JPH1012636A - 半導体製造装置の酸化防止ガス供給方法 - Google Patents
半導体製造装置の酸化防止ガス供給方法Info
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- JPH1012636A JPH1012636A JP18267796A JP18267796A JPH1012636A JP H1012636 A JPH1012636 A JP H1012636A JP 18267796 A JP18267796 A JP 18267796A JP 18267796 A JP18267796 A JP 18267796A JP H1012636 A JPH1012636 A JP H1012636A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化防止ガスの供給量を制御して、半導体製
造装置のランニングコストを削減できるようにするこ
と。 【解決手段】 リードフレーム１をヒータ１２にて加熱
した状態で搬送するリードフレーム搬送装置１０内へガ
ス配管１３、ガスノズル１４を介して酸化防止ガスを供
給し、リードフレームの酸化を防止する半導体製造装置
の酸化防止ガス供給方法において、ヒータの加熱作動停
止後に酸化防止ガスの供給量を減少し、又はその供給を
停止するものである。
造装置のランニングコストを削減できるようにするこ
と。 【解決手段】 リードフレーム１をヒータ１２にて加熱
した状態で搬送するリードフレーム搬送装置１０内へガ
ス配管１３、ガスノズル１４を介して酸化防止ガスを供
給し、リードフレームの酸化を防止する半導体製造装置
の酸化防止ガス供給方法において、ヒータの加熱作動停
止後に酸化防止ガスの供給量を減少し、又はその供給を
停止するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ペレットボンディ
ング装置やワイヤボンディング装置において、リードフ
レームの酸化を防止するために酸化防止ガスを供給する
半導体製造装置の酸化防止ガス供給方法に関する。
ング装置やワイヤボンディング装置において、リードフ
レームの酸化を防止するために酸化防止ガスを供給する
半導体製造装置の酸化防止ガス供給方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置であるペレットボンディ
ング装置やワイヤボンディング装置では、良好なボンデ
ィング性能を得るために搬送装置にて搬送されるリード
フレームをヒータにて加熱している。
ング装置やワイヤボンディング装置では、良好なボンデ
ィング性能を得るために搬送装置にて搬送されるリード
フレームをヒータにて加熱している。
【０００３】リードフレームが、銅等の材料から成る場
合、上述のように加熱されると酸化され易い。そこで、
従来の半導体製造装置では、搬送装置の全体をカバーで
覆い、このカバー内へ窒素ガス等の酸化防止ガスを供給
してリードフレームの酸化を防止している。
合、上述のように加熱されると酸化され易い。そこで、
従来の半導体製造装置では、搬送装置の全体をカバーで
覆い、このカバー内へ窒素ガス等の酸化防止ガスを供給
してリードフレームの酸化を防止している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の酸化
防止ガス供給方法では、半導体製造装置が何らかの事情
で停止した場合にも、図２の一点鎖線ａで示すようにヒ
ータを加熱状態としているので、リードフレームが高温
状態にあり（図２の一点鎖線ｃ）、このリードフレーム
の酸化を防止するために、窒素ガス等の酸化防止ガスを
図２の一点鎖線ｂに示すように供給し続けなければなら
ない。このため、酸化防止ガスの供給量が多量となっ
て、半導体製造装置のランニングコストが上昇してしま
う。
防止ガス供給方法では、半導体製造装置が何らかの事情
で停止した場合にも、図２の一点鎖線ａで示すようにヒ
ータを加熱状態としているので、リードフレームが高温
状態にあり（図２の一点鎖線ｃ）、このリードフレーム
の酸化を防止するために、窒素ガス等の酸化防止ガスを
図２の一点鎖線ｂに示すように供給し続けなければなら
ない。このため、酸化防止ガスの供給量が多量となっ
て、半導体製造装置のランニングコストが上昇してしま
う。
【０００５】本発明の課題は、上述の事情を考慮してな
されたものであり、酸化防止ガスの供給量を制御して、
