として
いる。 【解決手段】 薄膜形成に当たって、基板に塗布した塗
布剤に超電導磁石による磁界を印加させてモーゼ効果を
利用し、基板と超電導磁石とを相対移動させるようにす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、液晶ディ
スプレイ（ＬＣＤ）用のガラス基板や、半導体ウェーハ
等の被処理用の基板の表面に塗布した塗布剤の薄膜を形
成するようにした薄膜形成装置及び薄膜形成方法に関す
る。
スプレイ（ＬＣＤ）用のガラス基板や、半導体ウェーハ
等の被処理用の基板の表面に塗布した塗布剤の薄膜を形
成するようにした薄膜形成装置及び薄膜形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の薄膜形成装置は、例えば、
特開昭５８−１９７７３２号公報に示されているような
装置が用いられ、一般に「回転カップ式塗布装置」と呼
称されている。
特開昭５８−１９７７３２号公報に示されているような
装置が用いられ、一般に「回転カップ式塗布装置」と呼
称されている。
【０００３】しかして、当該装置はカップ内に設けたス
ピンナーの上面に例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）
用のガラス基板や、半導体ウェーハ等の被処理用基板
（以下単に基板という）を吸着せしめ、この基板の中心
部に塗布剤を滴下すると共に、前記スピンナーによりそ
の基板を高速回転させ、この回転によって発生する遠心
力により前記滴下した塗布剤を基板表面に均一に広げ
る。そして、その基板表面よりカップ内周に向かって飛
散する塗布剤の飛沫が、そのカップ内周より基板表面に
向かって跳ね返り、その飛沫が基板表面に付着するのを
防止するため、そのカップ内周面に多数の羽根を所定の
開き角度で取り付け、更にこの多数の羽根に塗布剤の飛
沫が繰り返し付着して、多量に累積するのを防止するた
め、そのカップも所定の速度で回転させている。
ピンナーの上面に例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）
用のガラス基板や、半導体ウェーハ等の被処理用基板
（以下単に基板という）を吸着せしめ、この基板の中心
部に塗布剤を滴下すると共に、前記スピンナーによりそ
の基板を高速回転させ、この回転によって発生する遠心
力により前記滴下した塗布剤を基板表面に均一に広げ
る。そして、その基板表面よりカップ内周に向かって飛
散する塗布剤の飛沫が、そのカップ内周より基板表面に
向かって跳ね返り、その飛沫が基板表面に付着するのを
防止するため、そのカップ内周面に多数の羽根を所定の
開き角度で取り付け、更にこの多数の羽根に塗布剤の飛
沫が繰り返し付着して、多量に累積するのを防止するた
め、そのカップも所定の速度で回転させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来装置は塗布剤を均一な厚さの薄膜を形成するのに、そ
の塗布剤の流動性、表面張力および揮発性等を考慮し
て、基板の回転速度を綿密に制御して、回転させなけれ
ばならないと共に、上記のようにカップも別の駆動装置
で所定の回転速度になるように駆動するものであるか
ら、その装置全体の機械的構成が著しく煩雑となるとい
う欠点を有するものであった。
来装置は塗布剤を均一な厚さの薄膜を形成するのに、そ
の塗布剤の流動性、表面張力および揮発性等を考慮し
て、基板の回転速度を綿密に制御して、回転させなけれ
ばならないと共に、上記のようにカップも別の駆動装置
で所定の回転速度になるように駆動するものであるか
ら、その装置全体の機械的構成が著しく煩雑となるとい
う欠点を有するものであった。
【０００５】そして、その基板が年々大型化したもの
が、一般に要求されるという時代の流れに伴い、下記の
ような欠点を有している。すなわち、その基板の大型化
に伴い、その装置全体の構成が著しく大型となり、工場
内に設けたクリーンルームのスペース占拠率が大とな
り、また、その基板が大型になればなる程、たとえば、
ヨーイング現象などの拡大により、基板の水平回転精度
などが低下するので、その基板表面に形成した塗布剤の
薄膜が不均一の厚さとなる率が大となるという品質上全
く不所望な欠点があった。
が、一般に要求されるという時代の流れに伴い、下記の
ような欠点を有している。すなわち、その基板の大型化
に伴い、その装置全体の構成が著しく大型となり、工場
内に設けたクリーンルームのスペース占拠率が大とな
り、また、その基板が大型になればなる程、たとえば、
ヨーイング現象などの拡大により、基板の水平回転精度
などが低下するので、その基板表面に形成した塗布剤の
薄膜が不均一の厚さとなる率が大となるという品質上全
く不所望な欠点があった。
【０００６】本発明は上記従来装置の欠点に着目してな
されたもので、その目的とするところは装置全体の機械
的構成が著しく簡単で、その基板が時代の流れによって
