JPH10137538A - 化学的気相成長装置排ガス処理方法 - Google Patents
化学的気相成長装置排ガス処理方法Info
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- JPH10137538A JPH10137538A JP8303201A JP30320196A JPH10137538A JP H10137538 A JPH10137538 A JP H10137538A JP 8303201 A JP8303201 A JP 8303201A JP 30320196 A JP30320196 A JP 30320196A JP H10137538 A JPH10137538 A JP H10137538A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
- Y02A50/20—Air quality improvement or preservation, e.g. vehicle emission control or emission reduction by using catalytic converters
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は処理する排ガス中のテトラエ
トキシシラン等の有害物質の濃度が非常に高い場合で
も、大掛かりな吸着塔などの設備を要することなく、取
り扱いも簡便なＣＶＤ排ガスの無害化処理方法を提供す
ることにある。 【解決手段】 本発明は、テトラエトキシシランを成膜
原料とする化学的気相成長装置排ガスと濾過助剤を濾過
集塵機に導入して接触させ、該濾過集塵機のフィルター
に粉塵及び粘性物質が直接付着することを防止する化学
的気相成長装置排ガス処理方法において、濾過助剤に用
いるケイソウ土が融剤焼成処理されていることを特徴と
する化学的気相成長装置排ガス処理方法を提供すること
にある。
トキシシラン等の有害物質の濃度が非常に高い場合で
も、大掛かりな吸着塔などの設備を要することなく、取
り扱いも簡便なＣＶＤ排ガスの無害化処理方法を提供す
ることにある。 【解決手段】 本発明は、テトラエトキシシランを成膜
原料とする化学的気相成長装置排ガスと濾過助剤を濾過
集塵機に導入して接触させ、該濾過集塵機のフィルター
に粉塵及び粘性物質が直接付着することを防止する化学
的気相成長装置排ガス処理方法において、濾過助剤に用
いるケイソウ土が融剤焼成処理されていることを特徴と
する化学的気相成長装置排ガス処理方法を提供すること
にある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テトラエトキシシ
ランを成膜原料とする化学的気相成長装置（以下、「Ｃ
ＶＤ装置」と記載する）からの排ガス中に含まれるテト
ラエトキシシランを無害化するためのＣＶＤ装置排ガス
処理方法に関する。
ランを成膜原料とする化学的気相成長装置（以下、「Ｃ
ＶＤ装置」と記載する）からの排ガス中に含まれるテト
ラエトキシシランを無害化するためのＣＶＤ装置排ガス
処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスで用いられる薄膜の
形成方法の一つに、ＣＶＤ法がある。ＣＶＤ法は、形成
させようとする薄膜材料を構成する元素からなる１種ま
たは２種以上の化合物例えばハロゲン化物、硫化物、水
素化物等または単体のガスを基盤上に供給し、気相また
は基板表面での化学反応（例えば高温中で熱分解、酸
化、還元、重合、気相化合反応等）により所望の薄膜を
基盤上に沈着、形成させる方法である。ＣＶＤ法は化学
反応であるため、非常に広範囲かつ多用な物質の薄膜形
成が可能であり、また、種々の気体反応材料の組み合わ
せにより、自由な組成の制御が可能となり、今までに知
られていなかった全く新しい構造、組成の薄膜を合成す
ることができ、しかも、それらの物質の融点よりも充分
に低い温度で薄膜を形成できる方法である。
形成方法の一つに、ＣＶＤ法がある。ＣＶＤ法は、形成
させようとする薄膜材料を構成する元素からなる１種ま
たは２種以上の化合物例えばハロゲン化物、硫化物、水
素化物等または単体のガスを基盤上に供給し、気相また
は基板表面での化学反応（例えば高温中で熱分解、酸
化、還元、重合、気相化合反応等）により所望の薄膜を
基盤上に沈着、形成させる方法である。ＣＶＤ法は化学
