JPH10119335A

JPH10119335A - サーマルヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH10119335A
Application number: JP29457396A
Authority: JP
Inventors: Kyoji Shirakawa; 享志白川; Masakazu Kato; 雅一加藤
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1996-10-16
Filing date: 1996-10-16
Publication date: 1998-05-12

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の半田ダムを形成していた感光性熱硬化
樹脂の塗布膜は、下地の保温層のセラミックや外部接続
端子等への密着性にバラツキがあった。そのために、ド
ライバＩＣを半田付けしたときに、前記保温層２と半田
ダム１６との間の密着境界面に微小の隙間が発生して、
この微小隙間から溶融した半田が侵入拡散してショート
等の問題が発生していた。【解決手段】発熱抵抗体３、あるいは共通電極４ａ、
あるいは個別電極４ｂ、あるいはＩＣ接続部４ｄを含む
外部接続端子４ｃ上に、Ｓｉの酸化物またはＳｉの酸窒
化物（Ｓｉ−Ｏ−Ｎ）から成る下層保護層５を保温層２
の上面全面に形成して、、前記接続端子４ｃのＩＣ接続
部４ｄ上の下層保護層５をエッチングして、矩形で上方
が解放された半田ダム５ａを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばサーマルプ
リンタに使用されるサーマルヘッドに係わり、特に印字
効率と熱応答性に優れたサーマルヘッドおよびその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のサーマルプリンタに使用される
サーマルヘッドは、インクリボンあるいは感熱紙などの
記録媒体に接した状態で使用される物であり、複数個の
発熱抵抗体を基板上に直線的に配列し、所望の印字情報
に基づいていずれかの発熱抵抗体に選択的に順次通電を
行って発熱抵抗体を発熱させることにより、感熱プリン
タにおいては感熱記録紙を発色させ、熱転写プリンタに
おいてはインクリボンのインクを部分的に溶融して普通
紙に転写して印字を行うものである。図５は一般的な従
来のサーマルヘッドＢの構造を示す要部断面図であり、
絶縁性材料であるアルミナ等から成る基板１の一方側の
端部１ａ寄りの上面に、ガラスグレーズから成る台形状
の凸部２ａを有する保温層２が形成されている。また、
該保温層２の上面には、複数個の発熱抵抗体３がＴａ−
ＳｉＯ２等からなる材料を、前記保温層２の表面にス
パッタリング等により積層形成した後、エッチング等で
直線状に分割されて形成されている。そして、前記凸部
２ａの頂上部に発熱部３ａが形成されている。

【０００３】また、前記発熱抵抗体３に電力エネルギー
を供給するために、該発熱抵抗体３の上面の一方側に接
続される共通電極４ａと、前記発熱部３ａを挟んで前記
共通電極４ａと対向する位置の、前記発熱抵抗体３の上
面の他方側に接続される個別電極４ｂが積層形成されて
いる。また、該個別電極４ｂに連接して、基板１の他方
側の上面には外部接続端子４ｃが基板１の他方側の端部
１ｂ近辺まで形成されている。そして、該外部接続端子
４ｃの中間部付近に切断部４ｅが形成されて、外部接続
端子４ｃが２つに切断されている。そして、該切断部４
ｅ近傍には、前記発熱抵抗体３に選択的に電力エネルギ
ーを供給する、フリップチップタイプのドライバＩＣ７
を半田付けするための、ＩＣ接続部４ｄが形成されてい
る。また、前記共通電極４ａ、および個別電極４ｂ、お
よび外部接続端子４ｃは、それぞれ、例えばＡｌ、ある
いはＣｕ等の材料から成り、スパッタリング等によって
発熱抵抗体３および基板１の上面に積層後に、フォトリ
ソ技術によるエッチング等により、それぞれ積層形成さ
れている。また、前記発熱抵抗体３、あるいは共通電極
４ａ・個別電極４ｂ、あるいは外部接続端子４ｃ上に、
前記発熱抵抗体３や各電極４ａ・４ｂの酸化あるいは摩
耗を防止するため、ＳｉＣあるいはＳｉーＯーＮあるい
はサイアロン等からなる保護層１５が単層で積層被覆さ
れている。そして、前記保護層１５には、前記スパッタ
リング時等に異物等が付着してピンホールＰが発生する
ものがあった。