大型化したものになったとしても塗布剤で形成した薄膜
の厚さが所定の均一に出来る優れた薄膜形成装置及び薄
膜形成方法を提供するにある。
されたもので、その目的とするところは装置全体の機械
的構成が著しく簡単で、その基板が時代の流れによって
大型化したものになったとしても塗布剤で形成した薄膜
の厚さが所定の均一に出来る優れた薄膜形成装置及び薄
膜形成方法を提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、被処理用の基板表面に塗布した塗布剤の薄
膜を、該基板の表面に形成するようにした薄膜形成装置
に於いて、前記基板の表面に塗布した塗布剤の上側に超
電導線材のコイルよりなる超電導磁石を配置し、この超
電導磁石より発生する磁界を前記基板表面の塗布剤に印
加するよう構成すると共に、該超電導磁石の下側にある
前記基板を平行移動させるか、又は、該基板の上側にあ
る前記超電導磁石を平行移動するよう構成してなり、該
基板表面に塗布剤の薄膜を形成するようにし、塗布剤を
いわゆる「モーゼ効果」によって均一化するようにして
いる。
するために、被処理用の基板表面に塗布した塗布剤の薄
膜を、該基板の表面に形成するようにした薄膜形成装置
に於いて、前記基板の表面に塗布した塗布剤の上側に超
電導線材のコイルよりなる超電導磁石を配置し、この超
電導磁石より発生する磁界を前記基板表面の塗布剤に印
加するよう構成すると共に、該超電導磁石の下側にある
前記基板を平行移動させるか、又は、該基板の上側にあ
る前記超電導磁石を平行移動するよう構成してなり、該
基板表面に塗布剤の薄膜を形成するようにし、塗布剤を
いわゆる「モーゼ効果」によって均一化するようにして
いる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は本発明の基礎となる「モーゼ
効果」と研究者等に呼称されている「強磁界によって起
こる新現象」（この新現象の発見者、九州大学工学部、
上野照剛教授（文献『日経産業新聞１９９４年２月１６
日（水）第５面 タイトル「磁場が開く新世界：
下」』）についての説明図である。
説明する。ここで、図１は本発明の基礎となる「モーゼ
効果」と研究者等に呼称されている「強磁界によって起
こる新現象」（この新現象の発見者、九州大学工学部、
上野照剛教授（文献『日経産業新聞１９９４年２月１６
日（水）第５面 タイトル「磁場が開く新世界：
下」』）についての説明図である。
【０００９】この図において、１は超電導線材を巻装し
たコイルよりなる超電導磁石、２はこの超電導磁石１の
制御回路部、３は開閉器、４は電源、５は容器、６はた
とえば水などの液体を表している。
たコイルよりなる超電導磁石、２はこの超電導磁石１の
制御回路部、３は開閉器、４は電源、５は容器、６はた
とえば水などの液体を表している。
【００１０】しかして、図１の（イ）は超電導磁石１に
まだ磁界が発生していない状態を示すもので、図示のよ
うに容器５の中にある液体６は通常の状態である。次
に、開閉器３を所定の時間閉路して電源４よりこの開閉
器３と制御回路部２を介して、超電導状態においた超電
導磁石１に所定の電流を流す。次いで超電導磁石１は短
絡されて電源４から切離される。これによって、図１の
（ロ）に破線矢印の磁力線Ｈで示す方向の強力な磁束が
発生され、この磁束が容器５の液体６に対して垂直に印
加される。その磁界の強さが約４テラス（テラスは磁界
の単位、１テラスは地磁気の２万倍）に達するようにさ
れていると、水などの液体６が磁界に反発する反磁性を
有しているため、図１の（ロ）に示すように、液体６の
水面にＵ字状の凹み６−１が発生する。
まだ磁界が発生していない状態を示すもので、図示のよ
うに容器５の中にある液体６は通常の状態である。次
に、開閉器３を所定の時間閉路して電源４よりこの開閉
器３と制御回路部２を介して、超電導状態においた超電
導磁石１に所定の電流を流す。次いで超電導磁石１は短
絡されて電源４から切離される。これによって、図１の
（ロ）に破線矢印の磁力線Ｈで示す方向の強力な磁束が
発生され、この磁束が容器５の液体６に対して垂直に印
加される。その磁界の強さが約４テラス（テラスは磁界
の単位、１テラスは地磁気の２万倍）に達するようにさ
れていると、水などの液体６が磁界に反発する反磁性を
有しているため、図１の（ロ）に示すように、液体６の
水面にＵ字状の凹み６−１が発生する。
【００１１】そしてさらに、その磁界の強さが約８テラ
ス以上の上昇になっていると、その磁界により容器の中
の液体６は、図１の（ハ）に示すように、容器５の底部
が完全にむき出しになるような裂け目６−２が発生す
る。
ス以上の上昇になっていると、その磁界により容器の中
の液体６は、図１の（ハ）に示すように、容器５の底部
が完全にむき出しになるような裂け目６−２が発生す
る。
【００１２】このように容器５に入った水などの液体６
に超電導磁石１の強力な磁界を印加すると、その液体６
