JPH10135219A - バンプ形成方法 - Google Patents

バンプ形成方法

Info

Publication number
JPH10135219A
JPH10135219A JP8287155A JP28715596A JPH10135219A JP H10135219 A JPH10135219 A JP H10135219A JP 8287155 A JP8287155 A JP 8287155A JP 28715596 A JP28715596 A JP 28715596A JP H10135219 A JPH10135219 A JP H10135219A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
ball
capillary
bump
tip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8287155A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiki Suzuki
芳規 鈴木
Michio Muraida
道夫 村井田
Yoshishige Nakada
圭成 中田
Kazutaka Suzuki
一高 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP8287155A priority Critical patent/JPH10135219A/ja
Publication of JPH10135219A publication Critical patent/JPH10135219A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/113Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤ切断を安定して行えるバンプ形成方法
を提供する。 【解決手段】 キャピラリ1の孔1aに挿通されたワイ
ヤ2の先端に熱を加えてボール2aを形成し、ワイヤ先
端のボール2aを端子電極4に押し付けた状態で、キャ
ピラリ1をワイヤ2と一緒にさらに下方向に移動して、
キャピラリ先端の押し切り部1bを端子電極4に接近さ
せる。これにより、押し切り部1bがボール2aの中央
に食い込むと共に、キャピラリ先端の斜面によってボー
ル2aが押し潰され、そして該押し切り部1bが端子電
極4に接触したところで、ドーナツ状に変形したボール
2aとワイヤ2とが切り離される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路素子や回
路基板に接続用のバンプ(突起導体)を形成するバンプ
形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】IC,LSI等の電子回路素子と回路基
板との接続方法としてフリップチップボンディング法が
知られている。この方法は、素子底面の端子電極に形成
されたバンプと回路基板の導体とを半田等を用いて電気
的に接続、または、素子底面の端子電極と回路基板の導
体に形成されたバンプとを半田等を用いて電気的に接続
する方法である。上記のバンプは周知のワイヤバンプで
あり、ワイヤボンダーによって電子回路素子の端子電極
または回路基板の導体に予め形成される。
【0003】ここで、図4を参照して従来のバンプ形成
方法について説明する。ちなみに、図中の101はキャ
ピラリ、102はワイヤ、103は電子回路素子、10
4は素子底面に設けられた端子電極である。
【0004】バンプ形成に際しては、まず、図4(a)
に示すように、キャピラリ101の孔101aに挿通さ
れたワイヤ102の先端に熱を加えてボール102aを
形成する。次に、キャピラリ101をワイヤ102と一
緒に下方向に移動させてボール102aを端子電極10
4に熱圧着し、同図(b)に示すように、圧着後はキャ
ピラリ101のみを上方向に移動させる。次に、同図
(c)に示すように、キャピラリ101を上昇位置から
横方向に移動させてワイヤ102をボール近くで引きち
ぎるようにして切断する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のバンプ形成
方法では、ワイヤ102をボール近くで切断するように
しているが、同一位置でワイヤ切断を行うことが難しい
ことから切断位置にバラツキを生じ易く、切断位置がボ
ール102aに近すぎると該ボール102aに凹みが形
成されたり全体形状が歪む等の不具合を発生する。
【0006】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、ワイヤ切断を安定して行
えるバンプ形成方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、キャピラリの孔に挿通されたワイヤの先
端に熱を加えてボールを形成し、該ボールをキャピラリ
を用いてバンプ形成相手に押し付けた後にワイヤから切
り離すようにしたバンプ形成方法において、キャピラリ
先端に押し切り部を設け、該押し切り部をバンプ形成相
手に接近させることによりボールとワイヤとの切り離し
を行う、ことをその主たる特徴としている。
【0008】本発明によれば、キャピラリ先端の押し切
り部をバンプ形成相手に接近させることによりボールと
ワイヤとの切り離しを行うので、専用のワイヤ切断器具
を用いることなく、簡単なキャピラリの動作によってボ
ールをワイヤから切り離すことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
