JPH10105923A - 半導体式磁界検出器付き書込み及び読取り用磁気ヘッド - Google Patents
半導体式磁界検出器付き書込み及び読取り用磁気ヘッドInfo
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- JPH10105923A JPH10105923A JP16356897A JP16356897A JPH10105923A JP H10105923 A JPH10105923 A JP H10105923A JP 16356897 A JP16356897 A JP 16356897A JP 16356897 A JP16356897 A JP 16356897A JP H10105923 A JPH10105923 A JP H10105923A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/37—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect
- G11B5/376—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect in semi-conductors
- G11B5/378—Integrated structures
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ノイズフリーの半導体式磁界検出器付きの書
込み及び読取り用磁気ヘッド。 【解決手段】 飛翔面のレベルで、エアギャップの中に
直接半導体式検出器を設置する。検出器は、記録媒体に
最も近く位置づけされ、磁束誘導用磁気回路の介入なし
にこの媒体からの漏洩磁界に対し感応性をもつ。それが
書込み用エアギャップの中にあることから、書込み動作
と読取り動作の間の完璧な幾何学的一致が同時に確保さ
れる。検出器の寸法は、記録ゾーンの寸法に適するもの
で、記録トラックの幅に等しい幅及び記録ゾーンの長さ
以下の長さを有していてよい。１つの飛翔面を構成しエ
アギャップで分離された２つの磁極を伴う磁気回路を含
む書込み及び読取り用磁気ヘッドにおいて、磁気回路を
とり囲む導電性巻線で構成された書込み手段及び読取り
手段を含み、かつ読取り手段を飛翔面レベルでエアギャ
ップの中に置かれた半導体式磁界検出器で構成する。
込み及び読取り用磁気ヘッド。 【解決手段】 飛翔面のレベルで、エアギャップの中に
直接半導体式検出器を設置する。検出器は、記録媒体に
最も近く位置づけされ、磁束誘導用磁気回路の介入なし
にこの媒体からの漏洩磁界に対し感応性をもつ。それが
書込み用エアギャップの中にあることから、書込み動作
と読取り動作の間の完璧な幾何学的一致が同時に確保さ
れる。検出器の寸法は、記録ゾーンの寸法に適するもの
で、記録トラックの幅に等しい幅及び記録ゾーンの長さ
以下の長さを有していてよい。１つの飛翔面を構成しエ
アギャップで分離された２つの磁極を伴う磁気回路を含
む書込み及び読取り用磁気ヘッドにおいて、磁気回路を
とり囲む導電性巻線で構成された書込み手段及び読取り
手段を含み、かつ読取り手段を飛翔面レベルでエアギャ
ップの中に置かれた半導体式磁界検出器で構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体式磁界検出
器付きの書込み及び読取り用磁気ヘッドを目的とする。
本発明は、情報の磁気記録に応用できる。
器付きの書込み及び読取り用磁気ヘッドを目的とする。
本発明は、情報の磁気記録に応用できる。
【０００２】
【従来の技術】１つのエアギャップによって分離され１
つの飛翔面を構成する２つの磁極片を伴う磁気回路を含
む書込み及び読取り用磁気ヘッドは、すでに知られてい
る。このようなヘッドはさらに、書込み電流が循環する
導電性巻線で構成されている書込み手段及び、一般に磁
気抵抗で構成された読取り手段を含んで成る。
つの飛翔面を構成する２つの磁極片を伴う磁気回路を含
む書込み及び読取り用磁気ヘッドは、すでに知られてい
る。このようなヘッドはさらに、書込み電流が循環する
導電性巻線で構成されている書込み手段及び、一般に磁
気抵抗で構成された読取り手段を含んで成る。
【０００３】添付図１は、文書ＦＲ−Ａ−２６４５３１
４によって開示された１変形形態におけるこのような１
つのヘッドを示している。
４によって開示された１変形形態におけるこのような１
つのヘッドを示している。
【０００４】この国では、１つのボックス構造１２が中
に彫刻された例えばケイ素などの基板１０を含むヘッド