反応であるため、非常に広範囲かつ多用な物質の薄膜形
成が可能であり、また、種々の気体反応材料の組み合わ
せにより、自由な組成の制御が可能となり、今までに知
られていなかった全く新しい構造、組成の薄膜を合成す
ることができ、しかも、それらの物質の融点よりも充分
に低い温度で薄膜を形成できる方法である。
【０００３】ＣＶＤ法により、例えばＳｉＨ4（モノシ
ラン）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等の成膜用
原料を供給することにより、Ｓｉ基板等にＳｉＯ2薄膜
を形成することができる。しかし、ＣＶＤ装置からの排
ガスには、ＳｉＯ2などの粉塵や、成膜過程において副
生するアルコール、アルデヒド及び粘性の高いポリシロ
キサン等や薄膜形成に関与しなかった未反応のテトラエ
トキシシラン等が含まれ、排ガス中のこれらの成分は有
害なものが多く、大気中にそのまま排出することは人体
及び環境に影響を及ぼす恐れがあるため禁止されてい
る。
ラン）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等の成膜用
原料を供給することにより、Ｓｉ基板等にＳｉＯ2薄膜
を形成することができる。しかし、ＣＶＤ装置からの排
ガスには、ＳｉＯ2などの粉塵や、成膜過程において副
生するアルコール、アルデヒド及び粘性の高いポリシロ
キサン等や薄膜形成に関与しなかった未反応のテトラエ
トキシシラン等が含まれ、排ガス中のこれらの成分は有
害なものが多く、大気中にそのまま排出することは人体
及び環境に影響を及ぼす恐れがあるため禁止されてい
る。
【０００４】ＣＶＤ装置排ガスを処理するための装置と
して次のようなものが先行技術として開示されている。
例えば特開平５−２６１２３２号公報には湿式排ガス処
理装置として、常圧ＣＶＤ装置からの排ガスを処理する
スクラバにおいて、スクラバシャワーノズルからアニオ
ン系界面活性剤またはノニオン系界面活性剤含有洗浄水
を噴霧することを特徴とするスクラバが記載されてい
る。
して次のようなものが先行技術として開示されている。
例えば特開平５−２６１２３２号公報には湿式排ガス処
理装置として、常圧ＣＶＤ装置からの排ガスを処理する
スクラバにおいて、スクラバシャワーノズルからアニオ
ン系界面活性剤またはノニオン系界面活性剤含有洗浄水
を噴霧することを特徴とするスクラバが記載されてい
る。
【０００５】また、特開平８−８３７７２号公報には乾
式ＣＶＤ装置排ガスの微粉物をフィルターにより捕集除
去した上、排ガス中に含まれるテトラエトキシシランを
吸着塔内の金属酸化物触媒またはこれを担持する吸着剤
と接触させることにより排ガスを無害化する装置が記載
されている。
式ＣＶＤ装置排ガスの微粉物をフィルターにより捕集除
去した上、排ガス中に含まれるテトラエトキシシランを
吸着塔内の金属酸化物触媒またはこれを担持する吸着剤
と接触させることにより排ガスを無害化する装置が記載
されている。
【０００６】しかしながら、上記の特開平５−２６１２
３２号公報に記載された湿式法では、廃液中にフレーク
が混在するため後処理が必要となる。また、特開平８−
８３７７２号公報に記載の装置では排ガス中に含まれる
テトラエトキシシランを無害化するために、金属製の円
筒状の密閉容器に装填されたフィルターの他に、排ガス
中に含まれるテトラエトキシシランを無害化するための
金属酸化物触媒またはこれを担持する吸着剤を充填する
吸着塔が必要となりかつ定期的な充填物の交換が必要と
なりランニングコスト及び取扱上難があった。
３２号公報に記載された湿式法では、廃液中にフレーク
が混在するため後処理が必要となる。また、特開平８−
８３７７２号公報に記載の装置では排ガス中に含まれる
テトラエトキシシランを無害化するために、金属製の円
筒状の密閉容器に装填されたフィルターの他に、排ガス
中に含まれるテトラエトキシシランを無害化するための
金属酸化物触媒またはこれを担持する吸着剤を充填する
吸着塔が必要となりかつ定期的な充填物の交換が必要と
なりランニングコスト及び取扱上難があった。
【０００７】一方、特開平８−１５０３１３号公報に
は、濾過助剤を排ガスに混合してから、フィルターを通
すことにより、排ガス中の粉塵及び粘性物質によるフィ
ルターの目詰まりを防止する方法が示唆されている。し
かし、この方法は簡便で、フィルターの目詰まりは防止
