JPH0992931A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0992931A JPH0992931A JP24654395A JP24654395A JPH0992931A JP H0992931 A JPH0992931 A JP H0992931A JP 24654395 A JP24654395 A JP 24654395A JP 24654395 A JP24654395 A JP 24654395A JP H0992931 A JPH0992931 A JP H0992931A
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- semiconductor laser
- lead frame
- monitor photodiode
- photodiode chip
- chip
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Abstract
(57)【要約】
【課題】周囲温度の変化やレーザダイオードチップの発
熱による温度変化による発光点位置の変化を小さく抑え
る。 【解決手段】レーザダイオードチップ１はモニター用フ
ォトダイオードチップ２に取り付けられ、さらにこのモ
ニター用フォトダイオードチップ２はリブ構造のリード
フレーム３に取り付け、透明のエポキシ樹脂で樹脂封止
され、リードフレーム３の端はリング６の溝に圧着され
る。
熱による温度変化による発光点位置の変化を小さく抑え
る。 【解決手段】レーザダイオードチップ１はモニター用フ
ォトダイオードチップ２に取り付けられ、さらにこのモ
ニター用フォトダイオードチップ２はリブ構造のリード
フレーム３に取り付け、透明のエポキシ樹脂で樹脂封止
され、リードフレーム３の端はリング６の溝に圧着され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、透明樹脂を使用
した半導体レーザ装置において熱膨張による変形を小さ
くする半導体レーザ装置構造に関する。
した半導体レーザ装置において熱膨張による変形を小さ
くする半導体レーザ装置構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ装置はコンパクトディスク
（以下ＣＤと略称する）等の光ディスクやレーザビーム
プリンタ等の各種光応用機器に組み込まれて使用され
る。これらに用いられている半導体レーザ装置として、
例えばキャンタイプが知られているが、このキャンタイ
プと機器への装着性や発光点が同じであって、しかもキ
ャンタイプより低価格で、形状の自由度の大きな樹脂封
止タイプ（モールド型）半導体レーザ装置が開発されて
いる。
（以下ＣＤと略称する）等の光ディスクやレーザビーム
プリンタ等の各種光応用機器に組み込まれて使用され
る。これらに用いられている半導体レーザ装置として、
例えばキャンタイプが知られているが、このキャンタイ
プと機器への装着性や発光点が同じであって、しかもキ
ャンタイプより低価格で、形状の自由度の大きな樹脂封
止タイプ（モールド型）半導体レーザ装置が開発されて
いる。
【０００３】図１０は従来の樹脂モールド型半導体レー
ザ装置の構成図で同図（ａ）は要部斜視図、同図（ｂ）
は同図（ａ）の矢印Ａから見た正面図、同図（ｃ）は同
図（ａ）の矢印Ｂから見た側面図を示す。半導体レーザ
装置は半導体レーザダイオードチップ１をモニター用フ
ォトダイオードチップ２の上に取り付け、更にこのモニ
ター用フォトダイオードチップ２はリードフレーム３の
上に取り付けられている。レーザダイオードチップ１の
周辺はシリコーン樹脂等の端面破壊防止膜４で被覆し、
さらに周囲を透明なエポキシ樹脂等の透明樹脂５でモー
ルドしており、更にリードフレーム３はリング６に機械
的に固定されている。このリング６をＣＤ等の装置に固
定することにより実際の使用に供する。
ザ装置の構成図で同図（ａ）は要部斜視図、同図（ｂ）
は同図（ａ）の矢印Ａから見た正面図、同図（ｃ）は同
