JPH1013205A - 直流2線式検出スイッチ - Google Patents

直流2線式検出スイッチ

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JPH1013205A
JPH1013205A JP15795796A JP15795796A JPH1013205A JP H1013205 A JPH1013205 A JP H1013205A JP 15795796 A JP15795796 A JP 15795796A JP 15795796 A JP15795796 A JP 15795796A JP H1013205 A JPH1013205 A JP H1013205A
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JP
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transistor
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circuit section
detection circuit
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JP15795796A
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English (en)
Inventor
Masayuki Nomura
雅之 野村
Tokuhide Nomura
徳秀 野村
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CKD Corp
Original Assignee
CKD Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 出力回路部がオン状態のときには検出回路部
を確実に動作させ、オフ状態のときには作動電流を高精
度に制限して検出回路部を確実に作動させるとともに負
荷回路を確実にオフさせる。 【解決手段】 両端子3a,3b間には、電界効果トラ
ンジスタ21と検出回路部50とを直列接続する。電界
効果トランジスタ21は直流電源1から検出回路部50
に供給される作動電流を負荷回路2の最小作動電流より
も小さい電流値に制限する。電界効果トランジスタ21
のドレイン−ソース間にはPNPトランジスタT12のエ
ミッタ−コレクタ間を並列接続する。PNPトランジス
タT12のベースには、出力用NPNトランジスタT11の
コレクタを接続する。電界効果トランジスタ21のゲー
ト−ソース間には電流調整用抵抗22を設ける。この抵
抗22によりドレイン電流を適宜調整することにより、
作動電流を検出回路部50の最小作動電流よりも大きい
電流値に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、直流2線式検出ス
イッチに関するものである。
【0002】
【従来の技術】直流2線式位置検出スイッチは、信号線
と直流電源線が1つの線で共用されていて、該スイッチ
に直流電源を供給する電源線に位置検出結果の信号をの
せて外部装置に出力させる検出スイッチである。
【0003】図3は、従来のシリンダのピストン位置を
検出する直流2線式位置検出スイッチ(以下、検出スイ
ッチという)と、その検出スイッチの検出結果に基づい
て外部装置に出力するための負荷回路との電気的構成を
示す。直流電源1はそのプラス端子1aが負荷回路2の
入力端子2aに接続され、その負荷回路2の出力端子2
bが検出スイッチ3のプラス端子3aに接続されてい
る。検出スイッチ3のマイナス端子3bは、前記直流電
源1のマイナス端子1bに接続されている。つまり、負
荷回路2と検出スイッチ3は直列に接続され、その直列
回路に対して直流電源1が印加される。そして、検出ス
イッチ3に供給される直流電源は、負荷回路2を介して
供給される。
【0004】前記負荷回路2は抵抗R1,R2とホトカ
プラ10の発光ダイオードD1とで構成されていて、前
記検出スイッチ3からみると負荷になる。ホトカプラ1
0のホトトランジスタT1は発光ダイオードD1の発光
の有無によってオン/オフされる。このホトトランジス
タT1からのオン/オフ信号は、例えば外部装置として
プログラマブルコントローラCPUに出力される。
【0005】そして、検出スイッチ3は、ピストンを検
出するとその検出結果に基づいて負荷回路2から検出ス
イッチ3に流れる電流が増大するように構成されてい
る。従って、この電流の増大に基づいて発光ダイオード
D1が発光しホトトランジスタT1をオンさせ、そのオ
ン信号をプログラマブルコントローラCPUに出力す
る。
【0006】図4は、その検出スイッチ3の電気回路を
示す。検出スイッチ3は、検出回路部50、出力回路部
51及び定電流ダイオード55とから構成されている。
定電流ダイオード55は、前記プラス端子3aから出力
回路部51に供給される直流電流を分配して検出回路部
