JPH10125610A - Ｌｅｄ用エピタキシャルウェハの製造方法 - Google Patents
Ｌｅｄ用エピタキシャルウェハの製造方法Info
- Publication number
- JPH10125610A JPH10125610A JP27903996A JP27903996A JPH10125610A JP H10125610 A JPH10125610 A JP H10125610A JP 27903996 A JP27903996 A JP 27903996A JP 27903996 A JP27903996 A JP 27903996A JP H10125610 A JPH10125610 A JP H10125610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- layer
- gaalas
- gaas substrate
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液相成長法でＧａＡｌＡｓからなるｐｎ接合
を形成した場合、負性抵抗を生じ、ＬＥＤの基本特性を
乱し、特性不良として扱わねばならない。負性抵抗発生
原因の１つとして、Ｔｅをドーパントとしたｎ型ＧａＡ
ｌＡｓ成長における成長初期のＴｅの異常偏析が強く影
響しているものと考えられる。 【解決手段】 ｐ型ＧａＡｓ基板７をｎ型のＧａＡｌＡ
ｓ成長溶液５に接触させて所定厚のｐ型のＧａＡｌＡｓ
エピタキシャル層を成長させ、ｐ型ＧａＡｓ基板７とは
別のＧａＡｓ基板８にＴｅをドープしたｎ型のＧａＡｌ
Ａｓ成長溶液６を接触させ、ＧａＡｓ基板８上にＴｅの
異常偏析層を成長させる。次に、ｐ型ＧａＡｓ基板７を
ｎ型ＧａＡｌＡｓ層成長原料６に接触させれば、異常偏
析層はｐ型ＧａＡｓ基板７には形成されず、負性抵抗の
発生を低減することができる。
を形成した場合、負性抵抗を生じ、ＬＥＤの基本特性を
乱し、特性不良として扱わねばならない。負性抵抗発生
原因の１つとして、Ｔｅをドーパントとしたｎ型ＧａＡ
ｌＡｓ成長における成長初期のＴｅの異常偏析が強く影
響しているものと考えられる。 【解決手段】 ｐ型ＧａＡｓ基板７をｎ型のＧａＡｌＡ
ｓ成長溶液５に接触させて所定厚のｐ型のＧａＡｌＡｓ
エピタキシャル層を成長させ、ｐ型ＧａＡｓ基板７とは
別のＧａＡｓ基板８にＴｅをドープしたｎ型のＧａＡｌ
Ａｓ成長溶液６を接触させ、ＧａＡｓ基板８上にＴｅの
異常偏析層を成長させる。次に、ｐ型ＧａＡｓ基板７を
ｎ型ＧａＡｌＡｓ層成長原料６に接触させれば、異常偏
析層はｐ型ＧａＡｓ基板７には形成されず、負性抵抗の
発生を低減することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＡｌＡｓ（ガ
リウム・アルミ・砒素）を用いたＬＥＤ用エピタキシャ
ルウェハの製造方法に関するものである。
リウム・アルミ・砒素）を用いたＬＥＤ用エピタキシャ
ルウェハの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ基板上にＧａＡｌＡｓのｐｎ接
合（シングルヘテロ接合又はダブルヘテロ接合）を液相
成長法で形成することにより、赤色から赤外領域までの
ＬＥＤ用エピタキシャルウェハが製造されている。その
液相成長において、通常、ｐ型のドーパントにはＺｎ
（亜鉛）、また、ｎ型のドーパントにはＴｅ（テルル）
が用いられている。
合（シングルヘテロ接合又はダブルヘテロ接合）を液相
成長法で形成することにより、赤色から赤外領域までの
ＬＥＤ用エピタキシャルウェハが製造されている。その
液相成長において、通常、ｐ型のドーパントにはＺｎ
（亜鉛）、また、ｎ型のドーパントにはＴｅ（テルル）
が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＬＥＤ
用エピタキシャルウェハによれば、液相成長法で用いる
Ｔｅはｎ型のエピタキシャル層を得るために最も多く使
われるドーパントであるが、成長速度の低下と共に実効
偏析係数が大きくなり、固相に多く取り込まれ易くな
る。このため、同じ成長溶液から連続で成長されたエピ
タキシャル層においては、低温で成長された部分ほどキ
ャリア濃度が高くなるという性質がある。
用エピタキシャルウェハによれば、液相成長法で用いる
Ｔｅはｎ型のエピタキシャル層を得るために最も多く使
われるドーパントであるが、成長速度の低下と共に実効
偏析係数が大きくなり、固相に多く取り込まれ易くな
る。このため、同じ成長溶液から連続で成長されたエピ
タキシャル層においては、低温で成長された部分ほどキ
ャリア濃度が高くなるという性質がある。
【０００４】また、Ｔｅを不純物として含むＧａＡｌＡ
ｓ層の成長用の溶液からｎ型のＧａＡｌＡｓを成長させ
たときのドーピングプロファイルの挙動を観察したとこ
ろ、キャリア濃度はｎ型ＧａＡｌＡｓ層の成長初期にピ
ークを有し、その後は単調に増加することを見出した。
一方、液相成長法でＧａＡｌＡｓからなるｐｎ接合を形
成した場合、エピタキシャルウェハの非常に僅かな領域
に、稀に電流・電圧特性において負性抵抗を示す部分を
生じる。ＬＥＤチップにおいて負性抵抗が発生すると、
ＬＥＤの基本特性に好ましくないばかりか、通常は特性
不良として扱われる。
ｓ層の成長用の溶液からｎ型のＧａＡｌＡｓを成長させ
たときのドーピングプロファイルの挙動を観察したとこ
ろ、キャリア濃度はｎ型ＧａＡｌＡｓ層の成長初期にピ
ークを有し、その後は単調に増加することを見出した。
一方、液相成長法でＧａＡｌＡｓからなるｐｎ接合を形
成した場合、エピタキシャルウェハの非常に僅かな領域
に、稀に電流・電圧特性において負性抵抗を示す部分を
生じる。ＬＥＤチップにおいて負性抵抗が発生すると、
ＬＥＤの基本特性に好ましくないばかりか、通常は特性
不良として扱われる。
【０００５】ＧａＡｌＡｓのｐｎ接合からなるＬＥＤに
おける負性抵抗発生原因の１つとして、Ｔｅをドーパン
トとしたｎ型ＧａＡｌＡｓ成長における成長初期のＴｅ
の異常偏析が強く影響しているものと考えられる。つま
り、Ｔｅを含むｎ型のＧａＡｌＡｓ成長溶液を直接にｐ
型のＧａＡｌＡｓ層に接触させてｎ型のＧａＡｌＡｓ層
を成長させたために、ｐｎ接合のｎ層界面にＴｅの異常
偏析層、すなわち高濃度層が存在すると高濃度の部分は
ｐ型ドーパントの拡散によってもｐ型に反転せず、ｎ型
のままである。ところが、図２に示すように、Ｔｅの高
濃度ピークの両側は低濃度のためにｐ方に反転する。こ
のようにして、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造が形成されるため、
負性抵抗が発生する。
おける負性抵抗発生原因の１つとして、Ｔｅをドーパン
トとしたｎ型ＧａＡｌＡｓ成長における成長初期のＴｅ
の異常偏析が強く影響しているものと考えられる。つま
り、Ｔｅを含むｎ型のＧａＡｌＡｓ成長溶液を直接にｐ
型のＧａＡｌＡｓ層に接触させてｎ型のＧａＡｌＡｓ層
を成長させたために、ｐｎ接合のｎ層界面にＴｅの異常
偏析層、すなわち高濃度層が存在すると高濃度の部分は
ｐ型ドーパントの拡散によってもｐ型に反転せず、ｎ型
のままである。ところが、図２に示すように、Ｔｅの高
濃度ピークの両側は低濃度のためにｐ方に反転する。こ
のようにして、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造が形成されるため、
負性抵抗が発生する。
【０００６】そこで本発明は、負性抵抗を著しく低減し
たＧａＡｌＡｓのｐｎ接合からなるＬＥＤ用エピタキシ
ャルウェハの製造方法を提供することを目的としてい
る。
たＧａＡｌＡｓのｐｎ接合からなるＬＥＤ用エピタキシ
ャルウェハの製造方法を提供することを目的としてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明は、ｐ型のＧａＡｓ基板上に液相成長法
により１乃至２層のｐ型のＧａＡｌＡｓ層を成長させ、
引き続いてこの表面にＴｅをドーパントにしたｎ型のＧ
ａＡｌＡｓ層をエピタキシャル成長させた構造のＬＥＤ
用エピタキシャルウェハを製造するＬＥＤ用エピタキシ
ャルウェハの製造方法において、前記ｐ型ＧａＡｓ基板
にｐ型のＧａＡｌＡｓ成長溶液を接触させて所定厚のｐ
型のＧａＡｌＡｓエピタキシャル層を成長させ、前記ｐ
型ＧａＡｓ基板とは別のＧａＡｓ基板にＴｅをドープし
たｎ型のＧａＡｌＡｓ成長溶液に接触させて、前記別の
ＧａＡｓ基板上にＴｅの異常偏析層を成長させ、前記別
のＧａＡｓ基板に引き続いて前記ｐ型のＧａＡｌＡｓエ
ピタキシャル層に前記ｎ型のＧａＡｌＡｓ成長溶液を接
触させ、そのｐ型のＧａＡｌＡｓエピタキシャル層上に
所定厚のｎ型のＧａＡｌＡｓ層を成長させるようにして
いる。
めに、この発明は、ｐ型のＧａＡｓ基板上に液相成長法
により１乃至２層のｐ型のＧａＡｌＡｓ層を成長させ、
引き続いてこの表面にＴｅをドーパントにしたｎ型のＧ
ａＡｌＡｓ層をエピタキシャル成長させた構造のＬＥＤ
用エピタキシャルウェハを製造するＬＥＤ用エピタキシ
ャルウェハの製造方法において、前記ｐ型ＧａＡｓ基板
にｐ型のＧａＡｌＡｓ成長溶液を接触させて所定厚のｐ
型のＧａＡｌＡｓエピタキシャル層を成長させ、前記ｐ
型ＧａＡｓ基板とは別のＧａＡｓ基板にＴｅをドープし
たｎ型のＧａＡｌＡｓ成長溶液に接触させて、前記別の
ＧａＡｓ基板上にＴｅの異常偏析層を成長させ、前記別
のＧａＡｓ基板に引き続いて前記ｐ型のＧａＡｌＡｓエ
ピタキシャル層に前記ｎ型のＧａＡｌＡｓ成長溶液を接
触させ、そのｐ型のＧａＡｌＡｓエピタキシャル層上に
所定厚のｎ型のＧａＡｌＡｓ層を成長させるようにして
いる。
【０００８】この方法によれば、一度、別途用意したＧ
ａＡｓ基板にＴｅを含むｎ型のＧａＡｌＡｓ成長溶液を
接触させてｎ型のＧａＡｌＡｓ層を成長させたため、ｎ
型のＧａＡｌＡｓ層の成長初期に現れるＴｅの異常偏析
は、別途設けたＧａＡｓ基板に生じるため、その後、ｐ
型のＧａＡｌＡｓ層にＴｅを含むｎ型のＧａＡｌＡｓ成
長溶液を接触させても異常偏析は生じない。したがっ
て、負性抵抗は生じなくなる。更に、図３を参照して説
明すると、ｐ−ｎ接合のｎ層界面にＴｅの高濃度層が存
在しないため、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造は形成されない。こ
の結果、負性抵抗は生じない。
ａＡｓ基板にＴｅを含むｎ型のＧａＡｌＡｓ成長溶液を
接触させてｎ型のＧａＡｌＡｓ層を成長させたため、ｎ
型のＧａＡｌＡｓ層の成長初期に現れるＴｅの異常偏析
は、別途設けたＧａＡｓ基板に生じるため、その後、ｐ
型のＧａＡｌＡｓ層にＴｅを含むｎ型のＧａＡｌＡｓ成
長溶液を接触させても異常偏析は生じない。したがっ
て、負性抵抗は生じなくなる。更に、図３を参照して説
明すると、ｐ−ｎ接合のｎ層界面にＴｅの高濃度層が存
在しないため、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造は形成されない。こ
の結果、負性抵抗は生じない。
【０００９】前記Ｔｅの異常偏析層は、２〜５μｍの厚
みに形成している。この方法によれば、ｎ型のＧａＡｌ
Ａｓ層の成長初期に現れるＴｅの異常偏析層は別途設け
たダミーのＧａＡｓ基板に生じるため、Ｔｅをドープし
たｎ型のＧａＡｌＡｓ成長溶液にｐ型ＧａＡｓ基板を接
触させても異常偏析層は生ぜず、負性抵抗の発生は著し
く低減される。異常偏析層の厚みは、２〜５μｍで十分
である。
みに形成している。この方法によれば、ｎ型のＧａＡｌ
Ａｓ層の成長初期に現れるＴｅの異常偏析層は別途設け
たダミーのＧａＡｓ基板に生じるため、Ｔｅをドープし
たｎ型のＧａＡｌＡｓ成長溶液にｐ型ＧａＡｓ基板を接
触させても異常偏析層は生ぜず、負性抵抗の発生は著し
く低減される。異常偏析層の厚みは、２〜５μｍで十分
である。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を基に説
明する。図１は本発明によるＬＥＤ用エピタキシャルウ
ェハの製造方法の工程を示す説明図である。ここでは、
液相成長に成長治具を用いており、これを図１において
は断面図で表している。成長治具は、複数箇所にｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓ層成長原料５（溶液）及びＴｅを含むｎ型Ｇ
ａＡｌＡｓ層成長原料６（溶液）を貯留する成長溶液溜
１、この成長溶液溜１の下部に配置され、所定位置にｐ
型ＧａＡｓ基板７及びＧａＡｓ基板８がセットされた基
板保持部２、この基板保持部２を水平移動させるための
石英操作棒３、基板保持部２及び成長溶液溜１を載置す
る架台４を備えて構成され、これらは液相成長装置に挿