に凹みや裂け目が発生する現象は、その様子が旧約聖書
にある予言者モーゼがエジプト脱出のため海面を切り開
くというエピソードに似ているところから、「モーゼ効
果」と呼称されるようになったと説明されている。
に超電導磁石１の強力な磁界を印加すると、その液体６
に凹みや裂け目が発生する現象は、その様子が旧約聖書
にある予言者モーゼがエジプト脱出のため海面を切り開
くというエピソードに似ているところから、「モーゼ効
果」と呼称されるようになったと説明されている。
【００１３】本発明は上記のような超電導磁石の強い磁
界による「モーゼ効果」と呼ばれる新現象を利用したも
のである。図２は本発明一実施例薄膜形成装置の電気回
路付平面図、図３は図２のＸーＸ線に沿った断面図であ
る。まず、図１において１１は超電導線材を巻装したコ
イルよりなる超電導磁石、１２はこの超電導磁石１１の
制御回路部、１３は開閉器、１４は電源、１５は例えば
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用のガラス板等の被処理用
基板、１６はこの基板１５の表面に塗布した塗布剤、１
７は基板１５の取り付け台を表している。
界による「モーゼ効果」と呼ばれる新現象を利用したも
のである。図２は本発明一実施例薄膜形成装置の電気回
路付平面図、図３は図２のＸーＸ線に沿った断面図であ
る。まず、図１において１１は超電導線材を巻装したコ
イルよりなる超電導磁石、１２はこの超電導磁石１１の
制御回路部、１３は開閉器、１４は電源、１５は例えば
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用のガラス板等の被処理用
基板、１６はこの基板１５の表面に塗布した塗布剤、１
７は基板１５の取り付け台を表している。
【００１４】しかして、この図２及び図３に示す本発明
一実施例薄膜形成装置の超電導磁石１１は、図３に示す
矢印Ａ1 で示すように、塗布剤１６を塗布した基板１５
の上側を右に平行移動するように構成するか、又は、基
板１５を取り付けた取り付け台１７を矢印Ｂ1 で示すよ
うに、超電導磁石１１の下側を左に平行移動するように
構成されている。
一実施例薄膜形成装置の超電導磁石１１は、図３に示す
矢印Ａ1 で示すように、塗布剤１６を塗布した基板１５
の上側を右に平行移動するように構成するか、又は、基
板１５を取り付けた取り付け台１７を矢印Ｂ1 で示すよ
うに、超電導磁石１１の下側を左に平行移動するように
構成されている。
【００１５】以上のように構成された薄膜形成装置にお
いて、基板１５の表面に塗布剤１６の薄膜を形成するに
は、まず取り付け台１７に取り付けた基板１５の表面
に、塗布剤１６を図示しない噴霧装置等により塗布し、
この塗布剤１６の上側に設けられている超電導状態にお
いた超電導磁石１１に、開閉器１３を所定の時間閉路し
て電源１４より制御回路部１２を介して所定の電流を流
す。これにより、図３に示す破線矢印の磁力線Ｈで示す
方向の磁束を発生され、この磁束が塗布剤１６に対して
垂直に印加される。
いて、基板１５の表面に塗布剤１６の薄膜を形成するに
は、まず取り付け台１７に取り付けた基板１５の表面
に、塗布剤１６を図示しない噴霧装置等により塗布し、
この塗布剤１６の上側に設けられている超電導状態にお
いた超電導磁石１１に、開閉器１３を所定の時間閉路し
て電源１４より制御回路部１２を介して所定の電流を流
す。これにより、図３に示す破線矢印の磁力線Ｈで示す
方向の磁束を発生され、この磁束が塗布剤１６に対して
垂直に印加される。
【００１６】そして、図１の（ロ）に示した如き凹みを
発生させておき図３に示すように、発生された断面Ｕ字
状の凹み１６−１を基板１５の表面に沿って移動させる
ようにする。即ち、基板１５の表面と超電導磁石１１と
を相対的に平行移動させるこのとき凹み１６−１の底部
に所定の厚さＴ（図４参照、そしてこの厚さＴについて
の詳細は後述する）が残るようにして、全体に均一な薄
膜１６−２を発生させる。
発生させておき図３に示すように、発生された断面Ｕ字
状の凹み１６−１を基板１５の表面に沿って移動させる
ようにする。即ち、基板１５の表面と超電導磁石１１と
を相対的に平行移動させるこのとき凹み１６−１の底部
に所定の厚さＴ（図４参照、そしてこの厚さＴについて
の詳細は後述する）が残るようにして、全体に均一な薄
膜１６−２を発生させる。
【００１７】図４は図３に示す超電導磁石１１を矢印Ａ
1 の方向に平行移動させた状態を説明するための要部拡
大断面図で、この図で明らかなように前述の磁界を発生
させた超電導磁石１１を矢印Ａ1 の方向に平行移動させ
ると、図示のように厚さＴの薄膜１６−２が形成される
のである。
1 の方向に平行移動させた状態を説明するための要部拡
大断面図で、この図で明らかなように前述の磁界を発生
させた超電導磁石１１を矢印Ａ1 の方向に平行移動させ
ると、図示のように厚さＴの薄膜１６−２が形成される