51に供給するためのものである。検出回路部50と定
電流ダイオード55とは、プラス端子3aとマイナス端
子3bとの間に直列接続されている。また、出力回路部
51も、両端子3a,3b間に設けられている。
【0007】検出回路部50は、分圧抵抗60,61、
磁気抵抗素子62,63及び判定回路64とから構成さ
れている。分圧抵抗60,61は、判定回路64に出力
する基準電圧VREF を生成する。磁気抵抗素子62は温
度補償部であり、磁気抵抗素子63は感磁部である。前
記ピストンに設けられた磁石の磁気を感知すると磁気抵
抗素子63の抵抗値が減少するが、磁気抵抗素子62の
抵抗値は変化しない。そして、磁気抵抗素子62,63
は、前記基準電圧VREF より高い電圧の磁気検出信号V
S を判定回路64に出力する。判定回路64はコンパレ
ータ65を含み、前記基準電圧VREF と磁気検出信号V
S を入力し基準電圧VREF より高い電圧の磁気検出信号
VS を入力したとき、高電位(Hレベル)の判定信号V
SEを出力する。
【0008】一方、出力回路部51は、電流制限用抵抗
R3、電圧調整用抵抗R4、2個のスイッチング用のN
PNトランジスタT2,T3、出力用のPNPトランジ
スタT4、オン状態表示用の発光ダイオードD2及びサ
ージ吸収用のツェナダイオードD3とから構成されてい
る。トランジスタT2は、トランジスタT3とダーリン
トン接続され、そのベースには電流制限用抵抗R1を介
して前記判定信号VSEを入力する。トランジスタT2,
T3のコレクタは、発光ダイオードD2及び電圧調整用
抵抗R4を介してプラス端子3aに接続されている。そ
して、トランジスタT2,T3がオンされると、発光ダ
イオードD2は発光する。
【0009】出力用トランジスタT4はそのコレクタが
トランジスタT2,T3のコレクタに接続され、エミッ
タが前記プラス端子3aに接続されている。また、トラ
ンジスタT4のベースは、前記発光ダイオードD2と抵
抗R4の接続点に接続されている。従って、トランジス
タT2,T3がオン(発光ダイオードD2が発光)する
と、出力用トランジスタT4がオンする。この出力用ト
ランジスタT4がオンすると、同トランジスタT4にプ
ラス端子3aから大きな電流が負荷電流として流れ込
む。この負荷電流の増大が前記負荷回路2の発光ダイオ
ードD1を発光させる。この発光ダイオードD1の発光
に基づいてホトカプラ10はプログラマブルコントロー
ラCPUにオン信号を出力する。
【0010】また、判定信号VSEが消失すると、トラン
ジスタT2,T3がオフし出力用トランジスタT4はオ
フする。このトランジスタT4がオフすると、同トラン
ジスタT4に負荷電流が流れ込まない。この負荷電流の
消失が前記負荷回路2の発光ダイオードD1の発光を停
止させる。この発光ダイオードD1の発光停止に基づい
てホトカプラ10はプログラマブルコントローラCPU
にオフ信号を出力する。
【0011】ところで、上記したことから明らかなよう
に、負荷回路2を介してプラス端子3aに供給される直
流電流は、前記検出回路部50が常に検出動作を行える
ように常に供給されている。しかも、ホトカプラ10の
発光ダイオードD1は、判定信号VSEが消失している時
には発光せず、判定信号VSEが出力されている時は発光
するようにしなければならない。従って、前記プラス端
子3aに供給される直流電流(負荷電流)は、判定信号
VSEが消失しているときには、発光ダイオードD1を発
光させない小さい電流値に設定されている。
【0012】そして、このような小さい直流電流を補償
するために、出力回路部51と検出回路部50との間に
定電流ダイオード55を設けている。つまり、前記出力
回路部51がオフ状態のときに、直流電源1の電圧変
動、検出回路部50を構成する各素子の抵抗値の変動に
より負荷回路2を介してプラス端子3aに供給される直
流電流が増大し負荷回路2の発光ダイオードD1が発光
するのを防止するために定電流ダイオード55を設けて
いる。
【0013】ところで、前記検出スイッチ3のプラス端
子3aとマイナス端子3bの端子間電圧Eは、判定信号
VSEが消失し出力回路部51がオフ状態のとき、定電流
ダイオード55の端子間電圧(電圧降下)E1OFと検出
回路部50の端子間電圧E2OFの和EOF(=E1OF+E
2OF)となる。
【0014】一方、判定信号VSEが発生し出力回路部5
1がオン状態のとき、前記端子間電圧Eは、出力トラン
ジスタT4のエミッタ−ベース間電圧Ea、発光ダイオ
ードD2の順方向電圧Eb、及び、トランジスタT3の
コレクタ−エミッタ間電圧Ecの和EON(=Ea+Eb
+Ec)となる。この時の端子間電圧EONは、出力回路
50がオフ状態における端子間電圧EOFよりも小さくな
る。
【0015】そして、出力回路部51がオン状態のと
き、検出回路部50に印加される電圧E2ONは、以下の
通りになる。 EON=E1ON+E2ON=Ea+Eb+Ecから E2ON=Ea+Eb+Ec−E1ON となる。この時、定電流ダイオード55の端子間電圧E
1ONは出力回路部51のオン/オフに関係なく一定であ
る。
【0016】そして、検出回路部50は、この電圧E2
