JPH10135641A - 半導体実装用配線基板の製造法 - Google Patents

半導体実装用配線基板の製造法

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JPH10135641A
JPH10135641A JP28939996A JP28939996A JPH10135641A JP H10135641 A JPH10135641 A JP H10135641A JP 28939996 A JP28939996 A JP 28939996A JP 28939996 A JP28939996 A JP 28939996A JP H10135641 A JPH10135641 A JP H10135641A
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JP
Japan
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connection terminals
metal layer
protective metal
circuit boards
semiconductor
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JP28939996A
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Hajime Nakayama
肇 中山
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】効率に優れた半導体実装用配線基板の製造法を
提供すること。 【解決手段】本発明の半導体実装用配線基板の製造法
は、半導体との接続用端子が形成された複数の回路板を
積層接着し、その複数の接続用端子の部分が階段状に現
れるように加工する半導体実装用配線基板の製造法にお
いて、 A.少なくとも、複数の回路板に形成された接続用端子
の部分に、保護金属層を平坦に形成する工程、 B.複数の回路板を積層接着する工程、 C.複数の接続用端子の部分が、階段状に現われるよう
に、ザグリ加工を行うと共に、このザグリ加工を保護金
属層の箇所で終了させる工程、を有すること。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体実装用配線
基板の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体実装用配線基板は、積層す
べき配線板を複数製作し、これらに大きさの異なる窓穴
を形成した後、接着材層を介して多層化積層する方法が
使用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法では、積層
された配線板間の接着材層がはみ出し、ワイヤーボンド
等で半導体と接続されるべき端子上を覆い、組立が不可
能となる例が多々発生した。一方、接着材層の窓穴を大
きくして窓周囲層間にすき間ができると、後工程の金め
っき時にめっき液がしみ込んで異常折出して、端子間の
ショート不良を発生させる上、上層の端子面の剛性が低
下してワイヤボンド性を低下させる等問題がある。
【0004】本発明は、効率に優れた半導体実装用配線
基板の製造法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体実装用配
線基板の製造法は、半導体との接続用端子が形成された
複数の回路板を積層接着し、その複数の接続用端子の部
分が階段状に現れるように加工する半導体実装用配線基
板の製造法において、 A.少なくとも、複数の回路板に形成された接続用端子
の表面部分に、保護金属層を形成する工程、 B.複数の回路板を積層接着する工程、 C.複数の接続用端子の部分が、階段状に現われるよう
に、ザグリ加工を行うと共に、このザグリ加工を保護金
属層の厚さの範囲で終了させる工程、 D.残った保護金属層を、選択エッチングによりエッチ
ング除去する工程、を有することを特徴とする。
【0006】また、本発明においては、前記工程Aに代
えて、少なくとも、複数の回路板上に、少なくとも、回
路銅層と、キャリアとなる第2の銅層とを形成し、上記
接続用端子の部分に、保護金属層として、第2の銅層を
残す工程であってもよい。
【0007】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を具
体的に説明する。
【0008】
【実施例】
実施例1 図1(a)に示すように、半導体との接続用端子が形成
された2枚の回路板4を、銅箔の厚さ18μmの厚さ
0.2mmの両面銅張り積層板であるMCL−E−67
9(日立化成工業株式会社製、商品名)により作製し、
ワイヤーボンド端子に相当する部分のみを覆うように、
保護金属層として0.1mm厚のアルミ板3を重ね、さ
らに層間の絶縁層2として、プリプレグであるGEA−
679(日立化成工業株式会社製、商品名)と積層板1
として、銅箔の厚さ18μmの厚さ0.2mmの両面銅
張り積層板であるMCL−E−679(日立化成工業株
式会社製、商品名)の片面の銅箔を全面にエッチング除
去したものを重ね、170℃、2.5MPa、60分間
の条件で、加熱加圧して積層一体化した。この状態で必
要な部分に、スルーホール穴あけ・めっきを行い、層間
接続した(図示せず。)。次に、図1(b)に示すよう
に、NCザグリ機によりザグリ加工を行うが、この際ザ
グリ刃の進入深さをコントロールして、アルミ板3の厚
さの範囲内で止まるようにした。次に、図1(c)に示
すように、ザグリ加工して形成されたキャビティ部に露
出したアルミ板3を、100g/l、60℃の水酸化ナ
トリウム液にて選択的にエッチングすることで、当初形
成した接続用端子を露出させた。
【0009】実施例2 半導体との接続用端子が形成された複数の回路板4を、
厚さ70μmのキャリアとなる第2の銅層51と、厚さ
が0.2μmのニッケル−リン合金層52の2層からな
る複合金属箔を用い、予め、接続用端子を含む回路53
を、ニッケル−リン合金層51の表面に、電気めっきに
よって、15μmの厚さに形成し、その回路面を、ガラ
ス布にエポキシ樹脂を含浸した厚さ0.1mmの絶縁層
2として、プリプレグであるGEA−679(日立化成
工業株式会社製、商品名)と重ね、170℃、2.5M
Pa、60分間の条件で加熱加圧して積層一体化して作
製した。図2(a)に示すように、アンモニア、第二銅
イオン、アンモニウム錯イオンからなるいわゆるアルカ
リエッチャントによって、キャビティ部以外の第2の銅
層51の部分を、エッチング除去し、さらにキャビティ
部以外のニッケル−リン合金層52も、硝酸、過酸化水
素からなるエッチング液によってエッチング除去した。
このようにして作製した回路板4を、実施例1と同様の
材料を用いて、プリプレグを介して多層化プレスした
後、図2(b)に示すように、ザグリ加工を第2の銅層
51の厚さ70μmの途中で止まるようキャビティ加工
した。本実施例に用いたザグリ加工機は、±30μm程
度の深さ精度で加工できるが、精度がさらに劣る場合に
は、キャリア銅層の厚を105μm程度に厚くする必要
がある。この後、図2(c)に示すように、キャビティ
部分の第2の銅層51、ニッケル−リン合金層52を、
それぞれ、上記したエッチング液によって選択エッチン
グした。ザグリ加工時には、第2の銅層51の端部より
やや小さく加工すると窪みを作り、処理液が残ることに
なるので、一般には0.1mm程度大きく加工すること
が望ましい。
【0010】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によっ
て、効率に優れた半導体搭載用配線板の製造法を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(c)は、それぞれ本発明の一実施例
を示す、要部工程における断面図である。
【図2】(a)〜(c)は、それぞれ本発明の他の実施
例を示す、要部工程における断面図である。
【符号の説明】
1.積層板 2.絶縁層 3.アルミ板 4.回路板 51.第2の銅層 52.ニッケル−リ
ン合金層 53.回路