されるものの、処理する排ガス中のテトラエトキシシラ
ン等の有害物質の濃度が非常に高い場合、処理後のその
濃度が環境基準値は達成しているものの、無害化には不
十分なことがあった。
は、濾過助剤を排ガスに混合してから、フィルターを通
すことにより、排ガス中の粉塵及び粘性物質によるフィ
ルターの目詰まりを防止する方法が示唆されている。し
かし、この方法は簡便で、フィルターの目詰まりは防止
されるものの、処理する排ガス中のテトラエトキシシラ
ン等の有害物質の濃度が非常に高い場合、処理後のその
濃度が環境基準値は達成しているものの、無害化には不
十分なことがあった。
【０００８】それ故、処理する排ガス中のテトラエトキ
シシラン等の有害物質の濃度が非常に高い場合でも、大
掛かりな吸着塔などの設備を要することなく、取り扱い
も簡便なＣＶＤ装置排ガスの無害化処理方法の開発が待
たれていた。
シシラン等の有害物質の濃度が非常に高い場合でも、大
掛かりな吸着塔などの設備を要することなく、取り扱い
も簡便なＣＶＤ装置排ガスの無害化処理方法の開発が待
たれていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は処理する排ガス中のテトラエトキシシラン等の有害物
質の濃度が非常に高い場合でも、大掛かりな吸着塔など
の設備を要することなく、取り扱いも簡便なＣＶＤ排ガ
スの無害化処理方法を提供することにある。
は処理する排ガス中のテトラエトキシシラン等の有害物
質の濃度が非常に高い場合でも、大掛かりな吸着塔など
の設備を要することなく、取り扱いも簡便なＣＶＤ排ガ
スの無害化処理方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の化学的気
相成長装置排ガス処理方法は、テトラエトキシシランを
成膜原料とする化学的気相成長装置排ガスと濾過助剤を
濾過集塵機に導入して接触させ、該濾過集塵機のフィル
ターに粉塵及び粘性物質が直接付着することを防止する
化学的気相成長装置排ガス処理方法において、濾過助剤
に用いるケイソウ土が融剤焼成処理されていることを特
徴とする。
相成長装置排ガス処理方法は、テトラエトキシシランを
成膜原料とする化学的気相成長装置排ガスと濾過助剤を
濾過集塵機に導入して接触させ、該濾過集塵機のフィル
ターに粉塵及び粘性物質が直接付着することを防止する
化学的気相成長装置排ガス処理方法において、濾過助剤
に用いるケイソウ土が融剤焼成処理されていることを特
徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明は、上述の特開平８−２９
５１５８号公報に記載されているようなＣＶＤ装置排ガ
スと濾過助剤を濾過集塵機に導入して排ガスを処理する
ためのＣＶＤ装置排ガス処理方法において、成膜原料と
してテトラエトキシシランを使用する際に、ＣＶＤ装置
排ガスに含まれるテトラエトキシシランを無害化するた
めに、融剤焼成処理されているケイソウ土を濾過助剤と
して用いることをことを特徴とするものである。
５１５８号公報に記載されているようなＣＶＤ装置排ガ
スと濾過助剤を濾過集塵機に導入して排ガスを処理する
ためのＣＶＤ装置排ガス処理方法において、成膜原料と
してテトラエトキシシランを使用する際に、ＣＶＤ装置
排ガスに含まれるテトラエトキシシランを無害化するた
めに、融剤焼成処理されているケイソウ土を濾過助剤と
して用いることをことを特徴とするものである。
【００１２】ケイソウ土を融剤焼成処理する方法は、特
に限定されるものではないが、例えば所定の粒度の原料
ケイソウ土に融剤を加え５００〜１２００℃の温度で焼
成し、冷却した後、粉砕、分級を反復して粒度調整する
ことにより得ることができる。このようにして処理され
たケイソウ土は、ケイソウ殻の表面のシリカと、融剤と
が反応して無水ケイ酸塩を形成してなるものである。こ
こで、融剤は特に限定されるものではなく、ケイソウ殻
の表面のシリカと反応して無水ケイ酸塩を形成うるもの
であればよく、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
等を使用することができる。ここで、融剤の添加量は、
３〜１０重量％の範囲内である。ここで、融剤の添加量
が３重量％未満であると、その添加効果が発現しないた
めに好ましくなく、また、１０重量％を超えると、濾過
助剤のアルカリ度が高すぎ、フィルターに悪影響を与え
