JPH10107552A - 負帰還増幅回路 - Google Patents
負帰還増幅回路Info
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- JPH10107552A JPH10107552A JP8258103A JP25810396A JPH10107552A JP H10107552 A JPH10107552 A JP H10107552A JP 8258103 A JP8258103 A JP 8258103A JP 25810396 A JP25810396 A JP 25810396A JP H10107552 A JPH10107552 A JP H10107552A
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- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
- H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
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Abstract
る負帰還増幅回路を提供すること。 【解決手段】 カスコード接続された複数の電界効果ト
ランジスタ(以下「FET」と呼ぶ)11,12のうち
終段のもののドレインを初段のもののゲートに第1の負
帰還回路13を介して接続する。さらに初段のFETの
ドレインを該初段のFETのゲートに第2の負帰還回路
14を介して接続する。第1の負帰還回路13には第1
の抵抗Rf1を接続する。第2の負帰還回路14には第
2の抵抗Rf2を接続する。
Description
タをカスコード接続した負帰還増幅回路に関する。
映像信号チャンネルを100チャンネル以上に増加させ
る試みが成されている。このような多チャンネル化に対
処するためには、広い帯域にわたって映像信号を増幅で
きる広帯域増幅器が要求される。即ち、各映像チャンネ
ルは約6MHz程度の帯域幅を要求されるから、広帯域
増幅器では、少なくとも600MHzの広い帯域にわた
って低歪、高利得で増幅できることが要求される。好ま
しくは、この種の広帯域増幅器では、チャンネル数の増
加をも見込んで1GHzの帯域にわたって、低歪の増幅
ができることが望ましい。
は増幅器の一例が開示されている。その増幅器は、複数
の電界効果トランジスタ(以下「FET」と呼ぶ)を所
謂カスコード接続し、さらにある目標の利得を達成する
ために負帰還回路を設けた負帰還増幅回路を備えてい
る。また特開平3−52407号公報には、FETの代
わりにバイポーラトランジスタを用いた増幅器が開示さ
れている。
している。この負帰還増幅回路は、所謂カスコード接続
された二つのFET1,2と、第2段目のFET2のド
レインを第1段目のFET1のゲートに接続した負帰還
回路3とを含んでいる。負帰還回路3には利得を調整す
るために抵抗Rfが接続されている。なお第1段目のF
ET1のゲートには入力端子INが、また第2段目のF
ET2のドレインには出力端子OUTがそれぞれ接続さ
れている。
帰還増幅回路では、抵抗Rfの値を選ぶことにより利得
を調整すると、入力端子INのインピーダンスや出力端
子OUTのインピーダンスも変化してしまい、その結
果、入力側回路や出力側回路とのインピーダンスに不整
合が生じてしまうという問題をもつ。これは、利得とイ
ンピーダンスとを独立して別々に調整することができな
いことに起因する。
ダンスとを独立して調整できる負帰還増幅回路を提供す
ることにある。
ード接続された複数の能動素子と、終段の能動素子の出
力側端子を初段の能動素子の制御端子に接続した第1の
負帰還回路とを含む負帰還増幅回路において、前記初段
の能動素子の出力側端子を該初段の能動素子の制御端子
に接続した第2の負帰還回路を備えたことを特徴とする
負帰還増幅回路が得られる。
数のFETと、終段のFETのドレインを初段のFET
のゲートに接続した第1の負帰還回路とを含む負帰還増
幅回路において、前記初段のFETのドレインを該初段
のFETのゲートに接続した第2の負帰還回路を備えた