のである。
【００１８】そこで、その薄膜１６−２の厚さＴを所望
の厚さ（例えば、Ｔ＝１〜２μｍ）に形成するために、
基板１５に塗布した塗布剤１６の特性（例えば、流動
性、表面張力、揮発性および反磁性等）を考慮して、超
電導磁石１１に発生する磁界の強さを決定する。
の厚さ（例えば、Ｔ＝１〜２μｍ）に形成するために、
基板１５に塗布した塗布剤１６の特性（例えば、流動
性、表面張力、揮発性および反磁性等）を考慮して、超
電導磁石１１に発生する磁界の強さを決定する。
【００１９】そして、制御回路部１２を操作調整して、
超電導磁石１１に発生する磁界を前記所定の強さのもの
とすることにより、その薄膜１６−２の厚さＴを前記所
望の厚さとすることが出来ると共に、その超電導磁石１
１又は取り付け台１７を前述の矢印に沿って平行移動さ
せることにより、その薄膜１６−２を基板１５の表面に
均一に形成することが出来る。
超電導磁石１１に発生する磁界を前記所定の強さのもの
とすることにより、その薄膜１６−２の厚さＴを前記所
望の厚さとすることが出来ると共に、その超電導磁石１
１又は取り付け台１７を前述の矢印に沿って平行移動さ
せることにより、その薄膜１６−２を基板１５の表面に
均一に形成することが出来る。
【００２０】なお、図面に示す本発明一実施例装置で
は、基板１５の表面に塗布剤１６を塗布するための塗布
装置は図示されていないが、その塗布装置は取り付け台
１７に取り付けた基板１５の上側に噴霧器等の塗布装置
を設け、その塗布装置を超電導磁石１１を平行移動する
前に、平行移動させるようにしてもよく、又は、別の場
所に塗布装置を設け、その塗布装置で塗布剤１６を塗布
した基板１５を取り付け台１７に取り付けてもよい。
は、基板１５の表面に塗布剤１６を塗布するための塗布
装置は図示されていないが、その塗布装置は取り付け台
１７に取り付けた基板１５の上側に噴霧器等の塗布装置
を設け、その塗布装置を超電導磁石１１を平行移動する
前に、平行移動させるようにしてもよく、又は、別の場
所に塗布装置を設け、その塗布装置で塗布剤１６を塗布
した基板１５を取り付け台１７に取り付けてもよい。
【００２１】又、その取り付け台１７に図示しない真空
ポンプ等につながる吸引装置を設け、基板１５をその取
り付け台１７の表面に、吸引固着するようにしてもよい
ことは説明するまでもなく明らかである。
ポンプ等につながる吸引装置を設け、基板１５をその取
り付け台１７の表面に、吸引固着するようにしてもよい
ことは説明するまでもなく明らかである。
【００２２】なお、カラー液晶ディスプレイを製作する
に当たっては、少なくとも３原色の塗布剤が夫々所定の
位置に塗布されるように、レジストの配置とエッチング
処理とを利用しつつ、同様の薄膜形成処理を繰り返すこ
とによってカラー液晶ディスプレイが製作される。
に当たっては、少なくとも３原色の塗布剤が夫々所定の
位置に塗布されるように、レジストの配置とエッチング
処理とを利用しつつ、同様の薄膜形成処理を繰り返すこ
とによってカラー液晶ディスプレイが製作される。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、超電導磁石より発生する磁界の強さを適当に調
整して基板表面に塗布剤を印加すると共に、この超電導
磁石の下側にある基板を平行移動させるか、又は、その
基板の上側にある超電導磁石を平行移動させることによ
り、その基板表面の塗布剤で薄膜を形成するものである
から、従来に比較して装置全体の機械的構成が著しく簡
単化されると共に、その基板が時代の要請により年々大
型化されるようになっても、その装置全体の構成が従来
に比較して著しく大型化されることがないので、工場に
設けたクリーンルーム内のスペース占拠率が向上する。
よれば、超電導磁石より発生する磁界の強さを適当に調
整して基板表面に塗布剤を印加すると共に、この超電導
磁石の下側にある基板を平行移動させるか、又は、その
基板の上側にある超電導磁石を平行移動させることによ
り、その基板表面の塗布剤で薄膜を形成するものである
から、従来に比較して装置全体の機械的構成が著しく簡
単化されると共に、その基板が時代の要請により年々大
型化されるようになっても、その装置全体の構成が従来
に比較して著しく大型化されることがないので、工場に
設けたクリーンルーム内のスペース占拠率が向上する。
【００２４】又、更にその基板が大型化されても、超電
導磁石の磁界の強さを適当に制御することにより、塗布
剤で形成した薄膜の厚さを所望の厚さで、かつ均一に形
成することが出来る。
導磁石の磁界の強さを適当に制御することにより、塗布
剤で形成した薄膜の厚さを所望の厚さで、かつ均一に形
成することが出来る。
【図１】本発明の基礎となる「モーゼ効果」についての
説明図である。
説明図である。
【図２】本発明一実施例薄膜形成装置の電気回路付の平
面図である。
面図である。