半導体製造装置のランニングコストを削減できる半導体
製造装置の酸化防止ガス供給方法を提供することにあ
る。
されたものであり、酸化防止ガスの供給量を制御して、
半導体製造装置のランニングコストを削減できる半導体
製造装置の酸化防止ガス供給方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、リードフレームを加熱手段にて加熱した状態で搬送
する搬送装置内へ酸化防止ガスを供給して、上記リード
フレームの酸化を防止する半導体製造装置の酸化防止ガ
ス供給方法において、異常発生時、上記加熱手段の加熱
作動停止後に酸化防止ガスの供給量を減少、又はその供
給を停止するようにしたものである。
は、リードフレームを加熱手段にて加熱した状態で搬送
する搬送装置内へ酸化防止ガスを供給して、上記リード
フレームの酸化を防止する半導体製造装置の酸化防止ガ
ス供給方法において、異常発生時、上記加熱手段の加熱
作動停止後に酸化防止ガスの供給量を減少、又はその供
給を停止するようにしたものである。
【０００７】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、上記加熱手段の加熱作動停止後、リー
ドフレームが所定温度以下になったときに酸化防止ガス
の供給量を減少、又はその供給を停止するようにしたも
のである。
の発明において、上記加熱手段の加熱作動停止後、リー
ドフレームが所定温度以下になったときに酸化防止ガス
の供給量を減少、又はその供給を停止するようにしたも
のである。
【０００８】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、上記加熱手段の加熱作動停止後、所定
時間経過時に酸化防止ガスの供給量を減少、又はその供
給を停止するようにしたものである。
の発明において、上記加熱手段の加熱作動停止後、所定
時間経過時に酸化防止ガスの供給量を減少、又はその供
給を停止するようにしたものである。
【０００９】請求項１、２又は３に記載の発明には、次
の作用がある。加熱手段の加熱作動停止後にはリードフ
レームの温度が低下して、リードフレームは酸化されに
くくなり、もはや酸化防止ガスを供給する必要がない。
従って、加熱手段の加熱作動停止後に酸化防止ガスの供
給量を減少、又はその供給を停止することにより、酸化
防止ガスの消費量を低減でき、この結果、半導体製造装
置のランニングコストを削減できる。
の作用がある。加熱手段の加熱作動停止後にはリードフ
レームの温度が低下して、リードフレームは酸化されに
くくなり、もはや酸化防止ガスを供給する必要がない。
従って、加熱手段の加熱作動停止後に酸化防止ガスの供
給量を減少、又はその供給を停止することにより、酸化
防止ガスの消費量を低減でき、この結果、半導体製造装
置のランニングコストを削減できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面に基づいて説明する。図１は、本発明に係る半導体製
造装置の酸化防止ガス供給方法の一つの実施の形態を実
施するリードフレーム搬送装置について一部を切り欠い
て示す側面図である。図２は、図１のヒータの加熱と酸
化防止ガスの供給とのタイミングチャートである。
面に基づいて説明する。図１は、本発明に係る半導体製
造装置の酸化防止ガス供給方法の一つの実施の形態を実
施するリードフレーム搬送装置について一部を切り欠い
て示す側面図である。図２は、図１のヒータの加熱と酸
化防止ガスの供給とのタイミングチャートである。
【００１１】図１に示すリードフレーム搬送装置１０
は、リードフレーム１を搬送可能とする相対向する一対
のガイドレール１１と、これらのガイドレール１１間に
配置され、ガイドレール１１にて搬送中のリードフレー
ム１を下方から加熱する加熱手段としてのヒータ１２
と、一対のガイドレール１１間に配置され、ガイドレー
ル１１にて搬送中のリードフレーム１へ下方から酸化防
止ガスを供給するガス配管１３に接続されたガスノズル
１４と、ガイドレール１１、ヒータ１２、ガス配管１３
及びガスノズル１４を、ガイドレール１１にて搬送中の
リードフレーム１とともに覆うカバー１５と、を有して
構成される。
は、リードフレーム１を搬送可能とする相対向する一対
のガイドレール１１と、これらのガイドレール１１間に
配置され、ガイドレール１１にて搬送中のリードフレー
ム１を下方から加熱する加熱手段としてのヒータ１２
