JPH10132786A - 質量分析装置 - Google Patents
質量分析装置Info
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- JPH10132786A JPH10132786A JP8305935A JP30593596A JPH10132786A JP H10132786 A JPH10132786 A JP H10132786A JP 8305935 A JP8305935 A JP 8305935A JP 30593596 A JP30593596 A JP 30593596A JP H10132786 A JPH10132786 A JP H10132786A
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- Japan
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- calibration
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高分子量の標準試料を使用せずに正確な質量
数の校正を行なう。 【解決手段】 低分子量の標準試料の実測により得た２
点の校正値を外挿して高質量数領域の外挿校正値を求め
（Ｓ６）、高分子量の標準試料の実測により得た校正値
と外挿校正値との差を補正量としてメモリに記憶する
（Ｓ１２）。以降の校正値作成の際には、低分子量の標
準試料の測定のみを行ない、これにより得た２点の校正
値を外挿して高質量数領域の外挿校正値を求め、この外
挿校正値に補正量を加算することにより高質量数領域に
おける校正値を算出する（Ｓ１５）。
数の校正を行なう。 【解決手段】 低分子量の標準試料の実測により得た２
点の校正値を外挿して高質量数領域の外挿校正値を求め
（Ｓ６）、高分子量の標準試料の実測により得た校正値
と外挿校正値との差を補正量としてメモリに記憶する
（Ｓ１２）。以降の校正値作成の際には、低分子量の標
準試料の測定のみを行ない、これにより得た２点の校正
値を外挿して高質量数領域の外挿校正値を求め、この外
挿校正値に補正量を加算することにより高質量数領域に
おける校正値を算出する（Ｓ１５）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は質量分析装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】質量分析装置は、気化した試料分子をイ
オン化し、このイオンを質量数（質量ｍを電荷ｚで除し
た値）の大きさに応じて分離し、質量数毎にイオンの生
成数に対応した強度信号を測定して質量スペクトルを作
成する構成を有している。この種の装置では、質量スペ
クトルにおいて分子イオンのピークの現われる質量数か
ら試料分子の分子量を算出することができる。また、分
子イオンが開裂することにより生じるフラグメントイオ
ンの各ピークを調べることにより開裂様式を推定し、こ
れにより未知物質の構造を解析することができる。
オン化し、このイオンを質量数（質量ｍを電荷ｚで除し
た値）の大きさに応じて分離し、質量数毎にイオンの生
成数に対応した強度信号を測定して質量スペクトルを作
成する構成を有している。この種の装置では、質量スペ
クトルにおいて分子イオンのピークの現われる質量数か
ら試料分子の分子量を算出することができる。また、分
子イオンが開裂することにより生じるフラグメントイオ
ンの各ピークを調べることにより開裂様式を推定し、こ
れにより未知物質の構造を解析することができる。
【０００３】このような質量分析装置では、未知物質の
測定により得られる各ピークの正確な質量数は、分子量
が既知である標準試料によるピークを用いて決定され
る。すなわち、図４に示すように、或る物質の分子量か
ら理論的に計算されるピークの位置（質量数）とその物
質を測定したときにピークの現われる位置とは必ずしも
一致しない。そこで、標準試料を測定したときにピーク
の出現する位置とそのピークの理論値との差分を計算
し、これを校正値として記憶しておく。通常、このよう
な校正値は質量数に依存するので、複数の質量数校正点
を設定し、各点における校正値をそれぞれ得て、その校
正値を内挿又は外挿することにより質量数校正点以外の
任意の質量数における校正値を求める。そして、未知試
料の測定により得たピークの実測値にその校正値を加算
することにより、未知試料の正確な質量数を算出する。
図４に示したような質量数のズレは装置の調整状況や気
温等の周囲条件の影響を受けるため、例えば１日に１
回、或いは所定回数の未知試料の測定を実行する毎に標