が見られる。このボックス構造の中では、１つの下部磁
気層１４が電解によって形成され、垂直な２本の柱１６
1 、１６2 により延長されている。これらの柱を導電性
コイル１８がとり囲んでいる。このコイルは絶縁層２０
の中に埋め込まれている。磁気回路は、エアギャップ２
４により分離された２つの磁極片２２1 、２２2 で形成
された上部磁気部品で完全な形となっている。これらの
磁極片は、飛翔面２５を構成する。例えば鉄−ニッケル
といった磁気抵抗要素ＭＲがエアギャップ２４の下に配
置される。ヘッドは、読取り又は書込みすべき情報が記
録される磁気媒体の前を移動する。
に彫刻された例えばケイ素などの基板１０を含むヘッド
が見られる。このボックス構造の中では、１つの下部磁
気層１４が電解によって形成され、垂直な２本の柱１６
1 、１６2 により延長されている。これらの柱を導電性
コイル１８がとり囲んでいる。このコイルは絶縁層２０
の中に埋め込まれている。磁気回路は、エアギャップ２
４により分離された２つの磁極片２２1 、２２2 で形成
された上部磁気部品で完全な形となっている。これらの
磁極片は、飛翔面２５を構成する。例えば鉄−ニッケル
といった磁気抵抗要素ＭＲがエアギャップ２４の下に配
置される。ヘッドは、読取り又は書込みすべき情報が記
録される磁気媒体の前を移動する。
【０００５】文書ＦＲ−Ａ−２７１２４２０は、第２の
エアギャップにより分離された端部をもつ２つの磁気部
品により構成された磁束集束装置を備えた、類似のヘッ
ドについて記述している。このとき磁気抵抗要素は、こ
の第２のエアギャップを通って主エアギャップの下に配
置される。
エアギャップにより分離された端部をもつ２つの磁気部
品により構成された磁束集束装置を備えた、類似のヘッ
ドについて記述している。このとき磁気抵抗要素は、こ
の第２のエアギャップを通って主エアギャップの下に配
置される。
【０００６】磁気回路を閉じる下部磁気部品１４の中
で、この部品中に設けられた二次的エアギャップの中に
磁気抵抗要素が配置されているようなその他のヘッドも
さらに知られている。
で、この部品中に設けられた二次的エアギャップの中に
磁気抵抗要素が配置されているようなその他のヘッドも
さらに知られている。
【０００７】当該出願人はすでに、例えばホール効果タ
イプの半導体式磁界検出器により磁気抵抗ＭＲを置き換
えることを提案してきた。かくして、文書ＦＲ−Ａ−２
７００６３３は、エアギャップにより下部磁気部品を２
つに分割し、そこにホール効果式装置を収納させること
を推奨している。
イプの半導体式磁界検出器により磁気抵抗ＭＲを置き換
えることを提案してきた。かくして、文書ＦＲ−Ａ−２
７００６３３は、エアギャップにより下部磁気部品を２
つに分割し、そこにホール効果式装置を収納させること
を推奨している。
【０００８】当該出願人は同様に、磁極片と磁気回路の
残りの部分の間にある間隔の中に半導体式磁界検出器を
設置することも提案した。（１９９６年４月１２付のフ
ランス出願ＥＮ９６０４５８３及びＥＮ９６０４５８５
号）
残りの部分の間にある間隔の中に半導体式磁界検出器を
設置することも提案した。（１９９６年４月１２付のフ
ランス出願ＥＮ９６０４５８３及びＥＮ９６０４５８５
号）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】いくつかの点では満足
のいくものではあるものの、これらのヘッドにはなお欠
点がある。実際、これらのヘッドが生成する読取り信号
は、読取り磁界がとる磁気回路に由来する雑音の影響を
受ける。検出器が磁極片の１つと集束装置の１つの間に
設置されている場合でも回路の長さは特に短縮されてい
るものの、この雑音は存続する。
のいくものではあるものの、これらのヘッドにはなお欠
点がある。実際、これらのヘッドが生成する読取り信号
は、読取り磁界がとる磁気回路に由来する雑音の影響を
受ける。検出器が磁極片の１つと集束装置の１つの間に
設置されている場合でも回路の長さは特に短縮されてい
るものの、この雑音は存続する。
【００１０】本発明の目的は、この欠点を補正すること
にある。
にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的で、本発明は、
まさに飛翔面のレベルで、エアギャップの中に直接半導
体式検出器を設置することを提案している。従って、こ
の検出器は、記録媒体に最も近いところに位置づけられ
る。この検出器は、磁束誘導用磁気回路が介入すること
なくこの媒体から発出される漏洩磁界に対し感応性をも
