JPH10116583A - イオン質量分析装置 - Google Patents

イオン質量分析装置

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JPH10116583A
JPH10116583A JP8268435A JP26843596A JPH10116583A JP H10116583 A JPH10116583 A JP H10116583A JP 8268435 A JP8268435 A JP 8268435A JP 26843596 A JP26843596 A JP 26843596A JP H10116583 A JPH10116583 A JP H10116583A
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JP
Japan
Prior art keywords
ion
shielding plate
mass
ions
aperture
Prior art date
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Pending
Application number
JP8268435A
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English (en)
Inventor
Megumi Hirooka
恵 廣岡
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Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 質量分離部の方からくる中性ノイズ粒子を完
全にカットし、S/Nを向上させることができるように
する。 【解決手段】 試料はイオン源1においてイオン化され
た後、抽出電極2により引き出され、イオンレンズ3に
より四重極4の受入れに適した形状及び方向に集束され
る。四重極4においては、所定の質量数(m/z)を有
するイオンのみが安定的に振動して通過し、第一遮蔽板
5により引き込まれる。第二遮蔽板6を通過したイオン
は−Vdの電圧が印加された変換ダイノード7に向かっ
て進み、変換ダイノード7の壁面に衝突し、放出された
二次電子e- が、正電圧+Vaが印加された電子増倍管
8に引き寄せられる。一方、中性粒子、特に急角度で第
一の遮蔽板5のアパーチャーを通過した中性粒子は、検
出部のイオン受感部がアパーチャーの全影部にあるた
め、第二の遮蔽板6ですべてカットされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオンを検出する
ことにより試料分析を行うイオン質量分析装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】イオン質量分析装置で試料の分析を行う
場合、まず、イオン化部で試料をイオン化し、これをイ
オンレンズで収束して質量分離部に送り込む。質量分離
部では所定の質量数(質量・電荷比、m/z)を有する
イオンのみを通過させ、イオン検出器でこれを検出す
る。
【0003】図3はこのようなイオン質量分析装置の一
例を示す図であり、ガスクロマトグラフ、液体クロマト
グラフ等により分離された試料、或いは他の方法により
供給される試料はイオン源11においてイオン化された
後、抽出電極12により引き出され、イオンレンズ13
により四重極14の受入れに適した形状及び方向に集束
される。質量分離部としての四重極14においては、所
定の質量数(m/z)を有するイオンのみが安定的に振
動して通過し、この質量数は四重極14に印加するDC
/AC重畳電圧に応じて変化させることができる。四重
極14を通過したイオンは第2イオンレンズ15により
イオン検出器16に導入される。
【0004】イオン検出器としては連続型や不連続型の
電子増倍管が用いられるが、このような検出器ではイオ
ンが高質量になる程検出効率が落ちるため、検出器に入
れる前に高電圧の変換ダイノードに衝突させイオンを二
次電子e- に変換し、この二次電子e- を電子増倍管で
増幅したり、あるいは、蛍光体により一旦光に変換し、
その光を光電子増倍管で増幅検出する等により信号を増
幅する方法が取られている。
【0005】図4、5は従来のイオン質量分析計に使用
されているイオン検出器を説明するための図で、図4は
イオンを直接電子増倍管に入射させる例であり、図5は
イオンを変換ダイノードで二次電子に変換して検出する
例である。両図において、17はイオン入射口(アパー
チャー)を有する遮蔽板、18は電子増倍管、19は変
換ダイノードである。
【0006】図4において、電子増倍管18には負の高
電圧−Vaが印加されており、第二イオンレンズ15に
より加速された正イオンは遮蔽板17のアパーチャーを
通って直接電子増倍管18のイオン変換部に入射し、増
幅されて検出される。
【0007】また、図5では、変換ダイノード19に負
