JPH10116732A - 伝送線路トランス及びこれを使用した増幅ユニット - Google Patents

伝送線路トランス及びこれを使用した増幅ユニット

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JPH10116732A
JPH10116732A JP8268673A JP26867396A JPH10116732A JP H10116732 A JPH10116732 A JP H10116732A JP 8268673 A JP8268673 A JP 8268673A JP 26867396 A JP26867396 A JP 26867396A JP H10116732 A JPH10116732 A JP H10116732A
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transformer
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input
core
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Yuji Tsunoda
雄二 角田
Yoshisuke Fukazawa
善亮 深澤
Yasuhiro Shirakawa
泰弘 白川
Yoshimasa Wakabayashi
良昌 若林
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 CATV等のような広帯域に亘る信号を増幅
する広帯域増幅器に適した入力トランスを備えた増幅ユ
ニットを提供することにある。 【解決手段】 不平衡伝送線路と平衡型広帯域増幅器の
入力側との間に接続される入力トランスとして、中点電
位を固定された伝送線路トランスを使用して、互いに逆
位相の2つの出力信号に変換して、広帯域増幅器に出力
する。これによって、増幅ユニットにおける2次歪を相
殺することができる。伝送線路トランスとしては、2つ
の入力ポートと、3つの出力ポートとを備え、出力ポー
トの一つが接地された強制バラン型伝送線路トランスを
使用する。これら入力ポート及び出力ポート間には、第
1及び第2の2芯平行線がメガネ型コアを介して配置さ
れ、1:(1/2):(1/2)のインピーダンス比を
単一のメガネ型コアを使用して構成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、広帯域に亘る入力
信号を増幅することができる増幅ユニットに関し、特
に、入力側トランスと広帯域増幅器とを備えた増幅ユニ
ットに関する。
【0002】
【従来の技術】最近、CATV等では、映像チャンネル
を100チャンネル程度まで、多チャンネル化すること
が要望されており、この要望に応えるためには、約50
MHz程度の低い周波数から約1GHz程度の非常に高
い周波数まで、言い換えれば、約700MHz〜1GH
zの広い帯域に亘って、均一に、且つ、低歪で入力信号
を増幅できる広帯域増幅器が必要である。
【0003】ここで、この種、CATV用の増幅ユニッ
トには、上記した広帯域増幅器の他に、ケーブル、他の
機器等とのインピーダンス整合の関係上、広帯域増幅器
の入力側及び出力側に、それぞれ入力及び出力トランス
が設けられているのが普通である。
【0004】従来、このような構成を有する増幅ユニッ
トに対しても、他の回路等と同様に、小形化が強く要求
されている。しかしながら、広帯域増幅器自体はICチ
ップによって構成することによって、小型化できるが、
入力トランス及び出力トランスはチップ化できないた
め、充分に小形化できないのが実情である。一方、この
種の増幅ユニットに使用される入力トランス及び出力ト
ランスは、広帯域に亘って、インピーダンス整合のとれ
たものでなければならないため、各種の工夫が成されて
いるが、低価格で、しかも、CATVに要求される広い
帯域に亘って整合性を保てるトランスについては、未だ
提案されていない。したがって、従来提案されている入
力トランス及び出力トランスを使用したのでは、インピ
ーダンスの不整合を避けることができず、反射波の発
生、並びに、反射波の発生に伴うゴーストの発生等によ
る画質の低下、及び、伝送効率の低下等を防止できな
い。特に、広い地域に信号を供給するCATVでは、広
帯域増幅ユニットの数が多くなるので、少しのインピー
ダンス不整合でも影響が大きい。このように、CATV
に使用される増幅ユニットでは、入力及び出力トランス
におけるインピーダンスの整合は非常に重要な問題であ
る。
【0005】従来、特開平3−52407号公報(以
下、引用例1と呼ぶ)には、100〜1000MHz、
又は、それ以上の無線周波数領域で動作するハイブリッ
ド増幅ユニットが提案されている。引用例1では、増幅
器を構成する能動素子部分を個々にチップ化すると共
に、これらチップを入力及び出力トランスと共に、回路
基板上に配置した構成が示されている。また、この構成
では、基板上に配置された回路部分のレイアウトを物理
的に鏡面対称にすることにより、回路部分に関連した寄
生インピーダンスの影響を低減することができる。
【0006】更に、引用例1は、入力及び出力トランス
として、トロイダルコアに巻線を施した磁気結合型トラ
ンスを使用しており、この磁気結合型トランスを介し
て、伝送線路と増幅器との接続、並びに、外部回路と増
幅器との接続を行っている。また、磁気結合型トランス
は、基板上に平面的に配置されており、磁気結合型トラ
ンスの各巻線の端子は基板上に配置された金属パター
ン、即ち、導体パターンと個々に接続されている。
【0007】一方、特開平5−199048号公報(以
下、引用例2)には、伝送線路トランスを介して伝送線
路と広帯域増幅器とを接続した構成の高周波線形増幅器
が開示されている。また、引用例2は、所定の特性イン
ピーダンスを有する2芯平行線を1組使用すると共に、
伝送線路トランスを使用することも示唆している。この
構成では、周波数特性を引用例1よりも改善でき、且
つ、小型、軽量化を達成することができる。
【0008】次に、特開平7−240652号公報(以
下、引用例3と呼ぶ)には、平衡側ケーブルと不平衡側
ケーブルとの間に、伝送線路トランスを設けると共に、
平衡側のケーブルに、2つの抵抗素子を直列接続し、両
抵抗素子の中点を接地した構成を有する平衡ー不平衡変
換器が示されている。この構成では、2つの抵抗素子の
中点を接地することにより、中点電位を固定することが
でき、このため、コモンモードのインピーダンスを低減
できる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、引用例
1のように、磁気結合型トランスを平面的に配置したの
では、基板上における磁気結合型トランスの占有面積が
大きくなる。更に、磁気結合型トランスにおける各巻線
は、導体パターン、即ち、金属パターンに対して配線さ
れ、トロイダルコアと導体パターンとの配線距離が長い
ため、配線によるバラツキによって、寄生インダクタン
スも変化し、配線後、微調整する必要があり、周波数特
性が悪いという欠点がある。調整後、トロイダルコアや
配線をワニスなどの接着剤で基板上に固定する必要があ
るが、固定すると、接着剤の誘電率で浮遊容量が変化
し、折角、調整した特性がずれてしまうこともある。こ
のように、調整に多大な時間を費やしていた。また、磁
気結合型トランスを使用した場合、高域は線間の結合度
で制限され、低域はコアの材質で制限されてしまうた
め、周波数特性が悪く、広帯域化には不向きである。
【0010】更に、引用例2では、伝送線路トランス及
び2芯平行線を使用することを示唆してはいるものの、
広帯域増幅器に適した伝送線路トランスの入力側及び出
力側の接続関係について、何等、考慮されていない。こ
のため、引用例2は、通常の伝送線路トランスの場合と
同様に、入力対出インピーダンス比を1:n2 (具体的
には1:1)に選定することしか、考慮していない。し
たがって、他のインピーダンス比を実現する必要性等を
引用例2から見出だすことは、困難である。
【0011】いずれにしても、引用例2のように、1:
1の伝送線路トランスを平衡入力の増幅器に接続した場
合、中点が不定となり、高周波増幅器の利得特性、2次
歪特性等の特性が安定しないと言う欠点がある。更に、
小型化の要求に応えるために、小型のコアを使用する
と、対地インピーダンスが小さ<なり、偶モード(コモ
ン・モードとも呼ぶ)信号の影響が大きくなる。
【0012】また、引用例3においても、伝送線路トラ
ンスと広帯域増幅器との接続関係については、何等、示
唆していないから、この引用例3から、広帯域増幅器に
適した伝送線路トランスとの間の接続関係、並びに、構
成を見出だすことは、困難である。更に、引用例3の構
成では、180度位相反転した高周波電力をトランスの
出力ポートで終端抵抗により終端するため、あらゆる周
波数で一定のインピーダンスで終端されることになる。
しかしながら、入力側と出力側とのインピーダンス比を
変えずに、中点電位を固定することが困難であるという
欠点がある。その理由は、終端抵抗の値を大きくすれ
ば、終端抵抗に流れる高周波電流が小さく、中点電位を
安定に保つことができず、逆に、終端抵抗を小さくすれ
ば、変換比が変化してしまうからである。
【0013】本発明の目的は、広帯域増幅器の広帯域化
に寄与できる構成を備えた入力トランスを有する増幅ユ
ニットを提供することである。
【0014】本発明の他の目的は、広帯域増幅器の入力
側と、入力トランスとの間の整合を容易に取り得る増幅
ユニットを提供することである。
【0015】本発明の他の目的は、安定で、且つ、優れ
た周波数特性を有する増幅ユニットを提供することであ
る。
【0016】本発明の更に他の目的は、小形化できる構
成を備えた増幅ユニットを提供することである。
【0017】本発明の他の目的は、1:(1/2)+
(1/2)のインピーダンス比を実現できると共に、広
帯域増幅器における2次歪を低減できる伝送線路トラン
スを提供することである。
【0018】本発明の他の目的は、基板等に取り付ける
際におけるバラツキを少なくし、実質上、無調整で基板
等に搭載できる伝送線路トランスを提供することであ
る。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明の一形態によれ
ば、不平衡伝送線路と、平衡型広帯域増幅器の入力と間
に、入力トランスを接続した増幅ユニットにおいて、前
記入力トランスは、中点出力を決める手段を備えた伝送
線路トランスを含んでいることを特徴とする増幅ユニッ
トが得られる。
【0020】本発明の他の形態によれば、2つの入力ポ
ートをメガネ型コアの一表面側に設け、出力ポートをメ
ガネ型コアの他表面側に設け、これらポートにメガネ型
コアの穴を通過する2芯平行線を接続した表面実装型の
伝送線路トランスが得られる。この構成では、入力ポー
トを入力伝送線路に向け、出力ポートを広帯域増幅器に
向けて、コアを立設して配置することができ、実装基板
に対する実装、並びに、広帯域増幅器との電気的接続が
容易になると共に、実装面積も縮小できる。
【0021】
【発明の実施の形態】図1を参照すると、本発明の一実
施の形態に係る増幅ユニットは、同軸線路等の不平衡線