つ。それが書込み用エアギャップの中に位置づけされて
いることから、書込み動作と読取り動作の間の完璧な幾
何学的一致が同時に確保されることになる。
まさに飛翔面のレベルで、エアギャップの中に直接半導
体式検出器を設置することを提案している。従って、こ
の検出器は、記録媒体に最も近いところに位置づけられ
る。この検出器は、磁束誘導用磁気回路が介入すること
なくこの媒体から発出される漏洩磁界に対し感応性をも
つ。それが書込み用エアギャップの中に位置づけされて
いることから、書込み動作と読取り動作の間の完璧な幾
何学的一致が同時に確保されることになる。
【００１２】なお、検出器の寸法は、記録ゾーンの寸法
に適するものであってよい。つまり、記録トラックの幅
に等しい幅及び記録ゾーンの長さ以下の長さ（ヘッドの
移動方向に計数した場合）を有していてよい。
に適するものであってよい。つまり、記録トラックの幅
に等しい幅及び記録ゾーンの長さ以下の長さ（ヘッドの
移動方向に計数した場合）を有していてよい。
【００１３】厳密に言うと、本発明は、１つの飛翔面を
構成しエアギャップによって分離された２つの磁極を伴
う磁気回路を含んで成る書込み及び読取り用磁気ヘッド
において、さらに、この磁気回路をとり囲む導電性巻線
で構成された書込み手段及び読取り手段を含み、かつ読
取り手段が飛翔面レベルでエアギャップの中に置かれた
半導体式磁界検出器によって構成されていることを特徴
とする磁気ヘッドを目的とする。
構成しエアギャップによって分離された２つの磁極を伴
う磁気回路を含んで成る書込み及び読取り用磁気ヘッド
において、さらに、この磁気回路をとり囲む導電性巻線
で構成された書込み手段及び読取り手段を含み、かつ読
取り手段が飛翔面レベルでエアギャップの中に置かれた
半導体式磁界検出器によって構成されていることを特徴
とする磁気ヘッドを目的とする。
【００１４】エアギャップ内へ検出器を導入するには、
エアギャップを幾分か拡大せざるを得なくなる。この拡
大は、記録層の内部への磁界線の優れた進入にとって有
利に作用するが、書込み磁界の強度を低減させ、磁気遷
移の（ヘッドの移動方向に計数された）長さを増大させ
る。従って、書込み磁界のマッピングを特に入念に行な
うことが適切である。そのため、本発明では、上部磁気
層を２つの全く異なる磁気層すなわち一定のエアギャッ
プを伴う下部層及び第１のものよりもさらに狭いもう１
つのエアギャップを伴う上部層に分割することが考えら
れている。検出器が配置されることになるのは、この狭
いエアギャップの中である。
エアギャップを幾分か拡大せざるを得なくなる。この拡
大は、記録層の内部への磁界線の優れた進入にとって有
利に作用するが、書込み磁界の強度を低減させ、磁気遷
移の（ヘッドの移動方向に計数された）長さを増大させ
る。従って、書込み磁界のマッピングを特に入念に行な
うことが適切である。そのため、本発明では、上部磁気
層を２つの全く異なる磁気層すなわち一定のエアギャッ
プを伴う下部層及び第１のものよりもさらに狭いもう１
つのエアギャップを伴う上部層に分割することが考えら
れている。検出器が配置されることになるのは、この狭
いエアギャップの中である。
【００１５】好ましくは、上部層を構成する材料は、例
えばＦｅＮＴａ、ＦｅＣｕＣｏなどといった強い磁化を
伴う材料でできている。下部層を構成する材料はＦｅＮ
ｉであってもよいし、或いは又同様に強い磁化の材料で
できていてもよい。
えばＦｅＮＴａ、ＦｅＣｕＣｏなどといった強い磁化を
伴う材料でできている。下部層を構成する材料はＦｅＮ
ｉであってもよいし、或いは又同様に強い磁化の材料で
できていてもよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】図２は、本発明に従った磁気ヘッ
ドを斜視図で示している。この図には、すでに図１に表
示されたいくつかの要素、すなわち、下部磁気層１４、
２本の柱１６1 、１６2 、導電性巻線１８及びエアギャ
ップ２４により分離された磁極片２２1 、２２2 が再度
見られる。例示されている実施形態においては、磁気回
路は、２つの集束装置１７1 、１７2 で完成した形とな
る。
ドを斜視図で示している。この図には、すでに図１に表
示されたいくつかの要素、すなわち、下部磁気層１４、
２本の柱１６1 、１６2 、導電性巻線１８及びエアギャ
ップ２４により分離された磁極片２２1 、２２2 が再度
見られる。例示されている実施形態においては、磁気回
路は、２つの集束装置１７1 、１７2 で完成した形とな
る。
【００１７】本発明に従うと、半導体式磁界検出器４０
