JPH0998088A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH0998088A JPH0998088A JP7253089A JP25308995A JPH0998088A JP H0998088 A JPH0998088 A JP H0998088A JP 7253089 A JP7253089 A JP 7253089A JP 25308995 A JP25308995 A JP 25308995A JP H0998088 A JPH0998088 A JP H0998088A
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- Japan
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- voltage
- converter
- test
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ADコンバータテストの精度を向上させる。
【構成】 ADコンバータ6のAin及びRef(+)端
子にテスト回路が設けられる。Ain端子側は(V11−V
12)分圧用抵抗素子11,12とトランスファゲート
8,13とを備える。分圧出力Vit1 は Vit1 =V11+(V11−V12)/100 となり、(V11−V12)の1/100の精度を持つ電圧
となる。ゲート8がオフ、ゲート13がオンのとき、A
Dコンバータ6はその高精度電圧Vit1 で動作する。リ
ファレンス電圧入力端子側のテスト回路も同様の構成を
有する。 【効果】 ADコンバータテスト用電源の精度が低くて
もその精度を越えた高精度なテストが可能となる。
子にテスト回路が設けられる。Ain端子側は(V11−V
12)分圧用抵抗素子11,12とトランスファゲート
8,13とを備える。分圧出力Vit1 は Vit1 =V11+(V11−V12)/100 となり、(V11−V12)の1/100の精度を持つ電圧
となる。ゲート8がオフ、ゲート13がオンのとき、A
Dコンバータ6はその高精度電圧Vit1 で動作する。リ
ファレンス電圧入力端子側のテスト回路も同様の構成を
有する。 【効果】 ADコンバータテスト用電源の精度が低くて
もその精度を越えた高精度なテストが可能となる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はADコンバータを内蔵し
た半導体集積回路に関するもので、特にADコンバータ
のテストに使用されるものである。
た半導体集積回路に関するもので、特にADコンバータ
のテストに使用されるものである。
【0002】
【従来の技術】図2は従来の半導体集積回路装置を示す
ものである。同図において、1はその半導体集積回路で
あり、この半導体集積回路1は図示しない内蔵アナログ
回路からの信号をAD(アナログデジタル)変換するA
Dコンバータ2を備えている。このADコンバータ2は
VDD端子21とGND端子22とアナログ入力端子23
とRef(+)端子24とRef(−)端子25と出力
端子261,…,26nとを備えている。ADコンバー
タ2のテストは、VDD端子21及びGND端子22に電
源31を、アナログ入力端子23に電源32を、Ref
(+)端子24に電源33を、Ref(−)端子25に
電源34を、出力端子261〜26nに電圧計4をそれ
ぞれ接続し、電源31〜34により端子21〜25に信
号を与えて動作させ、端子261〜26nの出力値を電
圧計4により計測する、というものである。これによ
り、ADコンバータ2が正確に動作するかテストするこ
とができる。
ものである。同図において、1はその半導体集積回路で
あり、この半導体集積回路1は図示しない内蔵アナログ
回路からの信号をAD(アナログデジタル)変換するA
Dコンバータ2を備えている。このADコンバータ2は
VDD端子21とGND端子22とアナログ入力端子23
とRef(+)端子24とRef(−)端子25と出力
端子261,…,26nとを備えている。ADコンバー
タ2のテストは、VDD端子21及びGND端子22に電
源31を、アナログ入力端子23に電源32を、Ref
(+)端子24に電源33を、Ref(−)端子25に
電源34を、出力端子261〜26nに電圧計4をそれ
ぞれ接続し、電源31〜34により端子21〜25に信
号を与えて動作させ、端子261〜26nの出力値を電
圧計4により計測する、というものである。これによ
り、ADコンバータ2が正確に動作するかテストするこ
とができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
ADコンバータを内蔵した半導体集積回路の測定にあた
っては、外部電源から直接アナログ入力電圧およびリフ
ァレンス電圧を与えていたため、外部電源の精度により
測定結果にかなり影響が出てしまっている。特に、近
年、ADコンバータのビット数が増加してきている上
に、リファレンス電圧の幅が小さくなってきている。こ
のため、1ビットの測定に要する電源の精度は1mV以
下と、通常の電源では精度よく与えられないレベルとな
ってきており、高価な高精度電源の使用が必要になって
きている。
ADコンバータを内蔵した半導体集積回路の測定にあた
っては、外部電源から直接アナログ入力電圧およびリフ
ァレンス電圧を与えていたため、外部電源の精度により
測定結果にかなり影響が出てしまっている。特に、近
年、ADコンバータのビット数が増加してきている上
に、リファレンス電圧の幅が小さくなってきている。こ
のため、1ビットの測定に要する電源の精度は1mV以
下と、通常の電源では精度よく与えられないレベルとな
ってきており、高価な高精度電源の使用が必要になって
きている。
【0004】また、量産時におけるLSIテスタにおい
ては、高精度な電源が装備されているアナログテスタを
使用しなければ測定が難しくなってきているが、近年A
Dコンバータを内蔵した半導体集積回路ではデジタル部
の回路の増加や外部端子の増加などでアナログテスタだ
けでは測定ができなくなってきている。
ては、高精度な電源が装備されているアナログテスタを
使用しなければ測定が難しくなってきているが、近年A
Dコンバータを内蔵した半導体集積回路ではデジタル部
の回路の増加や外部端子の増加などでアナログテスタだ
けでは測定ができなくなってきている。
【0005】本発明は上記従来技術の有する問題点に鑑
みてなされたもので、その目的とするところはADコン
バータに対するテスト用電源の精度が低くてもその精度
を越える高い精度でのテストを可能とする半導体集積回
路を提供することにある。
みてなされたもので、その目的とするところはADコン
バータに対するテスト用電源の精度が低くてもその精度
を越える高い精度でのテストを可能とする半導体集積回
路を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、テスト端子に印加された入力電圧を分圧する分圧回
路と、ノーマル端子とADコンバータの入力端子との間
に挿入された第1のトランスファゲートと、分圧回路の
出力端子とADコンバータの入力端子との間に挿入され
た第2のトランスファゲートと、前記第1、第2のトラ
ンスファゲートを相反的にオン/オフさせるための制御
回路とを備えている。
は、テスト端子に印加された入力電圧を分圧する分圧回
路と、ノーマル端子とADコンバータの入力端子との間
に挿入された第1のトランスファゲートと、分圧回路の
出力端子とADコンバータの入力端子との間に挿入され
た第2のトランスファゲートと、前記第1、第2のトラ
ンスファゲートを相反的にオン/オフさせるための制御
回路とを備えている。
【0007】
【作用】本発明によれば、電源電圧の精度を分圧回路の
分圧比によって制御される精度にまで高めた電圧によっ
てADコンバータを動作させることができるので、AD
コンバータに対するテスト用電源の精度が低くてもその
精度を越える高い精度でのテストを可能とする。
分圧比によって制御される精度にまで高めた電圧によっ
てADコンバータを動作させることができるので、AD
コンバータに対するテスト用電源の精度が低くてもその
精度を越える高い精度でのテストを可能とする。
【0008】因みに、分圧回路が2個の抵抗素子によっ
て形成される場合の一方の抵抗素子と他方の抵抗素子と
の抵抗比を99:1とし、前者に印加される電圧をV1
、後者に印加される電圧をV2 としたとき、テスト電
圧Vitが Vit=V1 +(V1 −V2 )/100 となる。ゆえに、テスト電圧Vitは電源の電圧である
(V1 −V2 )の1/100の精度を有する電圧とな
る。
て形成される場合の一方の抵抗素子と他方の抵抗素子と
の抵抗比を99:1とし、前者に印加される電圧をV1
、後者に印加される電圧をV2 としたとき、テスト電
圧Vitが Vit=V1 +(V1 −V2 )/100 となる。ゆえに、テスト電圧Vitは電源の電圧である
(V1 −V2 )の1/100の精度を有する電圧とな
る。
【0009】
【実施例】以下に本発明の実施例について図面を参照し
つつ説明する。図1は本発明の一実施例に係る半導体集
積回路装置を示すものである。同図において、5は半導
体集積回路であり、この半導体集積回路5は図示しない
内蔵アナログ回路からの信号をAD(アナログデジタ
ル)変換するADコンバータ6を備えている。
つつ説明する。図1は本発明の一実施例に係る半導体集
積回路装置を示すものである。同図において、5は半導
体集積回路であり、この半導体集積回路5は図示しない
内蔵アナログ回路からの信号をAD(アナログデジタ
ル)変換するADコンバータ6を備えている。
【0010】ADコンバータ6のアナログ入力端子には
通常使用回路系とテスト時使用回路系とが接続されてお
り、通常使用回路系はノーマル端子7とアナログスイッ
チからなるトランスファゲート8とを備え、ノーマル端
子7からの通常のアナログ入力電圧Vin1 はトランスフ
ァゲート8を通じてADコンバータ6に与えられるよう
になっている。テスト時使用回路系はテスト端子9,1
0と抵抗素子11,12とアナログスイッチからなるト
ランスファゲート13とを備えている。テスト端子9に
はテスト電圧V11が印加され、テスト端子10にはテス
ト電圧V12が印加されるようになっている。抵抗素子1
1の一端はテスト端子9に接続され、抵抗素子12の一
端はテスト端子10に接続されている。抵抗素子11,
12はその他端同士が共通に接続され、電圧(V11−V
12)を両者の抵抗比により分圧するようになっている。
抵抗素子12の抵抗値はRであり、抵抗素子11の抵抗
値は99Rである。これによって、V11>V12の時、A
Dコンバータ6に与えられる電圧は、 Vit1 =V12+(V11−V12)/100 … … (1) として与えられる。この電圧Vit1 はトランスファゲー
ト13を介してADコンバータ6に与えられるようにな
っている。
通常使用回路系とテスト時使用回路系とが接続されてお
り、通常使用回路系はノーマル端子7とアナログスイッ
チからなるトランスファゲート8とを備え、ノーマル端
子7からの通常のアナログ入力電圧Vin1 はトランスフ
ァゲート8を通じてADコンバータ6に与えられるよう
になっている。テスト時使用回路系はテスト端子9,1
0と抵抗素子11,12とアナログスイッチからなるト
ランスファゲート13とを備えている。テスト端子9に
はテスト電圧V11が印加され、テスト端子10にはテス
ト電圧V12が印加されるようになっている。抵抗素子1
1の一端はテスト端子9に接続され、抵抗素子12の一
端はテスト端子10に接続されている。抵抗素子11,
12はその他端同士が共通に接続され、電圧(V11−V
12)を両者の抵抗比により分圧するようになっている。
抵抗素子12の抵抗値はRであり、抵抗素子11の抵抗
値は99Rである。これによって、V11>V12の時、A
Dコンバータ6に与えられる電圧は、 Vit1 =V12+(V11−V12)/100 … … (1) として与えられる。この電圧Vit1 はトランスファゲー
ト13を介してADコンバータ6に与えられるようにな
っている。
【0011】トランスファゲート8,13の制御端子に
はスイッチ制御端子14が接続され、トランスファゲー
ト8,13はこのスイッチ制御端子14に印加される制
御信号Vc により相反的にオン/オフ制御されるように
なっている。これにより、電圧Vin1 ,Vit1 が選択的
にアナログ入力電圧AinとしてADコンバータ6に与え
られるようになっている。
はスイッチ制御端子14が接続され、トランスファゲー
ト8,13はこのスイッチ制御端子14に印加される制
御信号Vc により相反的にオン/オフ制御されるように
なっている。これにより、電圧Vin1 ,Vit1 が選択的
にアナログ入力電圧AinとしてADコンバータ6に与え
られるようになっている。
【0012】ADコンバータ6のリファレンス電圧入力
端子にも通常使用回路系とテスト時使用回路系とが接続
されており、通常使用回路系はノーマル端子15とアナ
ログスイッチからなるトランスファゲート16とを備
え、ノーマル端子15からの通常のリファレンス電圧V
in2 はトランスファゲート16を通じてADコンバータ
6に与えられるようになっている。テスト時使用回路系
はテスト端子17,18と抵抗素子19,20とアナロ
グスイッチからなるトランスファゲート21とを備えて
いる。テスト端子17にはテスト電圧V21が印加され、
テスト端子18にはテスト電圧V22が印加されるように
なっている。抵抗素子19の一端はテスト端子17に接
続され、抵抗素子20の一端はテスト端子18に接続さ
れている。抵抗素子19,20はその他端同士が共通に
接続され、電圧(V21−V22)を両者の抵抗比により分
圧するようになっている。抵抗素子20の抵抗値はRで
あり、抵抗素子19の抵抗値は99Rである。これによ
って、V21>V22の時、ADコンバータ6に与えられる
電圧は、 Vit2 =V22+(V21−V22)/100 … … (2) として与えられる。この電圧Vit2 はトランスファゲー
ト21を介してADコンバータ6に与えられるようにな
っている。
端子にも通常使用回路系とテスト時使用回路系とが接続
されており、通常使用回路系はノーマル端子15とアナ
ログスイッチからなるトランスファゲート16とを備
え、ノーマル端子15からの通常のリファレンス電圧V
in2 はトランスファゲート16を通じてADコンバータ
6に与えられるようになっている。テスト時使用回路系
はテスト端子17,18と抵抗素子19,20とアナロ
グスイッチからなるトランスファゲート21とを備えて
いる。テスト端子17にはテスト電圧V21が印加され、
テスト端子18にはテスト電圧V22が印加されるように
なっている。抵抗素子19の一端はテスト端子17に接
続され、抵抗素子20の一端はテスト端子18に接続さ
れている。抵抗素子19,20はその他端同士が共通に
接続され、電圧(V21−V22)を両者の抵抗比により分
圧するようになっている。抵抗素子20の抵抗値はRで
あり、抵抗素子19の抵抗値は99Rである。これによ
って、V21>V22の時、ADコンバータ6に与えられる
電圧は、 Vit2 =V22+(V21−V22)/100 … … (2) として与えられる。この電圧Vit2 はトランスファゲー
ト21を介してADコンバータ6に与えられるようにな
っている。
【0013】トランスファゲート16,21の制御端子
にはスイッチ制御端子14が接続され、トランスファゲ
ート16,21はこのスイッチ制御端子14に印加され
る制御信号Vc により相反的にオン/オフ制御されるよ
うになっている。これにより、電圧Vin2 ,Vit2 が選
択的にリファレンス電圧Ref(+)としてADコンバ
ータ6に与えられるようになっている。
にはスイッチ制御端子14が接続され、トランスファゲ
ート16,21はこのスイッチ制御端子14に印加され
る制御信号Vc により相反的にオン/オフ制御されるよ
うになっている。これにより、電圧Vin2 ,Vit2 が選
択的にリファレンス電圧Ref(+)としてADコンバ
ータ6に与えられるようになっている。
【0014】ADコンバータ6のRef(−)端子には
GND端子22が接続されている。また、ADコンバー
タ6の出力端子には出力端子231〜23nが接続され
ている。
GND端子22が接続されている。また、ADコンバー
タ6の出力端子には出力端子231〜23nが接続され
ている。
【0015】以上のように構成された半導体集積回路装
置を通常モードで動作させる場合、制御電圧Vc によっ
てトランスファゲート8,16をオン状態とするととも
に、トランスファゲート13,21をオフ状態とし、A
Dコンバータ6へのアナログ入力電圧AinとしてはVin
1 を、リファレンス電圧Ref(+)としてはVin2を
与えることとなる。
置を通常モードで動作させる場合、制御電圧Vc によっ
てトランスファゲート8,16をオン状態とするととも
に、トランスファゲート13,21をオフ状態とし、A
Dコンバータ6へのアナログ入力電圧AinとしてはVin
1 を、リファレンス電圧Ref(+)としてはVin2を
与えることとなる。
【0016】また、半導体集積回路装置を通常モードで
動作させる場合、制御電圧Vc によってトランスファゲ
ート8,16をオフ状態とするとともに、トランスファ
ゲート13,21をオン状態とし、ADコンバータ6へ
のアナログ入力電圧AinとしてはVit1 を、リファレン
ス電圧Ref(+)としてはVit2 を与えることとな
る。この状態で、例えば端子9,10,17,18の電
圧を可変し、端子231〜23nの出力値を電圧計によ
り計測する。これにより、ADコンバータ2が正確に動
作するかテストすることができる。このとき、上記式
(1)、(2)で示したように、電圧Vit1 =Ainとし
ては電圧(V11−V12)の1/100の精度の電圧が与
えられるとともに、電圧Vit2 =Ref(+)としては
電圧(V21−V22)の1/100の精度の電圧が与えら
れる。具体的に数値で示すと、ADコンバータ6のアナ
ログ入力電圧として2.501V与えるとすると、通常
の電源では1mV以下の精度が必要となる。本実施例の
回路を用いると、V11=2.6V,V12=2.5Vを電
源から与えることにより、式(1)で示すように、 Vit1 =2.5V+(2.6V−2.5V)/100=
2.501V という電圧が発生でき、電源の精度も100mV程度で
良いことになる。ADコンバータ6のリファレンス電圧
も式(2)に基づき同様に与えれば良いこととなる。
動作させる場合、制御電圧Vc によってトランスファゲ
ート8,16をオフ状態とするとともに、トランスファ
ゲート13,21をオン状態とし、ADコンバータ6へ
のアナログ入力電圧AinとしてはVit1 を、リファレン
ス電圧Ref(+)としてはVit2 を与えることとな
る。この状態で、例えば端子9,10,17,18の電
圧を可変し、端子231〜23nの出力値を電圧計によ
り計測する。これにより、ADコンバータ2が正確に動
作するかテストすることができる。このとき、上記式
(1)、(2)で示したように、電圧Vit1 =Ainとし
ては電圧(V11−V12)の1/100の精度の電圧が与
えられるとともに、電圧Vit2 =Ref(+)としては
電圧(V21−V22)の1/100の精度の電圧が与えら
れる。具体的に数値で示すと、ADコンバータ6のアナ
ログ入力電圧として2.501V与えるとすると、通常
の電源では1mV以下の精度が必要となる。本実施例の
回路を用いると、V11=2.6V,V12=2.5Vを電
源から与えることにより、式(1)で示すように、 Vit1 =2.5V+(2.6V−2.5V)/100=
2.501V という電圧が発生でき、電源の精度も100mV程度で
良いことになる。ADコンバータ6のリファレンス電圧
も式(2)に基づき同様に与えれば良いこととなる。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
源電圧の精度を分圧回路の分圧比によって制御される精
度にまで高めた電圧によってADコンバータを動作させ
ることができるので、ADコンバータに対するテスト用
電源の精度が低くてもその精度を越える高い精度でのテ
ストを可能とする。これにより、デジタルテスタタイプ
のもの(ロジックテスタ)でも正確なテストが可能とな
る。
源電圧の精度を分圧回路の分圧比によって制御される精
度にまで高めた電圧によってADコンバータを動作させ
ることができるので、ADコンバータに対するテスト用
電源の精度が低くてもその精度を越える高い精度でのテ
ストを可能とする。これにより、デジタルテスタタイプ
のもの(ロジックテスタ)でも正確なテストが可能とな
る。
【図1】本発明のADコンバータを有する半導体集積回
路の構造を示す回路図。
路の構造を示す回路図。
【図2】従来のADコンバータを有する半導体集積回路
の構造を示す回路図。
の構造を示す回路図。
【符号の説明】 5 半導体集積回路 6 ADコンバータ 7 処理対象電圧入力用ノーマル端子 8,13 処理対象電圧切換え用トランスファゲート 9,10 処理対象電圧入力用テスト端子 11,12 処理対象電圧分圧回路を形成する抵抗素子 15,22 リファレンス電圧入力用ノーマル端子 16,21 リファレンス電圧切換え用トランスファゲ
ート 17,18 リファレンス電圧入力用テスト端子 19,20 リファレンス電圧分圧回路を形成する抵抗
素子 231,…,23n 出力端子
ート 17,18 リファレンス電圧入力用テスト端子 19,20 リファレンス電圧分圧回路を形成する抵抗
素子 231,…,23n 出力端子
Claims (1)
- 【請求項1】テスト端子に印加された入力電圧を分圧す
る分圧回路と、 ノーマル端子とADコンバータの入力端子との間に挿入
された第1のトランスファゲートと、 分圧回路の出力端子とADコンバータの入力端子との間
に挿入された第2のトランスファゲートと、 前記第1、第2のトランスファゲートを相反的にオン/
オフさせるための制御回路とを備えている半導体集積回
路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7253089A JPH0998088A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7253089A JPH0998088A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0998088A true JPH0998088A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17246344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7253089A Pending JPH0998088A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0998088A (ja) |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP7253089A patent/JPH0998088A/ja active Pending
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