路によって構成された入力側伝送線路10に接続され、
この入力側伝送線路10を介して与えられる広帯域高周
波信号を増幅して、出力端子OUT1及びOUT2に出
力信号として出力する。尚、入力側伝送線路10は75
Ωの特性インピーダンスを有しているものとする。
【0022】また、図示された増幅ユニットは、入力ト
ランス11、広帯域増幅器12、及び電力結合器13と
によって構成されている。このうち、入力トランス11
の出力側に接続された広帯域増幅器12は、50〜80
0MHzの帯域にわたって、37.5Ωの入力インピー
ダンスを持つ平衡型広帯域増幅器によって構成されてお
り、且つ、この平衡型広帯域増幅器は、プッシュプル形
式に接続された互いに同一の構成の第1及び第2の増幅
回路によって形成されている。尚、図1は交流的な等価
回路を示したものであって、直流的な接続は考慮してい
ない。
【0023】図示された第1の増幅回路は、ソース接地
型増幅器を構成するFET31a及び32aと、FET
32aに対してカスコード接続され、カスコード接続増
幅器を構成するFET33aとを有している。また、F
ET31aのドレインとゲートとの間には、第1の負帰
還回路26aとして、抵抗R1aとコンデンサC1aと
の直列回路が接続されており、他方、FET33aのド
レインとFET32aのゲートの間には、第2の負帰還
回路27aとして、コンデンサC2aと抵抗R2aとの
直列回路が接続されている。
【0024】同様に、第2の増幅回路は、FET31b
〜FET33b、第1の負帰還回路26bとしての抵抗
R1b及びコンデンサC1b、第2の負帰還回路27b
としてのコンデンサC2b及び抵抗R2bとを備えてい
る。また、FET31aとFET31bのソース間に
は、抵抗R3が接続され、FET32aとFET32b
のソース間には、抵抗R4が接続されている。更に、F
ET33aとFET33bのゲート間には、抵抗R5が
接続されている。抵抗R3及びR4は、これら抵抗によ
って相互に接続されたFETを仮想的に接地することに
より、二次歪を除去するためのバランス抵抗であり、他
方、抵抗R5はバイアス源(図示せず)からバイアスを
供給し、ゲート接地動作を安定させるためのバイアス抵
抗である。この構成を有する平衡型広帯域増幅器は、F
ETの特性がばらついたり、入力信号の振幅や180度
位相差に多少の差があっても、出力にその差が生じない
と言う利点を有するとともに、第1及び第2の増幅回路
で発生する二次歪の大きさを打ち消すことができると言
う利点をも併せ有している。但し、入力信号の振幅や1
80度位相差に差があると、差がない場合に比べて2次
歪みは大きくなるので、差がないことが好ましい。
【0025】一方、上記した平衡型広帯域増幅器の入力
側に接続された入力トランス11は、2芯平行線を含む
伝送線路トランスによって構成されており、図示された
例は、強制バラン型伝送線路トランスを使用している。
具体的に言えば、図示された強制バラン型伝送線路トラ
ンスは、入力側伝送線路10に接続された入力側ポート
P1、P2と、出力側ポートP3〜P5とを有し、出力
ポートP3及びP5は平衡型広帯域増幅器の入力端子に
接続されると共に、出力側ポートP4は接地されてい
る。また、入力側ポートP1とP2との間の入力インピ
ーダンスをZinとし、出力側ポートP3とP4との間
の出力インピーダンスをZout1、及び出力側ポート
P5とP4との間の出力インピーダンスZout2と
し、更に、出力側ポートP3とP5との間の出力インピ
ーダンスZoutとする。
【0026】ここで、強制バラン型伝送線路トランス
は、互いに平行に並べられ、相互に被覆等により固定さ
れた2本の伝送線路からなる第1及び第2の2芯平行線
111、及び、112とを備えている。第1の2芯平行
線111の伝送線路の入力側端子は、それぞれ入力側ポ
ートP1、P2に接続されており、更に、第1の2芯平
行線111の伝送線路の出力側端子は第2の2芯平行線
112との共通接続点C1及びC2に接続されている。
第1の2芯平行線111を構成する伝送線路は、伝送ト
ランスとして動作する。
【0027】更に、第2の2芯平行線112のうちの一
方の伝送線路の一端は、共通接続点C1に接続されると
共に、出力側ポートP3に接続され、他端、即ち、巻き
始めの位置は出力ポートP4を介して接地されている。
また、第2の2芯平行線112のうちの他方の一端、即
ち、巻き始めの位置は、共通接続点C2を介して出力側
ポートP5に接続されると共に、他端は出力ポートP4
を介して接地されている。このように、図示された強制
バラン型伝送線路トランスの第2の2芯平行線112
は、中点を交流的に接地することにより固定している。
中点を固定することにより、平衡型広帯域増幅器のもつ
特性を十二分に発揮させることができる。
【0028】ここで、第1の2芯平行線111はリング
状コアに巻線されて、第1の伝送線路トランスを形成
し、他方、第2の2芯平行線112もリング状コアに巻
線されて第2の伝送線路トランスを形成しているものと
する。
【0029】この構成では、強制バラン型伝送線路トラ
ンスの入力側に設けられた第1の伝送線路トランスは、
伝送線路10からの不平衡型である入力高周波信号を平
衡型に変換して出力する。この第1の伝送線路トランス
の入力/出力におけるインピーダンス比は1:1にな
り、且つ、ポートP1とP2間の入力インピーダンスZ
inは75Ωになるように、調整されている。
【0030】他方、出力側に設けられた第2の伝送線路
トランスは、平衡型で、伝送線路10の出力端子、即
ち、共通接続端子C1及びC2に接続されており、平衡
