JPH0997840A - 半導体装置及びレーザ照射位置ズレ検査方法 - Google Patents

半導体装置及びレーザ照射位置ズレ検査方法

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JPH0997840A
JPH0997840A JP25154895A JP25154895A JPH0997840A JP H0997840 A JPH0997840 A JP H0997840A JP 25154895 A JP25154895 A JP 25154895A JP 25154895 A JP25154895 A JP 25154895A JP H0997840 A JPH0997840 A JP H0997840A
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semiconductor device
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Shigeo Fujino
繁生 藤野
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NEC Yamaguchi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】レーザ照射位置決め用ヒューズにより間違いな
く位置合わせを行えるようにすると共に、照射跡のパタ
ーン認識により照射位置ズレを検知する。 【解決手段】半導体装置1内に、置換用ヒューズ8とは
明らかに異なるレーザ照射位置決め用ヒューズ3を設け
る。これによりオペレータが間違って違う位置に、レー
ザ照射位置決め用マーク4を合わすことを防止すると共
に、照射位置ズレしていない場合の照射跡6をパターン
化して記憶し、ウエハ毎にレーザ照射位置決め用ヒュー
ズに照射された照射跡6と比較することにより、処理途
中で照射位置ズレを検出し被害を防ぐ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、冗長機能付き半導
体装置に関し、特に置換用ヒューズのレーザ照射位置ズ
レ検出方法に関する。
【0002】
【従来の技術】メモリLSIなどの半導体装置では、欠
陥回路をチップ上にあらかじめ設けた予備回路で置き換
える救済方法が採られている。すなわち、不良アドレス
を冗長アドレスに置換するための置換ヒューズを設けて
おき、この置換ヒューズにレーザ光を照射することによ
って切断して不良のメモリ回路を除去し、予備のメモリ
回路に置き換えるのである。この際、レーザ照射の位置
合せを行って置換ヒューズを精確に切断できるようにす
ることが必要になる。
【0003】従来のレーザ照射位置合わせ用ヒューズ
は、図4(A)に示すように半導体装置1内にある、不
良アドレスを冗長アドレスに置換するための置換用ヒュ
ーズ群2の任意(救済情報に基づき、初めにレーザが照
射されるヒューズ)の置換用ヒューズ8を使用してい
た。
【0004】次に、図4(B)を用いて従来のレーザ照
射処理(以下「照射処理」と称す)について説明する。
図4(B)は処理のフローチャートを示した図である
が、まずレーザリペア装置によるアライメントが行わ
れ、レーザ照射位置決め用マーク4が初めにレーザを照
射すべき置換用ヒューズ8の付近に来る。次にオペレー
トがレーザ照射位置決め用マーク4と置換用ヒューズ8
とを、目視により微調整を行い位置を決定する。位置が
決定した後、レーザ光5を1ショット置換用ヒューズ8
に照射し、照射跡6をオペレータが目視によりレーザ照
射位置(以下「照射位置」と称す)にズレがないか確認
する。ズレがないことを確認した後、残りのウエハの処
理を行っていた。又、途中での照射位置のズレの確認は
前記説明に従いウエハ毎に行うか、もしくは抜き取りに
て外観を確認していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この従来の置換用ヒュ
ーズを用いた位置合わせ方法、及び照射処理では、まず
位置合わせでは、置換用ヒューズを位置合わせ用ヒュー
ズとしているため、装置のアライメント異常等で、最初
にレーザ照射位置決め用マークが置換用ヒューズ(最初
に照射されるヒューズ)と、隣の置換用ヒューズの間位
に来た時、オペレータにはどちらの置換用ヒューズに位
置を合わせて良いかわからない。もし、間違って隣の置
換用ヒューズに合わせてしまえば、救済情報での照射す
べき置換用ヒューズと実際に照射された置換用ヒューズ
とが不一致になる不具合があった。
【0006】又、従来の照射処理では、途中での照射位
置のズレの確認を行おうとすると、ウエハ毎に装置を一
時停止させ照射位置の確認を行わなければならなく、オ
ペレータ工数が増大し、逆に、工数削減の目的で途中の
照射位置の確認を省略すれば、途中で照射位置ズレが発
生した場合、最後まで検出できず被害が膨大になってし
まうという問題があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
置換用ヒューズとは明らかに違う、照射位置の微調整用
並びに、照射跡をパターン比較することにより照射位置
のズレの有無をウエハ毎に検出可能とするレーザ照射位
置決め用ヒューズを有している。また、本発明によれ
ば、レーザ照射位置決め用ヒューズに照射された照射跡
により、レーザ照射位置のズレをパターン認識により検
出する方法が得られる。
【0008】
【発明の実施の形態】次に本発明について図1、図2を
用いて説明する。図1(A)は本発明の第1の実施の形
態の冗長機能付き半導体装置である。図1(A)のよう
に半導体装置1内に置換用ヒューズ2とは明らかに異な
るレーザ照射位置決め用ヒューズ3を設ける。次に図1
(B)、図2を用いて本発明の照射処理について説明す
る。図2は処理のフローチャートを示した図であるが、
まずレーザリペア装置によるアライメントが行われ、レ
ーザ照射位置決め用マーク4がレーザ照射位置決め用ヒ
ューズ3の付近に来る。次にオペレータがレーザ照射位
置決め用マーク4をレーザ位置決め用ヒューズ3に目視
により微調整し、レーザ光5を1ショット照射する。こ
こで、照射跡6をオペレータが目視により照射位置にズ
レがないことを確認した後、照射跡6を正常パターン7
としてレーザリペア装置に記憶させる。そして、次のウ
エハの照射処理の初めに、レーザ照射位置決め用ヒュー
ズ3にレーザ照射を行い、その照射跡6をレーザリペア
装置に設けたCCDカメラなどで読取り正常パターン7
とパターン比較することにより、照射位置ズレがないか
どうか検査する。
【0009】もし、任意のウエハに於いて照射ズレが発
生した場合、図1(C)に示すように異常照射跡9によ
り得られたパターンは正常パターン7とは明らかに異な
った異常パターン10となり、パターン比較することに
より、異常を装置が検知し、オペレータコールを行うこ
とによりオペレータに知らせる。
【0010】図3は本発明の第2の実施の形態を示す図
であり、半導体装置1内にレーザ照射位置決め用ヒュー
ズ3を対角線上に置くことにより、半導体装置1が大型
化して1ウエハ内に形成される半導体装置1が少数にな
った場合にも照射ズレが発見できる。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、レーザ照
射位置決め用ヒューズを設けるため、初めにオペレータ
が照射位置を微調整する際に間違うことがなくなる。
又、レーザ位置決め用ヒューズに照射された照射跡をパ
ターン比較することにより、処理途中での照射位置ズレ
を自動的に検知することができ、オペレータの負担が軽
減でき、且つ、半導体装置に被害を与えないという効果
を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)本発明の第1の実施の形態の半導体装置
を示す図,(B),(C)本発明の照射跡パターン図を
示す図である。
【図2】本発明の照射処理フローを示す図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態の半導体装置を示す
図である。
【図4】(A)従来の半導体装置を示す図,(B)従来
の照射処理フローを示す図である。
【符号の説明】
1 半導体装置 2 置換用ヒューズ群 3 レーザ照射位置決め用ヒューズ 4 レーザ照射位置決め用マーク 5 レーザ光 6 照射跡 7 正常パターン 8 置換用ヒューズ 9 異常照射跡 10 異常パターン

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 不良アドレスを冗長アドレスに置換する
    ための置換用ヒューズと、そのヒューズとは別に、レー
    ザ照射を行う際に用いるレーザ照射位置決め用ヒューズ
    を有することを特徴する半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記レーザ照射位置決め用ヒューズに照
    射された照射跡により、レーザ照射位置のズレをパター
    ン認識により検出することを特徴とするレーザ照射位置
    ズレ検査方法。
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