は、飛翔面のレベルでつまり磁極片２２1 、２２2 の高
い部分と同じ高さで、エアギャップ内に設置される。
は、飛翔面のレベルでつまり磁極片２２1 、２２2 の高
い部分と同じ高さで、エアギャップ内に設置される。
【００１８】図３は、上部磁気層が、第１のエアギャッ
プＥ１を構成する下部層４２1 、４２2 と第２のエアギ
ャップＥ２を構成する上部層４４1 、４４2 という２つ
の層に分割されている変形形態におけるこの構造の詳細
を示している。ヘッドの移動方向に測定されるこの後者
のエアギャップの長さは、０．２〜数ミクロンであり得
る。これが、いわゆる書込みエアギャップである。下部
層（下位層とも呼ばれる）のエアギャップＥ１は、数分
の１マイクロメートル又は数マイクロメートル分だけ長
い。
プＥ１を構成する下部層４２1 、４２2 と第２のエアギ
ャップＥ２を構成する上部層４４1 、４４2 という２つ
の層に分割されている変形形態におけるこの構造の詳細
を示している。ヘッドの移動方向に測定されるこの後者
のエアギャップの長さは、０．２〜数ミクロンであり得
る。これが、いわゆる書込みエアギャップである。下部
層（下位層とも呼ばれる）のエアギャップＥ１は、数分
の１マイクロメートル又は数マイクロメートル分だけ長
い。
【００１９】下部層４２1 、４２2 の厚みは、１μｍと
３μｍの間であってよく、上部層の厚みは０．１μｍと
数マイクロメートルの間である。下部エアギャップＥ１
は、例えばシリカなどの絶縁材料４６によりふさがれ
る。半導体式磁界検出器４０は、狭いエアギャップＥ２
の中に設置される。この検出器は、同様にシリカであっ
てよい絶縁体４８の中に埋め込まれる。
３μｍの間であってよく、上部層の厚みは０．１μｍと
数マイクロメートルの間である。下部エアギャップＥ１
は、例えばシリカなどの絶縁材料４６によりふさがれ
る。半導体式磁界検出器４０は、狭いエアギャップＥ２
の中に設置される。この検出器は、同様にシリカであっ
てよい絶縁体４８の中に埋め込まれる。
【００２０】本発明に従って利用される半導体式磁界検
出器は、既知のあらゆるタイプのものであってよいが、
有利には、図４及び図５を用いて例示されている独創性
を呈していてよい。図４では、まず最初に、例えばＧａ
Ａｓでできた基板５０の上に、例えばＡｌＧａＳｂ製の
第１の封じ込め層５２1 、例えばＩｎＡｓベースの量子
ウェルで形成された活性層５４、例えばＡｌＧａＳｂ製
の第２の封じ込め層５２2 そして最後に例えばＧａＳｂ
製の不動態化層５６を含む積層を被着させることによっ
て得られる従来の構造が見られる。
出器は、既知のあらゆるタイプのものであってよいが、
有利には、図４及び図５を用いて例示されている独創性
を呈していてよい。図４では、まず最初に、例えばＧａ
Ａｓでできた基板５０の上に、例えばＡｌＧａＳｂ製の
第１の封じ込め層５２1 、例えばＩｎＡｓベースの量子
ウェルで形成された活性層５４、例えばＡｌＧａＳｂ製
の第２の封じ込め層５２2 そして最後に例えばＧａＳｂ
製の不動態化層５６を含む積層を被着させることによっ
て得られる従来の構造が見られる。
【００２１】ＡｌＧａＳｂ製の第１の封じ込め層５２1
はかなり厚みがあり、約１〜数マイクロメートルであ
る。第２の封じ込め層５２2 は一般に第１のものよりも
薄く、例えば約数１０ナノメートルである。
はかなり厚みがあり、約１〜数マイクロメートルであ
る。第２の封じ込め層５２2 は一般に第１のものよりも
薄く、例えば約数１０ナノメートルである。
【００２２】このような構造を忠実に再現しても、本発
明には全く適さないだろう。それは、まず第１に、基板
５０をひとたび削除した時点で第１の封じ込め層５２1
が表面に現われ急速に酸化すると思われるからである。
次に、活性層５４が、比較的厚い封じ込め層５２1 を理
由として、表面からかなり離隔することになるからであ
る。
明には全く適さないだろう。それは、まず第１に、基板
５０をひとたび削除した時点で第１の封じ込め層５２1
が表面に現われ急速に酸化すると思われるからである。
次に、活性層５４が、比較的厚い封じ込め層５２1 を理
由として、表面からかなり離隔することになるからであ
る。
【００２３】従って、本発明に従うと、図５に例示した
異なる積層が実施される。例えばＧａＡｓ製の１つの基
板６０の上に、まず、約１０ナノメートルの厚みの例え
ばＧａＳｂ製の層６６1 を被着させる。この層は、ひと
たび基板６０が無くなると、不動態化層を構成すること
になる。その後例えばＡｌＧａＳｂ製の第１の封じ込め
層６２1 を被着させるが、通例とは異なり、この層は、
約数１０ナノメートルの薄いものとして選択される。そ
の後、約１０ナノメートルの例えばＩｎＡｓ製の感応層
６４、及び第１のものよりも厚いものであってよい例え
ばＡｌＧａＳｂでできた第２の封じ込め層６２2 を被着
させる。最後に、例えばＧａＳｂ製の第２の不動態化層
６６2 を被着させる。かくして、基板６０が無くなった
時点で、層６２1 が薄いために、感応層６４は飛翔面の
表面にきわめて近いところ（数１０ナノメートル）にく
ることになる。
異なる積層が実施される。例えばＧａＡｓ製の１つの基
板６０の上に、まず、約１０ナノメートルの厚みの例え
ばＧａＳｂ製の層６６1 を被着させる。この層は、ひと
たび基板６０が無くなると、不動態化層を構成すること
になる。その後例えばＡｌＧａＳｂ製の第１の封じ込め
層６２1 を被着させるが、通例とは異なり、この層は、
約数１０ナノメートルの薄いものとして選択される。そ
の後、約１０ナノメートルの例えばＩｎＡｓ製の感応層
６４、及び第１のものよりも厚いものであってよい例え
ばＡｌＧａＳｂでできた第２の封じ込め層６２2 を被着
させる。最後に、例えばＧａＳｂ製の第２の不動態化層
６６2 を被着させる。かくして、基板６０が無くなった
時点で、層６２1 が薄いために、感応層６４は飛翔面の
表面にきわめて近いところ（数１０ナノメートル）にく
ることになる。
【００２４】図６は、検出器の電気結線がどこに配置さ
れているかを概略的に示している。これらの結線は、以
下でその構造を示す固定接点電極７１及び７２の形で、
検出器４０の下に位置づけされていることがわかる。
れているかを概略的に示している。これらの結線は、以
下でその構造を示す固定接点電極７１及び７２の形で、
検出器４０の下に位置づけされていることがわかる。
【００２５】ここで、本発明に従ったヘッドの一実施例
について記述する。当然のことながら、この方法は、説
明を目的として記述されるにすぎず、いかなる点におい
ても本発明を制限するものではない。
について記述する。当然のことながら、この方法は、説
明を目的として記述されるにすぎず、いかなる点におい
ても本発明を制限するものではない。
【００２６】まず最初に、絶縁体４６によりふさがれる
エアギャップＥ１により分離された２つの部品４２1 、
４２2 で形成された磁気層が得られるまで、冒頭で引用
した文書内で教示されている通りに、従来の磁気回路を
制作することから始める。
エアギャップＥ１により分離された２つの部品４２1 、
４２2 で形成された磁気層が得られるまで、冒頭で引用
した文書内で教示されている通りに、従来の磁気回路を
制作することから始める。
【００２７】これと別に、図５に従った積層を作る。Ｇ
ａＳｂでできた最後の層６６2 の上に、感光又は電気感
応性の樹脂を被着させ、その後、高解像度の光受容体又
は電子ビーム露光装置を用いて樹脂を露光して図７に下
面図で表わされた４つのパターンを決定する。樹脂の現
像の後、陰極スパッタリングにより例えばＡｕＧｅとい
った導電性層を被着させる。（「リフトオフ」と呼ばれ
る）剥離作業により、抵抗性接点７１、７２、７３及び
７４のみ存続させるように余剰の表面を削除する。
ａＳｂでできた最後の層６６2 の上に、感光又は電気感
応性の樹脂を被着させ、その後、高解像度の光受容体又
は電子ビーム露光装置を用いて樹脂を露光して図７に下
面図で表わされた４つのパターンを決定する。樹脂の現
像の後、陰極スパッタリングにより例えばＡｕＧｅとい
った導電性層を被着させる。（「リフトオフ」と呼ばれ
る）剥離作業により、抵抗性接点７１、７２、７３及び
７４のみ存続させるように余剰の表面を削除する。
【００２８】その後、接点をマスクとしてとることによ
り、もう１つの写真平版を実施する。かくして、連続的
に層６６2 、封じ込め層６２2 、感応層６４、封じ込め
層６２1 、不動態化層６６1 を彫刻して基板まで到達す
る。このとき、図８に上面図の形で輪郭が表わされてい
る積層７５が得られる。この輪郭は、抵抗性接点７１〜
７４の外部輪郭に沿っている。
り、もう１つの写真平版を実施する。かくして、連続的
に層６６2 、封じ込め層６２2 、感応層６４、封じ込め
層６２1 、不動態化層６６1 を彫刻して基板まで到達す
る。このとき、図８に上面図の形で輪郭が表わされてい
る積層７５が得られる。この輪郭は、抵抗性接点７１〜
７４の外部輪郭に沿っている。
【００２９】ヘッドの従来の部分を製作した時点で、下
位層４２1 、４２2 が中に形成されている絶縁層４６上
に、図９に外観を示す結線を製作しようとした。これら
の結線には、結線７１、７２、７３、７４の端部に向か
い合うことになる矩形の固定接点電極８１、８２、８
３、８４、及び構造全体を横断し飛翔面とは反対側の面
上に通じる円筒形の電流ブッシング９１、９２、９３、
９４が含まれる。これらの結線は、銅製であってよい。
位層４２1 、４２2 が中に形成されている絶縁層４６上
に、図９に外観を示す結線を製作しようとした。これら
の結線には、結線７１、７２、７３、７４の端部に向か
い合うことになる矩形の固定接点電極８１、８２、８
３、８４、及び構造全体を横断し飛翔面とは反対側の面
上に通じる円筒形の電流ブッシング９１、９２、９３、
９４が含まれる。これらの結線は、銅製であってよい。
【００３０】矩形部品８１〜８４の上には、例えばＳｕ
Ｐｂといった低温で溶融する金属合金を被着させる。両
面アライメント装置を用いて、磁気回路で構成されたサ
ブアセンブリと積層物で構成されたサブアセンブリを組
立てる。アライメントは±０．４μｍで行なうことがで
きる。固定接点電極の位置及び寸法は、最悪の場合で
も、２つのサブアセンブリの間の接点の重なり合いが正
しくなるようなものである。このとき、合金を溶融させ
結線固定接点電極の溶接を行なうのに充分な温度でアセ
ンブリを焼きなましする。
Ｐｂといった低温で溶融する金属合金を被着させる。両
面アライメント装置を用いて、磁気回路で構成されたサ
ブアセンブリと積層物で構成されたサブアセンブリを組
立てる。アライメントは±０．４μｍで行なうことがで
きる。固定接点電極の位置及び寸法は、最悪の場合で
も、２つのサブアセンブリの間の接点の重なり合いが正
しくなるようなものである。このとき、合金を溶融させ
結線固定接点電極の溶接を行なうのに充分な温度でアセ
ンブリを焼きなましする。
【００３１】その後、基板６０の厚みを減少させ、基板
６０の薄層が保存されたと想定した図１０の中に例示さ
れたアセンブリを得る。この図では、下位層４２1 、４
２2のエアギャップＥ１との関係における検出器の偏心
は、それが全く重要でなく、それでもなお接触が樹立さ
れることを示すため誇張されている。
６０の薄層が保存されたと想定した図１０の中に例示さ
れたアセンブリを得る。この図では、下位層４２1 、４
２2のエアギャップＥ１との関係における検出器の偏心
は、それが全く重要でなく、それでもなお接触が樹立さ
れることを示すため誇張されている。
【００３２】その後アセンブリの上に、例えばシリカ製
の絶縁体の薄膜を被着させ、検出器を側方に絶縁する２
つの垂直壁しか存続させないように、反応性イオンエッ
チングにより小口全体を彫刻する。これら２つの壁は、
図１１で９２1 、９２2 として示されている。
の絶縁体の薄膜を被着させ、検出器を側方に絶縁する２
つの垂直壁しか存続させないように、反応性イオンエッ
チングにより小口全体を彫刻する。これら２つの壁は、
図１１で９２1 、９２2 として示されている。
【００３３】ここで残るは、すでに図３に表されたヘッ
ドを得るため、狭い磁化の上部磁気層を、例えば陰極ス
パッタリングによって被着することである。アセンブリ
を平坦化することができ、又（非反応性）イオンエッチ
ングにより表面を腐食させて、感応層６４が飛翔面ひい
ては記録媒体に最も近くなるように、ＧａＡｓの残留層
（層６０）の厚みを低減させることになる。
ドを得るため、狭い磁化の上部磁気層を、例えば陰極ス
パッタリングによって被着することである。アセンブリ
を平坦化することができ、又（非反応性）イオンエッチ
ングにより表面を腐食させて、感応層６４が飛翔面ひい
ては記録媒体に最も近くなるように、ＧａＡｓの残留層
（層６０）の厚みを低減させることになる。
【図１】先行技術に従った書込み及び読取りヘッドを表
す。
す。
【図２】本発明に従ったヘッドを表す。
【図３】エアギャップレベルでの本発明に従ったヘッド
の詳細を示す。
の詳細を示す。
【図４】量子ウェルを伴うホール効果式検出器の既知の
構造を示す。
構造を示す。
【図５】本発明において利用されるホール効果式検出器
の構造を示す。
の構造を示す。
【図６】電気接点の場所を断面図で示す。
【図７】上面図で電気接点を示す。
【図８】半導体式検出器の断面を上面図で示す。
【図９】固定接点電極及び電流ブッシングを上面図で示
す。
す。
【図１０】結線と共に、組立て後のホール効果式検出器
を示す。
を示す。
【図１１】半導体式検出器の側方絶縁段階を示す。
１４、１６1 、１６2 、２２1 、２２2 磁気回路 １８ 導電性巻線 ２４ エアギャップ ２５ 飛翔面 ４０ 半導体式磁界検出器 ４２1 、４２2 下部磁気層 ４４1 、４４2 上部磁気層 ４６ 第１の絶縁材料 ６２1 、６２2 封じ込め層 ６４ 感応層 ６６1 不動態化層 ６６2 接触層 ７０、７１、７２、７３、７４ 電気結線 ８１、８２、８３、８４ 固定接点電極