図（ａ）の矢印Ｂから見た側面図を示す。半導体レーザ
装置は半導体レーザダイオードチップ１をモニター用フ
ォトダイオードチップ２の上に取り付け、更にこのモニ
ター用フォトダイオードチップ２はリードフレーム３の
上に取り付けられている。レーザダイオードチップ１の
周辺はシリコーン樹脂等の端面破壊防止膜４で被覆し、
さらに周囲を透明なエポキシ樹脂等の透明樹脂５でモー
ルドしており、更にリードフレーム３はリング６に機械
的に固定されている。このリング６をＣＤ等の装置に固
定することにより実際の使用に供する。
【０００４】このような樹脂モールド型の半導体レーザ
装置は、製造コスト，形状の自由度という面で優れてお
り、また、光密度の高いレーザダイオードに採用するこ
とも可能である。
装置は、製造コスト，形状の自由度という面で優れてお
り、また、光密度の高いレーザダイオードに採用するこ
とも可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた樹脂モールド型の半導体レーザ装置には、環境試験
等での発光点の位置変動が問題となっている。この原因
の一つは、リードフレーム３とモニター用フォトダイオ
ードチップ２の線膨張係数の差があるため、所謂バイメ
タル効果により、反りが生じて、３５℃の温度変化の時
に、発光点に０．３μｍの位置変動が生じる。このよう
にリードフレーム上にレーザダイオードチップ１が取り
付けられたモニター用フォトダイオードチップ２を取り
付ける構造の半導体レーザ装置では発光点位置の変動は
避けることができなかった。
べた樹脂モールド型の半導体レーザ装置には、環境試験
等での発光点の位置変動が問題となっている。この原因
の一つは、リードフレーム３とモニター用フォトダイオ
ードチップ２の線膨張係数の差があるため、所謂バイメ
タル効果により、反りが生じて、３５℃の温度変化の時
に、発光点に０．３μｍの位置変動が生じる。このよう
にリードフレーム上にレーザダイオードチップ１が取り
付けられたモニター用フォトダイオードチップ２を取り
付ける構造の半導体レーザ装置では発光点位置の変動は
避けることができなかった。
【０００６】この発明の目的は、前記課題を解決するた
め、周囲温度の変化やレーザダイオードチップの発熱に
よる温度変化に係わることなく、安定な発光点位置を有
する樹脂モールド型半導体レーザ装置を提供することに
ある。
め、周囲温度の変化やレーザダイオードチップの発熱に
よる温度変化に係わることなく、安定な発光点位置を有
する樹脂モールド型半導体レーザ装置を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、半導体レーザダイオードチップがモニター用フォト
ダイオードチップ上に固着され、モニター用フォトダイ
オードチップの他の面がリードフレーム上に固着され、
半導体レーザダイオードチップとモニター用フォトダイ
オードチップとが透明樹脂で封止された構造を有する半
導体レーザ装置において、このリードフレームがリブ構
造を有するものである。またこのリブ構造としては、リ
ードフレームの厚さより大きい段差をもつようにすると
よい。前記モニター用フォトダイオードチップの周辺の
リードフレームの一部をＬ字型に該フォトダイオードチ
ップ側または該フォトダイオードチップ側と反対方向に
曲げ、且つＬ字型に曲げた折線の方向をレーザダイオー
ドチップの発光方向と一致させるとよい。またリードフ
レームのモニター用フォトダイオードチップが固着され
る箇所に一個以上の孔を設けるとよい。この孔の形状が
円形、方形および線形のいずれかであるとよい。またモ
ニター用フォトダイオードチップが固着される箇所と、
他箇所とで、リードフレームの厚さを異なるようにする
とよい。モニタ用フォトダイオードチップが取り付けら
れる箇所のリードフレームの厚さ（ｄ）をモニタ用フォ
トダイオードチップの厚さ（ｔ）で割った値（ｄ／ｔ）
がおよそ０．９以下にあるいはおよそ２以上にするとよ
い。このモニター用フォトダイオードチップが固着され
る箇所のリードフレームと反対側の表面に、該フォトダ
イオードチップと同材質で同形状のものを固着するとよ
い。
に、半導体レーザダイオードチップがモニター用フォト
ダイオードチップ上に固着され、モニター用フォトダイ
オードチップの他の面がリードフレーム上に固着され、
半導体レーザダイオードチップとモニター用フォトダイ
オードチップとが透明樹脂で封止された構造を有する半
導体レーザ装置において、このリードフレームがリブ構
造を有するものである。またこのリブ構造としては、リ
ードフレームの厚さより大きい段差をもつようにすると
よい。前記モニター用フォトダイオードチップの周辺の
リードフレームの一部をＬ字型に該フォトダイオードチ
ップ側または該フォトダイオードチップ側と反対方向に
曲げ、且つＬ字型に曲げた折線の方向をレーザダイオー
ドチップの発光方向と一致させるとよい。またリードフ
レームのモニター用フォトダイオードチップが固着され
る箇所に一個以上の孔を設けるとよい。この孔の形状が
円形、方形および線形のいずれかであるとよい。またモ
ニター用フォトダイオードチップが固着される箇所と、
他箇所とで、リードフレームの厚さを異なるようにする
とよい。モニタ用フォトダイオードチップが取り付けら
れる箇所のリードフレームの厚さ（ｄ）をモニタ用フォ
トダイオードチップの厚さ（ｔ）で割った値（ｄ／ｔ）
がおよそ０．９以下にあるいはおよそ２以上にするとよ
い。このモニター用フォトダイオードチップが固着され
る箇所のリードフレームと反対側の表面に、該フォトダ
イオードチップと同材質で同形状のものを固着するとよ
い。
【０００８】前記手段により、リードフレームが機械的
に強化され，またはリードフレームとモニター用フォト
ダイオードチップの接合面積が小さいので、バイメタル
効果による反りを小さくする。
に強化され，またはリードフレームとモニター用フォト
ダイオードチップの接合面積が小さいので、バイメタル
効果による反りを小さくする。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明を実施例に基づいて説明を
行う。 〔実施例１〕図１は第１実施例の正面図を示し、図２は
図１の半導体レーザダイオードチップとモニター用フォ
トダイオードチップおよびリードフレームの要部構成図
で同図（ａ）、同図（ｂ）は斜視図を示す。レーザダイ
オードチップ１は０．２ｍｍ×０．２ｍｍ×厚さ０．１
ｍｍのＧａＡｓ系のダブルヘテロ接合の半導体レーザダ
イオードである。これを１ｍｍ×１ｍｍ厚さ０．２ｍｍ
のモニター用フォトダイオードチップ２に取り付けてあ
る。さらにこのモニター用フォトダイオードチップ２は
厚さ０．２５ｍｍで、リブ構造で０．３ｍｍの段差を有
するＬ字型に２度曲げた銅製のリードフレーム３に取り
付けてあり、透明のエポキシ樹脂で樹脂封止されてい
る。リードフレーム３の端はアルミニウム製のリング６
の溝に圧着され半導体レーザ装置を形成している。この
構成のレーザダイオードチップ１の温度変化による発光
点の移動を実際にこれらの半導体レーザ装置を試作し
て、ＣＤ再生用光ピックアップに組み込んで２５℃と５
０℃での動作試験を行い評価した。光ピックアップの４
分割フォトダイオートの受光量の変化から発光点位置の
変動を求めたところ温度が３５℃上昇したときにレーザ
ダイオードチップ１の発光点が０．１μｍ移動するが、
この移動量は実用上問題のない０．２μｍ以下の値であ
った。この現象を明らかにするために有限要素法によ
り、計算を行った結果を図３に示す。レーザダイオード
チップ１は十分に小さく計算には考慮しなかった。ま
た，図３では樹脂は表示していない。リードフレーム３
の材質は銅を主成分とする金属なので、線膨張係数α＝
１６．３×１０-6Ｋ-1であるのに対して, モニター用フ
ォトダイオードチップ２はシリコンなので、線膨張係数
α＝２．５６×１０-6Ｋ-1と小さく、温度上昇によりモ
ニター用フォトダイオードチップ２側に反っている。
尚、図３では変位量を強調して示してある。これに対し
て、図８のリードフレーム３がリブ構造を有していない
従来構造の半導体レーザ装置では実測値も計算値も共に
３５℃の温度上昇で発光点の移動が０．３μｍ程度であ
った。その結果、この発明の実施例ではリードフレーム
がリブ構造によって強化され、バイメタル効果による反
りが防止され発光点の移動が抑制されることが分かっ
た。また、有限要素法にて段差の効果を計算した結果を
図４に示す。リブ構造によって生じた段差Ｄをリードフ
レームの厚さｄで割った値を横軸に示し、縦軸には発光
点の移動量を示してある。この図よりリブ構造による効
果を得るためには段差がリードフレームの厚さよりも大
きい必要があることが分かる。さらに、図２（ｂ）に示
すようにリードフレームを曲げる部分をモニター用フォ
トダイオードチップの部分丈にした場合や図５（ａ）、
（ｂ）のようにリブ構造の曲げる方向を逆にしても効果
は同じであった。またモニター用フォトダイオードチッ
プの周囲だけを図５（ｃ）、（ｄ）に示すように１回だ
けＬ字型に曲げる構造でも効果があることが分かった。
行う。 〔実施例１〕図１は第１実施例の正面図を示し、図２は
図１の半導体レーザダイオードチップとモニター用フォ
トダイオードチップおよびリードフレームの要部構成図
で同図（ａ）、同図（ｂ）は斜視図を示す。レーザダイ
オードチップ１は０．２ｍｍ×０．２ｍｍ×厚さ０．１
ｍｍのＧａＡｓ系のダブルヘテロ接合の半導体レーザダ
イオードである。これを１ｍｍ×１ｍｍ厚さ０．２ｍｍ
のモニター用フォトダイオードチップ２に取り付けてあ
る。さらにこのモニター用フォトダイオードチップ２は
厚さ０．２５ｍｍで、リブ構造で０．３ｍｍの段差を有
するＬ字型に２度曲げた銅製のリードフレーム３に取り
付けてあり、透明のエポキシ樹脂で樹脂封止されてい
る。リードフレーム３の端はアルミニウム製のリング６
の溝に圧着され半導体レーザ装置を形成している。この
構成のレーザダイオードチップ１の温度変化による発光
点の移動を実際にこれらの半導体レーザ装置を試作し
て、ＣＤ再生用光ピックアップに組み込んで２５℃と５
０℃での動作試験を行い評価した。光ピックアップの４
分割フォトダイオートの受光量の変化から発光点位置の
変動を求めたところ温度が３５℃上昇したときにレーザ
ダイオードチップ１の発光点が０．１μｍ移動するが、
この移動量は実用上問題のない０．２μｍ以下の値であ
った。この現象を明らかにするために有限要素法によ
り、計算を行った結果を図３に示す。レーザダイオード
チップ１は十分に小さく計算には考慮しなかった。ま
た，図３では樹脂は表示していない。リードフレーム３
の材質は銅を主成分とする金属なので、線膨張係数α＝
１６．３×１０-6Ｋ-1であるのに対して, モニター用フ
ォトダイオードチップ２はシリコンなので、線膨張係数
α＝２．５６×１０-6Ｋ-1と小さく、温度上昇によりモ
ニター用フォトダイオードチップ２側に反っている。
尚、図３では変位量を強調して示してある。これに対し
て、図８のリードフレーム３がリブ構造を有していない
従来構造の半導体レーザ装置では実測値も計算値も共に
３５℃の温度上昇で発光点の移動が０．３μｍ程度であ
った。その結果、この発明の実施例ではリードフレーム
がリブ構造によって強化され、バイメタル効果による反
りが防止され発光点の移動が抑制されることが分かっ
た。また、有限要素法にて段差の効果を計算した結果を
図４に示す。リブ構造によって生じた段差Ｄをリードフ
レームの厚さｄで割った値を横軸に示し、縦軸には発光
点の移動量を示してある。この図よりリブ構造による効
果を得るためには段差がリードフレームの厚さよりも大
きい必要があることが分かる。さらに、図２（ｂ）に示
すようにリードフレームを曲げる部分をモニター用フォ
トダイオードチップの部分丈にした場合や図５（ａ）、
（ｂ）のようにリブ構造の曲げる方向を逆にしても効果
は同じであった。またモニター用フォトダイオードチッ
プの周囲だけを図５（ｃ）、（ｄ）に示すように１回だ
けＬ字型に曲げる構造でも効果があることが分かった。
【００１０】尚、前記のリブ構造とは平面をＬ字型に曲
げて、折線に直交する線での曲げ強度を強くした構造を
いう。 〔実施例２〕図６は第２実施例で、同図（ａ）〜同図
（ｅ）は斜視図を示す。同図（ａ）はレーザダイオード
チップ１とモニター用フォトダイオードチップ２および
リードフレーム３が示され、同図（ｂ）〜同図（ｅ）は
リードフレーム３のみ示されている。これらの実施例は
モニター用フォトダイオードチップ２とリードフレーム
３の接合面積を少なくすることによりバイメタル効果を
少なくしている。従来はモニター用フォトダイオードチ
ップ２はリードフレーム３と全面ではんだ接合していた
が，同図（ｂ）〜同図（ｄ）の示す実施例ではモニター
用フォトダイオードチップ２が取り付けられるリードフ
レーム３部に孔を設けて，接合面積を少なくした。この
孔は単数でも複数個でもよく、また形状も円形，方形，
線状でもよい。また同図（ｅ）のようにモニター用フォ
トダイオードチップ２から孔の一部がはみ出してもよ
い。またモニター用フォトダイオードチップ２の面積に
対してこの孔の総面積が５０％以上であればバイメタル
効果が減少し、反りによる発光点移動が０．１μｍ以下
に抑えることができた。 〔実施例３〕図７は第３実施例で、同図（ａ），同図
（ｂ）は斜視図を示す。リードフレーム３の厚さを変え
ることによりバイメタル効果を低減する実施例である。
図８にその実験結果を示す。横軸はリードフレーム３の
厚さｄをモニター用フォトダイオード２の厚さｔで割っ
た値で、縦軸は発光点の位置変動である。この図からリ
ードフレーム３を厚くするかあるいは薄くすると発光点
の位置変動を抑えることができることが分かった。従来
厚さが０．２５ｍｍのリードフレーム３を使用していた
が，電流を取り出すために透明樹脂５（図１参照）の外
部に出ている端子部の機械的強度が弱くなるため、これ
以上薄くすることはできなかった。この実験結果を基に
して、図７（ｂ）に示すようにモニター用フォトダイオ
ードチップ２が取りつけられる箇所だけを予めプレス機
で０．１５ｍｍの厚さ（ｄ／ｔ＝０．７５）に薄くした
リードフレーム３を製作したところ反りは０．１μｍで
あった。一方、図７（ａ）に示すようにリードフレーム
３を厚くすると図８より発光点の移動量を抑えることが
可能であることが分かった。実際にはリードフレームを
厚くし過ぎると電流を取り出すために透明樹脂５の外部
に出ている端子部の機械的強度が強くなり過ぎるため
０．３５ｍｍ以上の厚さにすることができなかった。そ
こで、厚さ０．５ｍｍのリードフレーム３用の板を使用
してモニター用フォトダイオードチップ２が取りつけら
れる箇所は０．５ｍｍでそれ以外をプレス機で０．３５
ｍｍの厚さにした。その結果、発光点の移動は０．１５
μｍｍであった。このようにしてリードフレーム３を厚
くするか薄くすることによって発光点の位置変動を抑制
できた。つまり、ｄ／ｔをおよそ０．９以下に、あるい
はｄ／ｔをおよそ２以上にすることにより、発光点の移
動位置変動を０．２μｍ以下に抑制することができた。 〔実施例４〕図９は第４実施例の要部斜視図を示す。リ
ードフレーム３とモニター用フォトダイオードチップ２
とによって生じるバイメタル効果は材料物性の非対称性
が原因であるから材料物性の対称性を得るためにモニタ
ー用フォトダイオードチップ２に対応する箇所のリード
フレーム３の裏側に同寸法で、同材質のものを固着し
た。実際にはモニター用フォトダイオードチップ２は
０．２ｍｍ×０．２ｍｍ×厚さ０．１ｍｍのシリコンチ
ップなので、モニター用フォトダイオードチップ２と反
対側にも同寸法のシリコンチップ７を取りつけた。温度
変化があってもバイメタル効果による反りは全く生じな
かった。
げて、折線に直交する線での曲げ強度を強くした構造を
いう。 〔実施例２〕図６は第２実施例で、同図（ａ）〜同図
（ｅ）は斜視図を示す。同図（ａ）はレーザダイオード
チップ１とモニター用フォトダイオードチップ２および
リードフレーム３が示され、同図（ｂ）〜同図（ｅ）は
リードフレーム３のみ示されている。これらの実施例は
モニター用フォトダイオードチップ２とリードフレーム
３の接合面積を少なくすることによりバイメタル効果を
少なくしている。従来はモニター用フォトダイオードチ
ップ２はリードフレーム３と全面ではんだ接合していた
が，同図（ｂ）〜同図（ｄ）の示す実施例ではモニター
用フォトダイオードチップ２が取り付けられるリードフ
レーム３部に孔を設けて，接合面積を少なくした。この
孔は単数でも複数個でもよく、また形状も円形，方形，
線状でもよい。また同図（ｅ）のようにモニター用フォ
トダイオードチップ２から孔の一部がはみ出してもよ
い。またモニター用フォトダイオードチップ２の面積に
対してこの孔の総面積が５０％以上であればバイメタル
効果が減少し、反りによる発光点移動が０．１μｍ以下
に抑えることができた。 〔実施例３〕図７は第３実施例で、同図（ａ），同図
（ｂ）は斜視図を示す。リードフレーム３の厚さを変え
ることによりバイメタル効果を低減する実施例である。
図８にその実験結果を示す。横軸はリードフレーム３の
厚さｄをモニター用フォトダイオード２の厚さｔで割っ
た値で、縦軸は発光点の位置変動である。この図からリ
ードフレーム３を厚くするかあるいは薄くすると発光点
の位置変動を抑えることができることが分かった。従来
厚さが０．２５ｍｍのリードフレーム３を使用していた
が，電流を取り出すために透明樹脂５（図１参照）の外
部に出ている端子部の機械的強度が弱くなるため、これ
以上薄くすることはできなかった。この実験結果を基に
して、図７（ｂ）に示すようにモニター用フォトダイオ
ードチップ２が取りつけられる箇所だけを予めプレス機
で０．１５ｍｍの厚さ（ｄ／ｔ＝０．７５）に薄くした
リードフレーム３を製作したところ反りは０．１μｍで
あった。一方、図７（ａ）に示すようにリードフレーム
３を厚くすると図８より発光点の移動量を抑えることが
可能であることが分かった。実際にはリードフレームを
厚くし過ぎると電流を取り出すために透明樹脂５の外部
に出ている端子部の機械的強度が強くなり過ぎるため
０．３５ｍｍ以上の厚さにすることができなかった。そ
こで、厚さ０．５ｍｍのリードフレーム３用の板を使用
してモニター用フォトダイオードチップ２が取りつけら
れる箇所は０．５ｍｍでそれ以外をプレス機で０．３５
ｍｍの厚さにした。その結果、発光点の移動は０．１５
μｍｍであった。このようにしてリードフレーム３を厚
くするか薄くすることによって発光点の位置変動を抑制
できた。つまり、ｄ／ｔをおよそ０．９以下に、あるい
はｄ／ｔをおよそ２以上にすることにより、発光点の移
動位置変動を０．２μｍ以下に抑制することができた。 〔実施例４〕図９は第４実施例の要部斜視図を示す。リ
ードフレーム３とモニター用フォトダイオードチップ２
とによって生じるバイメタル効果は材料物性の非対称性
が原因であるから材料物性の対称性を得るためにモニタ
ー用フォトダイオードチップ２に対応する箇所のリード
フレーム３の裏側に同寸法で、同材質のものを固着し
た。実際にはモニター用フォトダイオードチップ２は
０．２ｍｍ×０．２ｍｍ×厚さ０．１ｍｍのシリコンチ
ップなので、モニター用フォトダイオードチップ２と反
対側にも同寸法のシリコンチップ７を取りつけた。温度
変化があってもバイメタル効果による反りは全く生じな
かった。
【００１１】尚、前記の実施例１から実施例４までを組
み合わせてさらに効果を高めることも勿論できる。
み合わせてさらに効果を高めることも勿論できる。
【００１２】
【発明の効果】リードフレーム上にモニター用フォトダ
イオードチップを取りつけさらにその上にレーザダイオ
ードチップが取りつけられた樹脂封止型の半導体レーザ
装置において、モニター用フォトダイオードチップとリ
ードフレームの線膨張係数の差によって生じる反りによ
り発光点位置が温度変化によって変化する現象を構成部
品の形状などを考慮することにより減少させることがで
きた。
イオードチップを取りつけさらにその上にレーザダイオ
ードチップが取りつけられた樹脂封止型の半導体レーザ
装置において、モニター用フォトダイオードチップとリ
ードフレームの線膨張係数の差によって生じる反りによ
り発光点位置が温度変化によって変化する現象を構成部
品の形状などを考慮することにより減少させることがで
きた。
【００１３】
【図１】この発明の第１実施例の正面図
【図２】（ａ）、（ｂ）は第１実施例の斜視図
【図３】第１実施例の発光点移動量の解析図
【図４】リブ構造の段差とリードフレーム厚さと発光点
移動量との関係図
移動量との関係図
【図５】第１実施例の変形例で、（ａ）〜（ｄ）は斜視
図
図
【図６】この発明の第２実施例で、（ａ）〜（ｅ）は斜
視図
視図
【図７】この発明の第３実施例で、（ａ）、（ｂ）は斜
視図
視図
【図８】リードフレームの厚さとモニター用フォトダイ
オードチップの厚さと発光点移動量との関係図
オードチップの厚さと発光点移動量との関係図
【図９】この発明の第４実施例の要部斜視図
【図１０】従来の樹脂モールド型半導体レーザ装置の構
成図で（ａ）は要部斜視図，（ｂ）は（ａ）の矢印Ａか
ら見た正面図，（ｃ）は（ａ）の矢印Ｂから見た側面図
成図で（ａ）は要部斜視図，（ｂ）は（ａ）の矢印Ａか
ら見た正面図，（ｃ）は（ａ）の矢印Ｂから見た側面図
１ レーザダイオードチップ ２ モニター用フォトダイオードチップ ３ リードフレーム ４ 端面破壊防止膜 ５ 透明樹脂 ６ リング ７ シリコンチップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 進藤 洋一 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 守屋 裕史 埼玉県秩父郡小鹿野町大字小鹿野755−１ 株式会社秩父富士内 (72)発明者 山口 賢 埼玉県秩父郡小鹿野町大字小鹿野755−１ 株式会社秩父富士内 (72)発明者 芳賀 一弘 埼玉県秩父郡小鹿野町大字小鹿野755−１ 株式会社秩父富士内
Claims (10)
- 【請求項１】半導体レーザダイオードチップがモニター
用フォトダイオードチップ上に固着され、モニター用フ
ォトダイオードチップの他の面がリードフレーム上に固
着され、半導体レーザダイオードチップとモニター用フ
ォトダイオードチップとが透明樹脂で封止された構造を
有する半導体レーザ装置において、リードフレームがリ
ブ構造を有することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】リブ構造で、リードフレームの厚さより大
きい段差を有することを特徴とする請求項１記載の半導
体レーザ装置。 - 【請求項３】モニター用フォトダイオードチップの周辺
のリードフレームの一部をＬ字型に該フォトダイオード
チップ側に曲げ、且つＬ字型に曲げた折線の方向がレー
ザダイオードチップの発光方向に一致することを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】モニター用フォトダイオードチップの周辺
のリードフレームの一部をＬ字型に該フォトダイオード
チップ側と反対方向に曲げ、且つＬ字型に曲げた折線の
方向がレーザダイオードチップの発光方向に一致するこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】半導体レーザダイオードチップがモニター
用フォトダイオードチップ上に固着され、モニター用フ
ォトダイオードチップの他の面がリードフレーム上に固
着され、半導体レーザダイオードチップとモニター用フ
ォトダイオードチップとが透明樹脂で封止された構造を
有する半導体レーザ装置において、リードフレームのモ
ニター用フォトダイオードチップが固着される箇所に一
個以上の孔を設けることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項６】孔の形状が円形、方形および線形のいずれ
かであることを特徴とする請求項５記載の半導体レーザ
装置。 - 【請求項７】半導体レーザダイオードチップがモニター
用フォトダイオードチップ上に固着され、モニター用フ
ォトダイオードチップの他の面がリードフレーム上に固
着され、半導体レーザダイオードチップとモニター用フ
ォトダイオードチップとが透明樹脂で封止された構造を
有する半導体レーザ装置において、モニター用フォトダ
イオードチップが固着される箇所と、他箇所とで、リー
ドフレームの厚さが異なることを特徴とする半導体レー
ザ装置。 - 【請求項８】モニタ用フォトダイオードチップが取り付
けられる箇所のリードフレームの厚さ（ｄ）をモニタ用
フォトダイオードチップの厚さ（ｔ）で割った値（ｄ／
ｔ）がおよそ０．９以下であることを特徴とする請求項
７記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項９】モニタ用フォトダイオードチップが取り付
けられる箇所のリードフレームの厚さ（ｄ）をモニタ用
フォトダイオードチップの厚さ（ｔ）で割った値（ｄ／
ｔ）がおよそ２以上であることを特徴とする請求項７記
載の半導体レーザ装置。 - 【請求項１０】半導体レーザダイオードチップがモニタ
ー用フォトダイオードチップ上に固着され、モニター用
フォトダイオードチップの他の面がリードフレーム上に
固着され、半導体レーザダイオードチップとモニター用
フォトダイオードチップとが透明樹脂で封止された構造
を有する半導体レーザ装置において、モニター用フォト
ダイオードチップが固着される箇所のリードフレームと
反対側の表面に、モニター用フォトダイオードチップと
同材質で同形状のものが固着されることを特徴とする半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24654395A JPH0992931A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24654395A JPH0992931A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992931A true JPH0992931A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17149979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24654395A Pending JPH0992931A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992931A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990030651A (ko) * | 1997-10-02 | 1999-05-06 | 이해규 | 반도체 패키지 |
| WO2002007275A1 (fr) * | 2000-07-17 | 2002-01-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dispositif laser a semi-conducteur |
| JP2006203006A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Sony Corp | 半導体レーザ装置およびリードフレーム |
| JP2007012979A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
| CN1327581C (zh) * | 2002-03-25 | 2007-07-18 | 三洋电机株式会社 | 半导体激光器件 |
| KR100867568B1 (ko) * | 2007-05-18 | 2008-11-10 | 서울반도체 주식회사 | 방열형 ｌｅｄ 패키지 |
| JP2014514717A (ja) * | 2011-04-11 | 2014-06-19 | ユナイテッド テクノロジーズ コーポレイション | 複数の異なる細孔径および／または異なる層を備えた電極を有するフロー電池 |
-
1995
- 1995-09-26 JP JP24654395A patent/JPH0992931A/ja active Pending
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