るために好ましくない。更に、焼成温度が５００℃未満
であると、無水ケイ酸塩の形成が不十分となるために好
ましくなく、また、１２００℃を超える焼成温度を使用
することも可能であるが、効果はかわらず実用的でな
い。なお、融剤焼成処理されたケイソウ土は、物質とし
ては新規なものではなく、主に飲料、食用油脂、工業用
油脂、水、有機化学製品等の固液分離の際の助剤として
用いられており、既に市販されているものである。
に限定されるものではないが、例えば所定の粒度の原料
ケイソウ土に融剤を加え５００〜１２００℃の温度で焼
成し、冷却した後、粉砕、分級を反復して粒度調整する
ことにより得ることができる。このようにして処理され
たケイソウ土は、ケイソウ殻の表面のシリカと、融剤と
が反応して無水ケイ酸塩を形成してなるものである。こ
こで、融剤は特に限定されるものではなく、ケイソウ殻
の表面のシリカと反応して無水ケイ酸塩を形成うるもの
であればよく、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
等を使用することができる。ここで、融剤の添加量は、
３〜１０重量％の範囲内である。ここで、融剤の添加量
が３重量％未満であると、その添加効果が発現しないた
めに好ましくなく、また、１０重量％を超えると、濾過
助剤のアルカリ度が高すぎ、フィルターに悪影響を与え
るために好ましくない。更に、焼成温度が５００℃未満
であると、無水ケイ酸塩の形成が不十分となるために好
ましくなく、また、１２００℃を超える焼成温度を使用
することも可能であるが、効果はかわらず実用的でな
い。なお、融剤焼成処理されたケイソウ土は、物質とし
ては新規なものではなく、主に飲料、食用油脂、工業用
油脂、水、有機化学製品等の固液分離の際の助剤として
用いられており、既に市販されているものである。
【００１３】また、融剤焼成処理したケイソウ土の粒径
は特に限定されないが、２〜５０ミクロンのものがテト
ラエトキシシランを無害化する上で効率が良好で好まし
い。該粒径が２ミクロン未満ではフィルターの圧力損失
が大きくなり、また、５０ミクロンより大きいと排ガス
との接触効率が低下し、これらは共に排ガスの処理効率
を悪化させる原因となるために好ましくない。
は特に限定されないが、２〜５０ミクロンのものがテト
ラエトキシシランを無害化する上で効率が良好で好まし
い。該粒径が２ミクロン未満ではフィルターの圧力損失
が大きくなり、また、５０ミクロンより大きいと排ガス
との接触効率が低下し、これらは共に排ガスの処理効率
を悪化させる原因となるために好ましくない。
【００１４】前記融剤焼成処理したケイソウ土は、例え
ば上述の特開平８−２９５１５８号公報に記載されてい
るような濾過助剤を用いるＣＶＤ装置排ガス処理方法に
おける例えばケイソウ土のような濾過助剤と全く同一に
取り扱うことができる。
ば上述の特開平８−２９５１５８号公報に記載されてい
るような濾過助剤を用いるＣＶＤ装置排ガス処理方法に
おける例えばケイソウ土のような濾過助剤と全く同一に
取り扱うことができる。
【００１５】即ち、ＣＶＤ装置排ガスに連続的又は所定
時間毎に濾過助剤である融剤焼成処理したケイソウ土を
混合した後、濾過集塵機のフィルターを通すことができ
る。なお、前記フィルターを前記濾過助剤によりコーテ
ィングした後、前記の排ガスと濾過助剤を混合したもの
を通すと、フィルターから凝集物を除去しやすくなり、
また、除去する間隔を長くできるため、さらに迅速かつ
効率的な排ガス処理を行うことができるために好まし
い。
時間毎に濾過助剤である融剤焼成処理したケイソウ土を
混合した後、濾過集塵機のフィルターを通すことができ
る。なお、前記フィルターを前記濾過助剤によりコーテ
ィングした後、前記の排ガスと濾過助剤を混合したもの
を通すと、フィルターから凝集物を除去しやすくなり、
また、除去する間隔を長くできるため、さらに迅速かつ
効率的な排ガス処理を行うことができるために好まし
い。
【００１６】前記融剤焼成処理したケイソウ土を濾過助
剤とすることで、従来の融剤焼成していないケイソウ土
（乾燥ケイソウ土、焼成ケイソウ土）では不十分であっ
た、排ガスに含まれるテトラエトキシシラン等の有害物
質を効率よく十分に除去することができ、従って、ＣＶ
Ｄ装置からの排ガスを無害化することができる。
剤とすることで、従来の融剤焼成していないケイソウ土
（乾燥ケイソウ土、焼成ケイソウ土）では不十分であっ