[第1の実施形態]図1は本発明の第1の実施形態を示
すもので、図中の1はキャピラリ、2はワイヤ、3はI
C,LSI等の電子回路素子、4は素子底面に設けられ
た端子電極である。
【0010】キャピラリ1の中心部には、ワイヤ2を挿
通するための孔1aが形成されている。この孔1aの内
径は、後に詳述するワイヤ切断が支障なく行えるよう
に、ワイヤ挿通を妨げない程度にワイヤ2の外径に極力
近づけてある。
【0011】また、キャピラリ1の先端には、ボール2
aとワイヤ2との切り離しを行うための押し切り部1b
が設けられている。図示例のものでは、キャピラリ11
の先端部外形を円錐状とすることにより、ワイヤ挿通孔
1aの先端に先鋭な環状突起を設け、これを押し切り部
1bとしてある。
【0012】ワイヤ2は銅,アルミニウム,金等の金属
から成るが、金を用いれば表面酸化の問題を排除して、
バンプ形成後の電子回路素子3を回路基板に良好に接続
できる。
【0013】バンプ形成に際しては、まず、図1(a)
に示すように、キャピラリ1の孔1aに挿通されたワイ
ヤ2の先端に、ガス炎や静電放電等により熱を加えてボ
ール2aを形成する。
【0014】次に、同図(b)に示すように、キャピラ
リ1をワイヤ2と一緒に下方向に移動させて、ワイヤ先
端のボール2aを端子電極4に押し付ける。
【0015】次に、同図(c)に示すように、キャピラ
リ1をワイヤ2と一緒にさらに下方向に移動して、キャ
ピラリ先端の押し切り部1bを端子電極4に接近させ
る。これにより、押し切り部1bがボール2aの中央に
食い込むと共に、キャピラリ先端の斜面によってボール
2aが押し潰され、そして該押し切り部1bが端子電極
4に接触したところで、ドーナツ状に変形したボール2
aとワイヤ2とが切り離される。また、ドーナツ状に変
形したボール2aは同課程で熱圧着や超音波等の手法に
よって端子電極4に接合される。
【0016】ボール2aとワイヤ2との切り離しをより
的確に行うには、キャピラリ1を下方向に移動させると
きに、キャピラリ1を軸線を中心として所定方向に回
転、または正逆回転させたり、キャピラリ1に図示省略
の振動源から微振動を付加するようにすると良い。
【0017】次に、同図(d)に示すように、キャピラ
リ1をワイヤ2と一緒に上方向に移動させる。以上で、
ドーナツ状のバンプB1が端子電極4上に形成される。
【0018】このように、本実施形態のバンプ形成方法
によれば、ワイヤ2先端のボール2aを端子電極4に押
し付けた状態で、キャピラリ1先端の押し切り部1bを
端子電極4に接近させ、該押し切り部1bをボール2a
に食い込ませてボール2aとワイヤ2との切り離しを行
うので、専用のワイヤ切断器具を用いることなく、簡単
なキャピラリ1の動作によってボール2aとワイヤ2と
の切り離しを所定の位置で安定して行うことができる。
【0019】尚、上記実施形態では、切り離しの課程
で、ボール2aの中央にキャピラリ5先端の押し切り部
1bを食い込ませるようにしたが、ボール2aの中央か
ら外れた位置に押し切り部1bを食い込ませるようにし
ても同様の切り離しを行うことができる。また、上記実
施形態では、電子回路素子3の端子電極4にバンプB1
を形成したものを例示したが、回路基板の導体にも同様
の手順にてバンプを形成することができる。
【0020】[第2の実施形態]図2は本発明の第2の
実施形態を示すもので、図中の1はキャピラリ、1aは
ワイヤ挿通孔、1bは押し切り部、2はワイヤ、2aは
ボール、3は電子回路素子、4は端子電極である。端子
電極4として表面積が広いものを示した点を除き、これ
ら構成は第1の実施形態と同じであるためここでの説明
を省略する。
【0021】バンプ形成に際しては、まず、図2(a)
に示すように、キャピラリ1の孔1aに挿通されたワイ
ヤ2の先端に、ガス炎や静電放電等により熱を加えてボ
ール2aを形成する。
【0022】次に、同図(b)に示すように、キャピラ
リ1をワイヤ2と一緒に下方向に移動させて、ワイヤ先
端のボール2aを端子電極4に押し付ける。この押し付
けによって太鼓状に変形したボール2aは、熱圧着や超
音波等の手法によって端子電極4に接合される。
【0023】次に、同図(c)に示すように、キャピラ
リ1を横方向に移動させながら下方向に移動して、キャ
ピラリ先端の押し切り部1bを端子電極4のボール押し
付け位置とは異なる位置に接近させる。これにより、押
し切り部1bが横たわったワイヤ2に食い込むと共に、
キャピラリ先端の斜面によってワイヤ2が押し潰され、
そして該押し切り部1bが端子電極4に接触したところ
で、ボール2aとワイヤ2とが切り離される。
【0024】ボール2aとワイヤ2との切り離しをより
的確に行うには、キャピラリ1を下方向に移動させると
きに、キャピラリ1を軸線を中心として所定方向に回
転、または正逆回転させたり、キャピラリ1に図示省略
の振動源から微振動を付加するようにすると良い。
【0025】次に、同図(d)に示すように、キャピラ
リ1をワイヤ2と一緒に上方向に移動させる。以上で、
太鼓状のバンプB2が端子電極4上に形成される。この
バンプB2にはワイヤ部分が残されるが、該ワイヤ部分
の端部は端子電極4に接合されずに自由な状態となって
いる。また、このワイヤ部分は、フリップチップボンデ
ィング法によって電子回路素子3を図示省略の回路基板
に接続する際に押し潰されてバンプB2に吸収されるた
め、接続上は特段問題とはならない。
【0026】このように、本実施形態のバンプ形成方法
によれば、ワイヤ2先端のボール2aを端子電極4に押