【０００４】また、前記ＩＣ接続部４ｄを含む外部接続
端子４ｃに、半田付け性の良いＮｉ、あるいはＡｕ、あ
るいはＰｄ等の金属がメッキ処理されている。また、保
護層１５の端部１５ａからドライバＩＣ接続接続部４ｄ
にかけて、直線状に整列された複数の外部接続端子４ｃ
に挟まれた部分の、保温層２の平坦部２ｂに、エポキシ
／アクリル樹脂系の感光性熱硬化樹脂等から成る樹脂膜
１６が該外部接続端子４ｃと同方向に延びて形成されて
いる。そして、ＩＣ接続部４ｄの上部の樹脂膜１６には
半田ダム１６ａが形成されて、ＩＣ接続部４ｄのメッキ
処理された表面の一部が半田ダム１６ａから露出してい
る。そして、前記ドライバＩＣ７のフリップチップ部７
ａを、前記半田ダム１６ａから露出したＩＣ接続部４ｄ
に半田付けし、その後ドライバＩＣが封止樹脂８で封止
されて従来のサーマルヘッドＢは構成されている。

【０００５】また、図示は省略するが従来のサーマルヘ
ッドＢの製造工程フローは、まず発熱抵抗体形成工程で
基板１の上面に形成している保温層２の上面に、発熱抵
抗体３を積層形成し、次の電極形成工程で前記発熱抵抗
体３の上面に共通電極４ａと個別電極４ｂおよび外部接
続端子４ｃを積層形成する。このとき、同時に外部接続
端子４ｃの切断部４ｅも形成する。そして、次に外部端
子マスキング工程でＩＣ接続部４ｄを含む外部接続端子
４ｃ上に、マスク材を貼り付けて、外部接続端子４ｃの
上面をマスクする。そして、前記発熱抵抗体３、あるい
は共通電極４ａ・個別電極４ｂ、あるいは外部接続端子
４ｃ上に、前記発熱抵抗体３や各電極４ａ・４ｂの酸化
あるいは摩耗を防止するため、ＳｉＣあるいはＳｉーＯ
ーＮあるいはサイアロン等からなる保護層１５をスパッ
タリングあるいはプラズマＣＶＤ等で単層に積層被覆す
る。次にマスク除去工程で前記マスク材を外部接続端子
４ｃの上から剥がし、次の端子メッキ工程で前記ＩＣ接
続部４ｄを含む外部接続端子４ｃに半田付け性の良いＡ
ｕ，Ｐｄ、Ｎｉ、Ｓｎ等のメッキ処理が施される。

【０００６】そして、前記メッキ処理が終わると、樹脂
膜形成工程で保護層１５の端部１５ａからＩＣ接続部４
ｄにかけて、エポキシ／アクリル系の感光性熱硬化樹脂
等を塗布した樹脂膜１６を形成し、該樹脂膜１６をフォ
トリソ技術によるエッチングで、ＩＣ接続部４ｄの上方
を削除して、ドライバＩＣのフリップチップ部７ａが装
着できる程度の大きさの半田ダム１６ａを形成する。そ
して、ドライバＩＣ実装工程でドライバＩＣ７のフリッ
プチップ部７ａを、前記半田ダム１６ａに位置させて、
リフロー半田等によりＩＣ接続部４ｄに半田付けする。
このとき、ＩＣ接続部４ｄの上面より高く形成された半
田ダム１６によって、溶融した半田が、隣り合ったＩＣ
接続部４ｄに流れてショート等の問題が発生しないよう
になっている。そして、ドライバＩＣ封止材塗布工程
で、前記ドライバＩＣ７の周辺に封止樹脂８を塗布後乾
燥させて、サーマルヘッドＢが製造される