と、一対のガイドレール１１間に配置され、ガイドレー
ル１１にて搬送中のリードフレーム１へ下方から酸化防
止ガスを供給するガス配管１３に接続されたガスノズル
１４と、ガイドレール１１、ヒータ１２、ガス配管１３
及びガスノズル１４を、ガイドレール１１にて搬送中の
リードフレーム１とともに覆うカバー１５と、を有して
構成される。
【００１２】上記ヒータ１２は、ヒータスイッチ１６を
介して電源１７に接続され、ヒータスイッチ１６のＯＮ
作動時に加熱されて、リードフレーム搬送装置１０内の
リードフレーム１を加熱する。ヒータスイッチ１６のＯ
ＦＦ作動時に、ヒータ１２は加熱作動が停止される。
介して電源１７に接続され、ヒータスイッチ１６のＯＮ
作動時に加熱されて、リードフレーム搬送装置１０内の
リードフレーム１を加熱する。ヒータスイッチ１６のＯ
ＦＦ作動時に、ヒータ１２は加熱作動が停止される。
【００１３】上記ガスノズル１４は、電磁弁１８を配設
した上記ガス配管１３を介して酸化防止ガスの供給源１
９に連結され、電磁弁１８のＯＮ作動時にカバー１５内
へ酸化防止ガスを供給し、このカバー１５内を酸化防止
ガスで満たす。電磁弁１８のＯＦＦ作動時には、ガス配
管１３及びガスノズル１４への酸化防止ガスの供給が停
止される。
した上記ガス配管１３を介して酸化防止ガスの供給源１
９に連結され、電磁弁１８のＯＮ作動時にカバー１５内
へ酸化防止ガスを供給し、このカバー１５内を酸化防止
ガスで満たす。電磁弁１８のＯＦＦ作動時には、ガス配
管１３及びガスノズル１４への酸化防止ガスの供給が停
止される。
【００１４】ここで、リードフレーム１は、銅等の材料
から成るものであり、加熱されるにしたがって酸化の進
行が速くなる。上記酸化防止ガスは、このリードフレー
ム１の酸化を防止するものであり、窒素ガス又は窒素ガ
スに水素ガスを混合したガス等を用いる。カバー１５内
を酸化防止ガスで満たすことにより、リードフレーム搬
送装置１０にて加熱状態で搬送中のリードフレーム１の
酸化が防止される。
から成るものであり、加熱されるにしたがって酸化の進
行が速くなる。上記酸化防止ガスは、このリードフレー
ム１の酸化を防止するものであり、窒素ガス又は窒素ガ
スに水素ガスを混合したガス等を用いる。カバー１５内
を酸化防止ガスで満たすことにより、リードフレーム搬
送装置１０にて加熱状態で搬送中のリードフレーム１の
酸化が防止される。
【００１５】さて、ワイヤボンディング装置等の半導体
製造装置２０のボンディング動作は、例えばワイヤがな
くなる等の異常が発生すると、制御装置２１の停止信号
により、自動停止する（図２）。制御装置２１は、図２
に示すように、この停止信号を出力した時点から所定時
間Ｔ1 経過後にヒータスイッチ１６へＯＦＦ信号を出力
して、ヒータ１２の加熱作動を停止させる。更に、制御
装置２１は、ヒータ１２の加熱作動を停止した時点から
所定時間Ｔ2 経過後に電磁弁１８へＯＦＦ信号を出力し
て、ガスノズル１４からの酸化防止ガスの供給を停止さ
せる。
製造装置２０のボンディング動作は、例えばワイヤがな
くなる等の異常が発生すると、制御装置２１の停止信号
により、自動停止する（図２）。制御装置２１は、図２
に示すように、この停止信号を出力した時点から所定時
間Ｔ1 経過後にヒータスイッチ１６へＯＦＦ信号を出力
して、ヒータ１２の加熱作動を停止させる。更に、制御
装置２１は、ヒータ１２の加熱作動を停止した時点から
所定時間Ｔ2 経過後に電磁弁１８へＯＦＦ信号を出力し
て、ガスノズル１４からの酸化防止ガスの供給を停止さ
せる。
【００１６】制御装置２１は、半導体製造装置２０の通
常稼働時には、ヒータスイッチ１６及び電磁弁１８をＯ
Ｎ作動させて、リードフレーム搬送装置１０にて搬送中
のリードフレーム１をヒータ１２にて加熱し、且つカバ
ー１５内に酸化防止ガスを満たして、搬送中のリードフ
レームの酸化を防止する。
常稼働時には、ヒータスイッチ１６及び電磁弁１８をＯ
Ｎ作動させて、リードフレーム搬送装置１０にて搬送中
のリードフレーム１をヒータ１２にて加熱し、且つカバ
ー１５内に酸化防止ガスを満たして、搬送中のリードフ
レームの酸化を防止する。
【００１７】上記所定時間Ｔ1 を設定したのは、所定時
間Ｔ1 間に半導体製造装置２０が復旧されることを期待
したものであり、この所定時間Ｔ1 を設定しないで、半
導体製造装置２０の停止と同時にヒータ１２の加熱作動
を停止させると、半導体製造装置２０の停止後再稼動の
度に、ヒータ１２がリードフレーム１を良好なボンディ
ング性能が得られる温度ｔB に加熱することができる設
定温度に加熱されるまで待機しなければならないからで
ある。
間Ｔ1 間に半導体製造装置２０が復旧されることを期待
したものであり、この所定時間Ｔ1 を設定しないで、半
導体製造装置２０の停止と同時にヒータ１２の加熱作動
を停止させると、半導体製造装置２０の停止後再稼動の
度に、ヒータ１２がリードフレーム１を良好なボンディ
ング性能が得られる温度ｔB に加熱することができる設
定温度に加熱されるまで待機しなければならないからで
ある。
【００１８】上記所定時間Ｔ2 は、次のようにして設定
される。つまり、リードフレーム１は、温度が低下する
にしたがって酸化の進行が遅くなり、所定温度ｔA 以下
になると大気と接してもほとんど酸化が進行しなくな
る。そこで、ヒータ１２の加熱作動を停止した時点から
リードフレーム１が所定温度ｔA に到達するまでの時間
を測定し、この時間を上記所定時間Ｔ2 とする。
される。つまり、リードフレーム１は、温度が低下する
にしたがって酸化の進行が遅くなり、所定温度ｔA 以下
になると大気と接してもほとんど酸化が進行しなくな
る。そこで、ヒータ１２の加熱作動を停止した時点から
リードフレーム１が所定温度ｔA に到達するまでの時間
を測定し、この時間を上記所定時間Ｔ2 とする。
【００１９】上記実施の形態によれば、次の効果を奏す
る。ヒータ１２の加熱作動停止後所定時間Ｔ2 経過後に
はリードフレーム１の温度が所定温度ｔA 以下に低下し
て、リードフレーム１は酸化されにくくなり、もはやガ
スノズル１４からリードフレーム搬送装置１０内へ酸化
防止ガスを供給する必要がないので、制御装置２１が、
ヒータ１２の加熱作動停止後所定時間Ｔ2 経過時点、即
ちヒータ１２の加熱作動停止後リードフレーム１が所定
温度ｔA 以下となったときに、ガスノズル１４からカバ
ー１５内への酸化防止ガスの供給を停止させることによ
り、酸化防止ガスの消費量を低減できる。この結果、半
導体製造装置２０のランニングコストを削減できる。
る。ヒータ１２の加熱作動停止後所定時間Ｔ2 経過後に
はリードフレーム１の温度が所定温度ｔA 以下に低下し
て、リードフレーム１は酸化されにくくなり、もはやガ
スノズル１４からリードフレーム搬送装置１０内へ酸化
防止ガスを供給する必要がないので、制御装置２１が、
ヒータ１２の加熱作動停止後所定時間Ｔ2 経過時点、即
ちヒータ１２の加熱作動停止後リードフレーム１が所定
温度ｔA 以下となったときに、ガスノズル１４からカバ
ー１５内への酸化防止ガスの供給を停止させることによ
り、酸化防止ガスの消費量を低減できる。この結果、半
導体製造装置２０のランニングコストを削減できる。
【００２０】尚、上記実施の形態において、酸化防止ガ
スの供給停止タイミングをヒータ１２の加熱作動停止後
の経過時間Ｔ2 から得る例で説明したが、リードフレー
ム１の温度を検出し、リードフレーム１の温度が所定温
度ｔA 以下になった時点を酸化防止ガスの供給停止タイ
ミングとしても良い。また、ヒータ１２の温度を検出
し、ヒータ１２の温度からリードフレーム１の温度を間
接的に知り、ヒータ１２の検出温度に基づいて、酸化防
止ガスの供給停止タイミングを得るようにしても良い。
スの供給停止タイミングをヒータ１２の加熱作動停止後
の経過時間Ｔ2 から得る例で説明したが、リードフレー
ム１の温度を検出し、リードフレーム１の温度が所定温
度ｔA 以下になった時点を酸化防止ガスの供給停止タイ
ミングとしても良い。また、ヒータ１２の温度を検出
し、ヒータ１２の温度からリードフレーム１の温度を間
接的に知り、ヒータ１２の検出温度に基づいて、酸化防
止ガスの供給停止タイミングを得るようにしても良い。
【００２１】また、所定時間Ｔ2 経過時点、或いはリー
ドフレーム１が所定温度ｔA 以下になった時点で酸化防
止ガスの供給を停止させる例で説明したが、酸化防止ガ
スは必ずしも停止させる必要はなく、ヒータ１２の加熱
作動時の酸化防止ガスの供給量よりも減少させるように
しても良い。また、所定時間Ｔ2 、又は所定温度ｔAに
到達するまでの時間経過、又は温度降下に合わせて徐々
に酸化防止ガスの供給量を減少させるようにしても良
い。
ドフレーム１が所定温度ｔA 以下になった時点で酸化防
止ガスの供給を停止させる例で説明したが、酸化防止ガ
スは必ずしも停止させる必要はなく、ヒータ１２の加熱
作動時の酸化防止ガスの供給量よりも減少させるように