ON(=Ea+Eb+Ec−E1ON)にて常時磁気検出動
作が可能な状態に動作していなければならない。しか
し、前記したように端子間電圧EONが端子間電圧EOFよ
りも小さいため、この電圧E2ONは電圧E2OFより小さ
くなる。
【0017】この出力回路部51がオン状態のときに検
出回路部50に印加される端子間電圧E2ONが低下する
ことは、検出回路部50が電圧不足で動作しなくなるお
それがある。そこで、これを防ぐために端子間電圧E2
ONを上げるべく、端子3aの電圧を上げることが考えら
れるが、前記した負荷回路2に流れる負荷電流が出力回
路部51のオフ時に増大し発光ダイオードD1が発光す
るという問題が生じる。
【0018】そこで、このような問題を解消するため、
実開平7−2923号公報にて開示される2線式センサ
回路では、図5に示すように、定電流ダイオード55の
アノード−カソード間を出力トランジスタT3にて駆動
されるPNPトランジスタT4のエミッタ−コレクタ間
でバイパスしている。この構成によれば、判定信号VSE
が消失し出力トランジスタT3がオフとなるときにはP
NPトランジスタT4もオフとなるため、検出回路部5
0には定電流ダイオード55にて前記発光ダイオードD
1が発光しないように制限された作動電流が検出回路部
50に供給される。尚、この2線式センサ回路では、検
出回路部50をブリッジ接続された4個のMR(磁気抵
抗)素子66と、前記コンパレータ65とで構成してい
る。
【0019】一方、判定信号VSEが発生し出力トランジ
スタT3がオンとなるときにはPNPトランジスタT4
もオンとなる。このとき、負荷電流はPNPトランジス
タT4のエミッタ−ベース間を流れるため、ベース電流
がコレクタ電流よりも大きくなる。このため、PNPト
ランジスタT4のエミッタ−コレクタ間の電圧降下がほ
ぼ0となるため、端子間電圧EONがそのまま検出回路部
50に加えられる。
【0020】従って、出力回路部51がオン状態のとき
には、端子間電圧EONを上げることなく検出回路部50
により高い動作電圧を加えることができるため、検出回
路部40を確実に動作させながら発光ダイオードD1の
発光を防止することができる。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】ところが、判定信号V
SEが消失して出力回路部51がオフ状態のときには、検
出回路部50に供給される作動電流は、上記定電流ダイ
オード55のピンチオフ電流に制限されるが、このピン
チオフ電流は個々の定電流ダイオード55でばらつき範
囲がある。このピンチオフ電流のばらつき範囲は、例え
ば、0.60〜0.92mAといったように比較的大き
な範囲である。
【0022】その結果、出力回路部51がオフ状態のと
きに検出回路部50に供給される作動電流の大きさがば
らつくため、使用している定電流ダイオード55のピン
チオフ電流が小さいときには作動電流が検出回路部50
の最小作動電流を下回ることがある。このため、検出回
路部50を確実に作動させることができなくなる問題が
ある。しかしながら、ピンチオフ電流の標準値が大きな
定電流ダイオード55を使用すると、今度はこの作動電
流にて発光ダイオードD1が発光する恐れがある。
【0023】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであって、その目的は、出力回路部がオン状
態のときには検出回路部の動作電圧が低下せず確実に動
作することができ、しかも、オフ状態のときには作動電
流を高精度に制限して検出回路部を確実に作動させると
ともに負荷回路を確実にオフさせることができる直流2
線式検出スイッチを提供することにある。
【0024】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項1に記載の発明は、直流電源のプラス側が接
続されるプラス端子と同じくマイナス側が接続されるマ
イナス端子とを備え、該一対の端子間に、検出回路部
と、前記直流電源から該検出回路部に供給される作動電
流を制限する電流制限素子とを直列接続するとともに、
同じく前記一対の端子間には前記検出回路部にて駆動さ
れ、前記端子間をオン状態又はオフ状態に切り換える出
力回路部を設け、前記電流制限素子の両端には、前記検
出回路部にて前記出力回路部がオン状態に切り換わった
ときに、該電流制限素子における電圧降下を減少させる
バイパス手段を並列に接続した直流2線式検出スイッチ
において、前記電流制限素子が制限する作動電流の大き
さを調整する電流調整手段を設けた。
【0025】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の発明において、電流制限素子は、電界効果トランジス
タであり、前記電流調整手段は、該電界効果トランジス
タのゲート−ソース間に設けられドレイン電流を調整す
る抵抗とした。
【0026】請求項3に記載のに記載の発明は、請求項
2に記載の発明において、抵抗は、可変抵抗とした。請
求項4に記載の発明は、請求項1〜請求項3のいずれか