の高電圧−Vdが印加され、電子増倍管18に正の高電
圧+Vaが印加されているので、アパーチャーから入射
してきた正イオンは変換ダイノード19側に偏向されて
変換ダイノード19に衝突する。この衝突により生成さ
れた二次電子e- は、変換ダイノード19と電子増倍管
18の入口により生成される電界によって電子増倍管1
8の入口に導入される。
【0008】ところで、質量分析のためのイオンを生成
するイオン源では電子照射による分子励起や高電圧によ
る帯電等により中性分子からイオンが生成され、そのイ
オンがイオンレンズ等により質量分離部に引き込まれる
が、イオン源の構造上、イオン化されない中性分子や光
も一部質量分離部に入り込む。電子増倍管は荷電粒子
(イオン、電子)をその入り口の部分で電子に変換し、
それを増倍して信号とするものであり、中性粒子にも感
度があるので、中性粒子が電子増倍管に入るとノイズ信
号となる。また、イオンを加速し、変換ダイノードで電
子(正イオンの場合)、正イオン(負イオンの場合)に
変換し、それを電子増倍管に入射させて信号を得る場合
も、このような中性粒子が変換ダイノードに衝突すると
検出目的イオンと同様に二次電子を生成し、これが二次
電子検出器により捕捉されてバックグラウンドノイズを
形成する。このような中性粒子に起因するバックグラウ
ンドノイズを低減するため、電子増倍管および変換ダイ
ノードは質量分析装置の中心線より外れた位置、いわゆ
るオフアクシスの位置、に中心線と平行に置かれてい
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来のイオン質量分析
装置は以上のように構成されているが、実際はオフアク
シスの状態でも中性粒子によるノイズが混入し、S/N
劣化の原因となっている。すなわち、こういった中性粒
子は散乱等の複雑な過程を経て質量分離部の後部にまで
到達し、急角度で遮蔽板のアパーチャーを通過するもの
も多く、電子増倍管、変換ダイノードを質量分析装置の
中心線より外れた位置、いわゆるオフアクシスの位置、
に置いても、かなりの中性粒子が電子増倍管、変換ダイ
ノードに入ってきており、S/Nを低下させる原因とな
っている。
【0010】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、質量分離部の方からくる中性ノイズ粒
子を完全にカットし、S/Nを向上させることができ
る、イオン質量分析装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のイオン質量分析装置は、イオン源、質量分
離部及びイオン検出器を備えたものにおいて、質量分離
部とイオン検出器との間にアパーチャーが形成された遮
蔽板を2枚以上設け、これらのアパーチャーの全影部に
イオン検出器のイオン変換部を配置したことを特徴とす
る。
【0012】本発明のイオン質量分析装置は上記のよう
に構成されており、検出器の前に2枚以上の遮蔽板より
なるレンズ系が設けられているので、このレンズ系の入
り口側から見たとき、その全影部に検出器の初段イオン
変換部及び変換ダイノードがくるので、質量分離部から
くる中性ノイズ粒子を完全にカットすることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】次に、本発明のイオン質量分析装
置の一実施例を図1、図2により説明する。図1におい
て、1〜4は図3の従来のイオン分析装置と同様に、イ
オン源、抽出電極、イオンレンズ、質量分離部としての
四重極であり、5、6はアパーチャーを有する遮蔽板、
7は変換ダイノード、8は電子増倍管である。そして、
図2に詳細に示すように、変換ダイノード7及び電子増
倍管8は第一の遮蔽板5のアパーチャーの入り口から見
て図示斜線部分の全影部に配置されている。例えば、直
径6mmのアパーチャーが形成された2枚の遮蔽板を用
いる場合、イオン受感部の最後尾が第二の遮蔽板6のア
パーチャーから15mm離れ、中心軸から8mmのとこ
ろにイオン受感面があるとき、2枚の遮蔽板は18mm
以上離せばよい。
【0014】なお、四重極と検出器が離れるとイオンの
検出効率が劣化するので、これらの遮蔽板には電圧を与
え、イオンに対してはイオン受感面に収束するようなイ
オンレンズ系にすることが望ましい。
【0015】次に、本発明のイオン質量分析装置の動作
を図1、図2により説明する。従来と同様に、ガスクロ
マトグラフ、液体クロマトグラフ等により分離された試
料、或いは他の方法により供給される試料はイオン源1
においてイオン化された後、抽出電極2により引き出さ
れ、イオンレンズ3により四重極4の受入れに適した形
状及び方向に集束される。四重極4においては、所定の
質量数(m/z)を有するイオンのみが安定的に振動し
て通過し、四重極4を通過したイオンは第一遮蔽板5に
より引き込まれる。このとき、第一遮蔽板5と第二遮蔽
板6はイオンレンズを構成しているので、イオンは集束
されて第二遮蔽板6を通過する。なお、このイオンレン
