JPH10133366A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
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- JPH10133366A JPH10133366A JP24617297A JP24617297A JPH10133366A JP H10133366 A JPH10133366 A JP H10133366A JP 24617297 A JP24617297 A JP 24617297A JP 24617297 A JP24617297 A JP 24617297A JP H10133366 A JPH10133366 A JP H10133366A
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Abstract
レジストとしてフォーカス許容性および耐熱性に優れ、
定在波効果の抑制された良好な形状のパターンを形成す
ることができ、保存中に微粒子を生じない該組成物を提
供する。 【解決手段】(i)アルカリ可溶性樹脂、 (ii)下記式(1): で表されるフェノール化合物、および(iii)1,2−キ
ノンジアジド化合物を含有する感放射線性樹脂組成物。
Description
脂を含有する感放射線性樹脂組成物に関する。さらに詳
しくはg線、i線等の紫外線、KrFエキシマレーザー
等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電子線
等の荷電粒子線のような各種放射線、特に紫外線および
紫外線に良好に感応する集積回路作製用レジストとして
好適な感放射線性樹脂組成物に関する。
積回路の製造に用いられるポジ型レジスト組成物には、
解像度、感度、焦点深度(フォーカス許容性)、耐熱
性、現像性等の特性に優れたものが望まれている。
前記特性のほかに、照射光と基板からの反射光との干渉
による定在波効果の抑制されたレジスト組成物が要望さ
れている。ポジ型レジストのハレーションを抑制する方
法として、例えば米国特許No.5334481(1994)には、ノボ
ラック樹脂、ジアゾキノン化合物および下記式(2):
〜6のアルコキシ基であり、R5〜R10は、各々、水素
原子または炭素原子数1〜6のアルキル基である]で表
されるフェノール化合物を吸光性染料として含有するポ
ジ型レジスト組成物が開示されている。また、特公平6
−58530公報には、ノボラック樹脂、ベンゾフェノ
ンおよびクルクミンの1,2−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステルを含有するポジ型感光性組成物が開示
されている。
解像度、感度、耐熱性、現像性等の特性は、満足できる
ものではない。また、前記定在波効果の抑制手段として
は、レジスト内に吸光性染料を添加する技術が開発され
ている。しかし、該吸光性染料は、感度の低下やレジス
トパターン形状の劣化およびそれに伴う寸法安定性の悪
さによって、微細パターン形成には対応困難であるとい
う問題が生じている。さらに、吸光性染料によっては溶
剤に溶けなかったり、保存中に微粒子を析出したり、ベ
ーク時に昇華してレジスト性能にバラツキが生じるとい
う問題がある。
像度かつ高感度で、現像性に優れた感放射線性樹脂組成
物であって、ポジ型レジストとしてフォーカス許容性お
よび耐熱性に優れ、定在波効果の抑制された良好な形状
のパターンを形成することができ、保存中に微粒子を生
じない該組成物を提供することにある。
(i)アルカリ可溶性樹脂、(ii)下記式(1):
り、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシアルキル基、ヒ
ドロキシアルコキシ基または水酸基であり、a,b,c
およびdは独立に0〜4の整数、かつ、0≦a+b≦4
および0≦c+d≦4を満たす整数であり(ただし、a
+b=1かつc+d=1の場合には、存在するR1(ま
たはR2)とR3(またはR4)の少なくとも一方がアル
キル基、ヒドロキシアルキル基またはヒドロキシアルコ
キシ基である)、R5 〜R10は、同一または異なり、水
素原子、アルキル基またはアリール基であり、X1 およ
びX2 は、同一または異なり、酸素原子または硫黄原子
である]で表されるフェノール化合物、および(iii)
1,2−キノンジアジド化合物を含有する感放射線性樹
脂組成物(以下、第一組成物という)により、解決され
る。
性樹脂、および(iiia) 前記一般式(1)で表されるフ
ェノール化合物の1,2−ベンゾキノンジアジドスルホ
ン酸エステルを含有することを特徴とする感放射線性樹
脂組成物(以下、第二組成物という)によっても解決さ
れる。
明する。(i) アルカリ可溶性樹脂 本発明の組成物に用いられる(i) 成分は、アルカリ可溶
性樹脂(以下、「樹脂(i) 」という)である。
フェノール樹脂、ポリビニルフェノールまたはその誘導
体、スチレン−無水マレイン酸共重合体またはその誘導
体、ポリビニルヒドロキシベンゾエ−ト、カルボキシル
基含有アクリル酸系樹脂等が挙げられ、これらの中で
は、アルカリ可溶性フェノール樹脂が好ましい。
量(以下、「Mw」という)は、通常、300〜20,
000であるが、本発明の組成物を基板へ塗布する際の
作業性、レジストとして使用する際の現像性、感度およ
び耐熱性を向上する点から、2,000〜20,000
であることが好ましく、3,000〜15,000であ
ることが特に好ましい。中でも、アルカリ可溶性フェノ
ール樹脂の場合には、5,000〜14,000の範囲
が好ましく、8,000〜12,000がより好まし
い。前記アルカリ可溶性フェノール樹脂は、下記式(3)
:
ル化合物と、モノアルデヒド化合物、ビスアルデヒド化
合物等のアルデヒド化合物とを重縮合させることによっ
て得られる。
ェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレ
ゾール、2,3−キシレノール、2,5−キシレノー
ル、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、
2,3,5−トリメチルフェノールおよび3,4,5−
トリメチルフェノールであり、特に好ましくはフェノー
ル、m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−キシレ
ノール、2,5−キシレノール、3,4−キシレノー
ル、3,5−キシレノールおよび2,3,5−トリメチ
ルフェノールである。
または2種以上組み合わせて用いられる。フェノール化
合物を2種以上組み合わせて用いる場合には、例えばm
−クレゾール/p−クレゾール=30〜95/5〜70
(重量比)、m−クレゾール/2,3−キシレノール/
3,4−キシレノール=20〜95/5〜80/0〜7
5(重量比)、またはm−クレゾール/2,3,5−ト
リメチルフェノール/2,3−キシレノール=20〜9
5/5〜80/0〜75(重量比)の組み合わせが特に
好ましい。
るモノアルデヒド化合物としては、例えばホルムアルデ
ヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、ベンズア
ルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フ
ェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデ
ヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキ
シベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−クロロベン
ズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒド、p−クロ
ロベンズアルデヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m
−ニトロベンズアルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒ
ド、o−メチルベンズアルデヒド、m−メチルベンズア
ルデヒド、p−メチルベンズアルデヒド、p−エチルベ
ンズアルデヒド、p−n−ブチルベンズアルデヒドおよ
びフルフラールが挙げられる。
は、グリオキサール、グルタルアルデヒド、テレフタル
アルデヒド、イソフタルアルデヒド等を挙げることがで
きる。これらのうち、ホルムアルデヒド、o−ヒドロキ
シベンズアルデヒド等が特に好適である。これらのアル
デヒド化合物も、1種単独でまたは2種以上を組み合わ
せて用いることができる。該アルデヒド化合物の使用量
は、フェノール化合物1モルに対し、通常、0.7〜
3.0モルでよく、好ましくは0.8〜1.5モルであ
る。
重縮合反応には、通常、酸性触媒、塩基性触媒等の触媒
が使用される。この酸性触媒としては、例えば塩酸、硝
酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸およびp−トルエンス
ルホン酸が挙げられる。また、塩基性触媒としては、例
えば水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムが挙げられ
る。酸性触媒の使用量は、フェノール化合物1モルに対
し、通常、1×10-5〜5×l0-1モルでよい。また、
塩基性触媒の使用量はフェノール化合物1モルに対し、
通常、1×10-12〜1モルでよい。
が使用される。水を反応媒質として使用した場合に反応
初期から不均−系になるときには、親水性溶媒または親
油性溶媒が使用される。該親水性溶媒としては、例えば
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、
プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコー
ル類、ならびにテトラヒドロフラン、ジオキサン等の環
状エーテル類が挙げられる。前記親油性溶媒としては、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2−へ
プタノン等のケトン類が挙げられる。これらの反応媒質
の使用量は、フェノール化合物およびアルデヒド化合物
からなる反応原料100重量部当り、通常、20〜1,
000重量部でよい。
て適宜調整することができ、通常、10〜200℃でよ
い。重縮合の反応方法には、フェノール化合物、アルデ
ヒド化合物、触媒等を一括して反応容器に仕込む方法、
触媒の存在下で、フェノール化合物、アルデヒド等を反
応の進行とともに反応系に加えていく方法等が適宜採用
される。重縮合の反応終了後、一般的には、系内に存在
する未反応の原料、触媒、反応媒質等が除去される。す
なわち、温度を130℃〜230℃に上昇させ、減圧下
で揮発分を除去したのち、アルカリ可溶性フェノール樹
脂を回収すればよい。
分子量のアルカリ可溶性フェノール樹脂を得るために
は、前記の方法で得られた樹脂を、エチレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、3−メトキシプロピオ
ン酸メチル、メチルイソブチルケトン、2−へプタノ
ン、ジオキサン、メタノール、酢酸エチル等の良溶媒に
溶かし、次いで水、n−へキサン、n−へプタン等の貧
溶媒を混合する。折出する樹脂溶液層を分離することに
より、高分子量のアルカリ可溶性フェノール樹脂が得ら
れる。
わせて用いてもよい。樹脂(i) のMwは、前述のように
2,000〜20,000が好ましいが、得られる組成
物のアルカリ可溶性を促進するために、Mw2,000
未満の低分子量のアルカリ可溶性樹脂を併用することが
望ましい場合がある。該低分子量アルカリ可溶性樹脂の
Mwは、好ましくは500以上2,000未満の範囲で
ある。
しては、例えば低分子量のアルカリ可溶性ノボラック樹
脂、ならびにアルカリ可溶性ポリヒドロキシスチレンお
よびその誘導体を挙げられる。例えば、フェノール/ホ
ルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、o−クレゾール/
ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、m−クレゾール
/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、p−クレゾー
ル/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、m−クレゾ
ール/p−クレゾ−ル/ホルムアルデヒド縮合ノボラッ
ク樹脂、ポリヒドロキシスチレン、およびヒドロキシス
チレン−スチレン共重合体を挙げることができる。
脂は、フェノール化合物とアルデヒドとを重縮合させる
ことによって得られる。このフェノール化合物として
は、前述のノボラック樹脂の合成で用いられるフェノー
ル化合物として例示したもの以外に、1−ナフトール、
2−ナフトール等も使用することができる。この場合の
アルデヒドの使用量は、フェノール化合物1モルに対し
て、通常、0.2〜0.8モルでよく、好ましくは0.
3〜0. 7モルである。また、この重縮合の触媒には、
前記の酸性触媒が用いられる。前記低分子量アルカリ可
溶性樹脂の配合量は、Mw2,000〜20,000の
高分子量アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、通
常、50重量部以下である。
(以下、「フェノール化合物(ii)」という)である。式
(1)において、R1 〜R4 は、同一または異なり、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、
ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキ
シアルコキシ基または水酸基であり、組成物の溶剤への
溶解性の点で、アルキル基、ヒドロキシアルキル基また
はヒドロキシアルコキシ基が好ましい。
4のアルキル基が好適であり、具体的にはメチル基、エ
チル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル
基およびt−ブチル基を挙げることができる。前記アル
コキシ基としては、炭素原子数1〜4のアルコキシ基が
好適であり、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基およびブトキシ基を挙げることができる。前記
アリール基としては、炭素原子数6〜10のアリール基
が好適であり、具体的にはフェニル基、トリル基および
ナフチル基を挙げることができる。前記ヒドロキシアル
キル基としては、炭素原子数1〜4のヒドロキシアルキ
ル基が好適であり、具体的にはヒドロキシメチル基およ
びヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等を挙げ
ることができる。前記ヒドロキシアルコキシ基として
は、炭素原子数1〜4のヒドロキシアルコキシ基が好適
であり、具体的にはヒドロキシメトキシ基、ヒドロキシ
エトキシ基およびヒドロキシプロポキシ基が挙げられ
る。
整数、かつ0≦a+b≦4および0≦c+d≦4であ
る。ただし、a+b=1かつc+d=1の場合には、存
在するR1(またはR2)とR3(またはR4)の少なくと
も一方がアルキル基、ヒドロキシアルキル基またはヒド
ロキシアルコキシ基である。また、R5 〜R10は、同一
または異なり、水素原子、アルキル基またはアリール基
であり、好ましくは水素原子である。R5 〜R10で示さ
れるアルキル基およびアリール基の好適な例は、R1 〜
R4 に関し挙げたものと同様である。X1 およびX
2 は、同一または異なり、酸素原子または硫黄原子であ
り、フェノール化合物(ii)の現像液であるアルカリ水溶
液への溶解性が優れている点で酸素原子であることが好
ましい。
下記式(4-1)〜(4-8)で表される化合物を挙げることがで
き、これらは一種単独でも2種以上組合せても使用でき
る。
2)、式(4−3)および式(4−7)で示されるもの
が好ましく、特に好ましくは式(4−1)示されるもの
である。
応式:
a〜dは前記と同じ意味である〕で示されるように、ア
ルデヒド化合物2モルと化合物1モルとを、塩基触
媒の存在下で縮合反応させることにより得られる。この
反応で使用される塩基触媒として、例えばテトラヒドロ
−1,4−オキサジン、ヘキサヒドロピリジン、トリエ
チルアミン、n−ブチルアミン、ピリジン、N−エチル
アニリン、1,2,3,4−テトラヒドロキノリン、
N,N−ジメチルホルムアミド等が挙げられ、好ましく
はテトラヒドロ−1,4−オキサジン、1,2,3,4
−テトラヒドロキノリン、N,N−ジメチルホルムアミ
ドである。また、この縮合反応では、ほう酸、酸化ほう
素等のほう素を含む化合物および/または酢酸を前記塩
基触媒とともに用いてもよい。さらに、例えば前記式
(4−1)で表される化合物は、天然物から抽出等によ
り精製して得られることもできるが、合成により得られ
る化合物のほうが、含まれる金属濃度および/または不
純物が少なく好ましい。
は、樹脂(i) 100重量部に対して、通常、1〜50重
量部、好ましくは3〜40重量部、より好ましくは5〜
30重量部である。
「1,2−キノンジアジド化合物(iii) 」という)に
は、キノンジアジド系ポジ型レジストの感放射線剤とし
て従来公知のものを使用できる。
て、例えば2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4,2’,4’−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、
1,3,5−トリス(4−ヒドロキシ−α,α−ジメチ
ルベンジル)べンゼン、1,1−ビス−(4−ヒドロキ
シフェニル)−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェ
ニル)−1−メチルエチル}フェニル]エタン、2−
(3,4−ジヒドロキシフェニル)−2−(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2,4,4−トリメチル−2
−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−7−ヒドロキシ
クロマン等のフェノール化合物の1,2−べンゾキノン
ジアジドスルホン酸エステル、並びに前記一般方式
(1)で表されるフェノール化合物の1,2−ベンゾキ
ノンジアジドスルホン酸エステルが挙げられる。これら
は一種単独でも2種以上の組合せでも用いられる。好ま
しくはこれらフェノール化合物の1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸エステルおよび1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸エステルである。
前記フェノール化合物と、例えば1,2−ナフトキノン
ジアジドスルホニルクロリドとを、トリエチルアミン等
の塩基性触媒の存在下で反応させることにより得ること
ができる。本発明の組成物において、1,2−キノンジ
アジド化合物(iii)の配合量は、樹脂(i) 100重量部
当り、通常10〜50重量部でよく、好ましくは20〜
40重量部である。
について説明する。該第二組成物に使用される(i)成
分のアルカリ可溶性樹脂は第一組成物について説明した
樹脂(i)と同じであり、樹脂(i)に関する前述の説明
はすべて当てはまる。該第二組成物に使用される(iii
a)成分の1,2−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エ
ステルは、第一組成物の1,2−キノンジアジド化合物
(iii)の一種として説明した化合物である。この第二
組成物はかかる特定の1,2−キノンジアジド化合物を
使用する点に主な特徴を有する。該第二組成物におい
て、(iiia)成分の配合量は(i)成分100重量部当
り、通常、1〜30重量部でよく、好ましくは2〜20
重量部、特に好ましくは3〜15重量部である。
組成物には第一組成物および第二組成物を含む)には、
必要に応じて、各種添加剤を配合してもよい。
的で、前記一般式(1)で表される(ii)成分のフェノー
ル化合物以外の低分子量のフェノール化合物(以下、
「溶解促進剤」という)を添加することができる。該フ
ェノール化合物の分子量は2,000未満、好ましくは
200〜1,000である。この溶解促進剤としては、
ベンゼン環数が2〜5のフェノール化合物が好適であ
り、例えば下記式(5−1)〜(5−9)で表される化
合物が挙げられる。これらは一種単独でも2種以上の組
合せでも使用できる。これらの中では、式(5−3)、
式(5−5)、式(5−6)および式(5−7)で示さ
れるものが特に好ましい。
立に0〜3の整数であり、xおよびyは独立に0〜3に
整数であり、ただしeとfは同時に0ではなく、e+x
≦5でf+y≦5である。]
びgは独立に0〜3の整数であり、x、yおよびzは独
立に0〜3の整数であり、ただしe、fおよびgは同時
に0ではなく、e+x≦5、f+y≦4、そしてg+z
≦5である。]
は独立に0〜3の整数であり、x、yおよびzは独立に
0〜3の整数であり、ただしe、fおよびgは同時に0
ではなく、e+x≦5、f+y≦5そしてg+z≦5で
ある。]
り、w、x、yおよびzは独立に0〜3の整数であり、
ただしe、f、gおよびhは同時に0ではなく、e+w
≦5、f+x≦5、g+y≦5そしてh+z≦5であ
る。]
される化合物以外に、2,3,4−トリヒドロキシベン
ゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、クルクミン、フラバン等の化合物も溶解促
進剤として使用できる。溶解促進剤の配合量は、樹脂
(i) 100重量部当り、通常、50重量部以下でよく、
好ましくは5〜30重量部である。
ために添加される。該界面活性剤としては、例えばポリ
オキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレン
オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニル
フェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウリエ
ート、ポリエチレングリコールジステアレート、メガフ
ファックスF171、F172、F173(商品名、大
日本インキ(株)製)、フロラードFC430、FC4
31(商品名、住友スリーエム(株)製)、アサヒガー
ドAG710、サーフロンS−382、SC−101、
SC−102、SC−103、SC−104、SC−1
05、SC−106(商品名、旭硝子(株)製)、KP
341(商品名、信越化学工業(株)製)、ポリフロ−
No.75、No.95(商品名、共栄社油脂化学工業
(株)製)、ならびにNBX−7、NBX−14、NB
X−15(商品名、ネオス(株)製)が挙げられる。こ
れらの界面活性剤の配合量は、組成物の固形分100重
量部当たり、好ましくは2重量部以下である。本発明の
組成物には、さらに、接着助剤、保存安定剤、消泡剤等
を配合することもできる。
法 本発明の組成物は、必須成分と、必要に応じ添加される
その他の成分を所定量配合し、例えば固形分濃度が20
〜40重量%となるように溶剤に溶解し、孔径0.2μ
m程度のフィルターでろ過することによって調製され
る。
ールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチ
ルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルア
セテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジ
エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノプロピルエーテルアセテート、トルエン、
キシレン、メチルエチルケトン、2−へプタノン、3−
へプタノン、4−へプタノン、シクロヘキサノン、2−
ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−
メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒド
ロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン
酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エト
キシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸エ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチルおよ
びピルビン酸エチルを挙げることができる。これらの溶
剤は一種単独でまたは2種以上組み合わせて使用され
る。
ムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル
ホルムアニリド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジ
メチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチル
スルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエ
ーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン
酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、
ベンジルアルコール、酢酸べンジル、安息香酸エチル、
シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、7−ブチロラ
クトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、エチレングリ
コールモノフェニルエーテルアセテート等の高沸点溶剤
を添加することもできる。これらの溶剤も、1種単独で
または2種以上を組み合わせて便用される。
延塗布、ロール塗布等の塗布方法を用いて、シリコンウ
エハー;アルミニウム等で被覆されたウエハー等の基板
上に塗布される。次いで、これを70〜110℃でプレ
ベークすることによりレジスト被膜が形成され、レジス
ト被膜に所定位置に選択的に放射線が照射(以下、「露
光」という)される。こうして所望のレジストパターン
が形成された基板を、現像液で現像することによりパタ
ーンが形成される。また、上記レジストパターンの形成
と現像の間に、70〜140℃の温度で加熱する操作
(以下、「露光後べーク」という)を追加すると、本発
明の効果をさらに向上することができる。
線、エキシマレーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放
射線等のX線、ならびに電子線等の荷電粒子線が挙げら
れ、好ましくは紫外線である。
水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、
メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、
n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピ
ルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、
ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルア
ンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリジ
ン、1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−7−ウ
ンデセン、1,5−ジアザビシクロ−[4.3.0]−
5−ノナン等のアルカリ性化合物を、例えば1〜10重
量%の濃度に溶解してなるアルカリ性水溶液が使用され
る。また、該現像液には、例えばメタノール、エタノー
ル等のアルコール類などの水溶性有機溶媒ならびに界面
活性剤を、適量添加することもできる。なお、このよう
なアルカリ性水溶液からなる現像液で現像した後は、−
般的には、純水、超純水等の水で洗浄する。
る。以下において「部」は重量部を意味する。 <測定、評価>実施例中のMwの測定およびレジストの
評価を、以下の方法により行った。 《Mw》東ソ−社製GPCカラム(G2000H XL :
2本、G3000H XL :1本、G4000H XL :1
本)を用い、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:テトラ
ヒドロフラン、カラム温度:40℃の分折条件で、単分
散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロ
マトグラフ法により測定した。
スペースパターンを、1対1に解像するときの露光量を
感度とした。 《解像度》0.35μmのライン・アンド・スペースパ
ターンを、1対1に解像するときの露光量で、パターン
の膜減りがない状態で解像している最小寸法を解像度と
した。
は、0.35μmのライン・アンド・スペースパターン
において解像されたパターン寸法が、マスクの設計寸法
の±10%以内になるときのフォーカスの振れ幅(以
下、「フォーカスレンジ」と称する)を、走査型電子顕
微鏡で測定することにより評価した。フォーカスレンジ
が大きいほど、良好なフォーカス許容性を有することを
意味する。 《耐熱性》レジストパターンの形成された基板をオーブ
ン中で2分間加熱し、2.0μmのライン・アンド・ス
ペースパターンが熱変形し始める温度を測定した。 《現像性》組成物のレジスト被膜を形成し、次いでパタ
ーンを形成した後、スカムおよび現像残りの有無を、走
査型電子顕微鏡を用いて調べた。
い、0.35μmのレジストパターンの断面を観察し
た。そして、パターンの縦断面の形状を図1に示すよう
に、(A)〜(C)の3段階に分類した。すなわち、図
1において、(A)は、断面の形状が垂直で、定在波の
影響も見られない場合、(B)は、断面の形状はテーパ
−状ではあるが、定在波の影響は見られない場合、およ
び(C)は、断面の形状がテーパー形状であり、かつ定
在波の影響も見られる場合である。
1,2−キノンジアジド化合物(iii)を溶剤に添加し、
室温にてボール・ミルで12時間攪拌し、室温に1時間
放置後、溶液が目視で濁り始める濃度(溶剤に対する重
量比)を測定した。 《微粒子評価》レジストを35℃、室温、0℃、−15
℃の温度条件で1ヵ月間保存し、室温に24時間放置
後、Rion社製自動式液中微粒子計測器KL−20を
用い、レジスト1cc中の粒径0.3μm以上の微粒子
の数を測定した。
℃に保持して攪拌しながら8時間縮合を行い、反応後、
室温まで冷却し、内容物をビーカーに取り出した。この
ビーカー中で2層に分離したのち、下層を取り出し、濃
縮し、脱水し、乾燥してノボラック樹脂を回収した。こ
の樹脂を樹脂(i-1)という。樹脂(i-1)のMwは、
8,600であった。
脂を合成した。この樹脂を、樹脂(i-2)という。樹脂
(i-2)のMwは8,300であった。
う酸20.0g(0.32モル)を添加した。ついで、
フラスコを70℃に制御された水浴中に浸し、10分攪
拌した。内温を室温まで冷却した後、1,2,3,4−
テトラヒドロキノリン2.0ml、酢酸6.0mlを溶
解したN,N−ジメチルホルムアミド溶液20mlを滴
下した。その後、フラスコを70℃に制御された水浴中
に浸し、6時間攪拌した。内温を室温まで冷却した後、
反応混合物を50%酢酸水溶液1000mlに投入し、
1時間攪拌した。析出した結晶を回収し、純水で水洗し
た後、カラムクロマトグラフィー(充填剤:シリカゲ
ル、溶離液:クロロホルム)にて精製し、オレンジ色の
結晶である前記式(4−1)で表されるフェノール化合
物を20.0g(0.06モル)得た。以下、該化合物
を(ii-1)という。得られたフェノール化合物(ii-1)を、
日本分光社製FT/IR−5300を用いて測定した赤
外分光スペクトルを図2に示す。
メトキシ−4−ヒドロキシベンズアルデヒド28.8g
(0.16モル)を使用した以外は合成例3と同様にし
て、前記式(4−3)で表されるフェノール化合物を2
5.5g(0.06モル)得た。以下、この化合物を(i
i-2)という。
を30℃に制御された水浴中に浸し、内温が30℃一定
となった時点で、この溶液にトリエチルアミン1.7g
(0.017モル)を内温が35℃を越えないように滴
下ロートを用いて加え、同温度で2時間反応させた。そ
の後、析出したトリエチルアミン塩酸塩をろ過により取
り除き、濾液を大量の希塩酸水溶液中に注ぎ込んで反応
生成物を析出させ、ついで析出物を濾過し、回収し、真
空乾燥器中、40℃で一昼夜乾燥して1,2−キノンジ
アジドスルホン酸エステル(iii-1)を6.0g得た。
8モル)に変えた以外は合成例5と同様にして、1,2
−キノンジアジド化合物(iii-2)を6. 5g得た。
38モル)に変えた以外は合成例5と同様にして、1,
2−キノンジアジド化合物(iii-3)を33g得た。
3モル)に変えた以外は合成例5と同様にして、1,2
−キノンジアジド化合物(iii-4)を25. 2g得た。
その他の溶解促進剤、1,2−キノンジアジド化合物(i
ii) および溶剤を混合して、均一溶液としたのち、孔径
0.2μmのメンブランフィルターで濾過し、組成物の
溶液を調製した。得られた溶液を、シリコン酸化膜を有
するシリコンウエハー上にスピンナーを用いて塗布した
のち、ホットプレート上で90℃にて2分間プレベーク
して厚さ1.1μmのレジスト被膜を形成した。つい
で、レチクルを介して、(株)ニコン社製NSR−20
05i9C縮小投影露光機(レンズ開口数=0.57)
で波長365nm(i線)を用いて露光し、2.38重
量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液によ
り現像し、超純水でリンスし、乾燥し、レジストパター
ンの形成を行った。なお、使用した溶解促進剤および溶
剤の種類は、次のとおりである。
フェニル)アセトン β:1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フ
ェニルエタン <溶剤> S1:2−ヒドロキシプロピオン酸エチル S2:3−メトキシプロピオン酸メチル S3:メチル−n−アミルケトン 得られたレジストパターンの特性を、前記の方法に従っ
て評価した。その結果を表2に示す。
は1,2−キノンジアジド化合物(iii)である(iii-1)も
しくは(iii-2)、または下記式:
に対する溶剤溶解性を前述の方法で測定した。S1、S
2およびS3は実施例1〜6の項で説明したとおりであ
る。測定結果を表3に示す。
部、1,2−キノンジアジド化合物(iii-3)を30部、
前記のフェノール化合物(ii-1)、(ii-2)、1,2−キノ
ンジアジド化合物(iii-1)、(iii-2)または前記比較化合
物(c)を4部および前記の溶剤(S1)を350部混
合して、均一溶液としたのち、孔径0.1μmのメンブ
ランフィルターで濾過し、組成物の溶液を調製し、前記
の方法に従って微粒子生成について評価を行った。結果
を表4に示す。
像度かつ高感度で現像性に優れ、ポジ型レジストとし
て、フォーカス許容性および耐熱性に優れ、定在波効果
の抑制された良好な形状のパターンを形成することがで
き、保存中に微粒子の沈殿を生じない。そのため、前記
組成物は集積回路作製用レジストとして好適に使用でき
る。
る。
の赤外分光スペクトルを示すチャートである。
Claims (1)
- 【請求項1】(i)アルカリ可溶性樹脂、 (ii)下記式(1): 【化1】 [式中、R1 〜R4 は、同一または異なり、ハロゲン原
子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ニトロ
基、シアノ基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアル
コキシ基または水酸基であり、a,b,cおよびdは独
立に0〜4の整数、かつ、0≦a+b≦4および0≦c
+d≦4を満たす整数であり(ただし、a+b=1かつ
c+d=1の場合には、存在するR1(またはR2)とR
3(またはR4)の少なくとも一方がアルキル基、ヒドロ
キシアルキル基またはヒドロキシアルコキシ基であ
る)、R5 〜R10は、同一または異なり、水素原子、ア
ルキル基またはアリール基であり、X1 およびX2 は、
同一または異なり、酸素原子または硫黄原子である]で
表されるフェノール化合物、および(iii)1,2−キノ
ンジアジド化合物を含有する感放射線性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24617297A JP3714379B2 (ja) | 1996-08-28 | 1997-08-27 | 感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
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JP24553596 | 1996-08-28 | ||
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JPH10133366A true JPH10133366A (ja) | 1998-05-22 |
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Family
ID=26537273
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24617297A Expired - Lifetime JP3714379B2 (ja) | 1996-08-28 | 1997-08-27 | 感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3714379B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2447773A1 (en) | 2010-11-02 | 2012-05-02 | Fujifilm Corporation | Photosensitive resin composition, method for producing pattern, MEMS structure, method for producing the structure, method for dry etching, method for wet etching, MEMS shutter device, and image display apparatus |
EP2498133A2 (en) | 2011-03-11 | 2012-09-12 | Fujifilm Corporation | Resin pattern, method for producing the pattern, method for producing MEMS structure, method for manufacturing semiconductor device, and method for producing plated pattern |
KR20120120229A (ko) * | 2010-01-15 | 2012-11-01 | 후지필름 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 유기 el 표시 장치, 및 액정 표시 장치 |
-
1997
- 1997-08-27 JP JP24617297A patent/JP3714379B2/ja not_active Expired - Lifetime
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