に記載の発明において、バイパス手段はPNPトランジ
スタであり、前記プラス端子とマイナス端子との間に、
前記電界効果トランジスタ及び検出回路部をこの順に接
続し、前記PNPトランジスタのエミッタは該電界効果
トランジスタのドレインに接続し、そのコレクタは同じ
くソースに接続し、そのベースは前記出力回路部のプラ
ス側出力端に接続した。
【0027】請求項5に記載の発明は、請求項4に記載
の発明において、出力回路部は、前記検出回路部にて駆
動される駆動用NPNトランジスタと、該駆動用NPN
トランジスタにて駆動される出力用NPNトランジスタ
とからなり、前記駆動用NPNトランジスタは、そのコ
レクタとプラス側端子との間には前記出力回路部がオン
状態であることを表示する発光ダイオードを接続し、前
記出力用NPNトランジスタは、そのコレクタを前記P
NPトランジスタのベースに接続した。
【0028】請求項6に記載の発明は、請求項4に記載
の発明において、出力回路部は、前記検出回路部にて駆
動される出力用NPNトランジスタからなり、該出力用
NPNトランジスタは、そのコレクタを前記出力回路部
がオン状態であることを表示する発光ダイオードを介し
て前記PNPトランジスタのベースに接続した。
【0029】従って、請求項1に記載の発明によれば、
検出回路部にて出力回路部がオン状態になると電流制限
素子に並列接続されるバイパス手段が電流制限素子にお
ける電圧降下をなくすため、両端子間の電圧が電圧降下
なく検出回路部に印加される。一方、検出回路部がオフ
状態になると、電流制限素子にて一定値に制限された作
動電流により検出回路部が作動する。このとき、電流制
限素子にて制限される作動電流の大きさを電流調整手段
にて調整することができるため、個々の電流制限素子が
制限する電流値のばらつきを所定の電流値に調整するこ
とができる。従って、出力回路部がオフ状態のときに
は、個々の電流制限素子の特性ばらつきによらず電流を
高精度に制限することができる。
【0030】請求項2に記載の発明によれば、請求項1
に記載の発明の作用に加えて、電流制限素子が電界効果
トランジスタにて構成され、電流調整手段がゲート−ソ
ース間に設けられドレイン電流を調整する抵抗にて構成
される。
【0031】請求項3に記載の発明によれば、請求項2
に記載の発明の作用に加えて、抵抗が可変抵抗であるた
め、完成した検出スイッチにおいてオフ状態における作
動電流を調整することができる。その結果、検出スイッ
チに接続する負荷がオンとなる最低作動電流値に合わせ
て、作動電流の大きさを適宜に調整することができる。
【0032】請求項4に記載の発明によれば、請求項1
〜請求項3のいずれかに記載の発明の作用に加えて、出
力回路部がオン状態になると、PNPトランジスタのエ
ミッタ−ベース間に加わる電圧により、そのエミッタ−
ベース間を通って出力回路部のプラス端子からマイナス
端子に負荷電流が流れる。このとき、PNPトランジス
タではベース電流がコレクタ電流よりも大きくなり、エ
ミッタ−コレクタ間の電圧がほぼ0となる。従って、検
出回路部には、電流制限素子を通らずPNPトランジス
タのエミッタ−コレクタ間から作動電流が供給される。
その結果、出力回路部がオン状態のときには、両端子間
に加わる電圧がほぼそのまま検出回路部に加わる。
【0033】請求項5に記載の発明によれば、請求項4
に記載の発明の作用に加えて、検出回路部にて駆動用N
PNトランジスタがオンされると、NPNトランジスタ
がオンする。このとき、駆動用NPNトランジスタのコ
レクタ電流にて出力回路部がオン状態であることを表示
する発光ダイオードが点灯する。そして、NPNトラン
ジスタのエミッタ電流が負荷電流となる。従って、負荷
電流が発光ダイオードの最大定格電流にて制約されな
い。
【0034】請求項6に記載の発明によれば、請求項4
に記載の発明の作用に加えて、検出回路部にて出力用N
PNトランジスタがオンされると、該出力用NPNトラ
ンジスタのコレクタ電流にて出力回路部がオン状態であ
ることを表示する発光ダイオードが点灯する。そして、
出力用NPNトランジスタのコレクタ電流が負荷電流と
なる。従って、1個の出力用NPNトランジスタにより
発光ダイオードの点灯及び負荷電流の供給が行われる。
【0035】
【発明の実施の形態】
〔第1の実施の形態〕以下、本発明を流体圧シリンダの
ピストン位置を検出する直流2線式流体圧シリンダ用位
置検出スイッチに具体化した第1の実施の形態を図1に
従って説明する。尚、本実施の形態は、前記従来例にお
ける定電流ダイオード55を電界効果トランジスタ21
としたこと、及び、出力回路部51を出力回路部20と
したことのみが従来例と異なる。従って、電界効果トラ
ンジスタ21及び出力回路部20のみを詳述し、その他
の同一の構成については符号を同じにしてその説明を省
略する。
【0036】図1に示すように、電界効果トランジスタ
21は、そのドレインがプラス端子3a側に、ソースが
検出回路部50側に接続されている。電界効果トランジ
スタ21のゲートとソースとの間には、ゲート−ソース
