JPH10106980A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH10106980A JPH10106980A JP8259873A JP25987396A JPH10106980A JP H10106980 A JPH10106980 A JP H10106980A JP 8259873 A JP8259873 A JP 8259873A JP 25987396 A JP25987396 A JP 25987396A JP H10106980 A JPH10106980 A JP H10106980A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 テープ保護した半導体基板を研削し、その後
でテープを剥離させる半導体装置の製造方法において、
テープ剥離後に基板上に残留する接着剤を簡単かつ短時
間に除去できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 テープ剥離後、基板を接着剤の分解温度
よりも高い温度で熱処理し、接着剤を分解・除去する。
でテープを剥離させる半導体装置の製造方法において、
テープ剥離後に基板上に残留する接着剤を簡単かつ短時
間に除去できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 テープ剥離後、基板を接着剤の分解温度
よりも高い温度で熱処理し、接着剤を分解・除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に半導体装置に
関し、特に半導体基板表面をテープ等の粘着性媒体によ
り保護し、裏面を研削する工程を含む半導体装置の製造
方法、およびかかる製造方法により製造された半導体装
置に関する。
関し、特に半導体基板表面をテープ等の粘着性媒体によ
り保護し、裏面を研削する工程を含む半導体装置の製造
方法、およびかかる製造方法により製造された半導体装
置に関する。
【０００２】集積回路等の半導体装置を半導体基板上に
形成する場合、半導体基板上に半導体装置を形成した
後、半導体基板を個々の半導体装置にダイシングにより
分割する前に、半導体基板自体の裏面を研磨することに
より、基板の厚さを所定値に設定する工程が行われる。
例えば、かかる研磨工程により、半導体基板の厚さを当
初の厚さ、例えば６インチウェハの場合７２０μｍか
ら、半導体装置の仕様で指定された５００μｍ以下の厚
さまで減少させる。かかる研削工程では、研削による衝
撃により半導体基板にクラックが入る等の損傷の問題を
回避するため、半導体装置が形成されている基板表面
を、粘着テープ等の粘着性媒体により保護する。一般
に、かかる粘着テープでは、アクリル系樹脂よりなる糊
が使われ、３０〜４０μｍの厚さの接着剤層が形成され
る。テープ自体はポリオレフィン系あるいはポリエチレ
ン系、あるいは塩化ビニル系の材料よりなり、１００〜
１５０μｍ程度の厚さを有するのが一般的である。
形成する場合、半導体基板上に半導体装置を形成した
後、半導体基板を個々の半導体装置にダイシングにより
分割する前に、半導体基板自体の裏面を研磨することに
より、基板の厚さを所定値に設定する工程が行われる。
例えば、かかる研磨工程により、半導体基板の厚さを当
初の厚さ、例えば６インチウェハの場合７２０μｍか
ら、半導体装置の仕様で指定された５００μｍ以下の厚
さまで減少させる。かかる研削工程では、研削による衝
撃により半導体基板にクラックが入る等の損傷の問題を
回避するため、半導体装置が形成されている基板表面
を、粘着テープ等の粘着性媒体により保護する。一般
に、かかる粘着テープでは、アクリル系樹脂よりなる糊
が使われ、３０〜４０μｍの厚さの接着剤層が形成され
る。テープ自体はポリオレフィン系あるいはポリエチレ
ン系、あるいは塩化ビニル系の材料よりなり、１００〜
１５０μｍ程度の厚さを有するのが一般的である。
【０００３】
【従来の技術】かかる粘着テープは研削の後で剥離する
必要があるが、その際、基板表面に残る接着剤ないし糊
を除去するため、従来より界面活性剤を含む糊が使われ
ている。かかる界面活性剤を含む糊を使った場合、粘着
テープを剥がした後、基板を純水中、場合によってはさ
らに有機溶剤中で洗浄することにより、糊を除去する必
要がある。
必要があるが、その際、基板表面に残る接着剤ないし糊
を除去するため、従来より界面活性剤を含む糊が使われ
ている。かかる界面活性剤を含む糊を使った場合、粘着
テープを剥がした後、基板を純水中、場合によってはさ
らに有機溶剤中で洗浄することにより、糊を除去する必
要がある。
【０００４】また、従来より、粘着テープを剥離する工
程を容易にするために、紫外線硬化型の糊を使った粘着
テープ、いわゆるＵＶテープが提案されている。かかる
紫外線硬化型の糊を使った粘着テープでは、テープを剥
離するのに先立って、半導体基板に紫外線を照射し、糊
を硬化させる。硬化した糊は接着力が弱いため、半導体
基板に過大な応力をかけることなるテープを剥がすこと
ができ、半導体装置の製造スループットおよび歩留りが
向上する。
程を容易にするために、紫外線硬化型の糊を使った粘着
テープ、いわゆるＵＶテープが提案されている。かかる
紫外線硬化型の糊を使った粘着テープでは、テープを剥
離するのに先立って、半導体基板に紫外線を照射し、糊
を硬化させる。硬化した糊は接着力が弱いため、半導体
基板に過大な応力をかけることなるテープを剥がすこと
ができ、半導体装置の製造スループットおよび歩留りが
向上する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる従来の
界面活性剤を含む糊を使った粘着テープを使った場合、
テープを剥離した後で半導体基板を少なくとも１５〜６
０分間、純水中において洗浄することが必要であった。
従来の糊はロット変動が大きく、特に半導体基板表面に
非晶質のカーボンや窒化膜、あるいは非晶質のポリイミ
ドが残っていると、これらと非常に良く密着してしま
い、テープを剥離した後でも基板表面に残留してしま
う。これは、糊が基板表面に残留するＣやその他の化合
物と架橋反応を生じてしまうためである可能性がある。
紫外線硬化型糊を使ったＵＶテープでも事情は同様で、
テープを剥がした後で基板表面を長時間洗浄する工程が
不可欠である。粘着テープが接着される基板表面は、Ｐ
ＳＧやポリイミド膜、あるいはＳｉＮ膜により保護され
ることが多いため、かかる粘着テープの糊が、テープ剥
離後基板表面に残留する問題は非常に深刻である。
界面活性剤を含む糊を使った粘着テープを使った場合、
テープを剥離した後で半導体基板を少なくとも１５〜６
０分間、純水中において洗浄することが必要であった。
従来の糊はロット変動が大きく、特に半導体基板表面に
非晶質のカーボンや窒化膜、あるいは非晶質のポリイミ
ドが残っていると、これらと非常に良く密着してしま
い、テープを剥離した後でも基板表面に残留してしま
う。これは、糊が基板表面に残留するＣやその他の化合
物と架橋反応を生じてしまうためである可能性がある。
紫外線硬化型糊を使ったＵＶテープでも事情は同様で、
テープを剥がした後で基板表面を長時間洗浄する工程が
不可欠である。粘着テープが接着される基板表面は、Ｐ
ＳＧやポリイミド膜、あるいはＳｉＮ膜により保護され
ることが多いため、かかる粘着テープの糊が、テープ剥
離後基板表面に残留する問題は非常に深刻である。
【０００６】この問題を解決するために、テープを剥離
した後、基板表面にオゾンアッシングを短時間行い、残
留する有機物膜を除去する方法も可能ではあるが、かか
る工程を実行するためには多大な設備投資が必要で、そ
の結果得られる半導体装置の費用は必然的に上昇してし
まう。また、イソプロピルアルコールのような有機溶剤
による処理をさらに行うことも可能ではあるが、このよ
うな追加工程は、必然的に半導体装置製造のスループッ
トを低下させてしまう。
した後、基板表面にオゾンアッシングを短時間行い、残
留する有機物膜を除去する方法も可能ではあるが、かか
る工程を実行するためには多大な設備投資が必要で、そ
の結果得られる半導体装置の費用は必然的に上昇してし
まう。また、イソプロピルアルコールのような有機溶剤
による処理をさらに行うことも可能ではあるが、このよ
うな追加工程は、必然的に半導体装置製造のスループッ
トを低下させてしまう。
【０００７】さらに、研削工程において従来のＵＶテー
プを基板保護テープとして使った場合、紫外線照射工程
において、既に基板中に形成されている半導体装置に好
ましくない影響が及ぼされる可能性がある。特に、フラ
ッシュメモリやＥＥＰＲＯＭ等の、所謂フローティング
ゲートを有する半導体メモリでは、基板中にこれらの半
導体素子を形成する時点で、フローティングゲート中に
初期値データが書き込まれるが、このような紫外線照射
をかかる半導体メモリを含む基板に対して行うと、書き
込まれている初期値データが破壊あるいは書き換えられ
てしまう恐れがある。
プを基板保護テープとして使った場合、紫外線照射工程
において、既に基板中に形成されている半導体装置に好
ましくない影響が及ぼされる可能性がある。特に、フラ
ッシュメモリやＥＥＰＲＯＭ等の、所謂フローティング
ゲートを有する半導体メモリでは、基板中にこれらの半
導体素子を形成する時点で、フローティングゲート中に
初期値データが書き込まれるが、このような紫外線照射
をかかる半導体メモリを含む基板に対して行うと、書き
込まれている初期値データが破壊あるいは書き換えられ
てしまう恐れがある。
【０００８】例えば、波長が２５３．７ｎｍの紫外線を
１５００ｍＷ／ｃｍ2 の照射量で照射すると、基板中に
形成されたフローティングゲートに書き込まれたデータ
は破壊されてしまう。また、波長が３６５ｎｍの紫外線
を使う場合、照射量が４００ｍＷ／ｃｍ2 では、フロー
ティングゲート中のデータが破壊される。
１５００ｍＷ／ｃｍ2 の照射量で照射すると、基板中に
形成されたフローティングゲートに書き込まれたデータ
は破壊されてしまう。また、波長が３６５ｎｍの紫外線
を使う場合、照射量が４００ｍＷ／ｃｍ2 では、フロー
ティングゲート中のデータが破壊される。
【０００９】かかる紫外線硬化の際におけるデータの破
壊を回避するため、基板表面をポリイミド膜を覆うこと
が提案されている。しかし、かかる方法を実行するため
には、先の場合と同様に莫大な設備投資が必要になり、
半導体装置のコストが上昇してしまう。このような理由
から、従来より低価格の半導体装置の製造に際しては、
前記紫外線硬化型接着剤層を有するテープによる保護工
程は行われていなかった。
壊を回避するため、基板表面をポリイミド膜を覆うこと
が提案されている。しかし、かかる方法を実行するため
には、先の場合と同様に莫大な設備投資が必要になり、
半導体装置のコストが上昇してしまう。このような理由
から、従来より低価格の半導体装置の製造に際しては、
前記紫外線硬化型接着剤層を有するテープによる保護工
程は行われていなかった。
【００１０】そこで、本発明は上記の課題を解決した、
新規で有用な半導体装置およびその製造方法を提供する
ことを概括的課題とする。本発明のより具体的な課題
は、半導体基板の表面を粘着テープで保護し、半導体基
板の裏面を研削する工程を含む半導体装置の製造方法に
おいて、前記粘着テープを剥離した後における前記半導
体基板表面の洗浄工程を短縮できる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
新規で有用な半導体装置およびその製造方法を提供する
ことを概括的課題とする。本発明のより具体的な課題
は、半導体基板の表面を粘着テープで保護し、半導体基
板の裏面を研削する工程を含む半導体装置の製造方法に
おいて、前記粘着テープを剥離した後における前記半導
体基板表面の洗浄工程を短縮できる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
【００１１】本発明の別の課題は、半導体基板の表面
を、紫外線硬化性接着剤層を担持する粘着テープで保護
し、半導体基板の裏面を研削する工程を含む半導体装置
の製造方法において、前記研削工程の後、前記紫外線硬
化性接着剤中に、紫外線透過率の低い紫外線カットフィ
ルタを形成し、かかる紫外線カットフィルタを通して前
記紫外線硬化性接着剤層に紫外線を照射することによ
り、前記半導体基板上に形成された半導体装置の特性を
変化させることなく、前記紫外線硬化性接着剤層を硬化
させる工程を含む半導体装置の製造方法を提供すること
にある。
を、紫外線硬化性接着剤層を担持する粘着テープで保護
し、半導体基板の裏面を研削する工程を含む半導体装置
の製造方法において、前記研削工程の後、前記紫外線硬
化性接着剤中に、紫外線透過率の低い紫外線カットフィ
ルタを形成し、かかる紫外線カットフィルタを通して前
記紫外線硬化性接着剤層に紫外線を照射することによ
り、前記半導体基板上に形成された半導体装置の特性を
変化させることなく、前記紫外線硬化性接着剤層を硬化
させる工程を含む半導体装置の製造方法を提供すること
にある。
【００１２】本発明のさらに別の課題は、表面に半導体
装置を形成された半導体基板と、前記表面を覆うように
形成された紫外線硬化型粘着テープとよりなり、前記粘
着テープは前記表面に接触する紫外線硬化性樹脂層中
に、前記樹脂層を硬化させる紫外線波長を実質的にカッ
トする紫外線フィルタを含む半導体装置を提供すること
にある。
装置を形成された半導体基板と、前記表面を覆うように
形成された紫外線硬化型粘着テープとよりなり、前記粘
着テープは前記表面に接触する紫外線硬化性樹脂層中
に、前記樹脂層を硬化させる紫外線波長を実質的にカッ
トする紫外線フィルタを含む半導体装置を提供すること
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題
を、請求項１に記載したように、半導体基板の表面を粘
着テープで保護する工程と、前記半導体基板の裏面を研
削する工程とを含む半導体装置の製造方法において、前
記粘着テープを剥離した後に、前記基板を、前記粘着テ
ープの接着剤の熱分解温度よりも高い温度に加熱する加
熱工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に
より、または請求項２に記載したように、前記加熱工程
は、前記半導体基板中に形成されている半導体装置が劣
化する温度以下の温度で実行されることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置の製造方法により、または請求
項３に記載したように、前記加熱工程は、２００°Ｃ以
上，３５０°Ｃ以下の温度で実行されることを特徴とす
る請求項１または２記載の半導体装置の製造方法によ
り、または請求項４に記載したように、前記加熱工程
は、２５０°Ｃ以上の温度で実行されることを特徴とす
る請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の半導体装置
の製造方法により、または請求項５に記載したように、
前記加熱工程は、不活性雰囲気中において実行されるこ
とを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載
の半導体装置の製造方法により、または請求項６に記載
したように、前記加熱工程は、酸化雰囲気中において実
行されることを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれ
か一項記載の半導体装置の製造方法により、または請求
項７に記載したように、半導体基板の表面を、紫外線硬
化性接着剤層を担持する粘着テープで保護し、半導体基
板の裏面を研削する工程を含む半導体装置の製造方法に
おいて、前記研削工程の後、前記紫外線硬化性接着剤層
中に、前記紫外線硬化性接着剤層を部分的に硬化させる
ことにより、紫外線透過率の低い紫外線カットフィルタ
を形成する工程と、前記紫外線カットフィルタを通して
前記紫外線硬化性接着剤層に紫外線を照射することによ
り、前記紫外線硬化性接着剤層を硬化させる工程と、前
記硬化工程の後、前記粘着テープを前記基板表面から剥
離する工程とよりなることを特徴とする半導体装置の製
造方法により、または請求項８に記載したように、前記
フィルタ形成工程は、前記紫外線硬化性接着剤層に、前
記紫外線硬化性接着剤が、部分的には硬化するが完全に
は硬化しない程度の第１の照射量の紫外線を照射する第
１の照射工程を含み、前記硬化工程は、前記紫外線硬化
性接着剤が完全に硬化する第２の照射量の紫外線を照射
する第２の照射工程を含むことを特徴とする請求項７記
載の半導体装置の製造方法により、または請求項９に記
載したように、前記第１および第２の照射工程は、紫外
線が、前記粘着テープを通過した後で前記半導体装置の
表面に到達するように実行されることを特徴とする請求
項８記載の半導体装置の製造方法により、または請求項
１０に記載したように、前記第１の照射工程は、波長が
３６５ｎｍの紫外線を、前記第１の照射量を約５０ｍＪ
／ｃｍ2 に設定して照射する工程よりなり、前記第２の
照射工程は、波長が３６５ｎｍの紫外線を、前記第２の
照射量を前記第１の照射量よりも大きいが１００ｍＪ／
ｃｍ2 以下の値に設定して照射する工程よりなることを
特徴とする請求項８または９記載の半導体装置の製造方
法により、または請求項１１に記載したように、前記第
１の照射工程は、波長が２５３．７ｎｍの紫外線を、前
記第１の照射量を約１０００ｍＪ／ｃｍ2 に設定して照
射する工程よりなり、前記第２の照射工程は、波長が２
５３．７ｎｍの紫外線を、前記第２の照射量を前記第１
の照射量よりも大きいが１５０００ｍＪ／ｃｍ2 以下の
値に設定して照射する工程よりなることを特徴とする請
求項８または９記載の半導体装置の製造方法により、ま
たは請求項１２に記載したように、前記フィルタは、実
質的に２００〜３５０ｎｍの範囲の波長の紫外線をカッ
トすることを特徴とする請求項７〜１１のうち、いずれ
か一項記載の半導体装置の製造方法により、または請求
項１３に記載したように、前記フィルタ形成工程は、前
記紫外線硬化型接着剤を部分的に硬化させる熱処理工程
を含むことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製
造方法により、または請求項１４に記載したように、前
記フィルタは、実質的に３３０ｎｍ以下の波長の紫外線
をカットすることを特徴とする請求項１３記載の半導体
措置の製造方法により、または請求項１５に記載したよ
うに、基板と、基板表面に形成された半導体装置と、前
記半導体装置を覆うように前記基板表面上に形成された
紫外線硬化性接着剤層と、前記接着剤層上に形成された
テープとよりなる半導体装置において、前記紫外線硬化
性接着剤層は、紫外線を実質的にカットするフィルタを
形成することを特徴とする半導体装置により、または請
求項１６に記載したように、前記紫外線硬化性接着剤層
は、約２００ｎｍ〜約３５０ｎｍの範囲の波長の紫外線
を実質的にカットすることを特徴とする請求項１５記載
の半導体装置により、または請求項１７に記載したよう
に、前記紫外線硬化性接着剤層は、約３３０ｎｍ以下の
範囲の波長の紫外線を実質的にカットすることを特徴と
する請求項１５記載の半導体装置により、または請求項
１８に記載したように、前記紫外線硬化性接着剤層は、
部分的に硬化した状態にあることを特徴とする請求項１
５〜１７のうち、いずれか一項記載の半導体装置によ
り、解決する。
を、請求項１に記載したように、半導体基板の表面を粘
着テープで保護する工程と、前記半導体基板の裏面を研
削する工程とを含む半導体装置の製造方法において、前
記粘着テープを剥離した後に、前記基板を、前記粘着テ
ープの接着剤の熱分解温度よりも高い温度に加熱する加
熱工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に
より、または請求項２に記載したように、前記加熱工程
は、前記半導体基板中に形成されている半導体装置が劣
化する温度以下の温度で実行されることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置の製造方法により、または請求
項３に記載したように、前記加熱工程は、２００°Ｃ以
上，３５０°Ｃ以下の温度で実行されることを特徴とす
る請求項１または２記載の半導体装置の製造方法によ
り、または請求項４に記載したように、前記加熱工程
は、２５０°Ｃ以上の温度で実行されることを特徴とす
る請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の半導体装置
の製造方法により、または請求項５に記載したように、
前記加熱工程は、不活性雰囲気中において実行されるこ
とを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載
の半導体装置の製造方法により、または請求項６に記載
したように、前記加熱工程は、酸化雰囲気中において実
行されることを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれ
か一項記載の半導体装置の製造方法により、または請求
項７に記載したように、半導体基板の表面を、紫外線硬
化性接着剤層を担持する粘着テープで保護し、半導体基
板の裏面を研削する工程を含む半導体装置の製造方法に
おいて、前記研削工程の後、前記紫外線硬化性接着剤層
中に、前記紫外線硬化性接着剤層を部分的に硬化させる
ことにより、紫外線透過率の低い紫外線カットフィルタ
を形成する工程と、前記紫外線カットフィルタを通して
前記紫外線硬化性接着剤層に紫外線を照射することによ
り、前記紫外線硬化性接着剤層を硬化させる工程と、前
記硬化工程の後、前記粘着テープを前記基板表面から剥
離する工程とよりなることを特徴とする半導体装置の製
造方法により、または請求項８に記載したように、前記
フィルタ形成工程は、前記紫外線硬化性接着剤層に、前
記紫外線硬化性接着剤が、部分的には硬化するが完全に
は硬化しない程度の第１の照射量の紫外線を照射する第
１の照射工程を含み、前記硬化工程は、前記紫外線硬化
性接着剤が完全に硬化する第２の照射量の紫外線を照射
する第２の照射工程を含むことを特徴とする請求項７記
載の半導体装置の製造方法により、または請求項９に記
載したように、前記第１および第２の照射工程は、紫外
線が、前記粘着テープを通過した後で前記半導体装置の
表面に到達するように実行されることを特徴とする請求
項８記載の半導体装置の製造方法により、または請求項
１０に記載したように、前記第１の照射工程は、波長が
３６５ｎｍの紫外線を、前記第１の照射量を約５０ｍＪ
／ｃｍ2 に設定して照射する工程よりなり、前記第２の
照射工程は、波長が３６５ｎｍの紫外線を、前記第２の
照射量を前記第１の照射量よりも大きいが１００ｍＪ／
ｃｍ2 以下の値に設定して照射する工程よりなることを
特徴とする請求項８または９記載の半導体装置の製造方
法により、または請求項１１に記載したように、前記第
１の照射工程は、波長が２５３．７ｎｍの紫外線を、前
記第１の照射量を約１０００ｍＪ／ｃｍ2 に設定して照
射する工程よりなり、前記第２の照射工程は、波長が２
５３．７ｎｍの紫外線を、前記第２の照射量を前記第１
の照射量よりも大きいが１５０００ｍＪ／ｃｍ2 以下の
値に設定して照射する工程よりなることを特徴とする請
求項８または９記載の半導体装置の製造方法により、ま
たは請求項１２に記載したように、前記フィルタは、実
質的に２００〜３５０ｎｍの範囲の波長の紫外線をカッ
トすることを特徴とする請求項７〜１１のうち、いずれ
か一項記載の半導体装置の製造方法により、または請求
項１３に記載したように、前記フィルタ形成工程は、前
記紫外線硬化型接着剤を部分的に硬化させる熱処理工程
を含むことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製
造方法により、または請求項１４に記載したように、前
記フィルタは、実質的に３３０ｎｍ以下の波長の紫外線
をカットすることを特徴とする請求項１３記載の半導体
措置の製造方法により、または請求項１５に記載したよ
うに、基板と、基板表面に形成された半導体装置と、前