しても良い。また、所定時間Ｔ2 、又は所定温度ｔAに
到達するまでの時間経過、又は温度降下に合わせて徐々
に酸化防止ガスの供給量を減少させるようにしても良
い。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体製造
装置の酸化防止ガス供給方法によれば、酸化防止ガスの
供給量を制御して、半導体製造装置のランニングコスト
を削減できる。
装置の酸化防止ガス供給方法によれば、酸化防止ガスの
供給量を制御して、半導体製造装置のランニングコスト
を削減できる。
【図１】図１は、本発明に係る半導体製造装置の酸化防
止ガス供給方法の一つの実施の形態を実施するリードフ
レーム搬送装置について一部を切り欠いて示す側面図で
ある。
止ガス供給方法の一つの実施の形態を実施するリードフ
レーム搬送装置について一部を切り欠いて示す側面図で
ある。
【図２】図２は、図１のヒータの加熱と酸化防止ガスの
供給とのタイミングチャートである。
供給とのタイミングチャートである。
１ リードフレーム １０ リードフレーム搬送装置 １２ ヒータ（加熱手段） １３ ガス配管 １４ ガスノズル １５ カバー １６ ヒータスイッチ １８ 電磁弁 ２０ 半導体製造装置 ２１ 制御装置 ｔA 所定温度 Ｔ2 所定時間
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレームを加熱手段にて加熱した
状態で搬送する搬送装置内へ酸化防止ガスを供給して、
上記リードフレームの酸化を防止する半導体製造装置の
酸化防止ガス供給方法において、異常発生時、上記加熱
手段の加熱作動停止後に酸化防止ガスの供給量を減少、
又はその供給を停止することを特徴とする半導体製造装
置の酸化防止ガス供給方法。 - 【請求項２】 上記加熱手段の加熱作動停止後、リード
フレームが所定温度以下になったときに酸化防止ガスの
供給量を減少、又はその供給を停止する請求項１に記載
の半導体製造装置の酸化防止ガス供給方法。 - 【請求項３】 上記加熱手段の加熱作動停止後、所定時
間経過時に酸化防止ガスの供給量を減少、又はその供給
を停止する請求項１に記載の半導体製造装置の酸化防止
ガス供給方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18267796A JPH1012636A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 半導体製造装置の酸化防止ガス供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18267796A JPH1012636A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 半導体製造装置の酸化防止ガス供給方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012636A true JPH1012636A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=16122511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18267796A Withdrawn JPH1012636A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 半導体製造装置の酸化防止ガス供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012636A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100960238B1 (ko) * | 2003-07-02 | 2010-06-01 | 주성엔지니어링(주) | 공정기체 공급장치 |
-
1996
- 1996-06-25 JP JP18267796A patent/JPH1012636A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100960238B1 (ko) * | 2003-07-02 | 2010-06-01 | 주성엔지니어링(주) | 공정기체 공급장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |