JPH10123540A

JPH10123540A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH10123540A
Application number: JP28365696A
Authority: JP
Inventors: Masamitsu Furuya; 政光古家
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-10-25
Filing date: 1996-10-25
Publication date: 1998-05-15

Abstract

(57)【要約】【課題】封止材あるいはシール材中の汚染物質に起因す
る液晶の汚染を抑制し、表示むら不良の発生を低減す
る。【解決手段】液晶表示パネルＰＮＬのマトリクス部ＡＲ
と、封止材ＥＳＬおよびシール材ＳＬの全周との間に、
マトリクス部ＡＲを構成する各種膜の一部からなる汚染
物質拡散抑制用の土手ＢＮＫを設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、それぞれ対向面に
複数の膜を設けた２枚の透明絶縁基板を所定の間隙を隔
てて重ね合わせ、両基板間に液晶を封入してなる液晶表
示素子を有する液晶表示装置に係り、特に、表示品質を
向上させる技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブ・マトリクス方式の液晶表示
装置は、マトリクス状に配列された複数の画素電極のそ
れぞれに対応して非線形素子（スイッチング素子）を設
けたものである。各画素における液晶は理論的には常時
駆動（デューティ比 1.0）されているので、時分割駆動
方式を採用している、いわゆる単純マトリクス方式と比
べてアクティブ方式はコントラストが良く、特にカラー
液晶表示装置では欠かせない技術となりつつある。スイ
ッチング素子として代表的なものとしては薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）がある。

【０００３】なお、薄膜トランジスタを使用したアクテ
ィブ・マトリクス方式の液晶表示装置は、例えば特開昭
６３−３０９９２１号公報や、「冗長構成を採用した1
2.5型アクティブ・マトリクス方式カラー液晶ディスプ
レイ」、日経エレクトロニクス、頁193〜210、1986年12
月15日、日経マグロウヒル社発行、で知られている。

【０００４】液晶表示装置（すなわち、液晶表示モジュ
ール）は、例えば、表示用の透明画素電極と配向膜等を
それぞれ積層した面が対向するように所定の間隙を隔て
て２枚のガラス等からなる透明絶縁基板を重ね合わせ、
該両基板間の周縁部に枠状（ロの字状）に設けた例えば
熱硬化型エポキシ樹脂からなるシール材により、両基板
を貼り合わせると共に、シール材の一部の切り欠け部で
ある液晶封入口から両基板間のシール材の内側に液晶を
注入し、該封入口を光硬化型樹脂からなる封止材により
封止し、さらに両基板の外側に偏光板を設けてなる液晶
表示パネル（すなわち、液晶表示素子、ＬＣＤ：リキッ
ドクリスタルディスプレイ(Liquid Crystal Displa
y)）と、液晶表示パネルの下に配置され、液晶表示パネ
ルに光を供給するバックライトと、液晶表示パネルの外
周部の外側に配置した液晶駆動用回路基板と、バックラ
イトを収納、保持するプラスチックモールド成型品であ
る下側ケースと、前記各部材を収納し、表示窓があけら
れた金属製シールドケース等で構成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示装置に
おいては、２枚の透明絶縁基板を貼り合わせている熱硬
化型エポキシ樹脂等からなる枠状のシール材、およびシ
ール材の一部にある封入口を封止する光硬化型樹脂等か
らなる封止材が、液晶と接触しているため、これらの樹
脂から溶け出した汚染物質により液晶が汚染され、液晶
の比抵抗や配向状態が部分的に変化し、表示むら不良が
発生する問題がある。

【０００６】この問題を解決するため、従来、液晶の最
大の汚染源である封止材によって封止される封入口の大
きさを小さくすることや、表示部と封入口との間に、シ
ール材を用いて土手を形成することが提案された。しか
し、封入口を小さくしたり、シール材からなる土手を形
成したりすると、液晶を注入する速度が下がり、スルー
プットが低下する問題が生じる。また、シール材からな
る土手は、それ自体が液晶の汚染源である。さらに、最
近、液晶表示モジュールの表示画面の周囲のいわゆる額
縁部の面積の縮小化により、シール材で土手を形成する
スペースがなくなってきている。

【０００７】本発明の目的は、封止材あるいはシール材
中の汚染物質に起因する液晶の汚染を抑制し、表示むら
不良の発生を低減することができる液晶表示装置を提供
することにある。

【０００８】また、本発明の別の目的は、液晶の注入速
度の低下を避けることができ、土手自体が汚染源となら
ず、かつ、土手を形成するスペースが小さくて済む汚染
物質（あるいは汚染液晶）拡散抑制用の土手を有する液
晶表示装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、複数の膜をそれぞれ面上に積層した２枚
の透明絶縁基板を、前記膜を設けた面が対向するように
所定の間隙を隔てて重ね合わせ、前記両基板間の縁周囲
に枠状に設けたシール材により、前記両基板を貼り合わ
せ、前記シール材の一部に設けた封入口から前記両基板
間の前記シール材の内側に液晶を注入し、前記封入口を
封止材により封止した液晶表示素子を有する液晶表示装
置において、前記液晶表示素子の表示領域と、前記封止
材、前記シール材の少なくとも一方との間に、前記膜の
少なくとも一部からなる土手を設けたことを特徴とす
る。

【００１０】また、前記土手を、前記表示領域と、前記
封止材および前記シール材の全周との間に配置したこと
を特徴とする。

【００１１】また、前記土手を、前記表示領域と、前記
封止材との間のみに配置したことを特徴とする。

【００１２】また、前記土手が、前記２枚の透明絶縁基
板の両者に形成された膜からなり、該土手を形成する前
記両基板の膜どうしが密着していることを特徴とする。

【００１３】また、前記土手が、前記２枚の透明絶縁基
板の両者に形成された膜からなり、該土手を形成する前
記両基板の膜どうしの間に間隙が存在することを特徴と
する。

【００１４】さらに、前記土手が、前記２枚の透明絶縁
基板の一方に形成された膜のみからなることを特徴とす
る。

【００１５】本発明では、液晶表示素子の表示領域と、
封止材あるいはシール材との間に、マトリクス部を構成
する膜の少なくとも一部を利用して、すなわち、これら
の膜と同一の形成工程で同層を用いて汚染物質（あるい
は汚染液晶）拡散抑制用の土手を設けたことにより、封
止材あるいはシール材から発生する汚染物質で汚染され
た液晶が表示領域の方へ拡散するのが該土手により抑制
され、液晶の汚染に起因する表示むら不良の発生を低減
することができる。

【００１６】また、本発明による土手は、マトリクス部
を構成する膜を利用して形成するので、土手自体が汚染
源とならない。また、ホトリソグラフィ工程およびエッ
チング工程により形成するので、数十μｍ程度の幅に加
工形成することが可能であり、土手を形成するスペース
が小さくて済む。さらに、本発明において、土手どう
し、あるいは土手と基板とを密着させない場合は、液晶
が通過できるすき間が形成されるため、液晶注入時で
は、液晶セルが膨らみ、液晶の注入の妨げとならず、液
晶の注入速度の低下を避けることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する
図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。

【００１８】《アクティブ・マトリクス液晶表示装置》
以下、本発明を適用したアクティブ・マトリクス方式の
カラー液晶表示装置について詳細に説明する。

【００１９】《マトリクス部の概要》図７は本発明が適
用されるアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示装
置の一画素とその周辺を示す平面図、図８はマトリクス
の画素部、すなわち、図７の８ｂ−８ｂ切断線における
断面を中央（ｂ）にして、左側（ａ）に液晶表示パネル
（すなわち、液晶表示素子。ＬＣＤ）の角付近、すなわ
ち、図９の１０−１０切断線における断面と、右側
（ｃ）に映像信号駆動回路が接続されるべき映像信号端
子部（外部接続端子ＤＴＭ）付近の断面を示す図であ
る。

【００２０】図７に示すように、各画素は隣接する２本
の走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬ
と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または
垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲ま
れた領域内）に配置されている。各画素は薄膜トランジ
スタＴＦＴ、透明画素電極ＩＴＯ１および保持容量素子
Ｃaddを含む。走査信号線ＧＬは図では左右方向に延在
し、上下方向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬ
は上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されてい
る。

【００２１】図８に示すように、液晶層ＬＣを基準にし
て下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタ
ＴＦＴおよび透明画素電極ＩＴＯ１が形成され、上部透
明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮
光用ブラックマトリクスパターンＢＭが形成されてい
る。透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の両面にはディ
ップ処理等によって形成された酸化シリコン膜ＳＩＯが
設けられている。

【００２２】上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の内側（液晶
ＬＣ側）の表面には、遮光膜ＢＭ、カラーフィルタＦＩ
Ｌ、保護膜ＰＳＶ２、共通透明画素電極ＩＴＯ２（ＣＯ
Ｍ）および上部配向膜ＯＲＩ２が順次積層して設けられ
ている。

【００２３】《マトリクス周辺の概要》図１（または図
３）は上下のガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２を含む液晶
表示パネルＰＮＬのマトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面
を、図９は図８の液晶表示パネルの左上角部に対応する
シール部ＳＬ付近の拡大平面を示す図である。また、前
述のように、図８は、左側（ａ）に走査回路が接続され
るべき外部接続端子ＧＴＭ付近の断面を、右側（ｂ）に
外部接続端子が無いところのシール部付近の断面を示す
図である。

【００２４】このパネルの製造では、小さいサイズであ
ればスループット向上のため１枚のガラス基板で複数個
分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサイ
ズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化さ
れた大きさのガラス基板を加工してから各品種に合った
サイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経て
からガラスを切断する。図１、図３、図９は後者の例を
示すもので、図１、図３は上下基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２
の切断後を、図９は切断前を表しており、ＬＮは両基板
の切断前の縁を、ＣＴ１とＣＴ２はそれぞれ基板ＳＵＢ
１、ＳＵＢ２の切断すべき位置を示す。いずれの場合
も、完成状態では外部接続端子群Ｔｇ、Ｔｄ（添字略）
が存在する（図で上下辺と左辺の）部分はそれらを露出
するように上側基板ＳＵＢ２の大きさが下側基板ＳＵＢ
１よりも内側に制限されている。端子群Ｔｇ、Ｔｄはそ
れぞれ後述する走査回路接続用端子ＧＴＭ、映像信号回
路接続用端子ＤＴＭとそれらの引出配線部を集積回路チ
ップＣＨＩが搭載されたテープキャリアパッケージＴＣ
Ｐ（図１４参照）の単位に複数本まとめて名付けたもの
である。Ｔｄ（ｏ）は、奇数番目の端子群、Ｔｄ（ｅ）
は、偶数番目の端子群である。各群のマトリクス部から
外部接続端子部に至るまでの引出配線は、両端に近づく
につれ傾斜している。これは、パッケージＴＣＰの配列
ピッチおよび各パッケージＴＣＰにおける接続端子ピッ
チに表示パネルＰＮＬの端子ＤＴＭ、ＧＴＭを合わせる
ためである。

【００２５】透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に
はその縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣ
を封止するようにシールパターンＳＬが形成される。シ
ール材は例えばエポキシ樹脂からなる。上部透明ガラス
基板ＳＵＢ２側の共通透明画素電極ＩＴＯ２は、少なく
とも一箇所において、本例では少なくともパネルの４角
で銀ペースト材ＡＧＰによって下部透明ガラス基板ＳＵ
Ｂ１側に形成されたその引出配線ＩＮＴに接続されてい
る。この引出配線ＩＮＴは後述するゲート端子ＧＴＭ、
ドレイン端子ＤＴＭと同一製造工程で形成される。

【００２６】配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２、透明画素電極
ＩＴＯ１、共通透明画素電極ＩＴＯ２、それぞれの層
は、シールパターンＳＬの内側に形成される。偏光板Ｐ
ＯＬ１、ＰＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ
１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に形成さ
れている。液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部配
向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパタ
ーンＳＬで仕切られた領域に封入されている。下部配向
膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜Ｐ
ＳＶ１の上部に形成される。

【００２７】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２
側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの開口
部ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪをエポキ
シ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって
組み立てられる。

【００２８】《液晶の封入》液晶表示セル内に液晶を封
入（充填）するには、以下のように行なう。まず、液晶
を封入すべき空の液晶表示セルと、液晶を入れた液晶ボ
ート（容器）とを減圧容器内に入れ、該容器内の雰囲気
を０．１Ｔｏｒｒあるいはそれ以下の圧力に十分減圧す
る。次いで、液晶表示セルの液晶封入口を液晶ボート内
の液晶に接触させた後、減圧容器内の雰囲気をゆっくり
と大気圧にもどす（この工程をリークと称す）。このと
き、液晶ボート内の液晶は、液晶表示セルの内外の圧力
差により、液晶表示セル内に吸入されていく。ワードプ
ロセッサやパーソナルコンピュータのディスプレイ（表
示装置）に使用されている大型液晶表示セルの場合、液
晶の封入、封止工程は、液晶表示セルの厚さを制御する
上で重要である。

【００２９】すなわち、液晶封入前の大型液晶表示セル
は、液晶表示セルを構成する２枚のガラス基板固有のそ
りやうねり、あるいは該基板の縁周囲に設けたシール材
の硬化後の該シール材のひずみ等の影響により、かなり
の凹凸を有している。図４、図５はこのような大型液晶
表示セルの液晶封入時の様子を示す図である。

【００３０】図４は前述のように減圧容器（図示省略）
内の雰囲気を大気圧にもどすときに、液晶が液晶表示セ
ル内に入っていく様子を一定時間ごとの液晶の先端部の
形状で示した図である。

【００３１】ＬＣＣは液晶表示セル、ＳＵＢ１、ＳＵＢ
２は液晶表示セルＬＣＣを構成する透明ガラス基板、Ｓ
Ｌは液晶表示セルＬＣＣのシール材、ＩＮＪは液晶封入
口、ＬＣＢは液晶ボート、ＬＣは液晶ボートＬＣＢに入
れられた液晶、ＬＣＦは液晶表示セルＬＣＣ内に入って
いく一定時間ごとの液晶の先端部である。

【００３２】図５（ａ）〜（ｇ）は液晶封入過程におけ
る液晶表示セルの厚さ（以下、セル厚と称す）の変化の
様子を示す液晶表示セルの縦断面図である。

【００３３】ＳＰは液晶表示セルＬＣＣ内に分散された
両基板間のギャップ調整用のスペーサである。（ａ）は
減圧容器内で減圧（脱気）を完了したとき、（ｂ）は液
晶表示セルＬＣＣの液晶封入口ＩＮＪを液晶ボートＬＣ
Ｂの液晶ＬＣに接触（ディップ）させたとき、（ｃ）は
減圧容器内をゆっくり大気圧にもどし始めた直後（リー
ク開始）、（ｄ）は液晶ＬＣが液晶表示セルＬＣＣ全体
の半分程度まで入ったとき、（ｅ）は液晶ＬＣがちょう
ど液晶表示セルＬＣＣ全体に入ったとき、（ｆ）は
（ｅ）からさらに数分経過したとき、（ｇ）は（ｆ）か
らさらに数時間経過したときの状態をそれぞれ表わして
いる。

【００３４】（ａ）、（ｂ）の時点では、液晶表示セル
ＬＣＣは前述のようにかなりの凹凸を有している。しか
し、（ｃ）のように液晶封入口ＩＮＪを液晶ＬＣにより
閉じ、減圧容器内のリークを開始すると、（ｃ）に示す
ように、液晶表示セルＬＣＣ内外の圧力差により、ガラ
ス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の歪みは矯正され、液晶表示
セルＬＣＣ全体にわたってセル厚が均一となる。このと
きのセル厚は液晶表示セルＬＣＣ内に分散されているス
ペーサＳＰの粒径や分散密度（単位面積当たりの粒子
数）等に依存する。液晶表示セルＬＣＣ内への液晶ＬＣ
の充填が完了する（ｅ）の時点まで、セル厚がほぼ同一
の均一な状態が維持される。スペーサＳＰにポリマビー
ズを用いた場合、（ｃ）〜（ｅ）の時点では、スペーサ
ＳＰは液晶表示セルＬＣＣ内外の圧力差により弾性変形
している。このため、（ｅ）の液晶充填完了後も、スペ
ーサＳＰの復元力により液晶ＬＣの吸入が継続され、セ
ル厚は均一な状態のまま、徐々に増加していく（（ｆ）
の時点）。さらに、そのまま放置すると、ガラス基板Ｓ
ＵＢ１、２の復元力により液晶ＬＣが吸入され、
（ａ）、（ｂ）の時点で生じていた凹凸が復元されてく
る。

【００３５】《汚染物質拡散抑制用の土手ＢＮＫ》実施の形態１図１は、本発明の実施の形態１における透明ガラス基板
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２からなる液晶表示パネルＰＮＬのマ
トリクスＡＲ周辺部の構成を説明する平面図、図２は、
図１の２−２切断線における断面図である。

【００３６】液晶表示パネルＰＮＬを構成する２枚の透
明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間には、その縁に沿
って、液晶封入口ＩＮＪを除き、シール材ＳＬが形成さ
れている。シール材ＳＬは、例えば熱硬化型のエポキシ
樹脂からなる。また、封入口ＩＮＪは、封止材ＥＳＬに
よって封止されている。封止材ＥＳＬは、例えば紫外線
硬化型のアクリル樹脂からなる。

【００３７】図８に示すように、配向膜ＯＲＩ１、ＯＲ
Ｉ２、透明画素電極ＩＴＯ１、共通透明画素電極ＩＴＯ
２の各層は、シール材ＳＬの外郭パターンの内側に形成
されている。偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２は、それぞれ下
部透明ガラス基板ＳＵＢ１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ
２の外側の表面に貼り付けられている。液晶ＬＣは、液
晶分子の向きを設定する下部配向膜ＯＲＩ１と上部配向
膜ＯＲＩ２との間でシール材ＳＬで仕切られた領域に封
入され、封止材ＥＳＬによって封止されている。下部配
向膜ＯＲＩ１は、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護
膜ＰＳＶ１の上層に形成されている。

【００３８】本実施の形態では、図１に示すように、封
止材ＥＳＬやシール材ＳＬからの汚染物質（あるいは汚
染液晶）拡散抑制用の土手ＢＮＫは、マトリクス部ＡＲ
（すなわち、表示領域）と、封止材ＥＳＬおよびシール
材ＳＬの全周との間に形成してある。この土手ＢＮＫの
断面構造は、図２に示すように、下部透明ガラス基板Ｓ
ＵＢ１側は、導電膜ｇ２、絶縁膜ＧＩ、ｉ型半導体層Ａ
Ｓ、導電膜ｄ２、ｄ３、および保護膜ＰＳＶ１で構成さ
れ、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側は、遮光膜ＢＭ、赤
色カラーフィルタＦＩＬ（Ｒ）、保護膜ＰＳＶ２、およ
び共通透明画素電極ＩＴＯ２で構成されている。土手Ｂ
ＮＫを構成するこれらの膜は、マトリクス部ＡＲで使用
されている膜、すなわち、これらの膜と同一の形成工程
で同層を用いて形成するので、土手ＢＮＫを形成するの
に、工程数が増えることはない。土手ＢＮＫは、図２に
示すように、基板の厚さ方向に突起状に形成されている
ので、マトリクス部ＡＲと、封止材ＥＳＬおよびシール
材ＳＬの全周とを隔離することができ、シール材ＳＬお
よび封止材ＥＳＬから溶け出した汚染物質で汚染された
液晶がマトリクス部ＡＲへ拡散しにくくなっている。し
たがって、シール材ＳＬおよび封止材ＥＳＬによる液晶
層ＬＣの汚染に起因する表示むらの発生を低減すること
ができ、表示品質を向上することができる。

【００３９】前述のように、従来、土手をシール材ＳＬ
で形成することが提案されたが、これに比較してマトリ
クス部ＡＲを構成する膜を利用した本実施の形態による
土手ＢＮＫの優れている点は以下の３点である。

【００４０】シール材ＳＬからなる土手は液晶の汚染
源となるが、本実施の形態による土手ＢＮＫはマトリク
ス部ＡＲを構成する膜を利用して形成するので、汚染源
とならない。

【００４１】シール材ＳＬからなる土手の幅は、０．
５〜１．５ｍｍ程度以下に形成するのが困難であるが、
本実施の形態による土手ＢＮＫは、マトリクス部ＡＲを
構成する膜を利用し、ホトリソグラフィ工程およびエッ
チング工程により形成するので、数十μｍ程度の幅に加
工形成することが可能であり、表示画面の周囲のいわゆ
る額縁部の面積の縮小化に有利である。

【００４２】シール材ＳＬで土手を形成した場合は、
液晶の注入時に、土手が注入の妨げになり、液晶注入速
度が下がり、スループットが低下する。しかし、液晶注
入時は、図６に示すように、液晶表示セルＬＣＣが膨ら
んでおり、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガラ
ス基板ＳＵＢ２との距離が離れている。このとき、本実
施の形態の土手ＢＮＫでは、両基板の土手ＢＮＫどうし
の間に、液晶が通過できるすき間が存在するため、マト
リクス部ＡＲと封入口ＩＮＪとを隔離せず、液晶注入の
妨げとならず、液晶注入速度を下げる要因とならない。

【００４３】なお、本実施の形態では、図２に示すよう
に、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側に設けた土手ＢＮＫ
と、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側に設けた土手ＢＮＫ
とを密着させずに、間隙をあけている。土手ＢＮＫの目
的から考えると、両基板の土手ＢＮＫを密着させるの
が、汚染物質拡散抑制効果が最も高いが、多少の間隙が
あいていても、汚染物質拡散抑制効果は十分ある。ま
た、本実施の形態のように、マトリクス部ＡＲと、封止
材ＥＳＬおよびシール材ＳＬの全周との間に、土手ＢＮ
Ｋを配置するのが、汚染物質拡散抑制効果が最も高い
が、マトリクス部ＡＲと、最大の汚染源である封止材Ｅ
ＳＬとの間のみに土手ＢＮＫを配置しても、汚染物質拡
散抑制効果は十分ある。この実施の形態についてつぎに
述べる。

【００４４】実施の形態２図３は、図１と同様の図で、本発明の実施の形態２にお
ける液晶表示パネルＰＮＬのマトリクスＡＲ周辺部の構
成を説明する平面図である。なお、図３における２−２
切断線における断面図は、図２と同様である。

【００４５】本実施の形態では、マトリクス部ＡＲと、
汚染物質の発生が最も大きい封止材ＥＳＬとの間のみに
土手ＢＮＫを配置した例である。その他の構成は、前記
実施の形態１と同様である。

【００４６】《薄膜トランジスタＴＦＴ》次に、図７、
図８に戻り、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１側の構成を詳しく説明
する。

【００４７】薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極Ｇ
Ｔに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレイン間の
チャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にすると、チ
ャネル抵抗は大きくなるように動作する。

【００４８】各画素には複数（２つ）の薄膜トランジス
タＴＦＴ１、ＴＦＴ２が冗長して設けられる。薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれは、実質的に同
一サイズ（チャネル長、チャネル幅が同じ）で構成さ
れ、ゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真性、
intrinsic、導電型決定不純物がドープされていない）
非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層ＡＳ、一
対のソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有す。な
お、ソース、ドレインは本来その間のバイアス極性によ
って決まるもので、この液晶表示装置の回路ではその極
性は動作中反転するので、ソース、ドレインは動作中入
れ替わると理解されたい。しかし、以下の説明では、便
宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表現す
る。

【００４９】《ゲート電極ＧＴ》ゲート電極ＧＴは走査
信号線ＧＬから垂直方向に突出する形状で構成されてい
る（Ｔ字形状に分岐されている）。ゲート電極ＧＴは薄
膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれの能動領
域を越えるよう突出している。薄膜トランジスタＴＦＴ
１、ＴＦＴ２のそれぞれのゲート電極ＧＴは、一体に
（共通のゲート電極として）構成されており、走査信号
線ＧＬに連続して形成されている。本例では、ゲート電
極ＧＴは、単層の第２導電膜ｇ２で形成されている。第
２導電膜ｇ２としては例えばスパッタで形成されたアル
ミニウム（Ａｌ）膜が用いられ、その上にはＡｌの陽極
酸化膜ＡＯＦが設けられている。

【００５０】このゲート電極ＧＴはｉ型半導体層ＡＳを
完全に覆うよう（下方からみて）それより大き目に形成
され、ｉ型半導体層ＡＳに外光やバックライト光が当た
らないよう工夫されている。

【００５１】《走査信号線ＧＬ》走査信号線ＧＬは第２
導電膜ｇ２で構成されている。この走査信号線ＧＬの第
２導電膜ｇ２はゲート電極ＧＴの第２導電膜ｇ２と同一
製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。ま
た、走査信号線ＧＬ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設
けられている。

【００５２】《絶縁膜ＧＩ》絶縁膜ＧＩは、薄膜トラン
ジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２において、ゲート電極ＧＴと
共に半導体層ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜と
して使用される。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴおよび走
査信号線ＧＬの上層に形成されている。絶縁膜ＧＩとし
ては例えばプラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜
が選ばれ、１２００〜２７００Åの厚さに（本例では、
２０００Å程度）形成される。ゲート絶縁膜ＧＩは図９
に示すように、マトリクス部ＡＲの全体を囲むように形
成され、周辺部は外部接続端子ＤＴＭ、ＧＴＭを露出す
るよう除去されている。絶縁膜ＧＩは走査信号線ＧＬと
映像信号線ＤＬの電気的絶縁にも寄与している。

【００５３】《ｉ型半導体層ＡＳ》ｉ型半導体層ＡＳ
は、本例では薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそ
れぞれに独立した島となるよう形成され、非晶質シリコ
ンで、２００〜２２００Åの厚さに（本例では、２００
０Å程度の膜厚）で形成される。層ｄ０はオーミックコ
ンタクト用のリン（Ｐ）をドープしたＮ⁺型非晶質シリ
コン半導体層であり、下側にｉ型半導体層ＡＳが存在
し、上側に導電層ｄ２（ｄ３）が存在するところのみに
残されている。

【００５４】ｉ型半導体層ＡＳは走査信号線ＧＬと映像
信号線ＤＬとの交差部（クロスオーバ部）の両者間にも
設けられている。この交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差
部における走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとの短絡を
低減する。

【００５５】《透明画素電極ＩＴＯ１》透明画素電極Ｉ
ＴＯ１は液晶表示部の画素電極の一方を構成する。

【００５６】透明画素電極ＩＴＯ１は薄膜トランジスタ
ＴＦＴ１のソース電極ＳＤ１および薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２のソース電極ＳＤ１の両方に接続されている。こ
のため、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のうちの
１つに欠陥が発生しても、その欠陥が副作用をもたらす
場合はレーザ光等によって適切な箇所を切断し、そうで
ない場合は他方の薄膜トランジスタが正常に動作してい
るので放置すればよい。透明画素電極ＩＴＯ１は第１導
電膜ｄ１によって構成されており、この第１導電膜ｄ１
はスパッタリングで形成された透明導電膜（Indium-Tin
-Oxide ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１０００〜２００
０Åの厚さに（本例では、１４００Å程度の膜厚）形成
される。

【００５７】《ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ
２》ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれ
は、Ｎ⁺型半導体層ｄ０に接触する第２導電膜ｄ２とそ
の上に形成された第３導電膜ｄ３とから構成されてい
る。

【００５８】第２導電膜ｄ２はスパッタで形成したクロ
ム（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００Åの厚さに（本
例では、６００Å程度）で形成される。Ｃｒ膜は膜厚を
厚く形成するとストレスが大きくなるので、２０００Å
程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Ｃｒ膜はＮ⁺型
半導体層ｄ０との接着性を良好にし、第３導電膜ｄ３の
ＡｌがＮ⁺型半導体層ｄ０に拡散することを防止する
（いわゆるバリア層の）目的で使用される。第２導電膜
ｄ２として、Ｃｒ膜の他に高融点金属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ₂、Ｔｉ
Ｓｉ₂、ＴａＳｉ₂、ＷＳｉ₂）膜を用いてもよい。

【００５９】第３導電膜ｄ３はＡｌのスパッタリングで
３０００〜５０００Åの厚さに（本例では、４０００Å
程度）形成される。Ａｌ膜はＣｒ膜に比べてストレスが
小さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース電極
ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬの抵
抗値を低減したり、ゲート電極ＧＴやｉ型半導体層ＡＳ
に起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカバー
レッジを良くする）働きがある。

【００６０】第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３を同じマ
スクパターンでパターニングした後、同じマスクを用い
て、あるいは第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３をマスク
として、Ｎ⁺型半導体層ｄ０が除去される。つまり、ｉ
型半導体層ＡＳ上に残っていたＮ⁺型半導体層ｄ０は第
２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３以外の部分がセルフアラ
インで除去される。このとき、Ｎ⁺型半導体層ｄ０はそ
の厚さ分はすべて除去されるようエッチングされるの
で、ｉ型半導体層ＡＳも若干その表面部分がエッチング
されるが、その程度はエッチング時間で制御すればよ
い。

【００６１】《映像信号線ＤＬ》映像信号線ＤＬはソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜
ｄ２、第３導電膜ｄ３で構成されている。

【００６２】《保護膜ＰＳＶ１》薄膜トランジスタＴＦ
Ｔおよび透明画素電極ＩＴＯ１上には保護膜ＰＳＶ１が
設けられている。保護膜ＰＳＶ１は主に薄膜トランジス
タＴＦＴを湿気等から保護するために形成されており、
透明性が高くしかも耐湿性の良いものを使用する。保護
膜ＰＳＶ１はたとえばプラズマＣＶＤ装置で形成した酸
化シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、１μ
ｍ程度の膜厚で形成する。

【００６３】保護膜ＰＳＶ１は図９に示すように、マト
リクス部ＡＲの全体を囲むように形成され、周辺部は外
部接続端子ＤＴＭ、ＧＴＭを露出するよう除去され、ま
た上基板側ＳＵＢ２の共通電極ＣＯＭを下側基板ＳＵＢ
１の外部接続端子接続用引出配線ＩＮＴに銀ペーストＡ
ＧＰで接続する部分も除去されている。保護膜ＰＳＶ１
とゲート絶縁膜ＧＩの厚さ関係に関しては、前者は保護
効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コンダ
クタンスｇｍを薄くされる。したがって、図９に示すよ
うに、保護効果の高い保護膜ＰＳＶ１は周辺部もできる
だけ広い範囲に亘って保護するようゲート絶縁膜ＧＩよ
りも大きく形成されている。

【００６４】《遮光膜ＢＭ》上部透明ガラス基板ＳＵＢ
２側には、外部光又はバックライト光がｉ型半導体層Ａ
Ｓに入射しないよう遮光膜ＢＭが設けられている。図７
に示す遮光膜ＢＭの閉じた多角形の輪郭線は、その内側
が遮光膜ＢＭが形成されない開口を示している。遮光膜
ＢＭは光に対する遮蔽性が高いたとえばアルミニウム膜
やクロム膜等で形成されており、本例ではクロム膜がス
パッタリングで１３００Å程度の厚さに形成される。

【００６５】したがって、薄膜トランジスタＴＦＴ１、
ＴＦＴ２のｉ型半導体層ＡＳは上下にある遮光膜ＢＭお
よび大き目のゲート電極ＧＴによってサンドイッチにさ
れ、外部の自然光やバックライト光が当たらなくなる。
遮光膜ＢＭは各画素の周囲に格子状に形成され（いわゆ
るブラックマトリクス）、この格子で１画素の有効表示
領域が仕切られている。したがって、各画素の輪郭が遮
光膜ＢＭによってはっきりとし、コントラストが向上す
る。つまり、遮光膜ＢＭはｉ型半導体層ＡＳに対する遮
光とブラックマトリクスとの２つの機能をもつ。

【００６６】透明画素電極ＩＴＯ１のラビング方向の根
本側のエッジ部分（図７右下部分）も遮光膜ＢＭによっ
て遮光されているので、上記部分にドメインが発生した
としても、ドメインが見えないので、表示特性が劣化す
ることはない。

【００６７】遮光膜ＢＭは周辺部にも額縁状に形成して
もよく、この場合、そのパターンはドット状に複数の開
口を設けた図７に示すマトリクス部のパターンと連続し
て形成する。この場合、周辺部の遮光膜ＢＭは、シール
部ＳＬの外側に延長され、パソコン等の実装機に起因す
る反射光等の漏れ光がマトリクス部に入り込むのを防
ぐ。他方、この遮光膜ＢＭは基板ＳＵＢ２の縁よりも約
０．３〜１．０ｍｍ程内側に留められ、基板ＳＵＢ２の
切断領域を避けて形成されている。

【００６８】《カラーフィルタＦＩＬ》カラーフィルタ
ＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは透
明画素電極ＩＴＯ１のすべてを覆うように大き目に形成
され、遮光膜ＢＭはカラーフィルタＦＩＬおよび透明画
素電極ＩＴＯ１のエッジ部分と重なるよう透明画素電極
ＩＴＯ１の周縁部より内側に形成されている。

【００６９】カラーフィルタＦＩＬは次のように形成す
ることができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の
表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォトリ
ソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基材
を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染め、固着
処理を施し、赤色フィルタＲを形成する。つぎに、同様
な工程を施すことによって、緑色フィルタＧ、青色フィ
ルタＢを順次形成する。

【００７０】《保護膜ＰＳＶ２》保護膜ＰＳＶ２はカラ
ーフィルタＦＩＬの染料が液晶ＬＣに漏れることを防止
するために設けられている。保護膜ＰＳＶ２はたとえば
アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成さ
れている。

【００７１】《共通透明画素電極ＩＴＯ２》共通透明画
素電極ＩＴＯ２は、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側に画
素ごとに設けられた透明画素電極ＩＴＯ１に対向し、液
晶ＬＣの光学的な状態は各画素電極ＩＴＯ１と共通透明
画素電極ＩＴＯ２との間の電位差（電界）に応答して変
化する。この共通透明画素電極ＩＴＯ２にはコモン電圧
Ｖcomが印加されるように構成されている。本例では、
コモン電圧Ｖcomは映像信号線ＤＬに印加される最小レ
ベルの駆動電圧Ｖｄminと最大レベルの駆動電圧Ｖｄmax
との中間直流電位に設定されるが、映像信号駆動回路で
使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減したい場
合は、交流電圧を印加すればよい。なお、共通透明画素
電極ＩＴＯ２の平面形状は図９を参照されたい。

【００７２】《製造方法》つぎに、上述した液晶表示装
置の基板ＳＵＢ１側の製造方法について図１１〜図１３
を参照して説明する。なお同図において、中央の文字は
工程名の略称であり、左側は図８に示す画素部分、右側
はゲート端子付近の断面形状でみた加工の流れを示す。
工程Ｄを除き工程Ａ〜工程Ｉは各写真処理に対応して区
分けしたもので、各工程のいずれの断面図も写真処理後
の加工が終わりフォトレジストを除去した段階を示して
いる。なお、写真処理とは本説明ではフォトレジストの
塗布からマスクを使用した選択露光を経てそれを現像す
るまでの一連の作業を示すものとし、繰返しの説明は避
ける。以下区分けした工程にしたがって、説明する。

【００７３】工程Ａ、図１１７０５９ガラス（商品名）からなる下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１の両面に酸化シリコン膜ＳＩＯをディップ処理
により設けたのち、５００℃、６０分間のベークを行な
う。下部透明ガラス基板ＳＵＢ１上に膜厚が１１００Å
のクロムからなる第１導電膜ｇ１をスパッタリングによ
り設け、写真処理後、エッチング液として硝酸第２セリ
ウムアンモニウム溶液で第１導電膜ｇ１を選択的にエッ
チングする。それによって、ゲート端子ＧＴＭ、ドレイ
ン端子ＤＴＭ、ゲート端子ＧＴＭを接続する陽極酸化バ
スラインＳＨｇ、ドレイン端子ＤＴＭを短絡するバスラ
インＳＨｄ、陽極酸化バスラインＳＨｇに接続された陽
極酸化パッド（図示せず）を形成する。

【００７４】工程Ｂ、図１１膜厚が２８００ÅのＡｌ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等からなる第２導電膜ｇ２
をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン酸と
硝酸と氷酢酸との混酸液で第２導電膜ｇ２を選択的にエ
ッチングする。

【００７５】工程Ｃ、図１１写真処理後（前述した陽極酸化マスクＡＯ形成後）、３
％酒石酸をアンモニアによりＰＨ６.２５±０.０５に調
整した溶液をエチレングリコール液で１：９に稀釈した
液からなる陽極酸化液中に基板ＳＵＢ１を浸漬し、化成
電流密度が０.５ｍＡ／ｃｍ²になるように調整する（定
電流化成）。次に所定のＡｌ₂Ｏ₃膜厚が得られるのに必
要な化成電圧１２５Ｖに達するまで陽極酸化を行う。そ
の後この状態で数１０分保持することが望ましい（定電
圧化成）。これは均一なＡｌ₂Ｏ₃膜を得る上で大事なこ
とである。それによって、導電膜ｇ２を陽極酸化され、
走査信号線ＧＬ、ゲート電極ＧＴおよび電極ＰＬ１上に
膜厚が１８００Åの陽極酸化膜ＡＯＦが形成される。

【００７６】工程Ｄ、図１２プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が２０００Åの窒化Ｓｉ膜を設
け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が２０００Åのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けたの
ち、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを
導入して、膜厚が３００ÅのＮ⁺型非晶質Ｓｉ膜を設け
る。

【００７７】工程Ｅ、図１２写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆、ＣＣ
ｌ₄を使用してＮ⁺型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ膜を
選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層ＡＳ
の島を形成する。

【００７８】工程Ｆ、図１２写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆を使用
して、窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングする。

【００７９】工程Ｇ、図１３膜厚が１４００ÅのＩＴＯ膜からなる第１導電膜ｄ１を
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で第１導電膜ｄ１を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭ、ド
レイン端子ＤＴＭの最上層および透明画素電極ＩＴＯ１
を形成する。

【００８０】工程Ｈ、図１３膜厚が６００ÅのＣｒからなる第２導電膜ｄ２をスパッ
タリングにより設け、さらに膜厚が４０００ÅのＡｌ−
Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ等からなる第３導電膜ｄ３をスパッタリングにより設
ける。写真処理後、第３導電膜ｄ３を工程Ｂと同様な液
でエッチングし、第２導電膜ｄ２を工程Ａと同様な液で
エッチングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、ド
レイン電極ＳＤ２を形成する。つぎに、ドライエッチン
グ装置にＣＣｌ₄、ＳＦ₆を導入して、Ｎ⁺型非晶質Ｓｉ
膜をエッチングすることにより、ソースとドレイン間の
Ｎ⁺型半導体層ｄ０を選択的に除去する。

【００８１】工程Ｉ、図１３プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が１μｍの窒化Ｓｉ膜を設け
る。写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ₆を
使用した写真蝕刻技術で窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチン
グすることによって、保護膜ＰＳＶ１を形成する。

【００８２】《液晶表示モジュールの全体構成》図１４
は、図１または図３に示した液晶表示素子ＰＮＬを組み
込んだ液晶表示モジュールＭＤＬの分解斜視図である。

【００８３】ＳＨＤは金属板からなるシールドケース
（メタルフレームとも称す）、ＷＤは表示窓、ＩＮＳ１
〜３は絶縁シート、ＰＣＢ１〜３は回路基板（ＰＣＢ１
はドレイン側回路基板、ＰＣＢ２はゲート側回路基板、
ＰＣＢ３はインターフェイス回路基板）、ＪＮは回路基
板ＰＣＢ１〜３どうしを電気的に接続するジョイナ、Ｔ
ＣＰ１、ＴＣＰ２はテープキャリアパッケージ、ＰＮＬ
は液晶表示パネル、ＧＣはゴムクッション、ＩＬＳは遮
光スペーサ、ＰＲＳはプリズムシート、ＳＰＳは拡散シ
ート、ＧＬＢは導光板、ＲＦＳは反射シート、ＭＣＡは
一体成型により形成された下側ケース（モールドケー
ス）、ＬＰは蛍光管、ＬＰＣはランプケーブル、ＧＢは
蛍光管ＬＰを支持するゴムブッシュであり、図に示すよ
うな上下の配置関係で各部材が積み重ねられて液晶表示
モジュールＭＤＬが組み立てられる。

【００８４】モジュールＭＤＬは、下側ケースＭＣＡ、
シールドケースＳＨＤの２種の収納・保持部材を有す
る。絶縁シートＩＮＳ１〜３、回路基板ＰＣＢ１〜３、
液晶表示パネルＰＮＬを収納、固定した金属製シールド
ケースＳＨＤと、蛍光管ＬＰ、導光板ＧＬＢ、プリズム
シートＰＲＳ等からなるバックライトＢＬを収納した下
側ケースＭＣＡとを合体させることにより、モジュール
ＭＤＬが組み立てられる。

【００８５】図１５は、液晶表示モジュールＭＤＬを実
装したノートブック型のパソコン、あるいはワープロの
斜視図である。

【００８６】以上本発明を実施の形態に基づいて具体的
に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることは勿論である。例えば、土手ＢＮＫを
構成する膜の種類は、前記実施の形態１における図２に
示した膜構成は単なる一例であって、マトリクス部ＡＲ
を構成する膜の一部または全部を用い、種々の形態を取
ることができることは言うまでもない。例えば、赤、
緑、青と順次形成するカラーフィルタＦＩＬを３層重ね
て利用してもよい。また、前記実施の形態１では、透明
ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の両方に土手ＢＮＫを設
けたが、いずれか一方の基板のみに土手ＢＮＫを設けて
もよい。また、前述のように、両方の基板あるいは一方
の基板に設けた土手ＢＮＫどうし、あるいは土手ＢＮＫ
と基板とを密着させてもよいし、間隙を設けてもよい。
さらに、本発明は、縦電界方式のアクティブマトリクス
方式の液晶表示装置に適用した例を示したが、横電界方
式やＣＯＧ（チップオンガラス）方式の液晶表示装置に
も、また、単純マトリクス方式の液晶表示装置にも適用
可能なことは言うまでもない。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液晶の汚染源となる封止材あるいはシール材と、表示領
域とを隔離することができるので、封止材あるいはシー
ル材中の汚染物質に起因する液晶の汚染を抑制し、表示
むら不良の発生を低減することができ、画質と画質の信
頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１における液晶表示パネル
ＰＮＬのマトリクスＡＲ周辺部の構成を説明する平面図
である。

【図２】図１（あるいは図３）の２−２切断線における
断面図である。

【図３】本発明の実施の形態２における液晶表示パネル
ＰＮＬのマトリクスＡＲ周辺部の構成を説明する平面図
である。

【図４】減圧容器内の雰囲気を大気圧にもどすときに、
液晶ＬＣが液晶表示セルＬＣＣ内に入っていく様子を一
定時間ごとの液晶の先端部の形状で示す図である。

【図５】（ａ）〜（ｇ）は液晶封入過程におけるセル厚
の変化の様子を示す液晶表示セルＬＣＣの縦断面図であ
る。

【図６】本発明による土手ＢＮＫを形成しても、液晶Ｌ
Ｃの注入が妨げられない様子を示す液晶表示パネルの要
部概略断面図である。

【図７】本発明が適用可能なアクティブ・マトリクス方
式のカラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素とその周
辺を示す要部平面図である。

【図８】マトリクスの画素部を中央に、両側にパネル角
付近と映像信号端子部付近を示す断面図である。

【図９】上下基板の電気的接続部を含む液晶表示パネル
ＰＮＬの角部の拡大平面図である。

【図１０】左側に走査信号端子、右側に外部接続端子の
無い液晶表示パネルＰＮＬの縁部分を示す断面図であ
る。

【図１１】基板ＳＵＢ１側の工程Ａ〜Ｃの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１２】基板ＳＵＢ１側の工程Ｄ〜Ｆの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１３】基板ＳＵＢ１側の工程Ｇ〜Ｉの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１４】アクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示
モジュールＭＤＬの分解斜視図である。

【図１５】図１４の液晶表示モジュールを実装したノー
トブック型のパソコンあるいはワープロの斜視図であ
る。

【符号の説明】

ＢＮＫ…土手、ＰＮＬ…液晶表示パネル、ＳＵＢ１…下
部透明ガラス基板、ＳＵＢ２…上部透明ガラス基板、Ｓ
Ｌ…シール材、ＩＮＪ…封入口、ＥＳＬ…封止材、ＡＲ
…マトリクス部、Ｔｇ、Ｔｄ（ｏ）、Ｔｄ（ｅ）…端子
群、ｇ２、ｄ２、ｄ３…導電膜、ＧＩ…絶縁膜、ＡＳ…
ｉ型半導体層、ＰＳＶ１…保護膜、ＢＭ…遮光膜（ブラ
ックマトリクス）、ＦＩＬ（Ｒ）…赤色カラーフィル
タ、ＰＳＶ２…保護膜、ＩＴＯ２（ＣＯＭ）…共通透明
画素電極、ＩＴＯ１…透明画素電極、ＯＲＩ１、ＯＲＩ
２…配向膜、ＬＣ…液晶。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の膜をそれぞれ面上に積層した２枚の
透明絶縁基板を、前記膜を設けた面が対向するように所
定の間隙を隔てて重ね合わせ、前記両基板間の縁周囲に
枠状に設けたシール材により、前記両基板を貼り合わ
せ、前記シール材の一部に設けた封入口から前記両基板
間の前記シール材の内側に液晶を注入し、前記封入口を
封止材により封止した液晶表示素子を有する液晶表示装
置において、前記液晶表示素子の表示領域と、前記封止
材、前記シール材の少なくとも一方との間に、前記膜の
少なくとも一部からなる土手を設けたことを特徴とする
液晶表示装置。
【請求項２】前記土手を、前記表示領域と、前記封止材
および前記シール材の全周との間に配置したことを特徴
とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記土手を、前記表示領域と、前記封止材
との間のみに配置したことを特徴とする請求項１記載の
液晶表示装置。
【請求項４】前記土手が、前記２枚の透明絶縁基板の両
者に形成された膜からなり、該土手を形成する前記両基
板の膜どうしが密着していることを特徴とする請求項１
記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記土手が、前記２枚の透明絶縁基板の両
者に形成された膜からなり、該土手を形成する前記両基
板の膜どうしの間に間隙が存在することを特徴とする請
求項１記載の液晶表示装置。
【請求項６】前記土手が、前記２枚の透明絶縁基板の一
方に形成された膜のみからなることを特徴とする請求項
１記載の液晶表示装置。