間電圧を調整することによりドレイン電流を調整する電
流調整用抵抗22が接続されている。この抵抗22は、
所望のドレイン電流を得るように、予めその抵抗値が設
定されている。
【0037】出力回路部20は、電流制限用抵抗R3、
電圧調整用抵抗R4、駆動用NPNトランジスタ(以
下、駆動用トランジスタと略称する)T10、出力用N
PNトランジスタ(以下、出力用トランジスタ)T1
1、出力用PNPトランジスタ(以下、出力用トランジ
スタ)T12、オン状態表示用発光ダイオードD2(以
下、発光ダイオード)、及び、サージ吸収用ツェナダイ
オードD3とから構成されている。駆動用トランジスタ
T10は、そのベースには電流制限用抵抗R3を介して
前記検出回路部50が出力する判定信号VSEを入力す
る。駆動用トランジスタT10のエミッタは、出力用ト
ランジスタT11のベースに接続されている。駆動用ト
ランジスタT11のコレクタは、発光ダイオードD2及
び抵抗R2を介してプラス端子3aに接続されている。
出力用トランジスタT11のエミッタはマイナス端子3
bに接続されている。そして、トランジスタT10,T
11がオンすると発光ダイオードD2は発光する。
【0038】バイパス手段としてのトランジスタT12
は、そのエミッタが電界効果素子21のドレインに接続
され、コレクタが同じくソースに接続されている。出力
用トランジスタT12のベースは、前記出力用トランジ
スタT11のコレクタに接続されている。そして、トラ
ンジスタT10,T11がオンすると、出力用トランジ
スタT12がオンする。
【0039】従って、駆動用トランジスタT10のベー
スに、検出回路部としての位置検出回路部50からLレ
ベルの判定信号VSEが入力されるときには、トランジス
タT10,T11及びトランジスタT12がオフとな
り、出力回路部20はオフ状態となる。反対に、駆動用
トランジスタT10のベースにHレベルの判定信号VSE
が入力されるときには、トランジスタT10,T11及
びトランジスタT12がオンとなり出力回路部20はオ
ン状態となる。
【0040】尚、前記電圧調整用抵抗R4は、出力回路
部20がオン状態であるときの端子間電圧を調整する。
次に、以上のように構成された位置検出スイッチ3の作
用について説明する。
【0041】位置検出回路部50の磁気抵抗素子62,
63がピストンを検出せず判定回路64からLレベルの
判定信号VSEが出力されるときには、駆動用トランジス
タT10及び出力用トランジスタT11がオフとなり発
光ダイオードD2は点灯しない。そして、出力用トラン
ジスタT12もオフとなるため、出力回路部20はオフ
状態となる。
【0042】このとき、端子間3a,3bにはほぼ直流
電源1の最大定格電圧が印加されるが、位置検出回路部
50には電界効果トランジスタ21にて負荷回路2の最
小作動電流よりも小さく、かつ、検出回路部50の最小
作動電流よりも大きな電流値に制限された作動電流(す
なわち、電界効果トランジスタ21のドレイン電流)が
供給される。このとき、電界効果トランジスタ21のゲ
ート−ソース間に接続される電流調整用抵抗22によ
り、その作動電流は個々の電界効果トランジスタ21の
ゲート電圧−ドレイン電流の特性ばらつきによらず検出
回路部50の最小作動電流よりも大きく、かつ、位置検
出スイッチ3に接続される負荷の最小作動電流よりも小
さな値に高精度に設定されている。従って、負荷回路2
が確実にオフされるとともに、検出回路部50が確実に
作動する。
【0043】磁気抵抗素子62,63がピストンを検出
して判定回路64からHレベルの判定信号VSEが出力さ
れるときには、駆動用トランジスタT10及び出力用ト
ランジスタT11がオンとなり発光ダイオードD2が点
灯する。そして、出力用トランジスタT12もオンとな
るため、出力回路部20はオン状態となる。このとき、
出力用トランジスタT12のエミッタ−ベース間に加わ
る電圧により、そのエミッタ−ベース間を通って負荷電
流が流れる。従って、出力回路部20には、出力用トラ
ンジスタT12のエミッタ−ベース間、出力用トランジ
スタT11のコレクタ−エミッタ間を通って負荷電流が
流れる。ここで、位置検出回路部50のインピーダンス
は出力回路部20のインピーダンスよりも高いため、負
荷電流のほとんどが出力回路部20を流れる。この負荷
電流にて、負荷回路2がオン状態となる。
【0044】このとき、オン状態における端子間電圧E
ONは、ほぼ出力用トランジスタT12のエミッタ−ベー
ス間の降下電圧、及び、出力用トランジスタT11のコ
レクタ−エミッタ間の降下電圧の和となる。ここで、出
力用トランジスタT12では、ベース電流の大きさがコ
レクタ電流よりも大きくなり、エミッタ−コレクタ間に
おける電圧降下がほぼ0になる。その結果、オン状態で
は、位置検出回路部50に端子間電圧EONがほぼそのま
ま印加され、位置検出回路部50には出力用トランジス
タT12のエミッタ−コレクタ間を通って作動電流が供
給される。
【0045】以上詳述したように、本実施の形態の直流
2線式流体圧シリンダ用位置検出スイッチによれば、以
下の効果を得ることができる。 (a) 出力回路部20がオフ状態のときに負荷回路2