Claims (10)
- 【請求項１】 １つの飛翔面（走行面）（２５）を構成
しエアギャップ（２４）によって分離された２つの磁極
片（２２1 ，２２2 ）を伴う磁気回路（１４，１６1 ，
１６2 ，２２1 ，２２2 ）を含んで成る書込み及び読取
り用磁気ヘッドにおいて、さらに、この磁気回路をとり
囲む導電性巻線（１８）で構成された書込み手段及び読
取り手段を含み、かつ読取り手段が飛翔面（２５）レベ
ルでエアギャップ（２４）の中に置かれた半導体式磁界
検出器（４０）によって構成されていることを特徴とす
る磁気ヘッド。 - 【請求項２】 磁極片（２２1 ，２２2 ）が、エアギャ
ップのレベルで、第１のエアギャップ（Ｅ１）をもつ下
部磁気層（４２1 ，４２2 ）及び第１のエアギャップ
（Ｅ１）よりも狭い第２のエアギャップ（Ｅ２）をもつ
上部磁気層（４４1 ，４４2 ）によって形成されてお
り、半導体式磁界検出器（４０）がこの第２のエアギャ
ップ（Ｅ２）の中に置かれていることを特徴とする請求
項１に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 上部磁気層（４４1 ，４４2 ）が、強い
磁化をもつ磁気材料で作られていることを特徴とする請
求項２に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 第１のエアギャップ（Ｅ１）が第１の幅
を有し第２のエアギャップ（Ｅ２）が第２の幅を有し、
第２の幅は第１のエアギャップ（Ｅ１）の第１の幅より
もさらに狭く、これらの幅は媒体との関係におけるヘッ
ドの移動方向に対して垂直な方向で測定されていること
を特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】 下部磁気層（４２1 ，４２2 ）により形
成された第１のエアギャップ（Ｅ１）は、半導体式検出
器（４０）が上に載っている第１の絶縁材料（４６）に
よってふさがれていることを特徴とする請求項２に記載
の磁気ヘッド。 - 【請求項６】 半導体式磁界検出器がホール効果タイプ
のものであることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘ
ッド。 - 【請求項７】 ホール効果式検出器が、不動態化層（６
６1 ）、第１の封じ込め層（６２1 ）、量子ウェルをも
つ感応層（６４）、第２の封じ込め層（６２2 ）及び接
触層（６６2 ）から成る積層を含んで成り、感応層（６
４）を飛翔面から離隔している第１の封じ込め層は第２
の封じ込め層（６２2 ）よりも薄いことを特徴とする請
求項６に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項８】 半導体式検出器（４０）が、接触層（６
６2 ）の下に配置され磁極片（２２1 ，２２2 ）との関
係において横方向に延びる電気結線（７０，７１，７
２，７３，７４）を含むことを特徴とする請求項７に記
載の磁気ヘッド。 - 【請求項９】 検出器（４０）の電気結線（７１，７
２，７３，７４）が、第１のエアギャップ（４２）をふ
さいでいる第１の絶縁材料（４６）上に配置された固定
接点電極（８１，８２，８３，８４）と電気的接触状態
にあることを特徴とする請求項８に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 固定接点電極（８１，８２，８３，８
４）は、ヘッドを横断し飛翔面とは反対側にある面上に
通じている電流ブッシングに接続されていることを特徴
とする請求項９に記載の磁気ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9607000A FR2749695B1 (fr) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | Tete magnetique d'ecriture et de lecture a detecteur de champ a semiconducteur |
| FR9607000 | 1996-06-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10105923A true JPH10105923A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=9492775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16356897A Withdrawn JPH10105923A (ja) | 1996-06-06 | 1997-06-06 | 半導体式磁界検出器付き書込み及び読取り用磁気ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0811966A1 (ja) |
| JP (1) | JPH10105923A (ja) |
| FR (1) | FR2749695B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100583172C (zh) * | 2005-11-04 | 2010-01-20 | 中国印钞造币总公司 | 票券检测系统 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5555419A (en) * | 1978-10-16 | 1980-04-23 | Shiro Okamura | Recording and reproducing head |
| JPS6040511A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 垂直記録用磁気ヘツド |
| US4828966A (en) * | 1987-12-04 | 1989-05-09 | Digital Equipment Corporation | Method for producing hall effect sensor for magnetic recording head |
| FR2645314B1 (fr) * | 1989-03-29 | 1991-05-31 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique a magnetoresistance pour enregistrement longitudinal et procede de realisation d'une telle tete |
| JPH0393018A (ja) * | 1989-09-05 | 1991-04-18 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気記憶装置 |
| FR2658647B1 (fr) * | 1990-02-21 | 1992-04-30 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique horizontale a effet hall et son procede de realisation. |
| FR2691839B1 (fr) * | 1992-05-27 | 1994-08-05 | Schlumberger Ind Sa | Capteur a effet hall. |
| FR2700633B1 (fr) * | 1993-01-20 | 1995-03-17 | Silmag Sa | Procédé de réalisation d'une tête magnétique à détecteur de champ à semiconducteur et tête obtenue par ce procédé. |
| JPH0817017A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-19 | Japan Energy Corp | 薄膜積層型磁気ヘッド |
-
1996
- 1996-06-06 FR FR9607000A patent/FR2749695B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-04 EP EP97401248A patent/EP0811966A1/fr not_active Withdrawn
- 1997-06-06 JP JP16356897A patent/JPH10105923A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2749695A1 (fr) | 1997-12-12 |
| EP0811966A1 (fr) | 1997-12-10 |
| FR2749695B1 (fr) | 1998-07-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |