JPH10107038A

JPH10107038A - バンプ構造およびバンプ形成方法および半田保持フィルムおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH10107038A
Application number: JP27901796A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Yoshida; 芳博吉田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1996-09-30
Filing date: 1996-09-30
Publication date: 1998-04-24

Abstract

(57)【要約】【課題】微細なバンプ間ピッチに対応させることがで
き、また、バリアー層を形成せずにアスペクト比(長さ
と幅の比)の高いバンプを形成することの可能なバンプ
構造を提供する。【解決手段】本発明のバンプ構造は、所定の電極(例
えば、ＬＳＩのアルミ電極)１０上に、Ｚｎ，Ｓｂを含
有する半田１が接合され、該半田１上に導電粒子２が接
合されて構成されている。このような構成では、Ｚｎ，
Ｓｂを含有する半田１を用いて導電粒子２をＬＳＩのア
ルミ電極１０に接続しているので、バリアー層を形成せ
ずにアスペクト比(長さと幅の比)の高いバンプを形成で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を基板
に実装する際などに用いられるバンプ構造およびバンプ
形成方法および半田保持フィルムおよびその製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子の高密度接続方式とし
て、半田バンプを形成して基板間の接続を行なうフリッ
プチップ実装法が知られている。この半田バンプの形成
方法としては、メッキや蒸着で半田を供給する方法や、
予め球形の半田ボールを用意し、これを電極部(例え
ば、ＬＳＩのアルミ電極)に配置する方法がある。

【０００３】このような半田バンプを形成する場合、例
えば特開平５−２５１４５１号に示されているように、
Ｐｂ，Ｓｎ，Ｉｎを主要元素とする半田にＺｎやＳｂを
微量添加することが、ＬＳＩのアルミ電極と半田の接合
部分での高温，高湿環境下における局部電池反応を抑制
し、接合強度を向上させるのに有効である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、ＬＳ
Ｉパッケージの多ピン化に伴い、ＬＳＩチップ上に形成
するバンプ構造(バンプ電極)の相互間距離をより小さく
すること(狭ピッチ化)が要求されており、これを実現す
るには、バンプ同士がショートしないこと、すなわちバ
ンプ形成用のワイヤ線径をより小さくすることが重要で
ある。しかしながら、上記従来の形成材料により作製さ
れるワイヤの線径は、３０μｍが限度であり、このワイ
ヤを用いてバンプを形成した場合、バンプ相互間のピッ
チは、１５０μｍが限界であった。

【０００５】また、上記従来の形成材料は急冷凝固法に
より細い合金ワイヤ状に作製することで、ワイヤ先端に
形成したボールをチップ表面の電極上に熱圧着した後、
そのワイヤを引上げればボールがワイヤから自動的に切
り離される、ワイヤボンダを用いたバンプ形成に顕著な
効果を奏するものである。しかしながら、従来の形成材
料によれば、ボール切り離し時におけるワイヤ切断位置
にばらつきが生じて、バンプ高さが一定しない不具合が
あり、これらの不具合は細線になる(線径が小さくなる)
につれて顕著に現れるものであった。

【０００６】ワイヤの更なる細線化を図って、バンプ電
極の相互間距離をより小さくする(狭ピッチ化する)た
め、また、ワイヤ細線化に加えて、ボール切り離し時に
おけるワイヤ切断位置のばらつきを抑えてバンプ高さを
一定させ、耐久性及び信頼性の高い半導体装置を製作し
得るため、特開平５−２５１４５２号には、半田バンプ
形成材料として、Ｐｂ，Ｓｎ，Ｉｎのいずれか一つの主
要元素に対し、０．００１ｗｔ％〜１ｗｔ％のＣｕ、及
び、０．００１ｗｔ％〜１ｗｔ％のＮｉを添加せしめた
材料を用い、また、前記の配合組成からなるものを急冷
凝固法により細いワイヤ状に作製する技術が提案されて
いる。

【０００７】この技術によれば、Ｃｕ，Ｎｉの同時添加
によりワイヤの機械的強度向上を図って半田バンプ形成
用のワイヤ細線化に所望の効果を得、従来の形成材料で
は３０μｍが限界であったワイヤ線径を２５μｍとし、
バンプの相互間距離(ピッチ)を１００μｍ以下まで下げ
ることが可能になったことが報告されている。

【０００８】しかしながら、上述の技術によっては、バ
ンプ間のピッチを１００μｍ以下のピッチにすることが
可能となるものの、実際、１００μｍ以下の任意のピッ
チに対応するのは難しいという問題があった。

【０００９】具体的に、半田ボールボンディングの場
合、図１０(ａ)の状態の半田ボールを一度押しつぶし、
図１０(ｂ)のような状態にして、これをバンプとして使
用するか、あるいは、図１０(ｂ)のような状態にした
後、溶融して図１０(ｃ)のような球状バンプとして、こ
れをバンプとして使用するようにしており、いずれの場
合も、一度、図１０(ｂ)のような偏平形状の状態を経る
ために、そのプロセスで、バンプ間ピッチが制約され、
バンプ間ピッチを短かくするには限界があった。

【００１０】また、例えば特開平６−４５７４０号に
は、ポンチとダイスを用いて半田材料を打ち抜いて形成
した半田片を前記ポンチを用いて第１の基板上の予め塗
布されたフラックス層に接触させることにより前記第１
の基板の電極に前記半田片を配置し、次いで前記半田片
を溶融して球面状のバンプを形成し、その後、前記第１
の基板と第２の基板とを電極間の位置合わせをしながら
重ね合わせ、しかる後に、前記半田片を溶融して前記第
１の基板と第２の基板との電極間を接続するか、あるい
は、ポンチとダイスを用いて半田材料を打ち抜いて形成
した半田片を前記ポンチを用いて第１の基板上の予め形
成されたフラックス層に接触させることにより前記第１
の基板の電極に前記半田片を配置し、次いで前記第１の
基板と第２の基板とを電極間の位置合わせをしながら重
ね合わせ、しかる後に、前記半田片を溶融して前記第１
の基板と第２の基板との電極間を接続する半田接続方法
が示されている。

【００１１】しかしながら、この半田接続方法では、加
熱(加圧)により接合するため、ＬＳＩ電極上にバリアー
層及び半田と合金を形成するための層(フラックス)を形
成する必要がある。すなわち、ＺｎやＳｂを含有する半
田を用いても、ＬＳＩ電極がアルミ電極の場合、加熱
(加圧)だけでは表面酸化膜の除去ができず、電極と半田
の接合はできないという問題があった。

【００１２】また、この半田接合方法では、ポンチとダ
イスを用いて打ち抜いて形成された半田片は、図１１に
示すような円板形状となり、このような円板形状の半田
片をバンプとして用いる場合、隣接電極とのショートを
避けるため、バンプ間のピッチを短かいものにすること
はできず、微細化に対応できないという問題もあった。

【００１３】本発明は、微細なバンプ間ピッチに対応さ
せることができ、また、バリアー層を形成せずにアスペ
クト比(長さと幅の比)の高いバンプを形成することの可
能なバンプ構造およびバンプ形成方法および半田保持フ
ィルムおよびその製造方法を提供することを目的として
いる。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、Ｚｎ，Ｓｂを含有する半田
を用いて導電粒子を所定の電極(例えばＬＳＩのアルミ
電極)に接続しているので、バリアー層を形成せずにア
スペクト比の高いバンプを提供できる。すなわち、微細
なバンプ間ピッチに対応させることができ、また、バリ
アー層を形成せずにアスペクト比(長さと幅の比)の高い
バンプを形成することができる。

【００１５】また、請求項２記載の発明は、Ｚｎ，Ｓｂ
を含有する半田が貫通孔内に充填されている所定のフィ
ルムをＬＳＩのアルミ電極上に重ね合せ、加圧，加熱し
ながら超音波を印加し、ＬＳＩのアルミ電極上に半田を
接合してバンプを形成するので、アルミ電極に特別な処
理を施さないで、信頼性の高い半田接合が可能となる。

【００１６】また、請求項３記載の発明は、前記所定の
フィルムとして、前記ＬＳＩの１つのアルミ電極の幅よ
りも小さなピッチで複数の貫通孔が形成されたものを用
い、ＬＳＩの１つの電極上には、前記所定のフィルムの
複数の貫通孔内に充填されている半田を接合するので、
ＬＳＩの電極上にバンプを形成する際、ＬＳＩの電極と
の位置合わせが不要となる。

【００１７】また、請求項４記載の発明は、前記ＬＳＩ
のアルミ電極に接合された半田に、さらに、導電粒子を
付着してバンプを形成するようにしており、あらかじめ
接続用の半田層が形成されているので、用途に合わせ
て、所望の形状，大きさ，材質の導電粒子によるバンプ
を形成できるとともに、アスペクト比の高いバンプを形
成できる。

【００１８】また、請求項５記載の発明は、半田保持フ
ィルムは、所定の樹脂フィルムに貫通孔が形成され、該
樹脂フィルムの一方の面には金属層が形成され、前記貫
通孔内には半田が保持されており、この半田保持フィル
ムでは、貫通孔の大きさ，ピッチにより半田量，接続ピ
ッチが規定されるので、これを用いることで、ＬＳＩ電
極の微細ピッチに対応できるバンプ構造を形成できる。
また、半田と合金を形成する金属層の存在により、半田
を確実に保持できる。

【００１９】また、請求項６記載の発明は、所定の樹脂
フィルムに断面が台形の貫通孔が形成され、該貫通孔の
孔径の小さい側のフィルム面に金属層が形成され、前記
貫通孔内には半田が保持されているので、貫通孔壁への
金属層の回り込みを防止し、電極との接続後フィルムと
半田との分離が容易となる。

【００２０】また、請求項７記載の発明は、前記貫通孔
は、前記樹脂フィルムに複数個形成されており、樹脂フ
ィルムに形成された複数個の貫通孔のピッチは、該半田
保持フィルムが重ね合わせられるべきＬＳＩの１つの電
極の幅よりも小さいものとなっており、半田保持フィル
ムの任意の場所でもＬＳＩ電極内に複数個の半田が接続
可能な密度で半田が保持されているので、この半田保持
フィルムを用いてＬＳＩ電極上にバンプを形成する際、
ＬＳＩ電極との位置合わせをする必要がなくなる。

【００２１】また、請求項８記載の発明は、エキシマレ
ーザーを用いることで、容易に断面が台形の貫通孔を形
成できる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は本発明に係るバンプ構造の構
成例を示す図である。図１を参照すると、このバンプ構
造は、所定の電極(例えば、ＬＳＩのアルミ電極)１０上
に、Ｚｎ，Ｓｂを含有する半田１が接合され、該半田１
上に導電粒子２が接合されて構成されている。このよう
な構成では、Ｚｎ，Ｓｂを含有する半田１を用いて導電
粒子２をＬＳＩのアルミ電極１０に接続しているので、
バリアー層を形成せずにアスペクト比(長さと幅の比)の
高いバンプを形成できる。

【００２３】すなわち、図１のバンプ構造では、半田１
上に導電粒子２が接合されていることで、バンプの高さ
は、概略的に、半田１の厚さと導電粒子２の径とを加算
した高いものとなり、信頼性を高めることができる。

【００２４】具体的に、例えば図２に示すように、基板
とＬＳＩとの間に接合部としてバンプを形成する場合、
基板とＬＳＩとの熱膨張係数の違いにより、接合部にせ
ん断力が加わり、バンプとＬＳＩ電極の接合面にクラッ
クが発生し、不良に至ることがある。この場合、バンプ
の高さｈが高い程(すなわち、ＬＳＩと基板との間隔が
大きい程)、せん断力は緩和され、クラックが発生しに
くくなる。

【００２５】従って、例えば図３(ａ)のバンプと図３
(ｂ)のバンプとを比べる場合、同じ電極サイズ(底面積)
のものであっても、高さが高い図３(ｂ)のバンプの方
が、高さの低い図３(ａ)のバンプに比べて信頼性が良く
なる。特に、バンプ間のピッチを狭くする場合、必然的
に電極面積を小さくする必要があり、この結果、接合部
の強度は相対的に弱くなるが、バンプの高さを高くする
ことにより、接合部の破断等を防止することができる。

【００２６】図１のバンプ構造では、概略的に、半田１
の厚さにさらに導電粒子２の径を加算した高さのものと
なり、導電粒子２の径によってバンプの高さを高くする
ことができて、例えば図２に示したような基板とＬＳＩ
との接合部に、このバンプ構造を適用する場合、せん断
力が緩和され、クラックが発生しにくく、信頼性を高め
ることができる。

【００２７】また、図１のバンプ構造は、後述のよう
に、図１０(ｂ)に示したような偏平形状の状態を経ずに
形成可能であり、扁平形状の状態を経ずに形成されるこ
とで、同じバンプ高さのものでも、より微細なピッチに
対応することができる。

【００２８】図４は本発明に係る半田保持フィルムの構
成例を示す図である。図４を参照すると、この半田保持
フィルムは、所定の樹脂フィルム１１に貫通孔１２が形
成され、該樹脂フィルム１１の一方の面には金属層１３
が形成され、また、前記貫通孔１２内には半田１４が保
持されている。

【００２９】ここで、上記貫通孔１２は、断面が台形の
ものとして形成され、また、上記金属層１３は、貫通孔
１２の孔径の小さい側のフィルム面に形成されている。

【００３０】なお、図４では、１つの貫通孔１２しか示
されていないが、このような貫通孔１２は、この半田保
持フィルムを用いてバンプが形成されるべきＬＳＩの電
極が所定のピッチで複数個存在する場合、このようなＬ
ＳＩの複数個の電極のピッチと同じピッチで複数個、樹
脂フィルム１１に形成されていても良い。

【００３１】図５は図４の半田保持フィルムの作製工程
例を示す図である。図５を参照すると、図４の半田保持
フィルムを作製するには、先ず、例えば、厚さ４０μｍ
のポリイミドフィルム１１にエキシマレーザーで直径ｄ
₁が４０μｍの貫通孔１２を形成する(図５(ａ))。この
とき、貫通孔１２は断面が台形状になる。また、図５の
例では、貫通孔１２は、ポリイミドフィルム１１に複数
個形成され、この場合、複数の貫通孔１２は、そのピッ
チＰ₁が、例えばＬＳＩの電極配置(ＬＳＩの電極間ピッ
チＰ)と一致するように、例えば８０μｍでパターン状
に形成される。

【００３２】このようにして、貫通孔１２を形成した
後、貫通孔の孔径の小さい側のフィルム面に、半田がぬ
れる金属層(例えばＣｕ)１３をスパッタ等で形成する
(図５(ｂ))。

【００３３】次いで、Ｚｎ及びＳｂを０．００１〜１０
ｗｔ％含有する半田１４を不活性ガス中で微粒子化した
ものをフラックスと混ぜ合わせペースト状にし貫通孔１
２に充填し、しかる後、これを溶融，再硬化させる(図
５(ｃ))。これにより、図４の半田保持フィルムを作製
することができる。

【００３４】図６は図４の半田保持フィルムを用いてＬ
ＳＩのアルミ電極上に半田を接合する方法(バンプを形
成する方法)を説明するための図である。図６を参照す
ると、先ず、貫通孔１２の孔径の大きい側の半田保持フ
ィルムの面をＬＳＩと対向させ、貫通孔１２内の半田１
４とＬＳＩのアルミ電極１０とを位置合わせする(図６
(ａ))。次いで、ＬＳＩのアルミ電極１０を加熱しなが
ら、圧子２０により加圧しながら６０ｋＨｚから１２０
ｋＨｚの超音波振動を印加する(図６(ｂ))。これによ
り、貫通孔１２内の半田１４をアルミ電極１０に接合さ
せることができる。ＬＳＩの各アルミ電極１０への半田
１４の接合が終了後、ポリイミドフィルム１１をＬＳＩ
から分離する(図６(ｃ))。次いで、直径４０μｍのＣｕ
導電粒子２を各電極１０上に接続し、アルミ電極１０に
半田が接合され該半田上にＣｕ導電粒子が接合された図
１のようなバンプ構造を形成することができる。

【００３５】このように、図４の半田保持フィルムを用
いて、加熱，加圧し、さらに、これに加え、超音波を印
加することにより、アルミ電極に特別な処理を施さない
で、信頼性の高い半田接合(バンプ構造の形成)が可能と
なる。すなわち、図４の半田保持フィルムを用いること
により、用途に合わせて、所望の形状，大きさ，材質の
導電粒子によるバンプを形成できるとともに、アスペク
ト比の高い(高さの高い)バンプを形成できる。

【００３６】具体的に、貫通孔１２の直径ｄ₁は、ＬＳ
Ｉの電極１０の幅ｗよりも小さいものとなっており、こ
れにより、ＬＳＩの電極間ピッチＰが微細のものであっ
ても、これに対応した微細なバンプを形成することがで
きる。すなわち、上記プロセスでは、扁平形状の状態を
経ずに、バンプを形成でき、半田保持フィルムの貫通孔
１２の大きさ(径ｄ₁)，ピッチＰ₁により、半田量，接続
ピッチが規定されるので、これにより、ＬＳＩの電極間
が微細ピッチであっても、これに対応できる。また、半
田と合金を形成する金属層１３の存在により、半田を確
実に保持できる。

【００３７】また、図４の半田保持フィルムを用いる場
合、その貫通孔は、断面が台形形状であるので、スパッ
タ等で金属層１３を形成するときに、孔径の小さい側の
面に金属層１３を形成すると、貫通孔壁に金属層１３の
回り込みがなく、これにより、電極１０との接続後、フ
ィルム１１と半田１４との分離が容易となる。

【００３８】また、図５の半田保持フィルムの製造工程
において、エキシマレーザーを用いることで、容易に断
面が台形の貫通孔１２を形成できる。

【００３９】なお、図５の例では、半田保持フィルム
は、ＬＳＩのアルミ電極との位置合わせが必要なものと
して構成されているが、半田保持フィルムを、その任意
の場所で、ＬＳＩ電極に対して、複数の半田が接続でき
るような構成のものにすることもできる。

【００４０】図７は図４の半田保持フィルムに比べて貫
通孔の径とピッチを小さくした半田保持フィルムの一例
を示す図である。図７の半田保持フィルムも、図４の半
田保持フィルムと同様に図５の工程によって作製するこ
とができるが、図７の半田保持フィルムでは、ＬＳＩの
１つのアルミ電極の幅ｗよりも小さなピッチＰ₂で複数
個の貫通孔１２が形成されている。具体的には、例え
ば、厚さ７μｍのポリイミドフィルム１１に対してエキ
シマレーザーで直径ｄ₂が１０μｍの貫通孔１２をピッ
チＰ₂が２０μｍで形成したものとなっている。これ以
外の構成については、図７の半田保持フィルムも図４の
半田保持フィルムと同様のものとなっており、貫通孔１
２の孔径の小さい側のフィルム面には半田がぬれる金属
層(例えばＣｕ)１３が形成され、また、貫通孔１２内に
はＺｎ，Ｓｂを含有する半田１４が充填されている。

【００４１】図８は図７の半田保持フィルムを用いてＬ
ＳＩのアルミ電極上に半田を接合する方法(バンプを形
成する方法)を説明するための図である。図８の工程例
においては、先ず、図７の半田保持フィルムの貫通孔１
２の孔径の大きい側の面をＬＳＩのアルミ電極１０と対
向させる(図８(ａ))。この際、図７の半田保持フィルム
では、半田保持フィルムの任意の場所においてＬＳＩの
１つのアルミ電極１０に相当する面積内には複数個の貫
通孔(半田)が存在するので、半田保持フィルムとＬＳＩ
のアルミ電極とを位置合わせする必要はない。

【００４２】このようにして、図７の半田保持フィルム
をＬＳＩのアルミ電極１０に対向させた後、ＬＳＩのア
ルミ電極１０を加熱し、圧子２０により加圧しながら、
６０ｋＨｚから１２０ｋＨｚの超音波振動を印加する。
これにより、貫通孔１２内の半田１４をアルミ電極１０
に接合させることができる。ＬＳＩのアルミ電極１０へ
の半田１４の接合が終了後、ポリイミドフィルム１１を
ＬＳＩから分離する(図８(ｂ))。次いで、直径４０μｍ
のＣｕ導電粒子２をアルミ電極１０上に接続すること
で、図８(ｃ)に示すように、アルミ電極１０に半田が接
合され該半田上にＣｕ導電粒子が接合された図１のよう
なバンプ構造を形成することができる。

【００４３】このように、図７の半田保持フィルムが用
いられるときには、この半田保持フィルムの任意の場所
においてＬＳＩ電極に相当する面積内には複数個の半田
が存在するので、半田保持フィルムとＬＳＩとを位置合
わせする必要はない。この場合、すなわち図８の製造工
程においては、図７の半田保持フィルムに保持されてい
る半田のピッチはＬＳＩのアルミ電極の幅に比べて小さ
いため、図８(ｂ)の工程で、半田１４が接合されていな
い電極の部分はアルミ酸化膜となり、この場合、図８
(ｃ)で、半田１４は、図９に示すように、アルミ酸化膜
の下のアルミ部分とは部分的に接合した状態になるが、
このときにも、半田１４とアルミ電極１０との接合状態
は良好なものに維持されている。

【００４４】このように、図７の半田保持フィルムを用
いる場合には、半田保持フィルムの任意の場所でもＬＳ
Ｉ電極内に複数個の半田が接続可能な密度で半田が保持
されているので、半田保持フィルムをＬＳＩ電極と位置
合わせをする必要がなく、より容易にバンプ構造を形成
することができる。すなわち、図７の半田保持フィルム
を用いることにより、用途に合わせて、所望の形状，大
きさ，材質の導電粒子によるバンプを形成できるととも
に、アスペクト比の高い(高さの高い)バンプを形成でき
る。

【００４５】なお、上述の各例では、半田１，１４とし
て、Ｚｎ，Ｓｂを含有する半田が用いられるとしたが、
さらに、Ｃｕ，Ｎｉを含有する半田を用いることもでき
る。

【００４６】

【発明の効果】以上に説明したように、請求項１記載の
発明によれば、Ｚｎ，Ｓｂを含有する半田を用いて導電
粒子を所定の電極(例えばＬＳＩのアルミ電極)に接続し
ているので、バリアー層を形成せずにアスペクト比の高
いバンプを提供できる。すなわち、微細なバンプ間ピッ
チに対応させることができ、また、バリアー層を形成せ
ずにアスペクト比(長さと幅の比)の高い(高さの高い)バ
ンプを形成することができる。

【００４７】また、請求項２記載の発明によれば、Ｚ
ｎ，Ｓｂを含有する半田が貫通孔内に充填されている所
定のフィルムをＬＳＩのアルミ電極上に重ね合せ、加
圧，加熱しながら超音波を印加し、ＬＳＩのアルミ電極
上に半田を接合してバンプを形成するので、アルミ電極
に特別な処理を施さないで、信頼性の高い半田接合が可
能となる。

【００４８】また、請求項３記載の発明によれば、前記
所定のフィルムとして、前記ＬＳＩの１つのアルミ電極
の幅よりも小さなピッチで複数の貫通孔が形成されたも
のを用い、ＬＳＩの１つの電極上には、前記所定のフィ
ルムの複数の貫通孔内に充填されている半田を接合する
ので、ＬＳＩの電極上にバンプを形成する際、ＬＳＩの
電極との位置合わせが不要となる。

【００４９】また、請求項４記載の発明によれば、前記
ＬＳＩのアルミ電極に接合された半田に、さらに、導電
粒子を付着してバンプを形成するようにしており、あら
かじめ接続用の半田層が形成されているので、用途に合
わせて、所望の形状，大きさ，材質の導電粒子によるバ
ンプを形成できるとともに、アスペクト比の高い(高さ
の高い)バンプを形成できる。

【００５０】また、請求項５記載の発明によれば、半田
保持フィルムは、所定の樹脂フィルムに貫通孔が形成さ
れ、該樹脂フィルムの一方の面には金属層が形成され、
前記貫通孔内には半田が保持されており、この半田保持
フィルムでは、貫通孔の大きさ，ピッチにより半田量，
接続ピッチが規定されるので、これを用いることで、Ｌ
ＳＩ電極の微細ピッチに対応できるバンプ構造を形成で
きる。また、半田と合金を形成する金属層の存在によ
り、半田を確実に保持できる。

【００５１】また、請求項６記載の発明によれば、所定
の樹脂フィルムに断面が台形の貫通孔が形成され、該貫
通孔の孔径の小さい側のフィルム面に金属層が形成さ
れ、前記貫通孔内には半田が保持されているので、貫通
孔壁への金属層の回り込みを防止し、電極との接続後フ
ィルムと半田との分離が容易となる。

【００５２】また、請求項７記載の発明によれば、前記
貫通孔は、前記樹脂フィルムに複数個形成されており、
樹脂フィルムに形成された複数個の貫通孔のピッチは、
該半田保持フィルムが重ね合わせられるべきＬＳＩの１
つの電極の幅よりも小さいものとなっており、半田保持
フィルムの任意の場所でもＬＳＩ電極内に複数個の半田
が接続可能な密度で半田が保持されているので、この半
田保持フィルムを用いてＬＳＩ電極上にバンプを形成す
る際、ＬＳＩ電極との位置合わせをする必要がなくな
る。

【００５３】また、請求項８記載の発明によれば、エキ
シマレーザーを用いることで、容易に断面が台形の貫通
孔を形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るバンプ構造の構成例を示す図であ
る。

【図２】基板とＬＳＩとをバンプによって接合する場合
を示す図である。

【図３】高さの異なるバンプを示す図である。

【図４】本発明に係る半田保持フィルムの構成例を示す
図である。

【図５】図４の半田保持フィルムの作製工程例を示す図
である。

【図６】図４の半田保持フィルムを用いてＬＳＩのアル
ミ電極上に半田を接合する方法(バンプを形成する方法)
を説明するための図である。

【図７】本発明に係る半田保持フィルムの他の構成例を
示す図である。

【図８】図７の半田保持フィルムを用いてＬＳＩのアル
ミ電極上に半田を接合する方法(バンプを形成する方法)
を説明するための図である。

【図９】本発明に係るバンプ構造の他の構成例を示す図
である。

【図１０】従来のバンプ形成方法を説明するための図で
ある。

【図１１】円板形状の半田片を示す図である。

【符号の説明】

１半田２導電粒子１０ＬＳＩのアルミ電極１１樹脂フィルム１２貫通孔１３金属層１４半田

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の電極上に、Ｚｎ，Ｓｂを含有する
半田が接合され、該半田上に導電粒子が接合されて構成
されていることを特徴とするバンプ構造。
【請求項２】Ｚｎ，Ｓｂを含有する半田が貫通孔内に
充填されている所定のフィルムをＬＳＩのアルミ電極上
に重ね合せ、加圧，加熱しながら超音波を印加し、前記
所定のフィルムの貫通孔内に保持されている半田をＬＳ
Ｉのアルミ電極上に接合してバンプを形成することを特
徴とするバンプ形成方法。
【請求項３】請求項２記載のバンプ形成方法におい
て、前記所定のフィルムとして、前記ＬＳＩの１つのア
ルミ電極の幅よりも小さなピッチで複数の貫通孔が形成
されたものを用い、ＬＳＩの１つの電極上には、前記所
定のフィルムの複数の貫通孔内に充填されている半田を
接合することを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項４】請求項２または請求項３記載のバンプ形
成方法において、前記ＬＳＩのアルミ電極に接合された
半田に、さらに、導電粒子を付着してバンプを形成する
ことを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項５】所定の樹脂フィルムに貫通孔が形成さ
れ、該樹脂フィルムの一方の面には金属層が形成され、
前記貫通孔内には半田が保持されていることを特徴とす
る半田保持フィルム。
【請求項６】所定の樹脂フィルムに断面が台形の貫通
孔が形成され、該貫通孔の孔径の小さい側のフィルム面
に金属層が形成され、前記貫通孔内には半田が保持され
ていることを特徴とする半田保持フィルム。
【請求項７】請求項５または請求項６記載の半田保持
フィルムにおいて、前記貫通孔は、前記樹脂フィルムに
複数個形成されており、樹脂フィルムに形成された複数
個の貫通孔のピッチは、該半田保持フィルムが重ね合わ
せられるべきＬＳＩの１つの電極の幅よりも小さいこと
を特徴とする半田保持フィルム。
【請求項８】所定の樹脂フィルムにエキシマレーザー
で断面が台形の貫通孔を形成し、該貫通孔の孔径の小さ
い側のフィルム面に金属層を形成し、前記貫通孔内に半
田を保持することを特徴とする半田保持フィルムの製造
方法。