に流れる作動電流を制限するための電界効果トランジス
タ21のドレイン−ソース間に、出力回路部2がオン状
態のときに作動電流をバイパスする出力用PNPトラン
ジスタT12を接続する。電界効果トランジスタ21の
ゲート−ソース間には、ドレイン電流を調整するための
電流調整用抵抗22を接続した。従って、出力回路部2
0がオフ状態となるときには出力用トランジスタT12
がオフするため、電界効果トランジスタ21にて制限さ
れた作動電流が位置検出回路部50に供給される。この
とき、電界効果トランジスタ21のゲート−ソース間電
圧に対するドレイン電流の特性にばらつきがあっても、
抵抗22の抵抗値を個々の電界効果トランジスタ21に
応じて予め好適に設定することにより、制限する電流値
を負荷回路2の最小作動電流よりも小さく検出回路部5
0の最小作動電流よりも大きな電流値に高精度に設定す
ることができる。その結果、出力回路部20がオン状態
には端子間電圧EONを小さくしながら位置検出回路部5
0に印加する電圧を高くすることができるため、負荷回
路2に印加する電圧を高くしながら位置検出回路部50
の作動電圧(すなわち、コンパレータ65の最小作動電
圧)を確保することができる。しかも、出力回路部20
がオフ状態のときには、電界効果トランジスタ21の特
性ばらつきに拘らず、負荷回路2を確実にオフさせると
ともに検出回路部50を確実に動作させることができ
る。
【0046】(b) 位置検出回路部50にて駆動用ト
ランジスタT10がオンされると、出力用トランジスタ
T11がオンする。このとき、駆動用トランジスタT1
0のコレクタ電流にて発光ダイオードD2が点灯する。
そして、出力用トランジスタT11のエミッタ電流が負
荷電流となる。従って、負荷電流が発光ダイオードD2
の最大定格電流にて制約されないため、消費電力の大き
な負荷回路を制御することができる。
【0047】〔第2の実施の形態〕次に、本発明を具体
化した第2の実施の形態を図2に従って説明する。尚、
本実施の形態は、前記第1の実施の形態において、出力
回路部20に代えて出力回路部30としたこと、及び、
電流調整用抵抗22を可変抵抗23としたことのみが、
第1の実施の形態と異なる。従って、出力回路部30の
構成のみを詳述し、その他の同一の構成については符号
を同じにしてその説明を省略する。
【0048】図2に示すように、電界効果トランジスタ
21のゲート−ソース間には、可変抵抗23が接続され
ている。この可変抵抗23は、電界効果トランジスタ2
1のゲート−ソース間電圧を調整することによりドレイ
ン電流を調整する。
【0049】出力回路部30は、電流制限用抵抗R3、
出力用NPNトランジスタT15、出力用PNPトラン
ジスタT12及びオン状態表示用発光ダイオードD2と
から構成されている。
【0050】トランジスタT15は、そのベースに電流
制限用抵抗R3を介して判定信号VSEを入力する。トラ
ンジスタT15のコレクタは、発光ダイオードD2を介
して出力用トランジスタT12のベースに接続され、エ
ミッタはマイナス端子3bに接続されている。出力用ト
ランジスタT12は、そのエミッタが電界効果トランジ
スタ21のドレインに接続され、コレクタは電界効果ト
ランジスタ21のソースに接続されている。
【0051】そして、トランジスタT15のベースにL
レベルの判定信号VSEが入力されるときには、トランジ
スタT15がオフとなりトランジスタT12もオフとな
る。従って、発光ダイオードD2は点灯しない。トラン
ジスタT15のベースにHレベルの判定信号VSEが入力
されるときには、トランジスタT15がオンとなりトラ
ンジスタT12もオンとなる。従って、発光ダイオード
D2が点灯する。
【0052】以上のように構成された位置検出スイッチ
1の作用について説明する。判定回路64からLレベル
の判定信号VSEが出力されるときには、トランジスタT
15及びトランジスタT12がオフとなり発光ダイオー
ドD2は点灯しない。従って、出力回路30はオフ状態
となる。このとき、位置検出回路部50には電界効果ト
ランジスタ21にて負荷回路2の最小作動電流よりも小
さい電流値に制限された作動電流が供給される。このと
き、電界効果トランジスタ21のゲート電圧−ドレイン
電流の特性ばらつきによりその作動電流の大きさがばら
つくが、前記可変抵抗23にてゲート−ソース間電圧を
調整することにより、負荷回路2がオンしない範囲で検
出回路部50が確実に動作する電流値に設定することが
できる。
【0053】判定回路64からHレベルの判定信号VSE
が出力されると、トランジスタT15及びトランジスタ
T12がオンとなり発光ダイオードD2が点灯する。従
って、出力回路30はオン状態となる。このとき、トラ
ンジスタT12のエミッタ−ベース間に加わる電圧によ
り、ベース電流が負荷電流として流れる。従って、トラ
ンジスタT12のエミッタ−ベース間、発光ダイオード
D2及びトランジスタT15のコレクタ−エミッタ間を
通って負荷電流が流れる。この負荷電流にて、負荷回路
2がオン状態となる。
【0054】出力回路部30がオン状態になったときの
端子間電圧EONは、ほぼ出力用トランジスタT12のエ
ミッタ−ベース間電圧、発光ダイオードD2の降下電
圧、及び、出力トランジスタT15のコレクタ−エミッ
タ間の降下電圧の和となる。ここで、出力用トランジス
タT12では、第1の実施の形態と同様に、エミッタ−
コレクタ間の降下電圧がほぼ0となるため、位置検出回
路部50には端子間電圧EONがそのまま印加され、位置
検出回路部50には出力用トランジスタT12のエミッ
タ−コレクタ間を通って作動電流が供給される。
【0055】以上詳述したように、本実施の形態の直流
2線式流体圧シリンダ用位置検出スイッチによれば、前
記第1の実施の形態の(a)に記載の効果に加えて以下
の効果を得ることができる。
【0056】(a) 電界効果トランジスタ21のゲー
ト−ソース間には、ドレイン電流を調整するための可変
抵抗23を設けた。従って、検出スイッチ1が製品とな
った状態で作動電流を調整することができる。その結
果、検出スイッチ1に接続する負荷回路2の最小作動電
流に応じて、検出回路部50の最小作動電流よりも大き
な範囲で適宜に調整することができる。
【0057】(b) 電界効果トランジスタ21のドレ
イン−ソース間に出力用トランジスタT12のエミッタ
−コレクタ間を並列に接続し、そのベースを発光ダイオ
ードD2を介してトランジスタT15のコレクタに接続
した。従って、トランジスタT15のコレクタ電流にて
発光ダイオードD2が点灯され、同コレクタ電流が負荷
電流となる。その結果、前記第1の実施の形態における
出力回路部20から出力トランジスタ及び抵抗を1個ず
つ省略して、部品点数を削減することができる。
【0058】尚、本発明は上記実施の形態に限定される
ものではなく、以下のように構成することもできる。 (1) 磁気抵抗素子62,63にて構成される位置検
出回路部50からなる流体圧シリンダ用位置検出スイッ
チに実施したが、その他、例えば、MR素子、ホール素
子、ピックアップコイル等の磁気検出素子からなる位置
検出回路部からなる流体圧シリンダ用位置検出スイッチ
に実施してもよい。
【0059】(2) 流体圧シリンダ用位置検出スイッ
チに実施したが、流体圧シリンダ用以外の位置検出スイ
ッチに実施してもよい。 (3) 位置検出スイッチに実施したが、その他、例え
ば、圧力検出スイッチ(ピエゾ抵抗効果を利用する半導
体式圧力スイッチ)等に実施してもよい。
【0060】前記実施の形態から把握できる請求項以外
の技術的思想について、以下にその効果とともに記載す
る。 (1) 請求項1〜請求項6のいずれかに記載の直流2
線式検出スイッチにおいて、前記検出回路部は、流体圧
シリンダ用のピストン位置検出回路部とする。このよう
な構成によれば、流体圧シリンダ用の直流2線式検出ス
イッチにおいて、その出力回路部がオン状態のときでも
ピストン位置検出回路部の動作電源が低下せず確実に動
作することができる。
【0061】(2) 上記(1)において、ピストン位
置検出回路部は、ピストンを検出して磁気検出信号VS
を出力する磁気抵抗素子62,63と、前記磁気検出信
号VS に基づいてピストン位置を判定するための基準信
号VREF を生成する基準電圧生成抵抗60,61と、前
記磁気検出信号VS と前記基準信号VREF との比較結果
に基づく検出信号VSEを前記出力回路部20,30に出
力する判定回路64とにて構成されるものとする。この
ような構成によれば、ピストン位置を磁気抵抗素子にて
検出することができる。
【0062】(3) 上記(1),(2)に記載の直流
2線式位置検出スイッチは、エアシリンダ用とする。こ
のような構成によれば、エアシリンダのピストン位置を
検出する直流2線式位置検出スイッチにおいて、オン時
における接続端子間電圧を小さくしても位置検出センサ
部の作動電圧を確保することができる。
【0063】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1及び請求
項2に記載の発明によれば、出力回路部がオン状態のと
きには検出回路部の動作電源が低下せず確実に動作する
ことができ、しかも、オフ状態のときには作動電流を高
精度に制限して検出回路部を確実に作動させるとともに
負荷回路を確実にオフさせることができる。
【0064】請求項3に記載の発明によれば、請求項2
に記載の発明の効果に加えて、可変抵抗により製品の状
態で作動電流を調整することができるため、制御する負
荷回路の最小作動電流に応じて作動電流の大きさを適宜
に調整することができる。
【0065】請求項4に記載の発明によれば、請求項1
〜請求項3のいずれかに記載の発明の効果に加えて、バ
イパス手段をPNPトランジスタで構成することができ
る。請求項5に記載の発明によれば、請求項4に記載の
発明の作用に加えて、オン状態を表示する発光ダイオー
ドを設けながら、大きな負荷電流を負荷回路に供給する
ことができる。従って、消費電力の大きな負荷を制御す
ることができる。
【0066】請求項6に記載の発明によれば、請求項4
に記載の発明の作用に加えて、オン状態を表示する発光