型出力の中点電位を確定する。ポートP3とポートP4
間、及び、ポートP5とポートP4間の出力インピーダ
ンスZout1、Zout2はそれぞれ37.5Ωとな
るように、調整されており、両者のインピーダンス比は
1:1である。図示された強制バラン型伝送線路トラン
スのインピーダンス比(Zin:Zout1:Zout
2)は、1:(1/2):(1/2)となることは明ら
かである。
【0031】ここで、図示された増幅ユニットの動作を
説明する。伝送線路10からの入力高周波信号は強制バ
ラン型伝送線路トランスのポートP1及びP2間に与え
られる。入力高周波信号は、ポートP5とポートP3に
平衡信号として出力される。即ち、ポートP5とポート
P4との間に、入力高周波信号と同一位相の出力信号と
して送出され、他方、ポートP3とポートP4との間
に、逆位相の出力信号として送出される。ここで、ポー
トP5とP3に送出される出力信号は、同一の振幅で、
且つ、互いに逆位相を有している。
【0032】このように、中点電位を確定した強制バラ
ン型伝送線路トランスは、広い周波数帯域において、出
力ポートP3及びP5に対して、電圧差の少ない出力信
号を供給することができ、また、位相差においても、1
80度から大きくずれることのない出力信号を送出でき
る。更に、このような強制バラン型伝送線路トランスを
平衡型広帯域増幅器12と組み合わせることにより、平
衡型広帯域増幅器12の入力側の中点電位が固定できる
ため、平衡型広帯域増幅器12の利得特性及び2次歪特
性を十二分に発揮させることができる。このことは、増
幅ユニット全体の2次歪特性を大幅に改善できることを
意味している。即ち、強制バラン型伝送線路トランスか
ら平衡型広帯域増幅器12に与えられる出力信号自体、
同一振幅で、互いに逆位相とすることができるので、平
衡型広帯域増幅器12内でも、互いに同一振幅、逆位相
で増幅され、平衡型広帯域増幅器12の後段に接続され
る電力結合器13により1つにまとめられ、出力端子O
UTから出力される。これに対し、平衡型広帯域増幅器
12内で発生する2次歪みは同一振幅、逆位相となるの
で、電力結合器13で相互に相殺される。仮に、振幅に
差があったり、逆位相から位相のズレがあると、電力結
合器13で結合損失が生じ、増幅効率が低下したり、2
次歪みを効果的に打ち消すことができない。すなわち、
本実施の形態では、平衡型広帯域増幅器12への入力が
同一振幅、逆位相にすることができるため、増幅器の増
幅効率が最大になり、2次歪みが最小となる。
【0033】図2を参照すると、図1の入力トランス1
1として使用できる強制バラン型伝送線路トランスの一
例が示されており、ここでは、リング状コア40に上記
した第1及び第2の2芯平行線を巻線を施すことによっ
て構成されている。
【0034】具体的にいえば、図2のポートP1〜P5
は図1に示されたポートに対応しており、リング状コア
40の一部に第1の2芯平行線111が巻線されてい
る。図に示されているように、第1の2芯平行線111
の巻き始めの2つの端子はポートP1及びポートP2に
それぞれ接続されている。更に、第1の2芯平行線11
1の一方の伝送線路の巻き終りの2つの端子はポートP
3及びP5にそれぞれ接続されている。
【0035】他方、第2の2芯平行線112は第1の2
芯平行線111から離れたリング状コア部分に巻線され
ており、且つ、第2の2芯平行線112を形成する2本
の伝送線路の一方(白丸)の巻き始めはポートP5に接
続され、他方の伝送線路(黒丸)の巻き始めはポートP
4に接続されている。更に、一方の伝送線路の巻き終り
はポートP4に接続され、他方の伝送線路の巻き終りは
ポートP3に接続されている。この接続関係により、図
1に示した強制バラン型伝送線路トランスを構成するこ
とができる。このように、単一のコア40の異なる位置
に第1及び第2の2芯平行線111及び112を巻線す
ることにより、第1及び第2の2芯平行線を個々に2つ
のリング状コアに巻線する場合に比較して、外形や実装
面積の小さな強制バラン型伝送線路トランスを構成でき
る。
【0036】尚、図2の変形として、第1及び第2の2
芯平行線をリング状コアの同一箇所に重ね巻きすること
もできるが、巻線された第1及び第2の2芯平行線が互
いに電磁結合するため、巻き方でインピーダンス変換比
が変わってしまうおそれがあり、且つ、各平行線の端子
の処理が複雑化する。更に、低周波におけるロスを無視
できるような場合には、棒状のコアに第1及び第2の2
芯平行線を巻線し、図1と同様な等価回路であらわすこ
とができる強制バラン型伝送線路トランスを構成でき
る。
【0037】図3(A)及び(B)を参照すると、図1
に示された広帯域増幅器12に最も適した強制バラン型
伝送線路トランス11の構成が概略的に示されている。
図3(A)は、上記した強制バラン型伝送線路トランス
11を入力ポートP1及びP2側からみた概略斜視図で
あり、他方、図3(B)は、強制バラン型伝送線路トラ
ンス11を出力ポートP3〜P5側からみた概略斜視図
である。
【0038】図3(A)及び(B)に示すように、強制
バラン型伝送線路トランス11は平行に延びる第1及び
第2の穴41及び42を備えたメガネ型コア45を備え
ている。図3(A)のように、当該メガネ型コア45
は、平坦な前表面451と、この前表面451と対向す
る平坦な裏表面452とを有し、更に、これら両表面4
51、452に続く楕円形状の側面453とを備え、上
述した第1及び第2の穴41及び42は、両表面45
1、452間に延びている。
【0039】ここで、図3(A)及び(B)からも明ら
かな通り、入力側ポートP1及びP2は、前表面451
側に配置されており、他方、出力側ポートP3〜P5は
裏表面452側に配置されている。図3(A)に示すよ
うに、第1の2芯平行線111の2本の伝送線路は入力
側ポートP1及びP2に接続された巻き始め部分を有
し、第1の穴41を通過する。通過後、図3(B)に示
すように、伝送線路の巻き終り部分は、出力側ポートP
3及びP5に接続されている。図3では、第1の2芯平
行線111を構成する2本の伝送線路は、白丸と黒丸で
区別されている。ここで、第1の2芯平行線111は第
1の穴41を少なくとも1回通過させるだけでも良い
し、また、図3に示すように、第1の穴41を通過させ
た後、メガネ型コア45を複数回(図では2回)巻くよ
うにしてもよい。
【0040】一方、第2の2芯平行線112が第2の穴
42に通過され、図1に示した接続関係で出力側ポート
P3〜P5に接続されている。具体的に言えば、第2の
2芯平行線112の一方の伝送線路(白丸)の巻き始め
は、出力側ポートP5に接続され、その巻き終りは出力
側ポートP4に接続されている。また、第2の2芯平行
線112の他方の伝送線路(黒丸)の巻き始めは、出力
側ポートP4に接続され、その巻き終りは出力側ポート
P3に接続されている。これら第2の2芯平行線112
も、第2の穴を少なくとも1回通過するだけでも良い
し、図示されているように、メガネ型コア45を複数回
(図では3回)巻いても良い。第2の2芯平行線112
をメガネ型コア45に巻回する場合、第1の2芯平行線
111とは重なり合わないように巻回するのが望まし
い。好ましくは、図3のように、第1及び第2の2芯平
行線111、112は、メガネ型コア45の互いに反対
側側面を通過するように、巻回する。
【0041】ここで、出力側ポートP4は接地されるの
で、図3に示された強制バラン型伝送線路トランスは、
図1と同様な等価回路であらわせることは明らかであ
る。
【0042】図4、5、6、及び7を参照すると、図3
に示された強制バラン型伝送線路トランス11を表面実
装型素子化した例が示されており、図4〜7は、それぞ
れ、表面実装素子化された強制バラン型伝送線路トラン
ス11の平面図、正面図、背面図、及び、側面図であ
る。図示された強制バラン型伝送線路トランス11は図
5〜7からも明らかなように、矩形形状の表面実装用基
板46を備え、この基板46の両側面の一方には、入力
側ポートP1及びP2が取り付けられており(図4、図
5、図7)、他方、基板46の他方の側面には、出力側
ポートP3〜P5が取り付けられている(図4、図6、
図7)。図示されたメガネ型コア45は、前表面と裏表
面間の長さよりも、幅の方が広くなっており、実際に、
メガネ型コア45の長さは3mm程度であり、幅は5m
m程度である。このメガネ型コア45は表面実装用基板
46に固定されており、これによって、表面実装素子を
構成している。図4、5、及び6からも明らかな通り、
第1の2芯平行線111は、入力側ポートP1及びP2
に電気的に接続され、メガネ型コア45の第1の穴41
を通過した後、図5及び図6からも明らかなように、3
回、メガネ型コア45に巻回され、その端部を出力側ポ
ートP3及びP5に電気的に接続されている。また、第
2の2芯平行線112の巻き始めは出力側ポートP4及
びP5に電気的に接続され、巻き終りは出力側ポートP
3及びP4に電気的に接続され、図1と同様な配線が行
われている。尚、出力側ポートP4は交流的に接地され
ている。また、ポートP4をバイアス源(図示せず)と
接続することで、平衡型広帯域増幅器12の入力にバイ
アスを与えることもできる。
【0043】この構成では、入力ポートP1、P2に不
平衡入力信号を与え、第1及び第2の2芯平行線11
1、112の伝送線路により、平衡型信号に変換するこ
とができる。この場合、出力側ポートP5とP4との間
には、入力信号と同相の信号が出力され、他方、出力側
ポートP3とP4との間には、入力信号と逆相の信号が
出力されることは、図1を参照して説明した通りであ
る。
【0044】このように、第2の2芯平行線112を構
成する伝送線路の一方を接地することにより、第2の2
芯平行線112の各出力端の接地端子からみたインピー
ダンスをいかなる場合においても等しくすることができ
る。ここで、図4〜7に示した強制バラン型伝送線路ト
ランスの特性の一例を示すと、ポートP1−ポートP2
間、ポートP3−ポートP5間のインピーダンスは75
Ωであり、他方、ポートP3−P4間、P4−P5間の
インピーダンスは37.5Ωであった。
【0045】また、図4〜7に示された強制バラン型伝
送線路トランスは、入力側ポートP1、P2を一方の側
面に設け、出力側ポートP3〜P5を他方の側面に設け
ているため、入力側ポートP1、P2を入力伝送線路1
0に向け、且つ、出力側ポートP3〜P5を広帯域増幅
器12の入力に向けた状態で、実装できるため、入出力
の接続が極めて容易である。また、メガネ型コア45の
2つの穴を配線基板等に平行にした状態、即ち、メガネ
型コア45を立設した状態で実装できるため、トランス
の実装面積を低減できる。
【0046】図4〜7に示した強制バラン型伝送線路ト
ランス11を図1に示した広帯域増幅器12と組み合わ
せた場合、トランス11におけるインダクタンスを変化
させても、10MHz〜1GHzの帯域にわたって均一
な利得を実際に得ることができた。
【0047】
【実施例】上記したメガネ型コア45を使用した強制バ
ラン型伝送線路トランスの具体例を説明すると、メガネ
型コアは、長さ3mm、高さ2.8mm、幅5.2mm
のNi系フェライト材料のコアを使用した。このコアの
2つの穴の径は1mmであり、両穴間の距離は、約1.
33mmであった。また、第1及び第2の2芯平行線を
構成する各伝送線路としては、太さ0.12mm銅線を
厚さ0.0lmmのポリウレタンによって被覆したもの
を使用した。更に、第1の2芯平行線11は4ターンだ
けコアに巻回され、他方、第2の2芯平行線は(4+l
/2)ターンコアに巻回することによって、図示された
トランスを得た。入力インピーダンスZinは75Ω、
出力インピーダンスZout1、Zout2は383〜
44Ωであった。このインピーダンス比は、理論的に
は、1:0.5であるが、実際には、コアの損失等があ
るため、1:0.51〜0.59であった。
【0048】
【発明の効果】伝送線路と平衡型広帯域増幅器の入力と
を強制バラン型伝送線路トランスを用いて接続すること
により、伝送線路トランスの出力の中点電位を固定する
ことができ、広帯域増幅器の入力に、同一振幅で逆位相
の信号を伝えることができる。その結果、広帯域増幅器
の出力にも同一振幅で逆位相の信号を取り出すことがで
き、電力結合器で電力を損失することなく、効率的に増
幅することができる。更に、広帯域増幅器内部で発生す
る2次歪みも同一振幅、同位相で増幅されるので、電力
結合器で打ち消すことができ、2次歪みを低減できる。
このように、強制バラン型伝送線路トランスと平衡型広
帯域増幅器とを組み合わせることにより、平衡型広帯域
増幅器の持つ特性を十二分に発揮させることができる。
【0049】また、強制バラン型伝送線路トランスとし
て、単一のメガネ型コアに第1と第2の2芯平行線を巻
いた構成を採用することにより、1:(1/2):(1
/2)のインピーダンス比を実現できると共に、表面実
装用基板上に組立するので、線材やコアを基板上に固定
できる。このことは、各ポートP1〜P5を配線基板等
に直接搭載することにより実装できるため、強制バラン
型伝送線路トランスを構成する線材等を配線する必要が
なくなる。したがって、配線に伴うインピーダンスの変
化を防止でき、且つ、無調整で特性のそろった強制バラ
ン型伝送線路トランスが得られる。また、単一のコアに
2つの伝送線路トランスを組み込むので、小形、軽量化
を図れると言う利点もある。更に、回路基板に実装して
も、巻線の位置が変わることがなく、更に、基板実装前
に伝送線路トランス単体で特性を検査し、所望の特性と
なるように調整したり、選別できるため、実装後の調整
が不要になる。このことは、基板実装時、コアの固定具
合や、巻線の位置を個々に調整する必要がないので、調
整時間や調整工数を大幅に低減でき、また、自動組立、
自動検査が容易になることを意味している。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る増幅ユニットを説
明するための回路図である。
【図2】図1の増幅ユニットに使用できる強制バラン型
伝送線路トランスの一例を説明するための外観図であ
る。
【図3】(A)は図1の増幅ユニットに使用できる他の
強制バラン型伝送線路トランスを一方の側面から見た斜
視図である。(B)は図3(A)の反対側から見た場合
を説明するための斜視図である。
【図4】図3に示された強制バラン型伝送線路トランス
をより具体的に説明するための平面図である。
【図5】図4に示された強制バラン型伝送線路トランス
の正面図である。
【図6】図4に示された強制バラン型伝送線路トランス
の背面図である。
【図7】図4に示された強制バラン型伝送線路トランス
の側面図である。
【符号の説明】
10 入力伝送線路 11 入力トランス 12 広帯域増幅器 111 第1の2芯平行線 112 第2の2芯平行線 P1〜P5 入力/出力ポート 45 メガネ型コア
フロントページの続き (72)発明者 若林 良昌 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力トランスと、平衡型広帯域増幅器と
    を備えた増幅ユニットにおいて、 前記入力トランスは、前記入力トランスの特性インピー
    ダンスを保持したまま、中点出力を決める手段を備えた
    伝送線路トランスを含んでいることを特徴とする増幅ユ
    ニット。
  2. 【請求項2】 請求項1において、前記中点出力を決め
    る手段を備えた伝送線路トランスは強制バラン型伝送線
    路トランスによって構成されていることを特徴とする増
    幅ユニット。
  3. 【請求項3】 請求項2の強制バラン型伝送線路トラン
    スは、2つの入力ポートと、第1、第2、及び、第3の
    出力ポートとを有すると共に、第2の出力ポートには固
    定電位が与えられる構成を備え、前記入力ポート間の第
    1のインピーダンス、第1及び第2の出力ポート間の第
    2のインピーダンス、及び、第3及び第2の出力ポート
    間の第3のインピーダンスをそれぞれZin、Zout
    1、及びZout2とした時、Zin:Zout1:Z
    out2のインピーダンス比は略1:(1/2):(1
    /2)で現されることを特徴とする増幅ユニット。
  4. 【請求項4】 2つの穴を有するメガネ型コアと、2つ
    の入力ポートと、第1、第2、及び、第3の出力ポート
    と、第2の出力ポートを固定電位に接続する手段とを備
    え、前記入力ポート間の第1のインピーダンス、前記第
    1及び第2の出力ポート間の第2のインピーダンス、第
    3及び第2の出力ポート間の第3のインピーダンスの比
    が略1:(1/2):(1/2)のインピーダンス比と
    なるように、前記メガネ型コアに伝送線路が配置されて
    いることを特徴とする伝送線路トランス。
  5. 【請求項5】 2つの穴を有するメガネ型コアと、 2つの入力ポートと、第1、第2、第3の出力ポート
    と、 第1の穴を少な<とも1回通過する第1の2芯平行線
    と、 第2の穴を少なくとも1回通過する第2の2芯平行線と
    を有し、 第1の2芯平行線の巻始めを前記2つの入力ポートに接
    続し、巻終わりを第1、第3の出力ポートにそれぞれ接
    続し、 第2の2芯平行線の一方の巻始めを第1の出力ポート、
    巻終わりを第2の出力ポートとそれぞれ接続し、 第2の2芯平行線の他方の巻始めを第2の出力ポート、
    巻終わりを第3の出力ポートと接続したことを特徴とす
    る伝送線路トランス。
  6. 【請求項6】 請求項4、5のいずれかにおいて、表面
    実装手段上に形成した伝送線路トランス。
  7. 【請求項7】 互いに対向する2つの表面と、これら表
    面を囲む側面とを備え、前記2つの表面間に設けられた
    2つの穴を有するメガネ型コアと、 前記側面部を支持することによって、前記メガネ型コア