記半導体装置を覆うように前記基板表面上に形成された
紫外線硬化性接着剤層と、前記接着剤層上に形成された
テープとよりなる半導体装置において、前記紫外線硬化
性接着剤層は、紫外線を実質的にカットするフィルタを
形成することを特徴とする半導体装置により、または請
求項１６に記載したように、前記紫外線硬化性接着剤層
は、約２００ｎｍ〜約３５０ｎｍの範囲の波長の紫外線
を実質的にカットすることを特徴とする請求項１５記載
の半導体装置により、または請求項１７に記載したよう
に、前記紫外線硬化性接着剤層は、約３３０ｎｍ以下の
範囲の波長の紫外線を実質的にカットすることを特徴と
する請求項１５記載の半導体装置により、または請求項
１８に記載したように、前記紫外線硬化性接着剤層は、
部分的に硬化した状態にあることを特徴とする請求項１
５〜１７のうち、いずれか一項記載の半導体装置によ
り、解決する。
【００１４】以下、本発明の原理を説明する。本発明で
は、半導体基板をテープ保護した状態で研削した後、テ
ープを剥離させ、さらに基板を、テープ接着剤の熱分解
温度よりも高い温度で熱処理し、前記基板表面に残留す
る接着剤に起因する有機物を分解させる。この熱処理工
程は、窒素等の不活性雰囲気中で行うのが好ましいが、
酸化雰囲気中において実行可能な場合もある。いずれに
しても、かかる熱処理を、短時間、典型的には１０秒程
度行うことで、従来純水中で１５分以上必要であった洗
浄工程を実質的に短縮することが可能である。熱処理工
程は、半導体基板中に形成されている半導体装置が劣化
しないような、３５０°Ｃ以下の温度で行うのが望まし
い。特に、Ａｌを電極として使った半導体装置、あるい
はポリイミド膜を絶縁膜あるいは保護膜として有する半
導体装置の場合、熱処理温度が３５０°Ｃを超えると、
電極あるいは絶縁膜の劣化が顕著に現れる。
は、半導体基板をテープ保護した状態で研削した後、テ
ープを剥離させ、さらに基板を、テープ接着剤の熱分解
温度よりも高い温度で熱処理し、前記基板表面に残留す
る接着剤に起因する有機物を分解させる。この熱処理工
程は、窒素等の不活性雰囲気中で行うのが好ましいが、
酸化雰囲気中において実行可能な場合もある。いずれに
しても、かかる熱処理を、短時間、典型的には１０秒程
度行うことで、従来純水中で１５分以上必要であった洗
浄工程を実質的に短縮することが可能である。熱処理工
程は、半導体基板中に形成されている半導体装置が劣化
しないような、３５０°Ｃ以下の温度で行うのが望まし
い。特に、Ａｌを電極として使った半導体装置、あるい
はポリイミド膜を絶縁膜あるいは保護膜として有する半
導体装置の場合、熱処理温度が３５０°Ｃを超えると、
電極あるいは絶縁膜の劣化が顕著に現れる。
【００１５】本発明では、また紫外線硬化性接着剤層を
有する保護テープで保護して基板の研削を行った後、前
記粘着テープを剥離する前に、粘着テープの紫外線硬化
性接着剤層を部分的に硬化させ、紫外線をカットするフ
ィルタを前記接着剤層中に形成する。さらにかかる紫外
線カットフィルタを介して、前記接着剤層に紫外線を照
射することにより、基板中に形成されているフラッシュ
メモリやＥＥＰＲＯＭ等、フローティングゲートを有す
る半導体装置に書き込まれた情報を破壊することなく、
接着剤層を硬化させることが可能である。このようにし
て接着剤層を硬化させた後、テープを剥離することによ
り、基板に過大な応力が加わるのを回避することができ
る。
有する保護テープで保護して基板の研削を行った後、前
記粘着テープを剥離する前に、粘着テープの紫外線硬化
性接着剤層を部分的に硬化させ、紫外線をカットするフ
ィルタを前記接着剤層中に形成する。さらにかかる紫外
線カットフィルタを介して、前記接着剤層に紫外線を照
射することにより、基板中に形成されているフラッシュ
メモリやＥＥＰＲＯＭ等、フローティングゲートを有す
る半導体装置に書き込まれた情報を破壊することなく、
接着剤層を硬化させることが可能である。このようにし
て接着剤層を硬化させた後、テープを剥離することによ
り、基板に過大な応力が加わるのを回避することができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施例によ
る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
図１を参照するに、ステップＳ１において、図２に示す
ように、Ｓｉ等の半導体ウェハよりなる基板１１の表面
上に、接着層１４を担持する保護テープ１５が接着され
る。ただし、基板１１は当初７２０μｍ程度の厚さを有
し、図２に示すように、基板１１の表面には、Ａｌ等の
低融点金属、Ｗ等の高融点金属あるいはその窒化物、さ
らにはポリシリコン等の半導体よりなる電極や配線パタ
ーン等のパターン１２が形成される。また、基板１１中
にも、図示は省略するが、様々な拡散領域が形成され
る。さらに、前記パターン１２はＳｉＯ2 やＰＳＧ、ポ
リイミド、あるいはＳｉＮ等の絶縁膜で保護されてい
る。典型的な半導体集積回路の製造の場合、基板１１上
には各々６０〜１５０μｍ□の多数のチップ領域が、互
いにスクライブラインにより隔てられて画成される。
る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
図１を参照するに、ステップＳ１において、図２に示す
ように、Ｓｉ等の半導体ウェハよりなる基板１１の表面
上に、接着層１４を担持する保護テープ１５が接着され
る。ただし、基板１１は当初７２０μｍ程度の厚さを有
し、図２に示すように、基板１１の表面には、Ａｌ等の
低融点金属、Ｗ等の高融点金属あるいはその窒化物、さ
らにはポリシリコン等の半導体よりなる電極や配線パタ
ーン等のパターン１２が形成される。また、基板１１中
にも、図示は省略するが、様々な拡散領域が形成され
る。さらに、前記パターン１２はＳｉＯ2 やＰＳＧ、ポ
リイミド、あるいはＳｉＮ等の絶縁膜で保護されてい
る。典型的な半導体集積回路の製造の場合、基板１１上
には各々６０〜１５０μｍ□の多数のチップ領域が、互
いにスクライブラインにより隔てられて画成される。
【００１７】保護テープ１５の接着層１４は、典型的に
はアクリル系接着剤よりなり、２００°Ｃ前後の熱分解
温度を有する。一方、テープ１５自体は、ポリオルフィ
ン系、ポリエチレン系あるいは塩化ビニル系樹脂よりな
り、１００〜１５０μｍの厚さを有する。接着層１４
は、一般には３０〜４０μｍの厚さを有する。
はアクリル系接着剤よりなり、２００°Ｃ前後の熱分解
温度を有する。一方、テープ１５自体は、ポリオルフィ
ン系、ポリエチレン系あるいは塩化ビニル系樹脂よりな
り、１００〜１５０μｍの厚さを有する。接着層１４
は、一般には３０〜４０μｍの厚さを有する。
【００１８】次に、図１のステップＳ２において、図２
のテープ１５が真空チャック１６上に保持され、基板１
１の裏面が、図３に示すように、砥石１７により、所望
の例えば５００μｍあるいはそれ以下まで研削される。
この工程では、基板１１がテープ１５により保護されて
いるため、高速で回転する砥石１７を当てても基板１１
が破損することはない。
のテープ１５が真空チャック１６上に保持され、基板１
１の裏面が、図３に示すように、砥石１７により、所望
の例えば５００μｍあるいはそれ以下まで研削される。
この工程では、基板１１がテープ１５により保護されて
いるため、高速で回転する砥石１７を当てても基板１１
が破損することはない。
【００１９】さらに、図１のステップＳ３において、前
記テープ１５は前記真空チャック１６から外され、さら
に図示しない強力な接着テープ（接着力が例えば２００
ｇ／ｃｍ程度のもの）をテープ１５上に接着し、さらに
それを引くことにより、テープ１５およびその上の接着
層１４が前記基板１１から剥離される。ただし、図４に
おいて、パターン１２および保護膜１３の図示は省略し
た。
記テープ１５は前記真空チャック１６から外され、さら
に図示しない強力な接着テープ（接着力が例えば２００
ｇ／ｃｍ程度のもの）をテープ１５上に接着し、さらに
それを引くことにより、テープ１５およびその上の接着
層１４が前記基板１１から剥離される。ただし、図４に
おいて、パターン１２および保護膜１３の図示は省略し
た。
【００２０】従来の方法では、この段階で、基板１１の
表面、例えば保護膜１３に、特に非晶質Ｃあるいは非晶
質ＳｉＮ、あるいは非晶質ポリイミド等が露出あるいは
残留している場合、接着層１４がこのような非晶質部と
強く接着してしまい、その結果、図４に符号１４’で示
すように、接着層１４の一部がテープ剥離後基板上に残
留してしまう可能性があった。
表面、例えば保護膜１３に、特に非晶質Ｃあるいは非晶
質ＳｉＮ、あるいは非晶質ポリイミド等が露出あるいは
残留している場合、接着層１４がこのような非晶質部と
強く接着してしまい、その結果、図４に符号１４’で示
すように、接着層１４の一部がテープ剥離後基板上に残
留してしまう可能性があった。
【００２１】そこで、本発明では、図１のステップＳ４
において、基板１１を前記接着層１４の熱分解温度以上
の温度に設定した電気炉（図示せず）中に通し、前記残
留接着剤１４’を分解あるいは蒸発させる。炉の温度
は、前記接着層１４の熱分解温度以上だが、半導体装置
を構成するＡｌ電極や配線、あるいはポリイミド層の劣
化が生じないように、３５０°Ｃ以下に設定するのが好
ましい。また、Ａｌ等の電極の酸化が生じないように、
炉中の雰囲気は窒素あるいはアルゴン等、不活性雰囲気
とするのが好ましい。かかる熱処理は、典型的な場合１
分以内で十分であり、従来のように１５分〜６０分間も
純水中において洗浄を行う必要はなくなる。
において、基板１１を前記接着層１４の熱分解温度以上
の温度に設定した電気炉（図示せず）中に通し、前記残
留接着剤１４’を分解あるいは蒸発させる。炉の温度
は、前記接着層１４の熱分解温度以上だが、半導体装置
を構成するＡｌ電極や配線、あるいはポリイミド層の劣
化が生じないように、３５０°Ｃ以下に設定するのが好
ましい。また、Ａｌ等の電極の酸化が生じないように、
炉中の雰囲気は窒素あるいはアルゴン等、不活性雰囲気
とするのが好ましい。かかる熱処理は、典型的な場合１
分以内で十分であり、従来のように１５分〜６０分間も
純水中において洗浄を行う必要はなくなる。
【００２２】一方、Ａｕ等を電極に使った場合には、酸
化雰囲気中において残留接着剤１４’を酸化・除去する
ことも可能である。この場合も、オゾンアッシング装置
のような莫大な設備投資の必要な装置を使う必要がな
く、半導体装置の製造費用を低下させることが可能にな
る。
化雰囲気中において残留接着剤１４’を酸化・除去する
ことも可能である。この場合も、オゾンアッシング装置
のような莫大な設備投資の必要な装置を使う必要がな
く、半導体装置の製造費用を低下させることが可能にな
る。
【００２３】図６は、本発明の第２実施例による半導体
装置の製造方法を示すフローチャートである。以下の説
明では、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、
説明を省略する。特に本実施例は、半導体基板１１上に
フラッシュメモリやＥＥＰＲＯＭ等、フローティングゲ
ートを有する不揮発性半導体メモリを形成されている場
合に、あるいは紫外線照射により、形成されている半導
体装置の特性が変化するような場合に有用である。
装置の製造方法を示すフローチャートである。以下の説
明では、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、
説明を省略する。特に本実施例は、半導体基板１１上に
フラッシュメモリやＥＥＰＲＯＭ等、フローティングゲ
ートを有する不揮発性半導体メモリを形成されている場
合に、あるいは紫外線照射により、形成されている半導
体装置の特性が変化するような場合に有用である。
【００２４】図６を参照するに、図１のステップＳ１に
対応するステップＳ１１において、半導体基板１１上に
図２に示すのと同様なテープ１５が、接着層１４を介し
て接着される。ただし、先にも説明したように、基板１
１上には、図７に示すフラッシュメモリあるいはＥＥＰ
ＲＯＭが形成されており、また、接着層１４は紫外線硬
化型接着剤よりなる。かかる紫外線硬化型接着剤として
は、例えば２エチルヘキシルアクリレート等のアクリル
系接着剤が使用可能である。また、アルファメタル社４
４２等のエポキシ系接着剤も使用可能である。
対応するステップＳ１１において、半導体基板１１上に
図２に示すのと同様なテープ１５が、接着層１４を介し
て接着される。ただし、先にも説明したように、基板１
１上には、図７に示すフラッシュメモリあるいはＥＥＰ
ＲＯＭが形成されており、また、接着層１４は紫外線硬
化型接着剤よりなる。かかる紫外線硬化型接着剤として
は、例えば２エチルヘキシルアクリレート等のアクリル
系接着剤が使用可能である。また、アルファメタル社４
４２等のエポキシ系接着剤も使用可能である。
【００２５】図７を参照するに、フラッシュメモリは、
基板１１上にトンネル絶縁膜１１Ａを介して形成された
フローティングゲート電極１２Ａと、前記フローティン
グゲート電極１２Ａ上に絶縁膜１２Ｂを介して形成され
たコントロール電極１２Ｃとを有し、また基板１１中、
前記フローティングゲート電極１２Ａ直下のチャネル領
域両端には、ソース領域１１ａおよびドレイン領域１１
ｂが形成されている。かかるフラッシュメモリでは、ソ
ース領域１１ａとドレイン領域１１ｂとの間に電圧を印
加し、さらに制御電極１２Ｃに正電圧を印加することに
より、ソース領域１１ａとドレイン領域１１ｂとの間の
チャネル領域で加速された電子が、ホットエレクトロン
としてフローティングゲート電極１２Ａに注入される。
このようにして注入された電子はフローティングゲート
電極１２Ａ中において安定に保持され、ソースードレイ
ン間のしきい値電圧を変化させる。図２の状態の基板１
１では、基板１１上の全てのフラッシュメモリのフロー
ティングゲート電極に対して、すでに所定の初期値デー
タが書きこんである。
基板１１上にトンネル絶縁膜１１Ａを介して形成された
フローティングゲート電極１２Ａと、前記フローティン
グゲート電極１２Ａ上に絶縁膜１２Ｂを介して形成され
たコントロール電極１２Ｃとを有し、また基板１１中、
前記フローティングゲート電極１２Ａ直下のチャネル領
域両端には、ソース領域１１ａおよびドレイン領域１１
ｂが形成されている。かかるフラッシュメモリでは、ソ
ース領域１１ａとドレイン領域１１ｂとの間に電圧を印
加し、さらに制御電極１２Ｃに正電圧を印加することに
より、ソース領域１１ａとドレイン領域１１ｂとの間の
チャネル領域で加速された電子が、ホットエレクトロン
としてフローティングゲート電極１２Ａに注入される。
このようにして注入された電子はフローティングゲート
電極１２Ａ中において安定に保持され、ソースードレイ
ン間のしきい値電圧を変化させる。図２の状態の基板１
１では、基板１１上の全てのフラッシュメモリのフロー
ティングゲート電極に対して、すでに所定の初期値デー
タが書きこんである。
【００２６】次に、図６のステップＳ１２において、基
板１１が図３に示したのと同様に砥石１７により研削さ
れ、基板１１の厚さが所定の厚さ、例えば５３０μｍに
設定される。次に、図６のステップＳ１３において、図
８に示すように、接着層１４に、テープ１５を通して、
すなわち基板１１と反対の側から、波長が３６５ｎｍの
紫外線を２０ｍＪ／ｃｍ2 以上、例えば５０ｍＪ／ｃｍ
2 の照射量で照射し、接着層１４を部分的に硬化させ
る。この程度の紫外線照射では、基板１１上のフローテ
ィングゲート（図８において接着層１４の下側に位置す
る）中の電子の大部分は励起されず、従ってフローティ
ングゲート中に記録された初期データの破壊は生じな
い。
板１１が図３に示したのと同様に砥石１７により研削さ
れ、基板１１の厚さが所定の厚さ、例えば５３０μｍに
設定される。次に、図６のステップＳ１３において、図
８に示すように、接着層１４に、テープ１５を通して、
すなわち基板１１と反対の側から、波長が３６５ｎｍの
紫外線を２０ｍＪ／ｃｍ2 以上、例えば５０ｍＪ／ｃｍ
2 の照射量で照射し、接着層１４を部分的に硬化させ
る。この程度の紫外線照射では、基板１１上のフローテ
ィングゲート（図８において接着層１４の下側に位置す
る）中の電子の大部分は励起されず、従ってフローティ
ングゲート中に記録された初期データの破壊は生じな
い。
【００２７】一方、このような接着層１４の部分的な硬
化の結果、接着剤層１４の紫外線帯域の透過特性は、図
９に示すように変化する。図９を参照するに、接着層１
４の透過率は、特に波長が２００〜３５０ｎｍの帯域に
おいて、紫外線照射と共に減少し、特に照射量を２０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 以上にするとほとんどゼロになることがわか
る。換言すると、このような部分的な硬化をもたらすよ
うな接着層１４への紫外線照射、典型的には５０ｍＪ／
ｃｍ2 以下の照射量の照射により、接着層１４中に効果
的な紫外線カットフィルタが形成される。
化の結果、接着剤層１４の紫外線帯域の透過特性は、図
９に示すように変化する。図９を参照するに、接着層１
４の透過率は、特に波長が２００〜３５０ｎｍの帯域に
おいて、紫外線照射と共に減少し、特に照射量を２０ｍ
Ｊ／ｃｍ2 以上にするとほとんどゼロになることがわか
る。換言すると、このような部分的な硬化をもたらすよ
うな接着層１４への紫外線照射、典型的には５０ｍＪ／
ｃｍ2 以下の照射量の照射により、接着層１４中に効果
的な紫外線カットフィルタが形成される。
【００２８】そこで、かかる接着層１４を紫外線カット
フィルタとして、さらに多量の紫外線照射を行うことに
より、基板１１上のフローティングゲート中の電子を実
質的に励起することなく、接着層１４を硬化させること
が可能になる。すなわち、図６のステップＳ１４におい
て、図１０に示すように接着層１４に波長が３６５ｎｍ
の紫外線を、典型的には約１００ｍＪ／ｃｍ2 あるいは
それ以下の照射量で照射することにより、接着層１４の
硬化が完全に進行する。この工程では、接着層１４自体
が紫外線カットフィルタを形成しているため、また紫外
線は接着層１４を通った後でパターン１２を含む基板１
１に到達しているため、基板１１上に形成されたフロー
ティングゲート中に既に書き込まれた初期値データが破
壊されることはない。
フィルタとして、さらに多量の紫外線照射を行うことに
より、基板１１上のフローティングゲート中の電子を実
質的に励起することなく、接着層１４を硬化させること
が可能になる。すなわち、図６のステップＳ１４におい
て、図１０に示すように接着層１４に波長が３６５ｎｍ
の紫外線を、典型的には約１００ｍＪ／ｃｍ2 あるいは
それ以下の照射量で照射することにより、接着層１４の
硬化が完全に進行する。この工程では、接着層１４自体
が紫外線カットフィルタを形成しているため、また紫外
線は接着層１４を通った後でパターン１２を含む基板１
１に到達しているため、基板１１上に形成されたフロー
ティングゲート中に既に書き込まれた初期値データが破
壊されることはない。
【００２９】接着層１４の硬化がこのように終了する
と、さらに図１のステップＳ３に対応する図６のステッ
プＳ１５において、テープ１５が、接着層１４と共に基
板１１から剥離される。本実施例では、接着層１４がす
でに硬化しているため、ステップＳ１５の剥離工程は、
比較的小さい力、例えば２００ｇ／ｃｍの粘着力を有す
るテープを使って実行することが可能で、その結果ウェ
ハ１１が破損する危険が実質的に回避される。
と、さらに図１のステップＳ３に対応する図６のステッ
プＳ１５において、テープ１５が、接着層１４と共に基
板１１から剥離される。本実施例では、接着層１４がす
でに硬化しているため、ステップＳ１５の剥離工程は、
比較的小さい力、例えば２００ｇ／ｃｍの粘着力を有す
るテープを使って実行することが可能で、その結果ウェ
ハ１１が破損する危険が実質的に回避される。
【００３０】さらに、ステップＳ１５の後、先に説明し
た図１の加熱処理工程を行うことも可能である。また、
接着層１４に先に説明した紫外線カットフィルタを形成
する方法は、紫外線照射による部分的な硬化に限定され
るものではなく、例えば接着層１４を加熱して部分的に
硬化させることによっても可能である。
た図１の加熱処理工程を行うことも可能である。また、
接着層１４に先に説明した紫外線カットフィルタを形成
する方法は、紫外線照射による部分的な硬化に限定され
るものではなく、例えば接着層１４を加熱して部分的に
硬化させることによっても可能である。
【００３１】図１１は、アクリル系接着剤を６０〜１０
０°Ｃの温度で１〜５秒加熱した場合の、本発明の第３
実施例による接着層１４が示す紫外線帯域透過特性を示
す。図１１を参照するに、このようにして部分的に硬化
した接着層１４は、波長が３３０ｎｍ以下の帯域の紫外
線を殆ど完全に遮断することがわかる。従って、本発明
の第３実施例では、図６のステップＳ１３を、図８に示
すように接着層１４に紫外線を少量照射するかわりに、
図８の構造を先の６０〜１００°Ｃの温度で短時間、す
なわち１〜５秒間加熱することにより実行する。
０°Ｃの温度で１〜５秒加熱した場合の、本発明の第３
実施例による接着層１４が示す紫外線帯域透過特性を示
す。図１１を参照するに、このようにして部分的に硬化
した接着層１４は、波長が３３０ｎｍ以下の帯域の紫外
線を殆ど完全に遮断することがわかる。従って、本発明
の第３実施例では、図６のステップＳ１３を、図８に示
すように接着層１４に紫外線を少量照射するかわりに、
図８の構造を先の６０〜１００°Ｃの温度で短時間、す
なわち１〜５秒間加熱することにより実行する。
【００３２】さらに、本発明は、接着層１４としてアク
リル系接着剤以外にエポキシ系接着剤も使用可能であ
る。エポキシ系接着剤を接着層１４として使い、図８の
ような紫外線照射工程を行って接着剤層を部分的に硬化
させる場合には、波長が２５３．７ｎｍの遠紫外線を、
１０００ｍＷ／ｃｍ2 の照射量で照射し、さらに図１０
に対応する工程で、同じ波長の紫外線を１５０００ｍＷ
／ｃｍ2 の照射量で照射するのがよい。
リル系接着剤以外にエポキシ系接着剤も使用可能であ
る。エポキシ系接着剤を接着層１４として使い、図８の
ような紫外線照射工程を行って接着剤層を部分的に硬化
させる場合には、波長が２５３．７ｎｍの遠紫外線を、
１０００ｍＷ／ｃｍ2 の照射量で照射し、さらに図１０
に対応する工程で、同じ波長の紫外線を１５０００ｍＷ
／ｃｍ2 の照射量で照射するのがよい。
【００３３】以上、本発明を好ましい実施例について説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はなく、本発明の要旨内において様々な変形・変更が可
能である。
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はなく、本発明の要旨内において様々な変形・変更が可
能である。
【００３４】
【発明の効果】請求項１記載の本発明の特徴によれば、
半導体基板の表面を粘着テープで保護し、前記半導体基
板の裏面を研削する工程とを含む半導体装置の製造方法
において、前記粘着テープを剥離した後に、前記基板
を、前記粘着テープの接着剤の熱分解温度よりも高い温
度に加熱することにより、粘着テープ剥離後の基板上に
残留する接着剤に起因する有機物を、短時間で除去する
ことができる。このため、剥離後の基板を長時間水洗し
たり、あるいは有機溶媒中で洗浄する工程を省略でき
る。
半導体基板の表面を粘着テープで保護し、前記半導体基
板の裏面を研削する工程とを含む半導体装置の製造方法
において、前記粘着テープを剥離した後に、前記基板
を、前記粘着テープの接着剤の熱分解温度よりも高い温
度に加熱することにより、粘着テープ剥離後の基板上に
残留する接着剤に起因する有機物を、短時間で除去する
ことができる。このため、剥離後の基板を長時間水洗し
たり、あるいは有機溶媒中で洗浄する工程を省略でき
る。
【００３５】請求項２，３記載の本発明の特徴によれ
ば、前記加熱工程を、前記半導体基板中に形成されてい
る半導体装置が劣化する温度以下の温度で実行すること
により、Ａｌ等の金属電極やポリイミド絶縁膜の劣化等
に起因する半導体装置の特性の劣化あるいは歩留りの低
下が回避され、半導体装置を安定かつ確実の製造するこ
とが可能になる。
ば、前記加熱工程を、前記半導体基板中に形成されてい
る半導体装置が劣化する温度以下の温度で実行すること
により、Ａｌ等の金属電極やポリイミド絶縁膜の劣化等
に起因する半導体装置の特性の劣化あるいは歩留りの低
下が回避され、半導体装置を安定かつ確実の製造するこ
とが可能になる。
【００３６】請求項４記載の本発明の特徴によれば、前
記加熱工程を、２５０°Ｃ以上の温度で実行することに
より、基板上に残留する有機物を確実に除去することが
可能になる。請求項５記載の本発明の特徴によれば、前
記加熱工程を不活性雰囲気中において実行することによ
り、半導体装置中のＡｌ等の金属電極の酸化を回避する
ことができる。
記加熱工程を、２５０°Ｃ以上の温度で実行することに
より、基板上に残留する有機物を確実に除去することが
可能になる。請求項５記載の本発明の特徴によれば、前
記加熱工程を不活性雰囲気中において実行することによ
り、半導体装置中のＡｌ等の金属電極の酸化を回避する
ことができる。
【００３７】請求項６記載の本発明の特徴によれば、前
記加熱工程を酸化雰囲気中において実行することによ
り、基板上に残留する有機物を確実かつ効率的にに除去
することが可能になる。請求項７，１２，１５〜１８記
載の本発明の特徴によれば、半導体基板の表面を、紫外
線硬化性接着剤層を担持する粘着テープで保護し、半導
体基板の裏面を研削する工程を含む半導体装置の製造方
法において、前記研削工程の後、前記紫外線硬化性接着
剤層中に、前記紫外線硬化型接着剤層を部分的に硬化さ
せることにより、紫外線透過率の低い紫外線カットフィ
ルタを形成し、前記紫外線カットフィルタを通して前記
紫外線硬化性接着剤層に紫外線を照射することにより、
前記紫外線硬化性接着剤層を硬化させ、さらに前記硬化
工程の後、前記粘着テープを前記基板表面から剥離する
ことにより、基板に過大な応力をかけることなく、また
基板を破損することなく、確実に保護テープを基板から
除去することが可能になる。その際、前記接着層が紫外
線カットフィルタを形成するため、基板上にフラッシュ
メモリやＥＥＰＲＯＭ等、フローティングゲートを有す
る半導体メモリが形成されていても、フローティングゲ
ートに書き込まれている情報が破壊されることがない。
記加熱工程を酸化雰囲気中において実行することによ
り、基板上に残留する有機物を確実かつ効率的にに除去
することが可能になる。請求項７，１２，１５〜１８記
載の本発明の特徴によれば、半導体基板の表面を、紫外
線硬化性接着剤層を担持する粘着テープで保護し、半導
体基板の裏面を研削する工程を含む半導体装置の製造方
法において、前記研削工程の後、前記紫外線硬化性接着
剤層中に、前記紫外線硬化型接着剤層を部分的に硬化さ
せることにより、紫外線透過率の低い紫外線カットフィ
ルタを形成し、前記紫外線カットフィルタを通して前記
紫外線硬化性接着剤層に紫外線を照射することにより、
前記紫外線硬化性接着剤層を硬化させ、さらに前記硬化
工程の後、前記粘着テープを前記基板表面から剥離する
ことにより、基板に過大な応力をかけることなく、また
基板を破損することなく、確実に保護テープを基板から
除去することが可能になる。その際、前記接着層が紫外
線カットフィルタを形成するため、基板上にフラッシュ
メモリやＥＥＰＲＯＭ等、フローティングゲートを有す
る半導体メモリが形成されていても、フローティングゲ
ートに書き込まれている情報が破壊されることがない。
【００３８】請求項８，１０，１１記載の本発明の特徴
によれば、前記フィルタ形成工程を、前記紫外線硬化性
接着剤層に、前記紫外線硬化性接着剤が、部分的には硬
化するが完全には硬化しない程度の第１の照射量の紫外
線を照射する照射工程により行い、前記硬化工程を、前
記紫外線硬化性接着剤が完全に硬化する第２の照射量の
紫外線を照射する照射工程により行うことにより、フィ
ルタ形成工程において、前記フラッシュメモリ等のフロ
ーティングゲートに書き込まれた情報が破壊されるのが
回避される。
によれば、前記フィルタ形成工程を、前記紫外線硬化性
接着剤層に、前記紫外線硬化性接着剤が、部分的には硬
化するが完全には硬化しない程度の第１の照射量の紫外
線を照射する照射工程により行い、前記硬化工程を、前
記紫外線硬化性接着剤が完全に硬化する第２の照射量の
紫外線を照射する照射工程により行うことにより、フィ
ルタ形成工程において、前記フラッシュメモリ等のフロ
ーティングゲートに書き込まれた情報が破壊されるのが
回避される。
【００３９】請求項９に記載の本発明の特徴によれば、
前記第１および第２の照射工程を、紫外線が、前記粘着
テープを通過した後で前記半導体装置の表面に到達する
ように実行することにより、前記接着剤層が、基板中に
形成された半導体装置に対して効果的な紫外線フィルタ
として作用する。
前記第１および第２の照射工程を、紫外線が、前記粘着
テープを通過した後で前記半導体装置の表面に到達する
ように実行することにより、前記接着剤層が、基板中に
形成された半導体装置に対して効果的な紫外線フィルタ
として作用する。
【００４０】請求項１３，１４記載の本発明の特徴によ
れば、前記フィルタ形成工程を、前記紫外線硬化型接着
剤を部分的に硬化させる熱処理工程により実行すること
により、フィルタ形成に伴って基板中の半導体装置が保
持しているデータが破壊されることが生じない。
れば、前記フィルタ形成工程を、前記紫外線硬化型接着
剤を部分的に硬化させる熱処理工程により実行すること
により、フィルタ形成に伴って基板中の半導体装置が保
持しているデータが破壊されることが生じない。
【図１】本発明の第１実施例による半導体装置の製造工
程を示すフローチャートである。
程を示すフローチャートである。
【図２】図１の工程Ｓ１における半導体装置の状態を示
す図である。
す図である。
【図３】図１の工程Ｓ２における半導体装置の状態を示
す図である。
す図である。
【図４】図１の工程Ｓ３における半導体装置の状態を示
す図である。
す図である。
【図５】図１の工程Ｓ４における半導体装置の状態を示
す図である。
す図である。
【図６】本発明の第２実施例による半導体装置の製造工
程を示すフローチャートである。
程を示すフローチャートである。
【図７】公知のフラッシュメモリの構成を示す図であ
る。
る。
【図８】図６の工程Ｓ１３における半導体装置の状態を
示す図である。
示す図である。
【図９】図６の工程Ｓ１３で形成される紫外線フィルタ
の特性を示す図である。
の特性を示す図である。
【図１０】図６の工程Ｓ１４における半導体装置の状態
を示す図である。
を示す図である。
【図１１】本発明の第３実施例による紫外線フィルタの
特性を示す図である。
特性を示す図である。
１１ 基板 １１Ａ トンネル絶縁膜 １１ａ，１１ｂ 拡散領域 １２ パターン構造 １２Ａ フローティングゲート電極 １２Ｂ 絶縁膜 １２Ｃ コントロール電極 １３ 絶縁層 １４ 接着剤層 １４’接着剤残さ １５ テープ １６ 強力テープ １７ 砥石
Claims (18)
- 【請求項１】 半導体基板の表面を粘着テープで保護す
る工程と、前記半導体基板の裏面を研削する工程とを含
む半導体装置の製造方法において、 前記粘着テープを剥離した後に、前記基板を、前記粘着
テープの接着剤の熱分解温度よりも高い温度に加熱する
加熱工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 前記加熱工程は、前記半導体基板中に形
成されている半導体装置が劣化する温度以下の温度で実
行されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項３】 前記加熱工程は、２００°Ｃ以上，３５
０°Ｃ以下の温度で実行されることを特徴とする請求項
１または２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記加熱工程は、２５０°Ｃ以上の温度
で実行されることを特徴とする請求項１〜３のうち、い
ずれか一項記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記加熱工程は、不活性雰囲気中におい
て実行されることを特徴とする請求項１〜４のうち、い
ずれか一項記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記加熱工程は、酸化雰囲気中において
実行されることを特徴とする請求項１〜４のうち、いず
れか一項記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 半導体基板の表面を、紫外線硬化性接着
剤層を担持する粘着テープで保護し、半導体基板の裏面
を研削する工程を含む半導体装置の製造方法において、 前記研削工程の後、前記紫外線硬化性接着剤層中に、前
記紫外線硬化型接着剤層を部分的に硬化させることによ
り、紫外線透過率の低い紫外線カットフィルタを形成す
る工程と、 前記紫外線カットフィルタを通して前記紫外線硬化性接
着剤層に紫外線を照射することにより、前記紫外線硬化
性接着剤層を硬化させる工程と、 前記硬化工程の後、前記粘着テープを前記基板表面から
剥離する工程とよりなることを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項８】 前記フィルタ形成工程は、前記紫外線硬
化性接着剤層に、前記紫外線硬化性接着剤が、部分的に
は硬化するが完全には硬化しない程度の第１の照射量の
紫外線を照射する第１の照射工程を含み、前記硬化工程
は、前記紫外線硬化性接着剤が完全に硬化する第２の照
射量の紫外線を照射する第２の照射工程を含むことを特
徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記第１および第２の照射工程は、紫外
線が、前記粘着テープを通過した後で前記半導体装置の
表面に到達するように実行されることを特徴とする請求
項８記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記第１の照射工程は、波長が３６５
ｎｍの紫外線を、前記第１の照射量を約５０ｍＪ／ｃｍ
2 に設定して照射する工程よりなり、前記第２の照射工
程は、波長が３６５ｎｍの紫外線を、前記第２の照射量
を前記第１の照射量よりも大きいが１００ｍＪ／ｃｍ2
以下の値に設定して照射する工程よりなることを特徴と
する請求項８または９記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記第１の照射工程は、波長が２５
３．７ｎｍの紫外線を、前記第１の照射量を約１０００
ｍＪ／ｃｍ2 に設定して照射する工程よりなり、前記第
２の照射工程は、波長が２５３．７ｎｍの紫外線を、前
記第２の照射量を前記第１の照射量よりも大きいが１５
０００ｍＪ／ｃｍ2 以下の値に設定して照射する工程よ
りなることを特徴とする請求項８または９記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記フィルタは、実質的に２００〜３
５０ｎｍの範囲の波長の紫外線をカットすることを特徴
とする請求項７〜１１のうち、いずれか一項記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記フィルタ形成工程は、前記紫外線
硬化型接着剤を部分的に硬化させる熱処理工程を含むこ
とを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記フィルタは、実質的に３３０ｎｍ
以下の波長の紫外線をカットすることを特徴とする請求
項１３記載の半導体措置の製造方法。 - 【請求項１５】 基板と、基板表面に形成された半導体
装置と、前記半導体装置を覆うように前記基板表面上に
形成された紫外線硬化性接着剤層と、前記接着剤層上に
形成されたテープとよりなる半導体装置において、 前記紫外線硬化性接着剤層は、紫外線を実質的にカット
するフィルタを形成することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１６】 前記紫外線硬化性接着剤層は、約２０
０ｎｍ〜約３５０ｎｍの範囲の波長の紫外線を実質的に
カットすることを特徴とする請求項１５記載の半導体装
置。 - 【請求項１７】 前記紫外線硬化性接着剤層は、約３３
０ｎｍ以下の範囲の波長の紫外線を実質的にカットする
ことを特徴とする請求項１５記載の半導体装置。 - 【請求項１８】 前記紫外線硬化性接着剤層は、部分的
に硬化した状態にあることを特徴とする請求項１５〜１
７のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25987396A JP3535318B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US08/805,753 US5981391A (en) | 1996-09-30 | 1997-02-25 | Fabrication process of a semiconductor device including grinding of a semiconductor wafer |
| KR1019970007870A KR100244570B1 (ko) | 1996-09-30 | 1997-03-10 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| TW086105281A TW322606B (en) | 1996-09-30 | 1997-04-23 | Fabrication process of a semiconductor device including grinding of a semiconductor wafer |
| US09/362,703 US6048749A (en) | 1996-09-30 | 1999-07-29 | Fabrication process of a semiconductor device including grinding of a semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25987396A JP3535318B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004038552A Division JP3886012B2 (ja) | 2004-02-16 | 2004-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10106980A true JPH10106980A (ja) | 1998-04-24 |
| JP3535318B2 JP3535318B2 (ja) | 2004-06-07 |
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|---|---|---|---|
| JP25987396A Expired - Lifetime JP3535318B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
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|---|---|
| US (2) | US5981391A (ja) |
| JP (1) | JP3535318B2 (ja) |
| KR (1) | KR100244570B1 (ja) |
| TW (1) | TW322606B (ja) |
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| KR100527676B1 (ko) * | 1998-08-08 | 2006-02-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 웨이퍼 이면연마방법 |
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