ことを特徴とする負帰還増幅回路が得られる。
数のバイポーラトランジスタと、終段のバイポーラトラ
ンジスタの出力側端子を初段のバイポーラトランジスタ
のベースに接続した第1の負帰還回路とを含む負帰還増
幅回路において、前記初段のバイポーラトランジスタの
出力側端子を該初段のバイポーラトランジスタのベース
に接続した第2の負帰還回路を備えたことを特徴とする
負帰還増幅回路が得られる。
抗を備え、前記第2の負帰還回路は第2の抵抗を備え、
前記第1の抵抗で出力インピーダンスを調整し、前記第
1及び第2の抵抗で利得を調整するとよい。
還増幅回路を備えた広帯域増幅器が得られる。
る負帰還増幅回路の概略構成を示す回路図である。この
負帰還増幅回路は、入力端子INにゲートを接続された
第1段目の能動素子としての電界効果トランジスタ即ち
FET11と、このFET11のドレインにソースを接
続された第2段目の能動素子としてのFET12とを含
んでいる。即ち、第1段目及び第2段目のFET11,
12は所謂カスコード接続されている。
目のFET12のゲートはそれぞれ接地されている。ま
た第2段目のFET12のドレインは出力端子OUTに
接続されている。
FET12のドレインを第1段目のFET11のゲート
に接続した第1の負帰還回路13と、第1段目のFET
11のドレインをそのFET11のゲートに接続した第
2の負帰還回路14とを備えている。第1の負帰還回路
13には第1の抵抗Rf1が接続され、また第2の負帰
還回路14には第2の抵抗Rf2が接続されている。
Rf1で出力インピーダンスの調整を行うことができ
る。また第1及び第2の抵抗Rf1,Rf2で利得を調
整することができる。したがって利得の調整をRf2で
行い、出力インピーダンスの調整をRf1で行うことに
より、利得と出力インピーダンスとを独立して調整でき
る。
おいて多チャンネル化に対処するために使用される広帯
域増幅器に使用するのに適している。
した場合につき説明したが、FETの代わりにバイポー
ラトランジスタを使用してもよい。後者の場合、FET
のソース、ゲート、及びドレインはバイポーラトランジ
スタのエミッタ、ベース及びコレクタにそれぞれ対応す
る。
につき説明したが、三つ以上の能動素子をカスコード接
続した場合においても同様に実施できる。
利得と出力インピーダンスとを独立して調整できるの
で、インピーダンスに不整合を起こすことなく利得を調
整することができる負帰還増幅回路が得られる。
概略構成を示す回路図である。
である。
Claims (5)
- 【請求項1】 カスコード接続された複数の能動素子
と、終段の能動素子の出力側端子を初段の能動素子の制
御端子に接続した第1の負帰還回路とを含む負帰還増幅
回路において、前記初段の能動素子の出力側端子を該初
段の能動素子の制御端子に接続した第2の負帰還回路を
備えたことを特徴とする負帰還増幅回路。 - 【請求項2】 カスコード接続された複数の電界効果ト
ランジスタ(以下「FET」と呼ぶ)と、終段のFET
のドレインを初段のFETのゲートに接続した第1の負
帰還回路とを含む負帰還増幅回路において、前記初段の
FETのドレインを該初段のFETのゲートに接続した
第2の負帰還回路を備えたことを特徴とする負帰還増幅
回路。 - 【請求項3】 カスコード接続された複数のバイポーラ
トランジスタと、終段のバイポーラトランジスタの出力
側端子を初段のバイポーラトランジスタのベースに接続
した第1の負帰還回路とを含む負帰還増幅回路におい
て、前記初段のバイポーラトランジスタの出力側端子を
該初段のバイポーラトランジスタのベースに接続した第
2の負帰還回路を備えたことを特徴とする負帰還増幅回
路。 - 【請求項4】 前記第1の負帰還回路は第1の抵抗を備
え、前記第2の負帰還回路は第2の抵抗を備え、前記第
1の抵抗で出力インピーダンスを調整し、前記第1及び
第2の抵抗で利得を調整した請求項1−3のいずれかに
記載の負帰還増幅回路。 - 【請求項5】 請求項1−4のいずれかに記載の負帰還
増幅回路を備えた広帯域増幅器。
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