し付けた後、キャピラリ1先端の押し切り部1bを端子
電極4のボール押し付け位置とは異なる位置に接近さ
せ、該押し切り部1bをワイヤ2に食い込ませてボール
2aとワイヤ2との切り離しを行うので、専用のワイヤ
切断器具を用いることなく、簡単なキャピラリ1の動作
によってボール2aとワイヤ2との切り離しを所定の位
置で安定して行うことができる。
【0027】尚、上記実施形態では、上記実施形態で
は、電子回路素子3の端子電極4にバンプB2を形成し
たものを例示したが、回路基板の導体にも同様の手順に
てバンプを形成することができる。
【0028】[第3の実施形態]図3は本発明の第3の
実施形態を示すもので、図中の5はキャピラリ、2はワ
イヤ、2aはボール、3は電子回路素子、4は端子電極
であり、キャピラリ5を除く構成は第1,第2の実施形
態と同じであるためここでの説明を省略する。
【0029】キャピラリ5の中心部には、ワイヤ2を挿
通するための孔5aが形成されている。この孔5aの内
径は、後に詳述するワイヤ切断が支障なく行えるよう
に、ワイヤ挿通を妨げない程度にワイヤ2の外径に極力
近づけてある。
【0030】また、キャピラリ5の先端には、ボール2
aとワイヤ2との切り離しを行うための押し切り部5b
が設けられている。図示例のものでは、キャピラリ11
の先端部外形を円筒状とすることにより、ワイヤ挿通孔
5aの先端に先鋭な環状突起を設け、これを押し切り部
5bとしてある。
【0031】バンプ形成に際しては、まず、図3(a)
に示すように、キャピラリ1の孔1aに挿通されたワイ
ヤ2の先端に、ガス炎や静電放電等により熱を加えてボ
ール2aを形成する。
【0032】次に、同図(b)に示すように、キャピラ
リ1をワイヤ2と一緒に下方向に移動させて、ワイヤ先
端のボール2aを端子電極4に押し付ける。
【0033】次に、同図(c)に示すように、キャピラ
リ5をワイヤ2と一緒にさらに下方向に移動して、キャ
ピラリ先端の押し切り部5bを端子電極4に接近させ
る。これにより、押し切り部5bがボール2aに食い込
むと共に、キャピラリ先端の平坦面によってボール2a
が押し潰され、そして該押し切り部5bが端子電極4に
接触したところで、ドーナツ状に変形したボール2aと
ワイヤ2とが切り離される。また、ドーナツ状に変形し
たボール2aは同課程で熱圧着や超音波等の手法によっ
て端子電極4に接合される。
【0034】ボール2aとワイヤ2との切り離しをより
的確に行うには、キャピラリ1を下方向に移動させると
きに、キャピラリ1を軸線を中心として所定方向に回
転、または正逆回転させたり、キャピラリ1に図示省略
の振動源から微振動を付加するようにすると良い。
【0035】次に、同図(d)に示すように、キャピラ
リ1をワイヤ2と一緒に上方向に移動させる。以上で、
ドーナツ状のバンプB3が端子電極4上に形成される。
【0036】このように、本実施形態のバンプ形成方法
によれば、ワイヤ2先端のボール2aを端子電極4に押
し付けた状態で、キャピラリ1先端の押し切り部1bを
端子電極4に接近させ、該押し切り部1bをボール2a
に食い込ませてボール2aとワイヤ2との切り離しを行
うので、専用のワイヤ切断器具を用いることなく、簡単
なキャピラリ1の動作によってボール2aとワイヤ2と
の切り離しを所定の位置で安定して行うことができる。
【0037】尚、上記実施形態では、切り離しの課程
で、ボール2aの中央にキャピラリ5先端の押し切り部
5bを食い込ませるようにしたが、ボール2aの中央か
ら外れた位置に押し切り部5bを食い込ませるようにし
ても同様の切り離しを行うことができる。また、上記実
施形態では、電子回路素子3の端子電極4にバンプB3
を形成したものを例示したが、回路基板の導体にも同様
の手順にてバンプを形成することができる。
【0038】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
専用のワイヤ切断器具を用いることなく、簡単なキャピ
ラリの動作によってボールとワイヤとの切り離しを所定
の位置で安定して行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態を示す図
【図2】本発明の第2の実施形態を示す図
【図3】本発明の第3の実施形態を示す図
【図4】従来のバンプ形成方法を示す図
【符号の説明】
1…キャピラリ、1a…ワイヤ挿通孔、1b…押し切り
部、2…ワイヤ、2a…ボール、3…電子回路素子、4
…端子電極、5…キャピラリ、5a…ワイヤ挿通孔、5
b…押し切り部、B1,B2,B3…バンプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 一高 東京都台東区上野6丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 キャピラリの孔に挿通されたワイヤの先
    端に熱を加えてボールを形成し、該ボールをキャピラリ
    を用いてバンプ形成相手に押し付けた後にワイヤから切
    り離すようにしたバンプ形成方法において、 キャピラリ先端に押し切り部を設け、該押し切り部をバ
    ンプ形成相手に接近させることによりボールとワイヤと
    の切り離しを行う、 ことを特徴とするバンプ形成方法。
  2. 【請求項2】 押し切り部が、ワイヤ挿通孔の先端に設
    けられた先鋭な環状突起から成る、 ことを特徴とする請求項1記載のバンプ形成方法。
  3. 【請求項3】 ワイヤ先端のボールをバンプ形成相手に
    押し付けた状態で、キャピラリ先端の押し切り部をバン