入して用いられる。
明する。図１は本発明によるＬＥＤ用エピタキシャルウ
ェハの製造方法の工程を示す説明図である。ここでは、
液相成長に成長治具を用いており、これを図１において
は断面図で表している。成長治具は、複数箇所にｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓ層成長原料５（溶液）及びＴｅを含むｎ型Ｇ
ａＡｌＡｓ層成長原料６（溶液）を貯留する成長溶液溜
１、この成長溶液溜１の下部に配置され、所定位置にｐ
型ＧａＡｓ基板７及びＧａＡｓ基板８がセットされた基
板保持部２、この基板保持部２を水平移動させるための
石英操作棒３、基板保持部２及び成長溶液溜１を載置す
る架台４を備えて構成され、これらは液相成長装置に挿
入して用いられる。
【００１１】まず、図１の（ａ）に示すように、ｐ型Ｇ
ａＡｌＡｓ層成長原料５とｎ型ＧａＡｌＡｓ層成長原料
６を成長溶液溜１にセットし、基板保持部２にｐ型Ｇａ
Ａｓ基板７及びＧａＡｓ基板８をセットする。ついで、
成長治具を水素雰囲気中に置かれた液相成長装置に挿入
した後、９００℃に昇温する。この状態を４時間保持し
た後、０．３℃／min の速度で成長系を徐冷する。
ａＡｌＡｓ層成長原料５とｎ型ＧａＡｌＡｓ層成長原料
６を成長溶液溜１にセットし、基板保持部２にｐ型Ｇａ
Ａｓ基板７及びＧａＡｓ基板８をセットする。ついで、
成長治具を水素雰囲気中に置かれた液相成長装置に挿入
した後、９００℃に昇温する。この状態を４時間保持し
た後、０．３℃／min の速度で成長系を徐冷する。
【００１２】その後、８９５℃に達した時点で、図１の
（ｂ）に示すように、石英操作棒３により基板保持部２
を図の右方向へ移動させ、ｐ型ＧａＡｌＡｓ層成長原料
５の真下にｐ型ＧａＡｓ基板７をセットし、成長を開始
させる。この状態で８５０℃まで徐冷しながらｐ型Ｇａ
ＡｌＡｓ層を成長する。ついで、図１の（ｃ）に示すよ
うに、石英操作棒３により基板保持部２を更に図の右側
に移動させ、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層成長原料６の真下にＧ
ａＡｓ基板８を位置決めし、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層成長原
料６にＧａＡｓ基板８を接触させる。この状態で８４５
℃まで保持し、約３μｍの厚さの膜を成長させる。
（ｂ）に示すように、石英操作棒３により基板保持部２
を図の右方向へ移動させ、ｐ型ＧａＡｌＡｓ層成長原料
５の真下にｐ型ＧａＡｓ基板７をセットし、成長を開始
させる。この状態で８５０℃まで徐冷しながらｐ型Ｇａ
ＡｌＡｓ層を成長する。ついで、図１の（ｃ）に示すよ
うに、石英操作棒３により基板保持部２を更に図の右側
に移動させ、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層成長原料６の真下にＧ
ａＡｓ基板８を位置決めし、ｎ型ＧａＡｌＡｓ層成長原
料６にＧａＡｓ基板８を接触させる。この状態で８４５
℃まで保持し、約３μｍの厚さの膜を成長させる。
【００１３】この後、石英操作棒３を操作し、基板保持
部２を図１の（ｄ）に示すように移動させ、ｐ型ＧａＡ
ｌＡｓ層を成長済みのｐ型ＧａＡｓ基板７をｎ型ＧａＡ
ｌＡｓ層成長原料６に接触させる。この状態でｐ型Ｇａ
Ａｓ基板７上にｎ型ＧａＡｌＡｓ層を約４０μｍの厚み
になるまで成長させる。この後、基板保持部２は外部に
取り出される。
部２を図１の（ｄ）に示すように移動させ、ｐ型ＧａＡ
ｌＡｓ層を成長済みのｐ型ＧａＡｓ基板７をｎ型ＧａＡ
ｌＡｓ層成長原料６に接触させる。この状態でｐ型Ｇａ
Ａｓ基板７上にｎ型ＧａＡｌＡｓ層を約４０μｍの厚み
になるまで成長させる。この後、基板保持部２は外部に
取り出される。
【００１４】なお、図１では基板を水平に装着して成長
を行うものとしたが、基板を垂直にセットして成長を行
うようにしてもよい。
を行うものとしたが、基板を垂直にセットして成長を行
うようにしてもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明は、製品とし
て採用するｐ型ＧａＡｓ基板の他に別途ＧａＡｓ基板を
用意し、この基板にＴｅをドープしたｎ型ＧａＡｌＡｓ
層成長溶液を接触させてｎ型のＧａＡｌＡｓ層の成長初
期に現れるＴｅの異常偏析を別途設けたＧａＡｓ基板に
生じさせ、その後に製品となるｐ型ＧａＡｓ基板をｎ型
ＧａＡｌＡｓ層成長溶液を接触させるようにしたので、
ｐ型ＧａＡｓ基板にはＴｅの異常偏析層は成長されず、
異常偏析が生じない。したがって、負性抵抗は生じなく
なる。
て採用するｐ型ＧａＡｓ基板の他に別途ＧａＡｓ基板を
用意し、この基板にＴｅをドープしたｎ型ＧａＡｌＡｓ
層成長溶液を接触させてｎ型のＧａＡｌＡｓ層の成長初
期に現れるＴｅの異常偏析を別途設けたＧａＡｓ基板に
生じさせ、その後に製品となるｐ型ＧａＡｓ基板をｎ型
ＧａＡｌＡｓ層成長溶液を接触させるようにしたので、
ｐ型ＧａＡｓ基板にはＴｅの異常偏析層は成長されず、
異常偏析が生じない。したがって、負性抵抗は生じなく
なる。
【図１】本発明によるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの
製造方法の工程を示す説明図である。
製造方法の工程を示す説明図である。
【図２】従来方法におけるエピタキシャル層の厚さとキ
ャリア濃度の関係を示す特性図である。
ャリア濃度の関係を示す特性図である。
【図３】本発明方法におけるエピタキシャル層の厚さと
キャリア濃度の関係を示す特性図である。
キャリア濃度の関係を示す特性図である。
１ 成長溶液溜 ２ 基板保持部 ３ 石英操作棒 ５ ｐ型ＧａＡｌＡｓ層成長原料 ６ Ｔｅを含むｎ型ＧａＡｌＡｓ層成長原料 ７ ｐ型ＧａＡｓ基板 ８ ＧａＡｓ基板
Claims (2)
- 【請求項１】 ｐ型のＧａＡｓ基板上に液相成長法によ
り１乃至２層のｐ型のＧａＡｌＡｓ層を成長させ、引き
続いてこの表面にＴｅをドーパントにしたｎ型のＧａＡ
ｌＡｓ層をエピタキシャル成長させた構造のＬＥＤ用エ
ピタキシャルウェハを製造するＬＥＤ用エピタキシャル
ウェハの製造方法において、 前記ｐ型ＧａＡｓ基板にｐ型のＧａＡｌＡｓ成長溶液を
接触させて所定厚のｐ型のＧａＡｌＡｓエピタキシャル
層を成長させ、 前記ｐ型ＧａＡｓ基板とは別のＧａＡｓ基板にＴｅをド
ープしたｎ型のＧａＡｌＡｓ成長溶液に接触させて、前
記別のＧａＡｓ基板上にＴｅの異常偏析層を成長させ、 前記別のＧａＡｓ基板に引き続いて前記ｐ型のＧａＡｌ
Ａｓエピタキシャル層に前記ｎ型のＧａＡｌＡｓ成長溶
液を接触させ、そのｐ型のＧａＡｌＡｓエピタキシャル
層上に所定厚のｎ型のＧａＡｌＡｓ層を成長させること
を特徴とするＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方
法。 - 【請求項２】 前記Ｔｅの異常偏析層は、２〜５μｍの
厚みに形成することを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ
用エピタキシャルウェハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27903996A JPH10125610A (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | Ｌｅｄ用エピタキシャルウェハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27903996A JPH10125610A (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | Ｌｅｄ用エピタキシャルウェハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125610A true JPH10125610A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17605552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27903996A Pending JPH10125610A (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | Ｌｅｄ用エピタキシャルウェハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125610A (ja) |
-
1996
- 1996-10-22 JP JP27903996A patent/JPH10125610A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2792785B2 (ja) | 半導体デバイスおよびその製造方法 | |
| US5659188A (en) | Capped anneal | |
| US20110012175A1 (en) | Semiconductor wafer, semiconductor wafer manufacturing method, and electronic device | |
| US20080296619A1 (en) | Adhesive bonding with low temperature grown amorphous or polycrystalline compound semiconductors | |
| US4960728A (en) | Homogenization anneal of II-VI compounds | |
| EP0430562B1 (en) | Semiconductor heterostructure and method of producing the same | |
| KR100296094B1 (ko) | 갈륨인화물녹색발광장치 | |
| US4904618A (en) | Process for doping crystals of wide band gap semiconductors | |
| RU2297690C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры на основе соединений a3b5 методом жидкофазной эпитаксии | |
| JPH08335715A (ja) | エピタキシャルウエハおよびその製造方法 | |
| JPH05175150A (ja) | 化合物半導体及びその製造方法 | |
| EP0704914B1 (en) | Light emitting device | |
| US5183776A (en) | Heteroepitaxy by growth of thermally strained homojunction superlattice buffer layers | |
| EP0516162A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JPH10125610A (ja) | Ｌｅｄ用エピタキシャルウェハの製造方法 | |
| JPH08139358A (ja) | エピタキシャルウエーハ | |
| RU2744350C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ p-i-n СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ GaAs-AlGaAs МЕТОДОМ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ | |
| JPH09205101A (ja) | バイポーラトランジスタの作製方法 | |
| JP2555885B2 (ja) | ゲルマニウム・砒化ガリウム接合の製造方法 | |
| Lee et al. | Rapid thermal annealing of Be+‐implanted In0. 52Al0. 48As | |
| JP2841849B2 (ja) | エピタキシャルウェハの製造方法 | |
| JP2920923B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09293854A (ja) | 高濃度ドープ半導体およびその製造方法 | |
| JPH0550155B2 (ja) | ||
| JPS63304617A (ja) | 化合物半導体結晶の成長方法 |