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記したよう
な従来のサーマルヘッドＢにおいては、前記半田ダム形
成工程で、エポキシ／アクリル系の感光性熱硬化樹脂等
を塗布した樹脂膜１６に半田ダム１６ａを形成している
が、この樹脂膜１６は下地の保温層２あるいは外部接続
端子４ｃ等への密着性が悪く、ドライバＩＣ７を半田付
けするときの熱で、前記保温層２の表面と半田ダム１６
との密着境界面に微小の隙間が生じて、溶融した半田
が、前記微小の隙間に侵入拡散して、隣り合ったＩＣ接
続部４ｄまで溶融した半田が流れて、ショートしたりす
ることがある。また、前記保温層２の表面と半田ダム１
６ａとの間の密着境界面の微小隙間に、溶融した半田が
侵入拡散することによりフリップチップ部７ａの半田の
使用量がバラツキ、ドライバＩＣ７とＩＣ接続部４ｄと
の接続不良が発生して、ドライバＩＣ７実装の信頼性が
低下して、サーマルヘッドＢの製造歩留まりを悪くする
問題があった。

【０００８】また、前記保護層１５が単層のため、該保
護層１５には前述のようなピンホールＰが発生してい
た。このピンホールＰが、発熱抵抗体３の発熱部３ａに
接した状態で発生すると、ピンホールＰから空気中の酸
素や水分等が侵入して、発熱抵抗体３が酸化してドット
抵抗値が大きくなり、発熱部３ａを発熱させて印字した
ときに、該印字の一部にドット抜けが発生して正常な印
字ができなくなることがあった。また、ピンホールＰが
電極４ａ・４ｂおよび外部接続端子４ｃに接した状態で
発生すると、前記ピンホールＰから空気中の水分等が侵
入して、電極４ａ・４ｂおよび外部接続端子４ｃが腐食
による断線等が発生して、サーマルヘッドの印字寿命を
低下する問題があった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する第１
の手段として、基板の上面に形成された保温層と、該保
温層の上面に形成された複数の発熱抵抗体と、該複数の
発熱抵抗体に接続される個別電極および共通電極と、前
記保温層、前記発熱抵抗体、前記個別電極および共通電
極の上面を被覆する保護層と、前記個別電極および外部
接続端子に接続されるドライバＩＣとを備えて、前記個
別電極および外部接続端子の上部の保護層に半田ダムを
形成した構成とした。また、前記課題を解決する第２の
手段として、前記保護層は複数の層からなり、前記半田
ダムを前記複数の層の下層側に形成した構成とした。ま
た、前記課題を解決する第３の手段として、基板上に形
成した保温層の表面に複数の発熱抵抗体を形成する発熱
抵抗体形成工程と、これら発熱抵抗体に個別に通電する
ための共通電極および複数の個別電極を前記発熱抵抗体
に接続する電極形成工程と、前記保温層ならびに共通電
極ならびに個別電極を被覆する複数層の保護層を形成す
る下層保護層形成工程と上層保護層形成工程と、前記個
別電極および外部接続端子のＩＣ接続部にドライバＩＣ
を接続するドライバＩＣ実装工程とを備えて、前記個別
電極および外部接続端子のＩＣ接続部上部の下層保護層
に半田ダムをエッチングして形成する構成とした。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１〜図４をもとに説明する。なお前述した従来の
物と同一の構成の物については、同一の番号を付して説
明する。図１は本発明のサーマルヘッドにドライバＩＣ
７を実装した要部断面図である。図２は、その要部斜視
図で、図３は本発明のサーマルヘッドの製造工程を説明
する製造工程フローで、図４はマスク材を説明する要部
断面図である。図１・２において、絶縁性材料であるア
ルミナ等のセラミックから成る基板１の上面に、ガラス
グレーズから成る保温層２が形成されて、基板１の一方
側の端部１ａ寄りに、断面が略台形状に突出した凸部２
ａが形成されている。また、該凸部２ａの上面には、サ
ーマルヘッドの発熱ドット数に対応した数の、複数の発
熱抵抗体３が形成されている。そして、該発熱抵抗体３
はＴａ−ＳｉＯ２等からなる材料を蒸着あるいはスパ
ッタリング等により、前記保温層２の表面に被着した
後、フォトリソ技術によるエッチング等で所定の幅と間
隔をもって直線状に分割されて、前記凸部２ａの両側の
斜面から裾野まで延びて形成されている。そして、前記
保温層２の凸部２ａの頂上には、電力エネルギーが供給
されて発熱して、実際の印字に寄与する発熱部３ａが形
成されている。

【００１１】また、前記複数の発熱抵抗体３に接続して
電力エネルギーを供給するために、前記凸部２ａの一方
側の斜面から裾野部分にかけての複数の発熱抵抗体３の
上面には、該複数の発熱抵抗体３に共通して通電を行う
ための共通電極４ａが発熱抵抗体３と直交する方向に積
層形成されている。また、該共通電極４ａと対向する側
の、前記凸部２ａの他方側の斜面から裾野部分の発熱抵
抗体３の上面には、複数の発熱抵抗体３に個別に独立し
て通電を行うための個別電極４ｂがそれぞれ積層形成さ
れて、前記共通電極４ａと個別電極４ｂに挟まれた凸部
２ａの頂上部分に発熱部３ａが位置している。

【００１２】また、前記個別電極４ｂに連接する外部接
続端子４ｃが、保温層２の平坦部２ｂ上に、基板１の他
方側の端部１ｂ付近まで延長されて形成されている。そ
して、前記外部接続端子４ｃは、所定間隔の隙間を設け
た切断部４ｅにより、前記個別電極４ｂｎｉ相対してい
る。また、前記切断部４ｅに接する外部端子４ｃの上面
には、ＩＣ接続部が形成されて、前記発熱抵抗体３に選
択的に電力エネルギーを供給するための、後述するドラ
イバＩＣ７が半田付けされるようになっている。また、
前記共通電極４ａ、および個別電極４ｂ、およびＩＣ接
続部４ｄを含む外部接続端子４ｃは、それぞれ、例えば
Ａｌ、あるいはＣｕ等の安価な材料から成り、直線状に
整列された発熱抵抗体３の配線パターン上、および保温
層２の平坦部２ｂ上に積層形成されている。

【００１３】また、前記発熱抵抗体３、あるいは共通電
極４ａ、あるいは個別電極４ｂ、あるいはＩＣ接続部４
ｄを含む外部接続端子４ｃ上に、複数の保護層からなる
下層側の層の下層保護層５が、保温層２の上面全面に略
２μｍの膜厚で形成されている。そして、この下層保護
層５はＳｉの酸化物またはＳｉの酸窒化物（Ｓｉ−Ｏ−
Ｎ）から形成されている。また、この下層保護層５は耐
酸化性を有していて、エッチング等の加工性の良い材料
から成っている。また、該下層保護層５は保温層２およ
び外部接続端子４ｃとの間の密着性にも優れている。ま
た、図２に示すように、前記ＩＣ接続部４ｄ上の下層保
護層５には、矩形の窓状の半田ダム５ａが上方を解放し
て形成されている。そして、該半田ダム５ａからは、Ｉ
Ｃ接続部４ｄの上面が露出しているので、前記半田ダム
５ａの上方からＩＣ接続部４ｄの上面を臨むことができ
る。また、前記半田ダム５ａに露出しているＩＣ接続部
４ｄの上面にはＮｉ、あるいはＡｕ、あるいはＰｄ、あ
るいはＳｎ等の半田付け性の良い金属がメッキ処理され
ている。また、下層保護層５には、スッパタリング等の
加工時に異物等の付着により、ピンホールＰが発生して
いるものがある。更に、前記下層保護層５の半田ダム５
ａ付近を除く、下層保護層５の上面には耐酸化性および
耐摩耗性に優れているＳｉＣ、あるいはＳｉ−Ｏ−Ｎ、
あるいはサイアロン等からなる上層保護層６が、略３μ
ｍの膜厚で積層形成されている。そして、この上層保護
層６は前記下層保護層５のピンホールＰの内部にも侵入
して、ピンホールＰを封孔している。

【００１４】また、前記ＩＣ接続部４ｄに半田付けする
ドライバＩＣ７は、フリップチップタイプで端子を兼用
するフリップチップ部７ａが半田バンプ等で形成されて
いる。そして、前記下層保護層５の半田ダム５ａに、ド
ライバＩＣ７のフリップチップ部７ａが位置して、ドラ
イバＩＣ７が載置されて、ＩＣ接続部４ｄにドライバＩ
Ｃ７がリフロー半田付けされて、サーマルヘッドＡに実
装されている。そして、前記ドライバＩＣ７はその周辺
の側壁に封止樹脂８が塗布後乾燥されて、ドライバＩＣ
７が封止されて本発明のサーマルヘッドＡが構成されて
いる。前述のような本発明のサーマルヘッドＡによれ
ば、個別電極４ｂから所定の印字信号に基づいて、該個
別電極４ｂに対応する共通電極４ａに発熱抵抗体３を介
して通電を行うことにより、該共通電極４ａと個別電極
４ｂに挟まれた部分の発熱部３ａを発熱せしめ、該発熱
部３ａの熱が、その上面の下層保護層５および上層保護
層６を介して、例えば熱転写プリンタならば、記録媒体
であるインクリボン（図示せず）のインクを溶融して記
録用紙に転写することにより所望の印字を行うことがで
きる。また感熱プリンタにおいては、記録媒体である感
熱記録紙（図示せず）を発色させて所望の印字を行うこ
とができる。

【００１５】次に、前述のような本発明のサーマルヘッ
ドＡの製造方法について、図３に示す製造工程フローに
従って説明すると、まず、アルミナ等のセラミックから
成る基板１の上面に、ガラスから成るグレーズ層である
保温層２を積層形成して、該保温層２の上面に、発熱抵
抗体形成工程で、前記保温層２の凸部２ａの頂上部から
両側の裾野部分の表面にかけて、Ｔａ−ＳｉＯ２等から
成る材料を、蒸着あるいはスパッタリング等により被着
させた後、エッチング等で所定の間隔を設けて、直線状
に整列した発熱抵抗体３を複数形成する。また、前記保
温層２の凸部２ａの一方側の斜面から裾野部分の発熱抵
抗体３の上面に、且つ、前記複数の発熱抵抗体３と直交
する方向に共通電極４ａが形成されて、全ての発熱抵抗
体３に共通電極４ａがそれぞれ接続されている。また、
この共通電極４ａを形成するのと同時に、共通電極４ａ
と対向する発熱抵抗体３の他方側の上面に、個別電極４
ｂと、該個別電極４ｂに連接する外部接続端子４ｃを形
成する。そして、前記共通電極４ａ・個別電極４ｂ・外
部接続端子４ｃは、例えばＡｌあるいはＣｕ等の安価な
材料を、スパッタリングあるいは蒸着等によりそれぞれ
被着させた後、フォトリソ技術によるエッチングにより
所望形状のパターンに形成する。このエッチング時に、
外部接続端子４ｃの切断部４ｅも同時に形成する。