準試料の測定を行なって校正値を修正するのが一般的で
ある。
測定により得られる各ピークの正確な質量数は、分子量
が既知である標準試料によるピークを用いて決定され
る。すなわち、図４に示すように、或る物質の分子量か
ら理論的に計算されるピークの位置（質量数）とその物
質を測定したときにピークの現われる位置とは必ずしも
一致しない。そこで、標準試料を測定したときにピーク
の出現する位置とそのピークの理論値との差分を計算
し、これを校正値として記憶しておく。通常、このよう
な校正値は質量数に依存するので、複数の質量数校正点
を設定し、各点における校正値をそれぞれ得て、その校
正値を内挿又は外挿することにより質量数校正点以外の
任意の質量数における校正値を求める。そして、未知試
料の測定により得たピークの実測値にその校正値を加算
することにより、未知試料の正確な質量数を算出する。
図４に示したような質量数のズレは装置の調整状況や気
温等の周囲条件の影響を受けるため、例えば１日に１
回、或いは所定回数の未知試料の測定を実行する毎に標
準試料の測定を行なって校正値を修正するのが一般的で
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き質量数校正
のために用いる標準試料はフラグメントイオンのピーク
が規則的に現われるものが便利であり、例えば相対的に
低い質量数領域においてはＰＦＴＢＡ（Perfluorotribu
tylamine）がよく用いられる。一方、質量数ｍ／ｚ＝７
００程度以上の相対的に高い質量数領域では、トリアジ
ン（Tris-(perfluoroheptyl)-s-triazine）やＰＫＦ（P
erfluorokerosene）等の高分子量の標準試料が使用され
る。しかしながら、ＰＦＴＢＡは沸点が低く気体として
安定であるため装置への導入が容易であるのに対し、ト
リアジンやＰＫＦは沸点が高く気体として不安定である
ため、装置に導入するのが困難である。しかも、導入さ
れた後にイオン化室内等に暫時残留するため、その後に
行なう未知試料の測定に影響を与えてしまい高感度の分
析に支障をきたすことがある。
のために用いる標準試料はフラグメントイオンのピーク
が規則的に現われるものが便利であり、例えば相対的に
低い質量数領域においてはＰＦＴＢＡ（Perfluorotribu
tylamine）がよく用いられる。一方、質量数ｍ／ｚ＝７
００程度以上の相対的に高い質量数領域では、トリアジ
ン（Tris-(perfluoroheptyl)-s-triazine）やＰＫＦ（P
erfluorokerosene）等の高分子量の標準試料が使用され
る。しかしながら、ＰＦＴＢＡは沸点が低く気体として
安定であるため装置への導入が容易であるのに対し、ト
リアジンやＰＫＦは沸点が高く気体として不安定である
ため、装置に導入するのが困難である。しかも、導入さ
れた後にイオン化室内等に暫時残留するため、その後に
行なう未知試料の測定に影響を与えてしまい高感度の分
析に支障をきたすことがある。
【０００５】このため、従来、ＰＦＴＢＡ等の低分子量
（ここではトリアジン等と比較して低い分子量であると
いう意味で「低分子量」という）の標準試料を用いて質
量数ｍ／ｚ＝７００以下の質量数領域内の複数の質量数
校正点における校正値を算出し、その校正値を外挿する
ことにより質量数ｍ／ｚ＝７００以上の質量数領域にお
ける校正値を求めるという簡易的な方法も利用されてい
た。しかしながら、このような方法によると、大きな質
量数領域では校正の誤差が大きくなってしまうので高精
度の分析は行なえない。
（ここではトリアジン等と比較して低い分子量であると
いう意味で「低分子量」という）の標準試料を用いて質
量数ｍ／ｚ＝７００以下の質量数領域内の複数の質量数
校正点における校正値を算出し、その校正値を外挿する
ことにより質量数ｍ／ｚ＝７００以上の質量数領域にお
ける校正値を求めるという簡易的な方法も利用されてい
た。しかしながら、このような方法によると、大きな質
量数領域では校正の誤差が大きくなってしまうので高精
度の分析は行なえない。
【０００６】本発明は上記課題を解決するために成され
たものであり、その目的とするところは、高分子量の標
準試料による残留汚染をできる限り少なくしつつ、広い
質量数領域において精度の高い質量数校正を行なうこと
ができる質量分析装置を提供することにある。
たものであり、その目的とするところは、高分子量の標
準試料による残留汚染をできる限り少なくしつつ、広い
質量数領域において精度の高い質量数校正を行なうこと
ができる質量分析装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された本発明は、標準試料の測定により得たピーク
