JP2009076585A - 薄膜の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基体1上の薄膜材料を含む液状体2に側部界面3を形成し、かつ、側部界面3の位置を移動しつつ、液状体2から薄膜材料の結晶を基体1上に成長させる。側部界面3の位置を結晶の成長速度に合わせて移動させる。
【選択図】 図1
Description
この技術は、薄膜の配向性の向上を図るとともに、結晶をできるだけ大きくして着接できるようにした薄膜の製造方法を提供することを目的とするものである。
すなわち、大気中でも形成でき、かつより大きな(ミリオーダー)の粒径を有する単結晶からなる薄膜が望まれる。
一方、超電導磁石を用いて膜を形成する技術として、いわゆるモーゼ効果を利用した技術として特許文献3記載技術が提供されている。
特許文献3記載技術は、薄膜形成に当たって、基板に塗布した塗布剤に超電導磁石による磁界を印加させてモーゼ効果を利用し、基板と超電導磁石とを相対移動させるようにする。特許文献3記載技術は、基板が大型化したものとなっても薄膜の厚さを均一に出来るようにすることを目的としている。
請求項2に係る発明は、側部界面の位置を前記結晶の成長速度に合わせて移動させる請求項1又は2記載の薄膜の製造方法である。
請求項3に係る発明は、前記液状体は、溶媒中に前記薄膜材料を溶解してなる請求項1又は2記載の薄膜の製造方法である。
請求項4に係る発明は、前記液状体は過飽和溶液である請求項3記載の薄膜の製造方法である。
請求項5に係る発明は、前記液状体は反磁性である請求項1ないし4のいずれか1項記載の薄膜の製造方法である。
請求項6に係る発明は、前記液状体は反磁性の異方性を有する請求項5記載の薄膜の製造方法である。
請求項7に係る発明は、前記薄膜材料は、有機材料である請求項1ないし6のいずれか1項記載の薄膜の製造方法である。
請求項8に係る発明は、前記有機材料は、縮合多環式水素系有機物を含む請求項7記載の薄膜の製造方法である。
請求項9に係る発明は、 前記縮合多環式水素系有機物は、ペンタレン,インデン,ナフタレン,アズレン,ヘプタレン,ビフェニレン,as−インダセン,s−インダセン,アセナフチレン,フルオレン,フェナレン,フェナントレン,アントラセン,フルオランテン,アセフェナントリレン,アセアントレン,トリフェニレン,ピレン,クリセン,テトラセン,ポレイアデン,ピセン,ペリレン,ペンタフェン,ペンタセン,テトラフェニレン,ヘキサフェン,ヘキサセン,ルビセン,コロレン,トリナフチレン,ヘプタフェン,ヘプタセン,ピラントレン,オバレンまたはこれらの誘導体から選択される1又は2種以上である請求項8記載の薄膜の製造方法である。
請求項10に係る発明は、前記側部界面は基体表面に対して直角方向の磁場を与えることにより形成する請求項1ないし9のいずれか1項記載の薄膜の製造方法である。
請求項11に係る発明は、結晶の成長速度と同じ速度で磁場を移動させる請求項10記載の薄膜の製造方法である。
請求項12に係る発明は、 超伝導磁石により磁場の印加を行なう請求項10又は11記載の薄膜の製造方法である。
請求項13に係る発明は、 磁場強度T(テスラ)を、T≧0.05とする請求項10ないし12のいずれか1項記載の薄膜の製造方法である。
請求項14に係る発明は、 磁場強度T(テスラ)を、T≧1とする請求項13記載の薄膜の製造方法である。
請求項15に係る発明は、前記薄膜はTFTの半導体層である請求項1ないし14のいずれか1項記載の薄膜の製造方法である。
請求項16に係る発明は、前記基体は長尺状の基体である請求項1ないし15のいずれか1項記載の薄膜の製造方法である。
請求項17に係る発明は、前記長尺状の基体をロールツーロールで送りつつ薄膜を形成する請求項16記載の薄膜の製造方法である。
請求項18に係る発明は、半導体層を請求項1ないし17のいずれか1項記載の方法により形成した半導体装置である。
液状体に側部界面を形成する方法としては、例えば、モーゼ効果を利用すればよい。以下モーゼ効果を利用する場合を例にとり説明する。
基体1の全面に液状体2を滴下した状態で、基体1に垂直な方向の磁束4を有する磁場を与える。
磁化を順次移動されることにより全体的な結晶成長が進行する。
この結晶成長の様子は、図2に示すように、ブリッジマン法が水平面で生じている現象と同様であり、単結晶の成長が行われる。図2において、結晶は、左から右に向かって成長している。成長初期においては、成長面は多数存在するが、成長が進むにつれて成長可能な面は減少し、やがて1つの面のみとなる。そして単結晶が成長する。かかる現象はブリッジマン法における単結晶化と同様の現象である。
液状体は水と同程度の粘度であっても用いることができる。粘度としては、0.0001〜10Pa・sが好ましい。粘度が高すぎると側部界面形成のための磁気力を大きくせざるを得なくなる。
モーゼ効果を利用する場合は、反磁性材料が好ましい。例えば、有機材料を用いる。
有機材料としては、例えば、縮合多環式水素系有機物が用いられる。
ペンタレン,インデン,ナフタレン,アズレン,ヘプタレン,ビフェニレン,as−インダセン,s−インダセン,アセナフチレン,フルオレン,フェナレン,フェナントレン,アントラセン,フルオランテン,アセフェナントリレン,アセアントレン,トリフェニレン,ピレン,クリセン,テトラセン,ポレイアデン,ピセン,ペリレン,ペンタフェン,ペンタセン,テトラフェニレン,ヘキサフェン,ヘキサセン,ルビセン,コロレン,トリナフチレン,ヘプタフェン,ヘプタセン,ピラントレン,オバレンまたはこれらの誘導体から選択される1又は2種以上の材料があげられる。
具体的には、有機材料について、溶解度などを実際に実験により調査して最適な溶媒を選択すればよい。
モーゼ効果を利用する場合、印加する磁場強度は0.05T(テラス)以上が好ましく、1T以上がより好ましく、2T以上がさらに好ましい。上限は特になく、達成可能な強度ならばよい。
蒸発をより促進するためには、加熱することが好ましい。特に、側部界面の薄い部分(側部界面と基板表面との交差部)を局所的に加熱することが好ましい。例えば、熱線をその部分に照射してもよい。また、磁場の移動にあわせて加熱部分を移動させてもよい。
次の溶媒を用意した。
1,2,4−トリクロロベンゼン(1,2,4-TCB)
テトラヒドロフラン(THF)
モノクロロベンゼン
酢酸2-n-ブトキシエチル
ベンゼン
ヘキサン
さらに、この2つを比較すると1,2,4-TCBの方がペンタセンを多量に溶解したことが確認できた。
溶媒の調査結果
極性 室温(25℃) 70℃
1,2,4−TCB 大 ◎ ◎
THF 大 ◎ ◎
モノクロロベンゼン 中 × ○
酢酸2−n−ブトキシエチル 中 × △
ベンゼン 小 × △
ヘキサン 小 × ×
◎:濃紫
○:紫
△:薄紫
×:薄黄色
THFと1,2,4-TCBでこの酸化現象の耐久時間を計測したところ、1,2,4-TCBが約30分で薄黄色になったのに対し、THFは倍の約1時間も酸化に耐えた。
以上の結果より、ペンタセンを溶解するための有機溶媒としては、THFと1,2,4-TCBが好ましいことがわかる。
図3が超伝導バルク磁石の外観である。超伝導バルク磁石とは、超伝導バルク体に磁場を印加したとき、バルク内部にある粒界や転移、常伝導析出物質等の不均質物質によって磁束線の運動が拘束されるピンニング効果によって、強い磁場を発生させる磁石である。今回使用した超伝導バルク磁石は2連構造となっており、図3の概略図で示すように中心磁場がそれぞれ2.2 Tと1.6 Tである。また、磁石の磁場分布は図4のようになっている。
基板を磁場強度2 Tの中心と無磁場環境下に置いてペンタセン溶液を基板一面に滴下した後の溶液の挙動を観察すると、無磁場では溶液は基板の淵から中心に向かって蒸発した。
このモーゼ効果を利用して磁場中心から基板をずらすことで溶液を一方向に移動させて蒸発させ、面内のX線測定を行った。
よってモーゼ効果による溶液の一方向移動とペンタセン分子の反磁性磁化率の異方性の組み合わせにより、高い配向性をもって配向したペンタセン結晶薄膜を作製することができた。
得られた薄膜は実施例2と同様の特性を有していた。
表2に各溶媒の簡単な特性を示す。
IUPAC 分子式 分子量(g/mol) 融点(℃) 沸点(℃)
テトラヒドロフラン C4H8O 72.11 -108.5 66
トリクロロベンゼン C6H3Cl3 181.5 218.5 53.5
エタノール C2H6O 46.1 -117 78
ジメチルスルホキシド C2H6OS 78.13 18.5 189
溶解度曲線を見ると温度が上昇するにつれて溶解度が増加していることが分かる。またファントフォッフプロットからはこの結晶成長が一種類の反応過程であることが示され、また溶解の活性化エネルギーが48kJ/molであることが明らかとなった。この二つのグラフを利用することで、固-液平衡状態を設定することが容易となり、これでアントラセン単結晶の結晶成長を観察・記録することが可能になった。
結晶成長を行う手順は実施例2と同様とした。
その様子を図8に示す。
上記により作製したアントラセン薄膜の配向性を調査するため、結晶の一部分を切り取り、面内のX線回折を行った。その結果を図9に示す。
縦軸がX線の強度、横軸は2θの角度を表している。従来のX線回折(θ−2θスキャン)では配向方向に関わらず観測される、基板面に平行な(h00)面に起因する回折線しか観測されないため、この方法を定量的配向評価に適用することは難しい。
図11に示す構造の有機半導体層を実施例2において述べた薄膜の製造方法により形成した。
一方、実施例2において、磁場を加えることなく有機半導体層を形成した場合のTFTトランジスタの特性を図13に示す。
図12と図13とを比較してわかるように、磁場を印加して形成した半導体層を有するTFTは、優れた特性を示している。
ロール101aとロール101bとの間において長尺状の基体107を走行させる。走行中に基体107の表面にデバイスの必要に応じて各種の層を形成する。102〜104は各種の層を形成するためのチャンバであり、必要に応じて真空室とすることができる。
本方法の特徴は、基体107の走行中に基体107上に液状体109を滴下し、滴下下部の下流に磁場105を、基体107に垂直方向に印加する点にある。この場合、基体107の走行速度は成長速度と同じとすることが好ましい。
2 液状体
3 側部界面
4 磁束
101a、101b ロール
102、103,104 膜形成チャンバ
105 超伝導磁石
106 磁束
107 長尺状基体
109 液状体
Claims (18)
- 基体上の薄膜材料を含む液状体に側部界面を形成し、かつ、側部界面の位置を移動しつつ、該液状体から該薄膜材料の結晶を該基体上に成長させる薄膜の製造方法。
- 側部界面の位置を前記結晶の成長速度に合わせて移動させる請求項1又は2記載の薄膜の製造方法。
- 前記液状体は、溶媒中に前記薄膜材料を溶解してなる請求項1又は2記載の薄膜の製造方法。
- 前記液状体は過飽和溶液である請求項3記載の薄膜の製造方法。
- 前記液状体は反磁性である請求項1ないし4のいずれか1項記載の薄膜の製造方法。
- 前記液状体は反磁性の異方性を有する請求項5記載の薄膜の製造方法。
- 前記薄膜材料は、有機材料である請求項1ないし6のいずれか1項記載の薄膜の製造方法。
- 前記有機材料は、縮合多環式水素系有機物を含む請求項7記載の薄膜の製造方法。
- 前記縮合多環式水素系有機物は、ペンタレン,インデン,ナフタレン,アズレン,ヘプタレン,ビフェニレン,as−インダセン,s−インダセン,アセナフチレン,フルオレン,フェナレン,フェナントレン,アントラセン,フルオランテン,アセフェナントリレン,アセアントレン,トリフェニレン,ピレン,クリセン,テトラセン,ポレイアデン,ピセン,ペリレン,ペンタフェン,ペンタセン,テトラフェニレン,ヘキサフェン,ヘキサセン,ルビセン,コロレン,トリナフチレン,ヘプタフェン,ヘプタセン,ピラントレン,オバレンまたはこれらの誘導体から選択される1又は2種以上である請求項8記載の薄膜の製造方法。
- 前記側部界面は基体表面に対して直角方向の磁場を与えることにより形成する請求項1ないし9のいずれか1項記載の薄膜の製造方法。
- 結晶の成長速度と同じ速度で磁場を移動させる請求項10記載の薄膜の製造方法。
- 超伝導磁石により磁場の印加を行なう請求項10又は11記載の薄膜の製造方法。
- 磁場強度T(テスラ)を、T≧0.05とする請求項10ないし12のいずれか1項記載の薄膜の製造方法。
- 磁場強度T(テスラ)を、T≧1とする請求項13記載の薄膜の製造方法。
- 前記薄膜はTFTの半導体層である請求項1ないし14のいずれか1項記載の薄膜の製造方法。
- 前記基体は長尺状の基体である請求項1ないし15のいずれか1項記載の薄膜の製造方法。
- 前記長尺状の基体をロールツーロールで送りつつ薄膜を形成する請求項16記載の薄膜の製造方法。
- 半導体層を請求項1ないし17のいずれか1項記載の方法により形成した半導体装置。
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