た、排ガスに含まれるテトラエトキシシラン等の有害物
質を効率よく十分に除去することができ、従って、ＣＶ
Ｄ装置からの排ガスを無害化することができる。
【００１７】なお、本発明のＣＶＤ装置排ガス処理方法
は、テトラエトキシシランを成膜原料とするＣＶＤ装
置、その排ガス流路に設置され、排ガス中に含まれるテ
トラエトキシシランを無害化するためのフィルターを有
する濾過集塵機、該濾過集塵機に濾過助剤を添加するた
めの濾過助剤供給装置及び該濾過集塵機から排気するた
めの排気ファンを備えてなるＣＶＤ装置排ガス処理装置
を使用して実施することができる。
は、テトラエトキシシランを成膜原料とするＣＶＤ装
置、その排ガス流路に設置され、排ガス中に含まれるテ
トラエトキシシランを無害化するためのフィルターを有
する濾過集塵機、該濾過集塵機に濾過助剤を添加するた
めの濾過助剤供給装置及び該濾過集塵機から排気するた
めの排気ファンを備えてなるＣＶＤ装置排ガス処理装置
を使用して実施することができる。
【００１８】ここで、前記排ガス処理装置の濾過集塵機
には、フィルターを逆洗するための圧縮ガスを導入する
圧縮ガス調節弁を備えた構成とすることができる。圧縮
ガス調節弁を備えてなることによって、フィルターから
凝集物を除去しやすくなり、さらに迅速かつ効率的な排
ガス処理を行うことができるために好ましい。
には、フィルターを逆洗するための圧縮ガスを導入する
圧縮ガス調節弁を備えた構成とすることができる。圧縮
ガス調節弁を備えてなることによって、フィルターから
凝集物を除去しやすくなり、さらに迅速かつ効率的な排
ガス処理を行うことができるために好ましい。
【００１９】上述のように、本発明のＣＶＤ装置排ガス
処理方法は、ＣＶＤ装置からの、テトラエトキシシラン
を含む排ガスを、濾過助剤すなわち融剤焼成したケイソ
ウ土と接触させ、融剤焼成処理したケイソウ土に付着、
凝集させることにより、迅速かつ効率的な排ガス処理を
成し得るものである。
処理方法は、ＣＶＤ装置からの、テトラエトキシシラン
を含む排ガスを、濾過助剤すなわち融剤焼成したケイソ
ウ土と接触させ、融剤焼成処理したケイソウ土に付着、
凝集させることにより、迅速かつ効率的な排ガス処理を
成し得るものである。
【００２０】
実施例１．以下、本発明方法の一実施態様を具体的に図
面で説明する。図１は、本発明方法を行うために使用可
能なＣＶＤ装置排ガス処理装置の構成を模式化して示し
たものである。図1において、濾過集塵機（２）本体の
下部ホッパーに連動するよう濾過助剤供給装置（４）が
設置されている。この濾過助剤供給装置（４）は濾過集
塵機（２）へ濾過助剤を適宣供給可能な構成になってお
り、濾過集塵機（２）のフィルターをプレコートする場
合には、濾過助剤供給装置（４）から必要な量の濾過助
剤を濾過集塵機（２）へ供給し、フィルター表面を濾過
助剤によりプレコートする。この時、濾過助剤供給装置
（４）より更に下部に設置した空気導入口（５）から空
気を導入し濾過助剤を拡散させる。
面で説明する。図１は、本発明方法を行うために使用可
能なＣＶＤ装置排ガス処理装置の構成を模式化して示し
たものである。図1において、濾過集塵機（２）本体の
下部ホッパーに連動するよう濾過助剤供給装置（４）が
設置されている。この濾過助剤供給装置（４）は濾過集
塵機（２）へ濾過助剤を適宣供給可能な構成になってお
り、濾過集塵機（２）のフィルターをプレコートする場
合には、濾過助剤供給装置（４）から必要な量の濾過助
剤を濾過集塵機（２）へ供給し、フィルター表面を濾過
助剤によりプレコートする。この時、濾過助剤供給装置
（４）より更に下部に設置した空気導入口（５）から空
気を導入し濾過助剤を拡散させる。
【００２１】濾過集塵機（２）のフィルターに濾過助剤
をプレコートした後、ＣＶＤ装置（１）からの排ガスを
濾過集塵機（２）へ導入して処理を行う。なお、濾過集
塵機（２）は、内部に固気分離用のフィルターを備えた
構成となっており、濾過助剤へ付着、凝集した粉塵及び
テトラエトキシシランはフィルター表面に堆積する。そ
こで、このフィルター表面にある程度の量の凝集体が堆
積した時点で、濾過集塵機（２）の上部に設置された圧
縮ガス調節弁（７）を開放して窒素ガス等の不活性ガス
あるいは空気を導入してフィルターを逆洗することによ
り凝集体を払い落とすことができる。払い落とされた凝
集体は粉塵排出装置（３）を介して系外に排出される。
排出後、再度プレコートを行う場合には濾過助剤供給装
置（４）からプレコートに必要な量の濾過助剤を供給
し、上記の工程を反復すればよい。
をプレコートした後、ＣＶＤ装置（１）からの排ガスを
濾過集塵機（２）へ導入して処理を行う。なお、濾過集
塵機（２）は、内部に固気分離用のフィルターを備えた
構成となっており、濾過助剤へ付着、凝集した粉塵及び
テトラエトキシシランはフィルター表面に堆積する。そ
こで、このフィルター表面にある程度の量の凝集体が堆
積した時点で、濾過集塵機（２）の上部に設置された圧
縮ガス調節弁（７）を開放して窒素ガス等の不活性ガス
あるいは空気を導入してフィルターを逆洗することによ
り凝集体を払い落とすことができる。払い落とされた凝
集体は粉塵排出装置（３）を介して系外に排出される。
排出後、再度プレコートを行う場合には濾過助剤供給装
置（４）からプレコートに必要な量の濾過助剤を供給
し、上記の工程を反復すればよい。
【００２２】なお、この濾過集塵機（２）内のフィルタ
ーからの凝集体の払い落とし方法は上記の逆洗方式に限
定するものではなく、機械振動方式、パルスエアー方式
等任意の装置を使用することができる。また、濾過集塵
機（２）内に設置されているフィルターの材質、形状、
種類等は、特に限定されるものではなく、例えば、材質
は合成繊維、ガラス繊維、金網等を払い落とし方法に対
応して適宜選定し、使用することができる。更に、プレ
コートに使用する濾過助剤は、フィルターの目の大きさ
及び発生する粉塵の粒径によってその粒径を決定するの
が、集塵効率を上げ、フィルターの目詰まりを防止し、
排ガス処理可能時間を延ばす上で好ましい。
ーからの凝集体の払い落とし方法は上記の逆洗方式に限
定するものではなく、機械振動方式、パルスエアー方式
等任意の装置を使用することができる。また、濾過集塵
機（２）内に設置されているフィルターの材質、形状、
種類等は、特に限定されるものではなく、例えば、材質
は合成繊維、ガラス繊維、金網等を払い落とし方法に対
応して適宜選定し、使用することができる。更に、プレ
コートに使用する濾過助剤は、フィルターの目の大きさ
及び発生する粉塵の粒径によってその粒径を決定するの
が、集塵効率を上げ、フィルターの目詰まりを防止し、
排ガス処理可能時間を延ばす上で好ましい。
【００２３】実施例２．図１のＣＶＤ装置（常圧ＣＶＤ
装置）（１）にシリコン(Ｓｉ)基板を設置し、ヒーター
により４００℃まで加熱した。次に、６５℃に加温した
ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）及びリン、ホウ素系
成膜原料を窒素ガス６リットル／分でバブリングした
後、キャリアガスと共に装置内へ導入した。一方、オゾ
ナイザーによりＯ3／Ｏ２混合気を導入して成膜を行っ
た。この条件で排出されるＣＶＤ排ガスを、図１に示す
排ガス処理装置にて処理した。まず、粒径２〜５０ミク
ロンの融剤焼成処理したケイソウ土（原料ケイソウ土
に、該ケイソウ土に対し５重量％の炭酸カリウムを加
え、約１２００℃で焼成した後、更に、粉砕、分級を繰
り返すことにより得た）を供給する濾過助剤供給装置
（４）を装填し、排気ファン（６）を排気量１ｍ2／分
で運転し、フィルター面積１ｍ2の濾過集塵機（２）へ
１００ｇの融剤焼成処理したケイソウ土を添加すると共
に、空気導入口（６）から空気を導入して融剤焼成処理
したケイソウ土を分散させながら、フィルター表面をケ
イソウ土によりプレコートした。次に、ＣＶＤ装置
（１）からテトラエトキシシラン２０ｐｐｍを含む排ガ
スを供給し、１０時間毎に濾過集塵機（２）出口から排
ガスを回収しテトラエトキシシランの濃度を測定した。
その結果、濾過集塵機（２）出口のテトラエトキシシラ
ンの濃度は１ｐｐｍ以下で、テトラエトキシシランの環
境許容基準（１０ｐｐｍ）を大きく下回っており、該排
ガスは十分無害化されていた。
装置）（１）にシリコン(Ｓｉ)基板を設置し、ヒーター
により４００℃まで加熱した。次に、６５℃に加温した
ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）及びリン、ホウ素系
成膜原料を窒素ガス６リットル／分でバブリングした
後、キャリアガスと共に装置内へ導入した。一方、オゾ
ナイザーによりＯ3／Ｏ２混合気を導入して成膜を行っ
た。この条件で排出されるＣＶＤ排ガスを、図１に示す
排ガス処理装置にて処理した。まず、粒径２〜５０ミク
ロンの融剤焼成処理したケイソウ土（原料ケイソウ土
に、該ケイソウ土に対し５重量％の炭酸カリウムを加
え、約１２００℃で焼成した後、更に、粉砕、分級を繰
り返すことにより得た）を供給する濾過助剤供給装置
（４）を装填し、排気ファン（６）を排気量１ｍ2／分
で運転し、フィルター面積１ｍ2の濾過集塵機（２）へ
１００ｇの融剤焼成処理したケイソウ土を添加すると共
に、空気導入口（６）から空気を導入して融剤焼成処理
したケイソウ土を分散させながら、フィルター表面をケ
イソウ土によりプレコートした。次に、ＣＶＤ装置
（１）からテトラエトキシシラン２０ｐｐｍを含む排ガ
スを供給し、１０時間毎に濾過集塵機（２）出口から排
ガスを回収しテトラエトキシシランの濃度を測定した。
その結果、濾過集塵機（２）出口のテトラエトキシシラ
ンの濃度は１ｐｐｍ以下で、テトラエトキシシランの環
境許容基準（１０ｐｐｍ）を大きく下回っており、該排
ガスは十分無害化されていた。
【００２４】なお、濾過助剤によるプレコートを行わ
ず、濾過助剤を使用しない他は前記と同様の操作を行っ
たが、その場合の濾過集塵機（２）の出口のテトラエト
キシシランの濃度は１８ｐｐｍで、ほとんど低下してい
なかった。
ず、濾過助剤を使用しない他は前記と同様の操作を行っ
たが、その場合の濾過集塵機（２）の出口のテトラエト
キシシランの濃度は１８ｐｐｍで、ほとんど低下してい
なかった。
【００２５】比較例 次に、融剤焼成処理したケイソウ土の効果を試験するた
めに、以下の試験を行った。即ち、実施例２の比較試験
として、プレコートに使用するための濾過助剤として、
１２００℃で水分含量が０.５％以下になるまで焼成処
理したケイソウ土（粒径２〜５０ミクロン）を用いたこ
と以外は前記実施例２と同様の操作を行い、濾過集塵機
（２）出口のテトラエトキシシランの濃度を測定した。
めに、以下の試験を行った。即ち、実施例２の比較試験
として、プレコートに使用するための濾過助剤として、
１２００℃で水分含量が０.５％以下になるまで焼成処
理したケイソウ土（粒径２〜５０ミクロン）を用いたこ
と以外は前記実施例２と同様の操作を行い、濾過集塵機
（２）出口のテトラエトキシシランの濃度を測定した。
【００２６】また、濾過助剤として、５００℃で水分含
量が６.０％以下となるまで乾燥処理したケイソウ土
（粒径２〜５０ミクロン）を用いたこと以外は前記実施
例２と同様の操作を行い、濾過集塵機（２）出口のテト
ラエトキシシランの濃度を測定した。
量が６.０％以下となるまで乾燥処理したケイソウ土
（粒径２〜５０ミクロン）を用いたこと以外は前記実施
例２と同様の操作を行い、濾過集塵機（２）出口のテト
ラエトキシシランの濃度を測定した。
【００２７】更に、濾過助剤として、粒径２〜５０ミク
ロンのパーライトを用いたこと以外は前記実施例２と同
様の操作を行い、濾過集塵機（２）の出口のテトラエト
キシシランの濃度を測定した。
ロンのパーライトを用いたこと以外は前記実施例２と同
様の操作を行い、濾過集塵機（２）の出口のテトラエト
キシシランの濃度を測定した。
【００２８】その結果、濾過集塵機（２）の出口でのテ
トラエトキシシラン濃度は、濾過助剤として焼成処理し
たケイソウ土を用いた場合で８ｐｐｍ、乾燥したケイソ
ウ土を用いた場合で７ｐｐｍ、パーライトを用いた場合
で１１ｐｐｍであったのに対し、融剤焼成したケイソウ
土を用いた実施例２では、１ｐｐｍ以下であった。この
ように、本発明の方法では、ＣＶＤ装置からの排ガス中
のテトラエトキシシランが極めて効率的かつ十分に除去
されていることが判る。
トラエトキシシラン濃度は、濾過助剤として焼成処理し
たケイソウ土を用いた場合で８ｐｐｍ、乾燥したケイソ
ウ土を用いた場合で７ｐｐｍ、パーライトを用いた場合
で１１ｐｐｍであったのに対し、融剤焼成したケイソウ
土を用いた実施例２では、１ｐｐｍ以下であった。この
ように、本発明の方法では、ＣＶＤ装置からの排ガス中
のテトラエトキシシランが極めて効率的かつ十分に除去
されていることが判る。
【００２９】
【発明の効果】本発明の効果は下記の通りである。即
ち、テトラエトキシシランを成膜原料とするＣＶＤ装置
からの排ガスを、融剤焼成処理したケイソウ土と接触さ
せ、テトラエトキシシランを付着、凝集させることによ
って、排ガス中のテトラエトキシシラン等の有害物質の
濃度が非常に高い場合でも、大掛かりな吸着塔などの設
備を要することなく、簡便な取り扱いで、効率的かつ迅
速にＣＶＤ装置からの排ガスを無害化することができ
る。
ち、テトラエトキシシランを成膜原料とするＣＶＤ装置
からの排ガスを、融剤焼成処理したケイソウ土と接触さ
せ、テトラエトキシシランを付着、凝集させることによ
って、排ガス中のテトラエトキシシラン等の有害物質の
濃度が非常に高い場合でも、大掛かりな吸着塔などの設
備を要することなく、簡便な取り扱いで、効率的かつ迅
速にＣＶＤ装置からの排ガスを無害化することができ
る。
【図１】本発明方法を行うために使用可能なＣＶＤ装置
排ガス処理装置の構成を模式化して示す図である。
排ガス処理装置の構成を模式化して示す図である。
１ ＣＶＤ装置 ２ 濾過集塵機 ３ 粉塵排出装置 ４ 濾過助剤供給装置 ５ 空気導入口 ６ 排気ファン ７ 圧縮ガス調節弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｂ 21/31 Ｂ０１Ｄ 53/34 ＺＡＢ (72)発明者 笹嶋 三稔 東京都荒川区東尾久７丁目２番35号 旭電 化工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 テトラエトキシシランを成膜原料とする
化学的気相成長装置排ガスと濾過助剤を濾過集塵機に導
入して接触させ、該濾過集塵機のフィルターに粉塵及び
粘性物質が直接付着することを防止する化学的気相成長
装置排ガス処理方法において、濾過助剤に用いるケイソ
ウ土が融剤焼成処理されていることを特徴とする化学的
気相成長装置排ガス処理方法。 - 【請求項２】 濾過助剤が、排ガスへ添加、混合され
る、請求項１記載の化学的気相成長装置排ガス処理方
法。 - 【請求項３】 濾過助剤を予め濾過集塵機のフィルター
にプレコートした後、排ガスを導入する、請求項１また
は請求項２記載の化学的気相成長排ガス処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30320196A JP3862792B2 (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 化学的気相成長装置排ガス処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30320196A JP3862792B2 (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 化学的気相成長装置排ガス処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10137538A true JPH10137538A (ja) | 1998-05-26 |
| JP3862792B2 JP3862792B2 (ja) | 2006-12-27 |
Family
ID=17918108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30320196A Expired - Fee Related JP3862792B2 (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 化学的気相成長装置排ガス処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3862792B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016064364A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 住友化学株式会社 | 排気ガス処理装置及び基板処理装置 |
-
1996
- 1996-11-14 JP JP30320196A patent/JP3862792B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016064364A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 住友化学株式会社 | 排気ガス処理装置及び基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3862792B2 (ja) | 2006-12-27 |
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