    を固定する表面実装基板と、 前記2つの表面の一方側に隣接して設けられた2つの入
    力ポートと、 前記2つの表面の他方側に隣接して設けられた第1、第
    2、及び第3の出力ポートと、 前記2つの入力ポートと、前記第1及び第3の出力ポー
    トに接続され、前記メガネコアの一方の穴を通過するよ
    うに設けられた第1の2芯平行線と、第1及び第2の出
    力ポートに接続される一端部を有すると共に、前記第3
    及び第2の出力ポートに接続される他端部を有し、前記
    メガネ型コアの他方の穴を通過するように、設けられた
    第2の2芯平行線とを備え、前記入力ポート及び出力ポ
    ートは直接実装基板に接続できることを特徴とする伝送
    線路トランス。
  8. 【請求項8】 請求項7において、前記第2の出力ポー
    トは、固定電位に置かれていることを特徴とする伝送線
    路トランス。
  9. 【請求項9】 請求項8に記載された伝送路トランスの
    第1及び第3の出力ポートに、入力端子をそれぞれ接続
    された平衡型広帯域増幅器を有し、該平衡型広帯域増幅
    器は前記伝送線路トランスと共に、実装基板上に配置さ
    れていることを特徴とする増幅ユニット。
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US08/948,334 US6111465A (en) 1996-10-09 1997-10-09 Amplifying unit comprising an input transformer capable of contributing to a wider frequency band of a broadband amplifier
DE69719899T DE69719899T2 (de) 1996-10-09 1997-10-09 Verstärkereinheit mit einem Eingangstransformator, die für ein breiteres Frequenzband eines Breitbandverstärkers beitragen kann
EP97117432A EP0836203B1 (en) 1996-10-09 1997-10-09 Amplifying unit comprising an input transformer capable of contributing to a wider frequency band of a broadband amplifier

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105513776A (zh) * 2014-09-25 2016-04-20 常熟凯玺电子电气有限公司 一种传输线变压器电压增益系统
WO2022091955A1 (ja) * 2020-10-27 2022-05-05 株式会社村田製作所 電力増幅回路

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6133790A (en) * 1998-09-17 2000-10-17 Motorola, Inc. In-line, unbalanced amplifier, predistortion circuit
US6741814B1 (en) * 1999-04-01 2004-05-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Balun for coaxial cable transmission
DE19915649B4 (de) * 1999-04-07 2009-10-22 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Transformatoranordnung für den Gegentakt-Verstärker einer Kurzwellen- oder Ultrakurzwellen-Senderendstufe
WO2001026216A1 (en) * 1999-10-01 2001-04-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Amplifier
US6750752B2 (en) * 2002-11-05 2004-06-15 Werlatone, Inc. High power wideband balun and power combiner/divider incorporating such a balun
US6831616B1 (en) * 2003-06-04 2004-12-14 Agilent Technologies, Inc. Transmission line balun with parasitic mode termination
US7319435B2 (en) * 2003-09-08 2008-01-15 Pdseelectronics, Inc. Balun for an antenna
US6965280B2 (en) * 2004-01-02 2005-11-15 Lu Chen Three way power splitter
US6963256B2 (en) * 2004-03-29 2005-11-08 Radhakrishnaiah Setty Low cost splitter
JP2010135393A (ja) * 2008-12-02 2010-06-17 Renesas Electronics Corp 伝送線路トランス及びこれを備える増幅ユニット
FR2978595A1 (fr) 2011-07-28 2013-02-01 St Microelectronics Crolles 2 Transformateur du type symetrique-dissymetrique
JP2013074590A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Renesas Electronics Corp 増幅器
GB201209086D0 (en) * 2012-05-24 2012-07-04 Technetix Bv Improvements relating to Ferromagnetic Transformer Cores
CN103731127B (zh) * 2012-10-16 2016-12-21 通用电气公司 用于同步控制串联连接的电子开关的电路
CN106788274B (zh) * 2017-01-18 2023-10-31 广东宽普科技股份有限公司 一种宽带三路合成射频微波功率放大器
EP3682503A4 (en) * 2017-09-11 2021-06-16 Antronix Inc. POWER PASS DIRECTIONAL COUPLER INCLUDING A DIVIDED FERRITE ELEMENT
JP6724887B2 (ja) * 2017-12-05 2020-07-15 株式会社村田製作所 バルントランスおよびその製造方法
CN110768642B (zh) * 2019-11-08 2023-05-19 大连海事大学 一种具有平坦群时延特性的宽带负群时延微波电路

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1133425A (en) * 1967-02-01 1968-11-13 Redifon Ltd Improvements in or relating to transistor amplifiers
JPS61101109A (ja) * 1984-10-24 1986-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平衡・不平衡変換器
US4706038A (en) * 1986-09-29 1987-11-10 Motorola, Inc. Wideband linear Darlington cascode amplifier
US5060298A (en) * 1988-12-09 1991-10-22 Siemens Aktiengesellschaft Monolithic double balanced mixer with high third order intercept point employing an active distributed balun
US4965526A (en) * 1989-07-14 1990-10-23 Motorola Inc. Hybrid amplifier
FR2652197B1 (fr) * 1989-09-18 1992-09-18 Motorola Semiconducteurs Borde Transformateurs du type symetrique-dissymetrique perfectionnes.
US5091708A (en) * 1990-07-30 1992-02-25 North American Philips Corporation Transmission line transformer
JPH04253309A (ja) * 1991-01-29 1992-09-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd バランコイル
JPH04277910A (ja) * 1991-03-06 1992-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 面貼り平衡不平衡変換器
US5142239A (en) * 1991-05-20 1992-08-25 Motorola, Inc. High frequency linear amplifier assembly
US5369795A (en) * 1991-05-29 1994-11-29 Hewlett-Packard Company High frequency transformer and mixer using the same
JP3313138B2 (ja) * 1992-05-08 2002-08-12 松下電器産業株式会社 面実装用バラン
EP0660980B1 (en) * 1992-09-15 2000-06-07 Analogic Corporation High power solid state r.f. amplifier
JPH06276045A (ja) * 1993-03-18 1994-09-30 Toshiba Corp 高周波トランスジューサ
BE1007216A3 (nl) * 1993-06-11 1995-04-25 Philips Electronics Nv Optisch transmissiesysteem.
DE4333253A1 (de) * 1993-09-30 1995-04-06 Deutsche Aerospace Schaltungsanordnung zur Anpassung eines erdunsymmetrischen Leitungssystems an ein erdsymmetrisches Leitungssystem
JP3033424B2 (ja) * 1994-02-28 2000-04-17 松下電工株式会社 平衡−不平衡変換器
US5570062A (en) * 1994-10-12 1996-10-29 Ericsson Ge Mobile Communications Inc. AM-FM transmitter power amplifier using class-BC
US5767754A (en) * 1997-01-24 1998-06-16 General Instrument Corporation Balanced to unbalanced transmission line impedance transformer exhibiting low insertion loss
US5886589A (en) * 1997-05-30 1999-03-23 Analog Devices, Incorporated Balanced to unbalanced transmission line transformers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105513776A (zh) * 2014-09-25 2016-04-20 常熟凯玺电子电气有限公司 一种传输线变压器电压增益系统
WO2022091955A1 (ja) * 2020-10-27 2022-05-05 株式会社村田製作所 電力増幅回路

Also Published As

Publication number Publication date
DE69719899D1 (de) 2003-04-24
EP0836203B1 (en) 2003-03-19
DE69719899T2 (de) 2003-11-06
EP0836203A2 (en) 1998-04-15
US6111465A (en) 2000-08-29
EP0836203A3 (en) 1998-05-20

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