ズ系は中性ノイズ粒子に対しては単なるドリフト領域と
なる。
【0016】第二遮蔽板6を通過したイオンは−Vdの
電圧が印加された変換ダイノード7に向かって進み、変
換ダイノード7の壁面に衝突する。これにより、変換ダ
イノード7に入射したイオンの量に応じた量の二次電子
- が放出され、放出された二次電子e- は、正電圧+
Vaが印加された電子増倍管8に引き寄せられ、この電
子増倍管8からイオンの検出信号が出力される。
【0017】一方、中性粒子、特に急角度で第一の遮蔽
板5のアパーチャーを通過し、イオン変換部に到達する
可能性のある中性粒子は、検出部のイオン受感部がアパ
ーチャーの全影部にあるため、第二の遮蔽板6ですべて
カットされるのでS/Nを向上させることができる。
【0018】上記実施例では、2枚の遮蔽板を用いた例
を説明したが、二枚に限るものではなく、また、2枚の
遮蔽板の間にイオンガイド用の多重極をいれてもよい。
【0019】また、上記実施例ではイオン検出器とし
て、変換ダイノードと電子増倍管を用いた例を説明した
が、本発明のイオン質量分析装置はイオンを直接電子増
倍管に入れる場合にも適用することができ、更に、二次
電子検出器として二次電子をシンチレータにより光に変
え、光電子増倍管で検出する場合にも適用することがで
きる。また、上記実施例では、正イオンを検出するもの
として説明したが、変換ダイノードに印加する電圧の符
号を反転して正とすることにより、負のイオンについて
も同様に検出することができる。
【0020】
【発明の効果】本発明のイオン質量分析装置は上記のよ
うに、検出器の前に2枚以上の遮蔽板よりなるレンズ系
が設けられ、このレンズ系の入り口側から見たとき、そ
の全影部に検出器の初段イオン変換部及び変換ダイノー
ドがくるので、急角度で第一の遮蔽板のアパーチャーを
通過し、イオン変換部に到達する可能性のある中性粒子
は、第二の遮蔽板ですべてカットされる。したがって、
質量分離部からくる中性ノイズ粒子を完全にカットする
ことができ、S/Nを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のイオン質量分析装置の一実施例を示す
図である。
【図2】図1のイオン質量分析装置のイオン検出部の詳
細を説明するための図である。
【図3】従来のイオン質量分析装置を示す図である。
【図4】イオン検出器の一例を示す図である。
【図5】イオン検出器の他の例を示す図である。
【符号の説明】
1 イオン源 2 抽出電極 3 イオンレンズ 4 四重極 5、6 遮蔽板 7 変換ダイノード 8 電子増倍管

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 イオン源、質量分離部及びイオン検出器
    を備えたイオン質量分析装置において、質量分離部とイ
    オン検出器との間にアパーチャーが形成された遮蔽板を
    2枚以上設け、これらのアパーチャーの全影部にイオン
    検出器のイオン変換部を配置したことを特徴とするイオ
    ン質量分析装置。
JP8268435A 1996-10-09 1996-10-09 イオン質量分析装置 Pending JPH10116583A (ja)

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JP8268435A JPH10116583A (ja) 1996-10-09 1996-10-09 イオン質量分析装置

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JP8268435A JPH10116583A (ja) 1996-10-09 1996-10-09 イオン質量分析装置

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JPH10116583A true JPH10116583A (ja) 1998-05-06

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ID=17458461

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JP8268435A Pending JPH10116583A (ja) 1996-10-09 1996-10-09 イオン質量分析装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111912895A (zh) * 2019-05-09 2020-11-10 岛津分析技术研发(上海)有限公司 真空下的质谱成像装置及方法
JP2021521591A (ja) * 2018-04-13 2021-08-26 アダプタス ソリューションズ プロプライエタリー リミテッド 改善された入力光学系とコンポーネント配置を備えたサンプル分析装置

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