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体との接続用端子が形成された複数の
    回路板を積層接着し、その複数の接続用端子の部分が階
    段状に現れるように加工する半導体実装用配線基板の製
    造法において、 A.少なくとも、複数の回路板に形成された接続用端子
    の表面部分に、保護金属層を形成する工程、 B.複数の回路板を積層接着する工程、 C.複数の接続用端子の部分が、階段状に現われるよう
    に、ザグリ加工を行うと共に、このザグリ加工を保護金
    属層の厚さの範囲で終了させる工程、 D.残った保護金属層を、選択エッチングによりエッチ
    ング除去する工程、を有することを特徴とする半導体実
    装用配線基板の製造法。
  2. 【請求項2】半導体との接続用端子が形成された複数の
    回路板を積層接着し、その複数の接続用端子の部分が階
    段状に現れるように加工する半導体実装用配線基板の製
    造法において、 A1.少なくとも、複数の回路板上に、少なくとも、回
    路銅層と、キャリアとなる第2の銅層とを形成し、上記
    接続用端子の部分に、保護金属層として、第2の銅層を
    残す工程、 B.複数の回路板を積層接着する工程、 C.複数の接続用端子の部分が、階段状に現われるよう
    に、ザグリ加工を行うと共に、このザグリ加工を保護金
    属層の厚さの範囲で終了させる工程、 D.残った保護金属層を、選択エッチングによりエッチ
    ング除去する工程、を有することを特徴とする半導体実
    装用配線基板の製造法。
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