    プ形成相手に接近させ、該押し切り部をボールを食い込
    ませてボールとワイヤとの切り離しを行う、 ことを特徴とする請求項2記載のバンプ形成方法。
  4. 【請求項4】 ワイヤ先端のボールをバンプ形成相手に
    押し付けた後、キャピラリ先端の押し切り部をバンプ形
    成相手のボール押し付け位置とは異なる位置に接近さ
    せ、該押し切り部をワイヤに食い込ませてボールとワイ
    ヤとの切り離しを行う、 ことを特徴とする請求項2記載のバンプ形成方法。
JP8287155A 1996-10-29 1996-10-29 バンプ形成方法 Pending JPH10135219A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8287155A JPH10135219A (ja) 1996-10-29 1996-10-29 バンプ形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8287155A JPH10135219A (ja) 1996-10-29 1996-10-29 バンプ形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10135219A true JPH10135219A (ja) 1998-05-22

Family

ID=17713796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8287155A Pending JPH10135219A (ja) 1996-10-29 1996-10-29 バンプ形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10135219A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015533258A (ja) * 2012-07-17 2015-11-19 クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク. ワイヤ配線構造を形成する方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015533258A (ja) * 2012-07-17 2015-11-19 クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク. ワイヤ配線構造を形成する方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3935370B2 (ja) バンプ付き半導体素子の製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JPH10135221A (ja) バンプ形成方法
JP3584930B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JPH06338504A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2004247672A (ja) バンプ形成方法及びワイヤボンディング方法
JP2001267359A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2003243441A (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JPH10135219A (ja) バンプ形成方法
JPH09162230A (ja) 電子回路装置及びその製造方法
JP2002280410A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH1056030A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH056893A (ja) キヤピラリ、それによるバンプ製造方法及びそれによる半導体装置
JP3322642B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10135218A (ja) バンプ及びバンプ形成方法
JP3319269B2 (ja) 電子部品接合方法
JPH0695468B2 (ja) 電気的接続接点の形成方法
JP3233194B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2000323515A (ja) Icチップと回路基板との接続方法
JPH10199913A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2000150573A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05243234A (ja) Tab式半導体装置及びその製造装置
JP2002164379A (ja) ワイヤボンディング装置及び方法、及び半導体装置
JPH10340906A (ja) 表面実装型電子部品及びその製造方法並びにその実装方法
JPH11330125A (ja) キャピラリ、バンプ形成方法、並びに電子部品及びその製造方法
JPH08186117A (ja) ワイヤボンディング装置用キャピラリーとバンプの形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020409