ダイオードを設けながら、少ない部品点数で構成するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1の実施の形態の直流2線式位置検出スイ
ッチの回路図。
【図2】 第2の実施の形態の直流2線式位置検出スイ
ッチの回路図。
【図3】 位置検出スイッチ、負荷回路及び直流電源の
接続様態図。
【図4】 従来例の直流2線式位置検出スイッチの回路
図。
【図5】 同じく直流2線式位置検出スイッチの回路
図。
【符号の説明】
1…直流電源、3a…プラス端子、3b…マイナス端
子、20…出力回路部、21…電流制限素子としての電
界効果トランジスタ、22…電流調整手段としての抵
抗、23…同じく可変抵抗、30…出力回路部、50…
検出回路部としての位置検出回路部、D2…発光ダイオ
ード、T10…駆動用NPNトランジスタ、T11…出
力用NPNトランジスタ、T12…バイパス手段として
のPNPトランジスタ、T15…出力用NPNトランジ
スタ。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 直流電源(1)のプラス側が接続される
    プラス端子(3a)と同じくマイナス側が接続されるマ
    イナス端子(3b)とを備え、該一対の端子間に、検出
    回路部(50)と、前記直流電源(1)から該検出回路
    部(50)に供給される作動電流を制限する電流制限素
    子(21)とを直列接続するとともに、同じく前記一対
    の端子間には前記検出回路部(50)にて駆動され、前
    記端子間をオン状態又はオフ状態に切り換える出力回路
    部(20,30)を設け、前記電流制限素子(21)の
    両端には、前記検出回路部(50)にて前記出力回路部
    (20,30)がオン状態に切り換わったときに、該電
    流制限素子(21)における電圧降下を減少させるバイ
    パス手段(T12)を並列に接続した直流2線式検出ス
    イッチにおいて、 前記電流制限素子(21)が制限する作動電流の大きさ
    を調整する電流調整手段(22,23)を設けた直流2
    線式検出スイッチ。
  2. 【請求項2】 電流制限素子は、電界効果トランジスタ
    (21)であり、前記電流調整手段は、該電界効果トラ
    ンジスタ(21)のゲート−ソース間に設けられドレイ
    ン電流を調整する抵抗(22,23)である請求項1に
    記載の直流2線式検出スイッチ。
  3. 【請求項3】 抵抗は、可変抵抗(23)である請求項
    2に記載の直流2線式検出スイッチ。
  4. 【請求項4】 バイパス手段はPNPトランジスタ(T
    12)であり、前記プラス端子(3a)とマイナス端子
    (3b)との間に、前記電界効果トランジスタ(21)
    及び検出回路部(50)をこの順に接続し、前記PNP
    トランジスタ(T12)のエミッタは該電界効果トラン
    ジスタ(21)のドレインに接続し、そのコレクタは同
    じくソースに接続し、そのベースは前記出力回路部(2
    0,30)のプラス側出力端に接続した請求項1〜請求
    項3のいずれかに記載の直流2線式検出スイッチ。
  5. 【請求項5】 出力回路部(20)は、前記検出回路部
    (50)にて駆動される駆動用NPNトランジスタ(T
    10)と、該駆動用NPNトランジスタ(T10)にて
    駆動される出力用NPNトランジスタ(T11)とから
    なり、前記駆動用NPNトランジスタ(T10)は、そ
    のコレクタとプラス側端子(3a)との間には前記出力
    回路部(20)がオン状態であることを表示する発光ダ
    イオード(D2)を接続し、前記出力用NPNトランジ
    スタ(T11)は、そのコレクタを前記PNPトランジ
    スタ(T12)のベースに接続した請求項4に記載の直
    流2線式検出スイッチ。
  6. 【請求項6】 出力回路部(30)は、前記検出回路部
    (50)にて駆動される出力用NPNトランジスタ(T
    15)からなり、該出力用NPNトランジスタ(T1
    5)は、そのコレクタを前記出力回路部(30)がオン
    状態であることを表示する発光ダイオード(D2)を介
    して前記PNPトランジスタ(T12)のベースに接続
    した請求項4に記載の直流2線式検出スイッチ。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002107346A (ja) * 2000-10-03 2002-04-10 Murata Mfg Co Ltd 磁性体検出器
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CN110277924A (zh) * 2019-07-03 2019-09-24 上海鼎充新能源技术有限公司 一种经济型隔离式高压直流切换电路

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