【００１６】次に、下層保護層積層工程で、複数の層か
らなる保護層のうちの下層保護層５を、保温層２の上面
全面にＳｉの酸化物またはＳｉの酸窒化物（Ｓｉ−Ｏ−
Ｎ）を、スッパタリング等により略２μｍの膜厚を形成
する。次に、マスキング・基板洗浄工程で、図４に示す
ように個別電極４ｂおよび外部接続端子４ｃのＩＣ接続
部４ｄ上の下層保護層５の上面に、耐熱性に優れたカプ
トン粘着テープ等から成るマスク材Ｍを貼り付けて、Ｉ
Ｃ接続部４ｄを含む個別電極および外部接続端子４ｃ上
の下層保護層５をマスクして、後述する上層保護層６
が、個別電極４ｂの先端のＩＣ接続部４ｄおよび外部接
続端子４ｃ上の下層保護層５に被着しないようにしてい
る。そしてマスキング終了後、前記下層保護層５の表面
を、入念にブラッシングしながら洗浄して、前記異物等
によるピンホールＰを顕在化させる。次に、前記洗浄後
の下層保護層５の上面に、耐酸化性および耐摩耗性に優
れているＳｉＣ、あるいはＳｉ−Ｏ−Ｎ、あるいはサイ
アロン等からなる上層保護層６を、スッパッタリングあ
るいはプラズマＣＶＤ等により、略３μｍの膜厚を積層
形成する。

【００１７】次に、マスク除去・基板洗浄工程で、マス
ク材Ｍを剥がして、該マスク材Ｍが貼られていた部分
の、下層保護層５を洗浄する。そして、下層保護層エッ
チング工程で、フォトリソ技術でバッファードフッ酸等
により、下層保護層５をエッチングして、図２に示す矩
形で窓状の半田ダム５ａを形成する。そして、該上方が
解放された半田ダム５ａに、ＩＣ接続部４ｄの表面を露
出させる。次に、端子メッキ工程で前記矩形の半田ダム
５ａで、外部に露出されたＩＣ接続部４ｄに、Ｎｉ、あ
るいはＡｇ，あるいはＰｄ，あるいはＳｎ等の半田付け
性の良い金属をメッキ処理する。その後発熱抵抗体３の
発熱量を決める抵抗値検査等を行って、前記基板１をダ
イシング加工して、本発明のドライバＩＣ７実装前のサ
ーマルヘッドＡをチップ状に形成する。

【００１８】次に、ドライバＩＣ実装工程で、前記チッ
プ状のサーマルヘッドＡの半田ダム５ａに、ドライバＩ
Ｃ７の半田バンプ等から成るフリップチップ部７ａを位
置させる。そして、リフロー炉等でフリップチップ部７
ａを溶融して、ドライバＩＣ７とＩＣ接続部４ｄとを半
田ダム５ａの半田によって接続して、ドライバＩＣをサ
ーマルヘッドＡに実装する。このとき、ＩＣ接続部４ｄ
の表面に接する溶融した半田が、前記半田ダム５ａで仕
切られているので、隣り合ったＩＣ接続部４ｄに溶融し
た半田が流れてショートしたりすることがない。そし
て、次のドライバＩＣ封止剤塗布工程で、前記ドライバ
ＩＣ半田付け部分の性能維持のためにドライバＩＣ７の
周辺および半田付け部分に封止樹脂８を塗布し硬化させ
てサーマルヘッドＡの製造が終了する。また、本発明は
前述の実施の形態に限定されるものでなく、例えば、保
温層２に凸部２ａを設けない全面グレーズドアルミナ基
板や、あるいは、その他のセラミック基板およびシリコ
ン基板や金属基板等いずれの基板にも用いることができ
る。

【００１９】

【発明の効果】以上説明したように本発明におけるサー
マルヘッドによれば、個別電極および外部接続端子の上
部の保護層に半田ダムを形成したので、前記保護層は保
温層あるいは個別電極や個別電極や外部接続端子に対し
て密着性が良く、且つ耐熱性に優れているので、ドライ
バＩＣを半田付けするときの温度等で保温層あるいは個
別電極や外部端子から剥がれることがなく、溶融した半
田の境界面拡散がなくなり、隣り合ったＩＣ接続部に溶
融した半田が侵入することがないので、ショート等の半
田付けによるトラブルが低減できるので、サーマルヘッ
ドの製造歩留まりを向上できる。また、溶融した半田の
境界面拡散がないので、溶融した半田が前記半田ダム以
外に流れないので、半田の使用量が常に一定になるの
で、半田付けに関する品質が更に向上する。

【００２０】また、前記保護層は複数の層からなり、前
記半田ダムを前記複数の層の下層側に形成したので、該
下層側の下層保護層に異物付着等でピンホールが生じて
も、上層保護層により前記ピンホールを封止できるの
で、ピンホールによる発熱抵抗体の酸化や、共通電極あ
るいは個別電極の腐食による断線等が解消されるのでサ
ーマルヘッドの印字寿命を向上できる。また、上層保護
層に耐摩耗性の良い材料を使っているので、下層保護層
は耐摩耗性を意識しないで、エッチングに適した加工性
の良い材料を使用できるので、エッチング量のバラツキ
を最小に押さえることができる。そのために、ＩＣ接続
部が消失したり、逆にＩＣ接続部が露出しなかったりす
ることがないので、製造歩留まりの良いサーマルヘッド
を提供できる。また、保護層のエッチングは下層保護層
の１層だけエッチングすればよいので、エッチング時間
が短縮できて生産性の良いサーマルヘッドを提供でき
る。また、上層保護層に耐摩耗性に優れた材料を使っ
て、耐摩耗性の劣る下層保護層を保護するように、複数
の保護層に異なる２種類の材料を使い分けることができ
るので、耐摩耗性に優れたサーマルヘッドを提供でき
る。

【００２１】また、前記下層保護層形成工程で、基板の
上面全面に下層保護層を形成して、ＩＣ接続部上部の下
層保護層をエッチングして、半田ダムを形成するので、
同一形状の複数の半田ダムを一度にエッチングで形成で
きるので、生産性が良くて品質が安定したサーマルヘッ
ドを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のサーマルヘッドの構造を示す要部断面
図。

【図２】本発明のサーマルヘッドの半田ダムを説明する
部分斜視図。

【図３】本発明のサーマルヘッドの製造工程を示す製造
工程フロー。

【図４】本発明のサマールヘッドのマスキングの状態を
説明する要部断面図。

【図５】従来のサマールヘッドの構造を示す要部断面
図。

【符号の説明】

１基板２保温層２ａ凸部３発熱抵抗体３ａ発熱部４ａ共通電極４ｂ個別電極４ｃ外部接続端子５下層保護層５ａ半田ダム６上層保護層７ドライバＩＣ８封止樹脂Ｍマスク材Ｐピンホール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の上面に形成された保温層と、該保
温層の上面に形成された複数の発熱抵抗体と、該複数の
発熱抵抗体に接続される個別電極および共通電極と、前
記保温層、前記発熱抵抗体、前記個別電極および共通電
極の上面を被覆する保護層と、前記個別電極および外部
接続端子に接続されるドライバＩＣとを備えて、前記個
別電極および外部接続端子の上部の保護層に半田ダムを
形成したことを特徴とするサーマルヘッド。
【請求項２】前記保護層は複数の層からなり、前記半
田ダムを前記複数の層の下層側に形成したことを特徴と
する請求項１記載のサーマルヘッド。
【請求項３】基板上に形成した保温層の表面に複数の
発熱抵抗体を形成する発熱抵抗体形成工程と、これら発
熱抵抗体に個別に通電するための共通電極および複数の
個別電極を前記発熱抵抗体に接続する電極形成工程と、
前記保温層ならびに共通電極ならびに個別電極を被覆す
る複数層の保護層を形成する下層保護層形成工程と上層
保護層形成工程と、前記個別電極および外部接続端子の
ＩＣ接続部にドライバＩＣを半田付けするドライバＩＣ
実装工程とを備えて、前記個別電極および外部接続端子
のＩＣ接続部上部の下層保護層に半田ダムをエッチング
して形成することを特徴とするサーマルヘッドの製造方
法。