【図３】図２のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【図４】図３に示す超電導磁石を矢印Ａ1 の方向に平行
移動させた状態を説明するための要部拡大断面図であ
る。
移動させた状態を説明するための要部拡大断面図であ
る。
１１・・・超電導磁石 １２・・・制御回路部 １３・・・開閉器 １４・・・電源 １５・・・基板 １６・・・塗布剤 １６−１・・・Ｕ字状の凹み １６−２・・・薄膜 １７・・・基板の取り付け台
Claims (2)
- 【請求項１】被処理用の基板表面に塗布した塗布剤の薄
膜を、該基板の表面に形成するようにした薄膜形成装置
に於いて、 前記基板の表面に塗布した塗布剤の上側に超電導線材の
コイルよりなる超電導磁石を配置し、 この超電導磁石より発生する磁界を前記基板表面の塗布
剤に印加するよう構成すると共に、 該超電導磁石の下側にある前記基板を平行移動させる
か、又は、該基板の上側にある前記超電導磁石を平行移
動するよう構成してなり、 該基板表面に塗布剤の薄膜を形成するようにしたことを
特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】被処理用の基板表面に塗布した塗布剤の薄
膜を、該基板の表面に形成するようにした薄膜形成方法
に於いて、 前記基板の表面に塗布した塗布剤の上側に超電導線材の
コイルよりなる超電導磁石を配置し、 この超電導磁石より発生する磁界を前記基板表面の塗布
剤に印加すると共に、 該超電導磁石の下側にある前記基板を平行移動させる
か、又は、該基板の上側にある前記超電導磁石を平行移
動させることにより、 該基板表面に塗布剤の薄膜を形成するようにしたことを
特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30632896A JP3806472B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30632896A JP3806472B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10137666A true JPH10137666A (ja) | 1998-05-26 |
| JP3806472B2 JP3806472B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=17955794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30632896A Expired - Fee Related JP3806472B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3806472B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009076585A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Iwate Univ | 薄膜の製造方法及び半導体装置 |
| JP2010000405A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Taikisha Ltd | 塗装方法 |
| JP2011181698A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Iwate Univ | 磁場中有機単結晶薄膜作成法及び作成装置 |
| CN104353594A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-02-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种涂布方法及涂布装置 |
| WO2023000356A1 (zh) * | 2021-07-19 | 2023-01-26 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
-
1996
- 1996-11-18 JP JP30632896A patent/JP3806472B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3806472B2 (ja) | 2006-08-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051129 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A521 | Written amendment |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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