を基に算出した質量数の校正値を用いて未知試料のピー
クの質量数を校正する質量分析装置において、 a)予め低分子量の標準試料及び高分子量の標準試料の測
定をそれぞれ実行し、該低分子量の標準試料の測定によ
り得られた校正値を基に推定した高質量数領域における
校正値と該高分子量の標準試料の測定により得られた校
正値との差分に基づいて高質量数領域における校正値の
補正量を求める補正量算出手段と、 b)該補正量を記憶しておく記憶手段と、 c)低分子量の標準試料の測定により低質量数領域におけ
る校正値を決定すると共に、該校正値と前記記憶手段に
記憶している補正量とに基づいて高質量数領域における
校正値を算出する校正値決定手段と、 d)該校正値決定手段により決められた校正値を用いて未
知試料のピークの質量数を校正する校正手段と、を備え
ることを特徴としている。
に成された本発明は、標準試料の測定により得たピーク
を基に算出した質量数の校正値を用いて未知試料のピー
クの質量数を校正する質量分析装置において、 a)予め低分子量の標準試料及び高分子量の標準試料の測
定をそれぞれ実行し、該低分子量の標準試料の測定によ
り得られた校正値を基に推定した高質量数領域における
校正値と該高分子量の標準試料の測定により得られた校
正値との差分に基づいて高質量数領域における校正値の
補正量を求める補正量算出手段と、 b)該補正量を記憶しておく記憶手段と、 c)低分子量の標準試料の測定により低質量数領域におけ
る校正値を決定すると共に、該校正値と前記記憶手段に
記憶している補正量とに基づいて高質量数領域における
校正値を算出する校正値決定手段と、 d)該校正値決定手段により決められた校正値を用いて未
知試料のピークの質量数を校正する校正手段と、を備え
ることを特徴としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に係る質量分析装置では、
予め、ＰＦＴＢＡ等の低分子量の標準試料の測定を行な
うことにより所定の質量数以下の領域内の複数の質量数
校正点における校正値を求める。また、トリアジン等の
高分子量の標準試料の測定を行なうことにより所定の質
量数以上の領域内の１箇所以上の質量数校正点おける校
正値を求める。補正量算出手段は、高分子量の標準試料
の測定により得た校正値と、低分子量の標準試料の測定
により得た２箇所以上の質量数校正点における校正値を
外挿して求めた外挿校正値との差分を計算し、この値を
校正値の補正量として記憶手段に記憶させる。
予め、ＰＦＴＢＡ等の低分子量の標準試料の測定を行な
うことにより所定の質量数以下の領域内の複数の質量数
校正点における校正値を求める。また、トリアジン等の
高分子量の標準試料の測定を行なうことにより所定の質
量数以上の領域内の１箇所以上の質量数校正点おける校
正値を求める。補正量算出手段は、高分子量の標準試料
の測定により得た校正値と、低分子量の標準試料の測定
により得た２箇所以上の質量数校正点における校正値を
外挿して求めた外挿校正値との差分を計算し、この値を
校正値の補正量として記憶手段に記憶させる。
【０００９】一旦、補正量が決定された後に校正値を修
正する処理を行なう際には、低分子量の標準試料のみを
使用し、この標準試料の測定を行なうことにより所定の
質量数以下の領域内の複数の質量数校正点における校正
値を求める。校正値決定手段は、その２箇所以上の質量
数校正点における校正値を外挿して補正量に対応する質
量数校正点における外挿校正値を算出し、この外挿校正
値に補正量を加算（又は減算）することにより所定の質
量数以上の領域内の質量数校正点における校正値を算出
する。これにより、広い質量数範囲における校正値を得
て、この校正値を用いて未知試料の測定により得られた
ピークの質量数を校正する。
正する処理を行なう際には、低分子量の標準試料のみを
使用し、この標準試料の測定を行なうことにより所定の
質量数以下の領域内の複数の質量数校正点における校正
値を求める。校正値決定手段は、その２箇所以上の質量
数校正点における校正値を外挿して補正量に対応する質
量数校正点における外挿校正値を算出し、この外挿校正
値に補正量を加算（又は減算）することにより所定の質
量数以上の領域内の質量数校正点における校正値を算出
する。これにより、広い質量数範囲における校正値を得
て、この校正値を用いて未知試料の測定により得られた
ピークの質量数を校正する。
【００１０】
【発明の効果】本発明の質量分析装置によれば、始めに
高分子量の標準試料の測定を行なっておくことにより、
それ以降に校正値を修正する際には低分子量の標準試料
の測定のみにより広い質量数範囲に亘って正確な校正値
を得ることができる。実用上は、低分子量の標準試料の
測定により得られた校正値がそれ以前の値と大きく相違
する場合等、装置の設定条件が大きく変わったと想定さ
れる場合にのみ、高分子量の標準試料の測定を再度行な
い補正量を計算し直せばよい。したがって、取り扱いの
困難な高分子量の標準試料を用いる必要が殆どなくなる
ので、高分子量の標準試料による装置の残留汚染の恐れ
が極めて小さくなると共に、測定者の作業の負担も軽減
される。また、高分子量の標準試料の測定を行なわずと
も、高質量数領域を含む広い範囲において高精度の校正
が行なえ、分析精度が向上する。
高分子量の標準試料の測定を行なっておくことにより、
それ以降に校正値を修正する際には低分子量の標準試料
の測定のみにより広い質量数範囲に亘って正確な校正値
を得ることができる。実用上は、低分子量の標準試料の
測定により得られた校正値がそれ以前の値と大きく相違
する場合等、装置の設定条件が大きく変わったと想定さ
れる場合にのみ、高分子量の標準試料の測定を再度行な
い補正量を計算し直せばよい。したがって、取り扱いの
困難な高分子量の標準試料を用いる必要が殆どなくなる
ので、高分子量の標準試料による装置の残留汚染の恐れ
が極めて小さくなると共に、測定者の作業の負担も軽減
される。また、高分子量の標準試料の測定を行なわずと
も、高質量数領域を含む広い範囲において高精度の校正
が行なえ、分析精度が向上する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係る質量分析装置の一実施例
を図１〜図３を参照して説明する。図１はこの質量分析
装置の構成図である。測定部は、イオン化部１０、質量
分離部２０、検出部２２及び制御部２４から構成され、
検出部２２の検出信号はデータ処理部２６に入力されて
いる。イオン化部１０のイオン化室１２には、低分子量
の標準試料であるＰＦＴＢＡ及び高分子量の標準試料で
あるトリアジンがそれぞれ電磁弁１４、１６を介して供
給されるようになっている。また、イオン化室１２には
未知試料を導入するための試料導入管１８も接続される
ようになっており、例えばガスクロマトグラフ質量分析
装置（ＧＣ−ＭＳ）の場合には試料導入管１８にはカラ
ムから溶出するガスが導入される。
を図１〜図３を参照して説明する。図１はこの質量分析
装置の構成図である。測定部は、イオン化部１０、質量
分離部２０、検出部２２及び制御部２４から構成され、
検出部２２の検出信号はデータ処理部２６に入力されて
いる。イオン化部１０のイオン化室１２には、低分子量
の標準試料であるＰＦＴＢＡ及び高分子量の標準試料で
あるトリアジンがそれぞれ電磁弁１４、１６を介して供
給されるようになっている。また、イオン化室１２には
未知試料を導入するための試料導入管１８も接続される
ようになっており、例えばガスクロマトグラフ質量分析
装置（ＧＣ−ＭＳ）の場合には試料導入管１８にはカラ
ムから溶出するガスが導入される。
【００１２】データ処理部２６は、質量スペクトルを作
成すると共に質量スペクトルを基に各種演算処理を実行
することにより未知試料の分子量等を算出する。算出さ
れた質量スペクトル及び分析結果は、プリンタ等の出力
部２８から出力される。データ処理部２６は校正処理部
３０を含んでおり、校正処理部３０は校正制御部３２、
演算部３４、補正量メモリ３６及び校正値メモリ３８等
から構成されている。
成すると共に質量スペクトルを基に各種演算処理を実行
することにより未知試料の分子量等を算出する。算出さ
れた質量スペクトル及び分析結果は、プリンタ等の出力
部２８から出力される。データ処理部２６は校正処理部
３０を含んでおり、校正処理部３０は校正制御部３２、
演算部３４、補正量メモリ３６及び校正値メモリ３８等
から構成されている。
【００１３】上記構成の質量分析装置における試料分析
時の動作を概略的に説明する。イオン化部１０において
電磁弁１４、１６が閉鎖され、試料導入管１８に気化し
た試料が導入されると、イオン化室１２内では電子衝撃
により試料分子がイオン化され、更に分子イオンは開裂
を生じフラグメントイオンを生成する。これらのイオン
は質量分離部２０において質量数に従って分離され、検
出部２２では質量数毎にイオン生成数に応じたイオン電
流が得られる。質量分離部２０に例えば四重極フィルタ
を用いる場合には、四重極に印加する電圧を掃引するこ
とにより四重極を通過するイオンの質量数を走査する。
また、磁気収束型の質量分離を行なう場合には、磁場を
掃引することによりイオンの軌道を変えて質量数を走査
する。
時の動作を概略的に説明する。イオン化部１０において
電磁弁１４、１６が閉鎖され、試料導入管１８に気化し
た試料が導入されると、イオン化室１２内では電子衝撃
により試料分子がイオン化され、更に分子イオンは開裂
を生じフラグメントイオンを生成する。これらのイオン
は質量分離部２０において質量数に従って分離され、検
出部２２では質量数毎にイオン生成数に応じたイオン電
流が得られる。質量分離部２０に例えば四重極フィルタ
を用いる場合には、四重極に印加する電圧を掃引するこ
とにより四重極を通過するイオンの質量数を走査する。
また、磁気収束型の質量分離を行なう場合には、磁場を
掃引することによりイオンの軌道を変えて質量数を走査
する。
【００１４】データ処理部２６では、このような質量走
査によって得られた検出信号を基に質量スペクトルが作
成される。質量分離部２０において或る特定の質量数を
有するイオンを分離すべく制御したとき、実際に検出部
２２にて検出されるイオンの質量数は一般に目的とする
質量数とは同一にならない。そこで、校正処理部３０は
この質量数のズレを校正し、質量スペクトルに現われた
ピークの位置が理論的に正しい位置に近づくようにす
る。以下、本実施例の質量分析装置の特徴的な動作であ
る校正処理の動作を説明する。
査によって得られた検出信号を基に質量スペクトルが作
成される。質量分離部２０において或る特定の質量数を
有するイオンを分離すべく制御したとき、実際に検出部
２２にて検出されるイオンの質量数は一般に目的とする
質量数とは同一にならない。そこで、校正処理部３０は
この質量数のズレを校正し、質量スペクトルに現われた
ピークの位置が理論的に正しい位置に近づくようにす
る。以下、本実施例の質量分析装置の特徴的な動作であ
る校正処理の動作を説明する。
【００１５】未知試料の測定により得られたピークの質
量数の校正を行なうためには、予め１乃至複数の質量数
校正点における校正値を標準試料の測定により求めてお
く。図２は、このような校正値を得るときの校正処理部
３０の動作を示すフローチャートである。ここでは、例
えばＰＦＴＢＡによる質量数校正点は質量数ｍ／ｚ＝３
１、ｍ／ｚ＝６９、ｍ／ｚ＝１６９、ｍ／ｚ＝２６４、
ｍ／ｚ＝４１４、ｍ／ｚ＝５０２及びｍ／ｚ＝６１４の
７箇所とし、トリアジンによる質量数校正点は質量数ｍ
／ｚ＝８６６の１箇所のみとする。
量数の校正を行なうためには、予め１乃至複数の質量数
校正点における校正値を標準試料の測定により求めてお
く。図２は、このような校正値を得るときの校正処理部
３０の動作を示すフローチャートである。ここでは、例
えばＰＦＴＢＡによる質量数校正点は質量数ｍ／ｚ＝３
１、ｍ／ｚ＝６９、ｍ／ｚ＝１６９、ｍ／ｚ＝２６４、
ｍ／ｚ＝４１４、ｍ／ｚ＝５０２及びｍ／ｚ＝６１４の
７箇所とし、トリアジンによる質量数校正点は質量数ｍ
／ｚ＝８６６の１箇所のみとする。
【００１６】まず、初めて校正値を作成するか、或いは
既に校正値が作成されていても後述の補正量Ｃ自体を修
正する場合の処理動作について述べる。校正値作成が指
示されると、校正制御部３２は制御部２４に制御信号を
送り、電磁弁１４を開いてＰＦＴＢＡをイオン化室１２
へ導入し前述のような測定を実行する（ステップＳ
１）。これにより、データ処理部２６ではＰＦＴＢＡの
質量スペクトルが作成される。ＰＦＴＢＡの質量スペク
トルには上記７箇所の質量数校正点を含む複数の質量数
においてピークが現われるが、ここでは質量数ｍ／ｚ＝
５０２及びｍ／ｚ＝６１４の２箇所の質量数校正点を高
質量数領域における校正値を推定するために利用するも
のとする。
既に校正値が作成されていても後述の補正量Ｃ自体を修
正する場合の処理動作について述べる。校正値作成が指
示されると、校正制御部３２は制御部２４に制御信号を
送り、電磁弁１４を開いてＰＦＴＢＡをイオン化室１２
へ導入し前述のような測定を実行する（ステップＳ
１）。これにより、データ処理部２６ではＰＦＴＢＡの
質量スペクトルが作成される。ＰＦＴＢＡの質量スペク
トルには上記７箇所の質量数校正点を含む複数の質量数
においてピークが現われるが、ここでは質量数ｍ／ｚ＝
５０２及びｍ／ｚ＝６１４の２箇所の質量数校正点を高
質量数領域における校正値を推定するために利用するも
のとする。
【００１７】そこで、ＰＦＴＢＡの質量スペクトルから
質量数ｍ／ｚ＝５０２に対応するピークをモニタし（ス
テップＳ２）、このピークの質量数の実測値と理論値と
の差分を求め、これを質量数ｍ／ｚ＝５０２における校
正値Ａ502とする（ステップＳ３）。次に、ＰＦＴＢＡ
の質量スペクトルから質量数ｍ／ｚ＝６１４に対応する
ピークをモニタし（ステップＳ４）、このピークの質量
数の実測値と理論値との差分を求め、これを質量数ｍ／
ｚ＝６１４における校正値Ａ614とする（ステップＳ
５）。そして図３に示すように、校正値Ａ502及び校正
値Ａ614の２点を外挿することにより、質量数ｍ／ｚ＝
８６６における外挿校正値Ａ866を推定する（ステップ
Ｓ６）。すなわち、外挿校正値Ａ866は次式により得ら
れる。Ａ866＝〔（Ａ614−Ａ502）・（８６６−６１
４）／（６１４−５０２）〕＋Ａ614
質量数ｍ／ｚ＝５０２に対応するピークをモニタし（ス
テップＳ２）、このピークの質量数の実測値と理論値と
の差分を求め、これを質量数ｍ／ｚ＝５０２における校
正値Ａ502とする（ステップＳ３）。次に、ＰＦＴＢＡ
の質量スペクトルから質量数ｍ／ｚ＝６１４に対応する
ピークをモニタし（ステップＳ４）、このピークの質量
数の実測値と理論値との差分を求め、これを質量数ｍ／
ｚ＝６１４における校正値Ａ614とする（ステップＳ
５）。そして図３に示すように、校正値Ａ502及び校正
値Ａ614の２点を外挿することにより、質量数ｍ／ｚ＝
８６６における外挿校正値Ａ866を推定する（ステップ
Ｓ６）。すなわち、外挿校正値Ａ866は次式により得ら
れる。Ａ866＝〔（Ａ614−Ａ502）・（８６６−６１
４）／（６１４−５０２）〕＋Ａ614
【００１８】続いて、補正量Ｃが補正量メモリ３６に記
憶されているか否かを判定する（ステップＳ７）。初め
て校正値作成処理を行なう場合には補正量Ｃは記憶され
ていないからステップＳ８へと進む。また、補正量Ｃ自
体の修正を行なう場合にも予め補正量をリセットする等
の処理を行なうことによりステップＳ８へと進むように
する。
憶されているか否かを判定する（ステップＳ７）。初め
て校正値作成処理を行なう場合には補正量Ｃは記憶され
ていないからステップＳ８へと進む。また、補正量Ｃ自
体の修正を行なう場合にも予め補正量をリセットする等
の処理を行なうことによりステップＳ８へと進むように
する。
【００１９】ステップＳ８では、校正制御部３２は制御
部２４に制御信号を送り、電磁弁１６を開いてトリアジ
ンをイオン化室１２へ導入し前述のような測定を実行す
る（ステップＳ８）。これにより、データ処理部２６で
はトリアジンの質量スペクトルが作成される。この質量
スペクトルから質量数ｍ／ｚ＝８６６に対応するピーク
をモニタし（ステップＳ９）、このピークの質量数の実
測値と理論値との差分を求め、これを質量数ｍ／ｚ＝８
６６における実測校正値Ｂ866とする（ステップＳ１
０）。そして、この実測校正値Ｂ866と先に算出した外
挿校正値Ａ866との差分を計算し（ステップＳ１１）、
この差分を補正量Ｃとして補正量メモリ３６に記憶する
（ステップＳ１２）。
部２４に制御信号を送り、電磁弁１６を開いてトリアジ
ンをイオン化室１２へ導入し前述のような測定を実行す
る（ステップＳ８）。これにより、データ処理部２６で
はトリアジンの質量スペクトルが作成される。この質量
スペクトルから質量数ｍ／ｚ＝８６６に対応するピーク
をモニタし（ステップＳ９）、このピークの質量数の実
測値と理論値との差分を求め、これを質量数ｍ／ｚ＝８
６６における実測校正値Ｂ866とする（ステップＳ１
０）。そして、この実測校正値Ｂ866と先に算出した外
挿校正値Ａ866との差分を計算し（ステップＳ１１）、
この差分を補正量Ｃとして補正量メモリ３６に記憶する
（ステップＳ１２）。
【００２０】続いて、上記実測校正値Ｂ866を質量数ｍ
／ｚ＝８６６の質量数校正点における校正値とし（ステ
ップＳ１３）、他の７箇所の質量数校正点における校正
値はＰＦＴＢＡの実測に基づく校正値を用い、これらの
計８箇所の質量数校正点における校正値を校正値メモリ
３８に記憶する（ステップＳ１４）。以上により校正値
作成処理が終了する。したがって、このような処理の後
に未知試料の分析を実行する場合、上述のように校正値
メモリ３８に記憶された校正値を用い、質量数校正点以
外の質量数に対してはその質量数に近接した２箇所の質
量数校正点における校正値を内挿又は外挿して校正値を
算出する。そして、未知試料の測定により得られたピー
クの質量数に算出した校正値を加算することにより、正
確な質量数を算出する。
／ｚ＝８６６の質量数校正点における校正値とし（ステ
ップＳ１３）、他の７箇所の質量数校正点における校正
値はＰＦＴＢＡの実測に基づく校正値を用い、これらの
計８箇所の質量数校正点における校正値を校正値メモリ
３８に記憶する（ステップＳ１４）。以上により校正値
作成処理が終了する。したがって、このような処理の後
に未知試料の分析を実行する場合、上述のように校正値
メモリ３８に記憶された校正値を用い、質量数校正点以
外の質量数に対してはその質量数に近接した２箇所の質
量数校正点における校正値を内挿又は外挿して校正値を
算出する。そして、未知試料の測定により得られたピー
クの質量数に算出した校正値を加算することにより、正
確な質量数を算出する。
【００２１】上述のように、一旦補正量Ｃが記憶された
後に校正値作成処理が実行される場合には、ＰＦＴＢＡ
の測定を行なった後に上記ステップＳ７にて補正量Ｃが
記憶されていると判定されるのでステップＳ１５へ進
む。ここでは、ＰＦＴＢＡの測定に基づいて推定された
外挿校正値Ａ866に補正量メモリ３６から読み出した補
正量Ｃを加算し、これを質量数ｍ／ｚ＝８６６の質量数
校正点における校正値とする。したがって、補正量Ｃが
記憶されているときには、トリアジンを用いることなく
ＰＦＴＢＡの測定結果及び補正量Ｃに基づいて質量数ｍ
／ｚ＝８６６の質量数校正点における校正値が決定され
る。
後に校正値作成処理が実行される場合には、ＰＦＴＢＡ
の測定を行なった後に上記ステップＳ７にて補正量Ｃが
記憶されていると判定されるのでステップＳ１５へ進
む。ここでは、ＰＦＴＢＡの測定に基づいて推定された
外挿校正値Ａ866に補正量メモリ３６から読み出した補
正量Ｃを加算し、これを質量数ｍ／ｚ＝８６６の質量数
校正点における校正値とする。したがって、補正量Ｃが
記憶されているときには、トリアジンを用いることなく
ＰＦＴＢＡの測定結果及び補正量Ｃに基づいて質量数ｍ
／ｚ＝８６６の質量数校正点における校正値が決定され
る。
【００２２】なお上記実施例では、低分子量の標準試料
としてＰＦＴＢＡ、高分子量の標準試料としてトリアジ
ンを使用しているが、他の標準試料を使用してもよい。
としてＰＦＴＢＡ、高分子量の標準試料としてトリアジ
ンを使用しているが、他の標準試料を使用してもよい。
【００２３】また、図１の構成ではトリアジンを電磁弁
１６を介してイオン化室１２に導入するようにしている
が、トリアジンを使用する頻度は極めて低いため、ＰＦ
ＴＢＡのみを電磁弁を介して導入するようにし、トリア
ジンは必要に応じてマニュアル操作により導入するよう
な構成とすれば装置のコストを下げることができる。こ
の場合、トリアジンは手動弁を設けた試料導入管を介し
て導入するようにしてもよいし、また未知試料を導入す
るための試料導入管を利用するようにしてもよい。
１６を介してイオン化室１２に導入するようにしている
が、トリアジンを使用する頻度は極めて低いため、ＰＦ
ＴＢＡのみを電磁弁を介して導入するようにし、トリア
ジンは必要に応じてマニュアル操作により導入するよう
な構成とすれば装置のコストを下げることができる。こ
の場合、トリアジンは手動弁を設けた試料導入管を介し
て導入するようにしてもよいし、また未知試料を導入す
るための試料導入管を利用するようにしてもよい。
【００２４】更には、上記実施例において、トリアジン
の測定による質量数校正点を複数（例えば質量数ｍ／ｚ
＝７７１、ｍ／ｚ＝８６６、ｍ／ｚ＝１０１６の３箇
所）とし、各質量数校正点において上述の方法で補正量
を算出するようにしてもよい。また、外挿方法は２点間
の直線外挿のみならず、３点以上を用いた適宜の関数に
よる外挿とすることもできる。
の測定による質量数校正点を複数（例えば質量数ｍ／ｚ
＝７７１、ｍ／ｚ＝８６６、ｍ／ｚ＝１０１６の３箇
所）とし、各質量数校正点において上述の方法で補正量
を算出するようにしてもよい。また、外挿方法は２点間
の直線外挿のみならず、３点以上を用いた適宜の関数に
よる外挿とすることもできる。
【００２５】その他の点においても、上記実施例は一例
であって本発明の趣旨の範囲で適宜変更や修正を行なえ
ることは明らかである。
であって本発明の趣旨の範囲で適宜変更や修正を行なえ
ることは明らかである。
【図１】 本発明の質量分析装置の一実施例の構成図。
【図２】 この質量分析装置における校正値作成処理の
動作を示すフローチャート。
動作を示すフローチャート。
【図３】 この質量分析装置における校正値作成処理の
動作を説明するための模式図。
動作を説明するための模式図。
【図４】 質量数の校正の概念を示す図。
１０…イオン化部 ２０…質量分離部 ２２…検出部 ２４…制御部 ２６…データ処理部 ３０…校正処理部 ３２…校正制御部 ３４…演算部 ３６…補正量メモリ ３８…校正値メモリ
Claims (1)
- 【請求項１】 標準試料の測定により得たピークを基に
算出した質量数の校正値を用いて未知試料のピークの質
量数を校正する質量分析装置において、 a)予め低分子量の標準試料及び高分子量の標準試料の測
定をそれぞれ実行し、該低分子量の標準試料の測定によ
り得られた校正値を基に推定した高質量数領域における
校正値と該高分子量の標準試料の測定により得られた校
正値との差分に基づいて高質量数領域における校正値の
補正量を求める補正量算出手段と、 b)該補正量を記憶しておく記憶手段と、 c)低分子量の標準試料の測定により低質量数領域におけ
る校正値を決定すると共に、該校正値と前記記憶手段に
記憶している補正量とに基づいて高質量数領域における
校正値を算出する校正値決定手段と、 d)該校正値決定手段により決められた校正値を用いて未
知試料のピークの質量数を校正する校正手段と、 を備えることを特徴とする質量分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8305935A JPH10132786A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 質量分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8305935A JPH10132786A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 質量分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10132786A true JPH10132786A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17951075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8305935A Pending JPH10132786A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 質量分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10132786A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004023132A1 (ja) * | 2002-09-05 | 2004-03-18 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 生体高分子自動同定方法 |
| JP2004317509A (ja) * | 2003-04-10 | 2004-11-11 | Micromass Uk Ltd | 質量分析計 |
| US7053365B2 (en) | 2004-03-25 | 2006-05-30 | Shimadzu Corporation | Chromatograph mass spectrometric apparatus and method of calibrating the same |
| JP2007509348A (ja) * | 2003-10-20 | 2007-04-12 | セルノ・バイオサイエンス・エルエルシー | 質量分析（ｍｓ）およびその他の計測器システムを較正し、ｍｓおよびその他のデータを処理するための方法 |
| JP2007333535A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ピーク位置変動量測定装置、その測定方法及びプログラム |
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| JP2008282749A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Ihi Corp | イオン注入装置用の質量分析システムとその校正方法 |
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| JP2012202682A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Jeol Ltd | 電界イオン化イオン源の調整方法 |
| US9741548B2 (en) | 2014-07-03 | 2017-08-22 | Shimadzu Corporation | Mass spectrometer |
| WO2017179096A1 (ja) * | 2016-04-11 | 2017-10-19 | 株式会社島津製作所 | 質量分析装置及び質量分析方法 |
| JP2018045999A (ja) * | 2016-08-12 | 2018-03-22 | サーモ フィッシャー サイエンティフィック （ブレーメン） ゲーエムベーハー | 質量分析計を較正する方法 |
-
1996
- 1996-10-30 JP JP8305935A patent/JPH10132786A/ja active Pending
Cited By (21)
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