JPH0987015A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0987015A JPH0987015A JP7253434A JP25343495A JPH0987015A JP H0987015 A JPH0987015 A JP H0987015A JP 7253434 A JP7253434 A JP 7253434A JP 25343495 A JP25343495 A JP 25343495A JP H0987015 A JPH0987015 A JP H0987015A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】近年ではますます使用周波数域が高周波数とな
り、より高いＱｆ値が要求されるようになっているが、
従来の誘電体磁器ではＱｆ値が未だ低いという問題があ
った。 【解決手段】金属元素として少なくともＢａ，Ｔｉ，Ｓ
ｒを含有し、これらのモル比による組成式を、（Ｂａ
1-a Ｓｒa ）Ｏ−ｘＴｉＯ2 と表した時、前記ｘおよび
ａが、３．９≦ｘ≦４．１、０．０１≦ａ≦０．０８を
満足する主成分１００重量部に対して、亜鉛をＺｎＯ換
算で４重量部以上１８重量部以下添加含有するものであ
る。
り、より高いＱｆ値が要求されるようになっているが、
従来の誘電体磁器ではＱｆ値が未だ低いという問題があ
った。 【解決手段】金属元素として少なくともＢａ，Ｔｉ，Ｓ
ｒを含有し、これらのモル比による組成式を、（Ｂａ
1-a Ｓｒa ）Ｏ−ｘＴｉＯ2 と表した時、前記ｘおよび
ａが、３．９≦ｘ≦４．１、０．０１≦ａ≦０．０８を
満足する主成分１００重量部に対して、亜鉛をＺｎＯ換
算で４重量部以上１８重量部以下添加含有するものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波，ミリ
波等の高周波領域において、高いＱ値を有する誘電体磁
器組成物に関するものであり、例えば、マイクロ波やミ
リ波などの高周波数領域において使用される種々の共振
器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波路用材
料や積層型セラミックコンデンサ等に用いることができ
る誘電体磁器組成物に関する。
波等の高周波領域において、高いＱ値を有する誘電体磁
器組成物に関するものであり、例えば、マイクロ波やミ
リ波などの高周波数領域において使用される種々の共振
器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波路用材
料や積層型セラミックコンデンサ等に用いることができ
る誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、誘電体磁器は、マイクロ波やミリ波
等の高周波領域において、誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電
体基板や導波路等に広く利用されている。
等の高周波領域において、誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電
体基板や導波路等に広く利用されている。
【０００３】従来より、この種の誘電体磁器としては、
例えば、特開昭５７−６９６０７号公報に開示されるよ
うなものが知られている。この公報に開示される誘電体
磁器は、ＢａＯ−ｘＴｉＯ2 において３．９≦ｘ≦４．
１の組成物１００重量部に対して、１〜２６重量部のＺ
ｎＯを添加してなるものである。
例えば、特開昭５７−６９６０７号公報に開示されるよ
うなものが知られている。この公報に開示される誘電体
磁器は、ＢａＯ−ｘＴｉＯ2 において３．９≦ｘ≦４．
１の組成物１００重量部に対して、１〜２６重量部のＺ
ｎＯを添加してなるものである。
【０００４】このような誘電体磁器では、誘電率が３０
〜４０で、測定周波数ｆ＝３．５〔ＧＨｚ〕におけるＱ
値が４５００程度（Ｑｆ＝１５７５０〔ＧＨｚ〕）であ
り、さらに共振周波数の温度係数τｆを−２５〜＋２５
〔ｐｐｍ／℃〕の範囲で制御することができる。
〜４０で、測定周波数ｆ＝３．５〔ＧＨｚ〕におけるＱ
値が４５００程度（Ｑｆ＝１５７５０〔ＧＨｚ〕）であ
り、さらに共振周波数の温度係数τｆを−２５〜＋２５
〔ｐｐｍ／℃〕の範囲で制御することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年に
おいては、ますます使用周波数域が高周波数となり、よ
り高いＱｆ値が要求されるようになっているが、上記特
開昭５７−６９６０７号公報に開示される誘電体磁器で
はＱｆ値が１５７５０〔ＧＨｚ〕程度であり、未だ低い
という問題があった。
おいては、ますます使用周波数域が高周波数となり、よ
り高いＱｆ値が要求されるようになっているが、上記特
開昭５７−６９６０７号公報に開示される誘電体磁器で
はＱｆ値が１５７５０〔ＧＨｚ〕程度であり、未だ低い
という問題があった。
【０００６】本発明は、誘電率が３０〜４０で、Ｑｆが
４００００〔ＧＨｚ〕以上であり、さらに共振周波数の
温度係数τｆが−１５〜＋１５〔ｐｐｍ／℃〕の範囲で
制御することができる誘電体磁器組成物を提供すること
を目的とする。
４００００〔ＧＨｚ〕以上であり、さらに共振周波数の
温度係数τｆが−１５〜＋１５〔ｐｐｍ／℃〕の範囲で
制御することができる誘電体磁器組成物を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記問
題点を解決すべく、鋭意検討した結果、Ｂａ−Ｔｉ系誘
電体磁器組成物において、Ｂａの一部をＳｒで置換する
とともに、Ｚｎを所定量添加含有することにより、誘電
率が３０〜４０で、Ｑｆが４００００〔ＧＨｚ〕以上で
あり、共振周波数の温度係数τｆを−１５〜＋１５〔ｐ
ｐｍ／℃〕の範囲で制御することができることを見い出
し、本発明に至ったのである。
題点を解決すべく、鋭意検討した結果、Ｂａ−Ｔｉ系誘
電体磁器組成物において、Ｂａの一部をＳｒで置換する
とともに、Ｚｎを所定量添加含有することにより、誘電
率が３０〜４０で、Ｑｆが４００００〔ＧＨｚ〕以上で
あり、共振周波数の温度係数τｆを−１５〜＋１５〔ｐ
ｐｍ／℃〕の範囲で制御することができることを見い出
し、本発明に至ったのである。
【０００８】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、金属
元素として少なくともＢａ，Ｔｉ，Ｓｒを含有し、これ
らのモル比による組成式を、（Ｂａ1-a Ｓｒa ）Ｏ−ｘ
ＴｉＯ2 と表した時、前記ｘおよびａが、３．９≦ｘ≦
４．１、０．０１≦ａ≦０．０８を満足する主成分１０
０重量部に対して、亜鉛をＺｎＯ換算で４重量部以上１
８重量部以下添加含有するものである。本発明では、Ｂ
ａＴｉ4 Ｏ9 を主結晶相とし、このＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶
相中にＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相が均一に分散する
とともに、ＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相およびＢａ3 Ｔｉ12Ｚ
ｎ7 Ｏ34結晶相にＳｒが固溶していることが望ましい。
元素として少なくともＢａ，Ｔｉ，Ｓｒを含有し、これ
らのモル比による組成式を、（Ｂａ1-a Ｓｒa ）Ｏ−ｘ
ＴｉＯ2 と表した時、前記ｘおよびａが、３．９≦ｘ≦
４．１、０．０１≦ａ≦０．０８を満足する主成分１０
０重量部に対して、亜鉛をＺｎＯ換算で４重量部以上１
８重量部以下添加含有するものである。本発明では、Ｂ
ａＴｉ4 Ｏ9 を主結晶相とし、このＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶
相中にＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相が均一に分散する
とともに、ＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相およびＢａ3 Ｔｉ12Ｚ
ｎ7 Ｏ34結晶相にＳｒが固溶していることが望ましい。
【０００９】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物では、Ｂａ−Ｔｉ系
誘電体磁器組成物において、Ｂａの一部をＳｒで置換す
るとともに、Ｚｎを所定量添加含有することにより、誘
電率が３０〜４０で、Ｑｆが４００００〔ＧＨｚ〕以上
であり、共振周波数の温度係数τｆを−１５〜＋１５
〔ｐｐｍ／℃〕の範囲で制御することができる。
誘電体磁器組成物において、Ｂａの一部をＳｒで置換す
るとともに、Ｚｎを所定量添加含有することにより、誘
電率が３０〜４０で、Ｑｆが４００００〔ＧＨｚ〕以上
であり、共振周波数の温度係数τｆを−１５〜＋１５
〔ｐｐｍ／℃〕の範囲で制御することができる。
【００１０】従来の特開昭５７−６９６０７号公報に開
示される誘電体磁器ではＴｉ／Ｂａ比が４．１よりも大
きい場合には、Ｑ値が小さくなり、マイクロ波用共振器
として好ましくなくなるという問題があったが、本発明
においては、Ｔｉ／Ｂａ比が４．１よりも大きい場合
に、Ｑｆを４００００〔ＧＨｚ〕以上とすることができ
るとともに、共振周波数の温度係数τｆを従来よりも０
に近い−１５〜＋１５〔ｐｐｍ／℃〕の範囲で制御する
ことができるのである。
示される誘電体磁器ではＴｉ／Ｂａ比が４．１よりも大
きい場合には、Ｑ値が小さくなり、マイクロ波用共振器
として好ましくなくなるという問題があったが、本発明
においては、Ｔｉ／Ｂａ比が４．１よりも大きい場合
に、Ｑｆを４００００〔ＧＨｚ〕以上とすることができ
るとともに、共振周波数の温度係数τｆを従来よりも０
に近い−１５〜＋１５〔ｐｐｍ／℃〕の範囲で制御する
ことができるのである。
【００１１】また、本発明では、ＳｒとＢａのイオン半
径が異なるため、Ｂａの一部をＳｒで置換することによ
り格子歪みが発生し、その結果、磁器の強度を向上する
ことができる。
径が異なるため、Ｂａの一部をＳｒで置換することによ
り格子歪みが発生し、その結果、磁器の強度を向上する
ことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物は、Ｂ
ａ−Ｔｉ系誘電体磁器組成物において、Ｂａの一部をＳ
ｒで置換するとともに、Ｚｎを所定量添加含有するもの
であるが、モル比による組成式を、（Ｂａ1-a Ｓｒa ）
Ｏ−ｘＴｉＯ2 と表した時、３．９≦ｘ≦４．１とした
のは、ｘが３．９よりも小さい場合には磁器中にＢａ4
Ｔｉ13Ｏ30結晶相が析出し、共振周波数の温度係数τｆ
が＋１５〔ｐｐｍ／℃〕よりも大きくなるからである。
一方、ｘが４．１よりも大きい場合には磁器中にＴｉＯ
2 結晶相が析出し、共振周波数の温度係数τｆが＋１５
〔ｐｐｍ／℃〕よりも大きくなるからである。ｘはＱｆ
値が高いＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相が形成され易いという点
から、３．９６〜４．０３であることが望ましい。
ａ−Ｔｉ系誘電体磁器組成物において、Ｂａの一部をＳ
ｒで置換するとともに、Ｚｎを所定量添加含有するもの
であるが、モル比による組成式を、（Ｂａ1-a Ｓｒa ）
Ｏ−ｘＴｉＯ2 と表した時、３．９≦ｘ≦４．１とした
のは、ｘが３．９よりも小さい場合には磁器中にＢａ4
Ｔｉ13Ｏ30結晶相が析出し、共振周波数の温度係数τｆ
が＋１５〔ｐｐｍ／℃〕よりも大きくなるからである。
一方、ｘが４．１よりも大きい場合には磁器中にＴｉＯ
2 結晶相が析出し、共振周波数の温度係数τｆが＋１５
〔ｐｐｍ／℃〕よりも大きくなるからである。ｘはＱｆ
値が高いＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相が形成され易いという点
から、３．９６〜４．０３であることが望ましい。
【００１３】また、ＢａのＳｒによる置換量ａは０．０
１≦ａ≦０．０８であるが、これは、ａが０．０１より
小さい場合には磁器の機械的強度が低下するとともに、
Ｔｉ／Ｂａ比が４．１より大きい領域でＱｆ値が低下す
るからである。一方、ａが０．０８よりも大きくなると
Ｓｒの固溶限界量を超え、Ｓｒを含む結晶相が析出し、
Ｑｆ値が低下するからである。ＢａのＳｒによる置換量
ａは、高いＱｆ値と機械強度の向上という観点から０．
０３〜０．０５であることが望ましい。
１≦ａ≦０．０８であるが、これは、ａが０．０１より
小さい場合には磁器の機械的強度が低下するとともに、
Ｔｉ／Ｂａ比が４．１より大きい領域でＱｆ値が低下す
るからである。一方、ａが０．０８よりも大きくなると
Ｓｒの固溶限界量を超え、Ｓｒを含む結晶相が析出し、
Ｑｆ値が低下するからである。ＢａのＳｒによる置換量
ａは、高いＱｆ値と機械強度の向上という観点から０．
０３〜０．０５であることが望ましい。
【００１４】さらに、主成分１００重量部に対して亜鉛
をＺｎＯ換算で４重量部以上１８重量部以下添加含有さ
せたのは、亜鉛が４重量部よりも小さい場合には共振周
波数の温度係数τｆが＋１５〔ｐｐｍ／℃〕よりも大き
くなるからであり、１８重量部よりも多い場合には共振
周波数の温度係数τｆが−１５〔ｐｐｍ／℃〕よりも小
さくなり、実用的でないからである。亜鉛の含有量は、
共振周波数の温度係数τｆをより０に近くするという観
点から主成分１００重量部に対して８．７〜１３．９重
量部添加含有することが望ましい。
をＺｎＯ換算で４重量部以上１８重量部以下添加含有さ
せたのは、亜鉛が４重量部よりも小さい場合には共振周
波数の温度係数τｆが＋１５〔ｐｐｍ／℃〕よりも大き
くなるからであり、１８重量部よりも多い場合には共振
周波数の温度係数τｆが−１５〔ｐｐｍ／℃〕よりも小
さくなり、実用的でないからである。亜鉛の含有量は、
共振周波数の温度係数τｆをより０に近くするという観
点から主成分１００重量部に対して８．７〜１３．９重
量部添加含有することが望ましい。
【００１５】本発明の誘電体磁器組成物は、上記組成式
において、３．９６≦ｘ≦４．０３、０．０３≦ａ≦
０．０５であり、主成分１００重量部に対して、亜鉛を
ＺｎＯ換算で８．７重量部以上１３．９重量部以下添加
含有させたことが望ましい。この場合には、Ｑｆ値が４
００００〔ＧＨｚ〕以上、共振周波数の温度係数τｆが
−４．８〜＋６．６〔ｐｐｍ／℃〕の範囲に制御するこ
とができる。さらに、本発明では、４．００≦ｘ≦４．
０３、０．０３≦ａ≦０．０５であり、主成分１００重
量部に対して、亜鉛をＺｎＯ換算で８．７重量部以上１
３．９重量部以下添加含有させることが特に望ましい。
この場合には、Ｑｆ値が４７０００〔ＧＨｚ〕以上、共
振周波数の温度係数τｆが−４．８〜＋４．５〔ｐｐｍ
／℃〕の範囲に制御することができる。
において、３．９６≦ｘ≦４．０３、０．０３≦ａ≦
０．０５であり、主成分１００重量部に対して、亜鉛を
ＺｎＯ換算で８．７重量部以上１３．９重量部以下添加
含有させたことが望ましい。この場合には、Ｑｆ値が４
００００〔ＧＨｚ〕以上、共振周波数の温度係数τｆが
−４．８〜＋６．６〔ｐｐｍ／℃〕の範囲に制御するこ
とができる。さらに、本発明では、４．００≦ｘ≦４．
０３、０．０３≦ａ≦０．０５であり、主成分１００重
量部に対して、亜鉛をＺｎＯ換算で８．７重量部以上１
３．９重量部以下添加含有させることが特に望ましい。
この場合には、Ｑｆ値が４７０００〔ＧＨｚ〕以上、共
振周波数の温度係数τｆが−４．８〜＋４．５〔ｐｐｍ
／℃〕の範囲に制御することができる。
【００１６】また、本発明の誘電体磁器組成物には、図
１に示したように、ＢａＴｉ4 Ｏ9結晶相１が主結晶相
として存在し、磁器中にＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相
２が均一に分散するものである。その他の結晶が少々析
出していても良い。図１におけるＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相
１中の点Ａ、Ｂａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相２中の点Ｂ
をＸ線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）で分析した結果
を図２に示す。この図２より、添加されるＳｒはＢａＴ
ｉ4 Ｏ9 結晶相とＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相中に固
溶することが判る。このＳｒは、ＢａＴｉ4 Ｏ9 とＢａ
3 Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の結晶相のＢａの一部と置換されて
いる。本発明ではＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相を析出
させることにより、Ｑｆ値を向上するとともに、温度係
数τｆをプラス側からマイナス側に制御することができ
る。
１に示したように、ＢａＴｉ4 Ｏ9結晶相１が主結晶相
として存在し、磁器中にＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相
２が均一に分散するものである。その他の結晶が少々析
出していても良い。図１におけるＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相
１中の点Ａ、Ｂａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相２中の点Ｂ
をＸ線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）で分析した結果
を図２に示す。この図２より、添加されるＳｒはＢａＴ
ｉ4 Ｏ9 結晶相とＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相中に固
溶することが判る。このＳｒは、ＢａＴｉ4 Ｏ9 とＢａ
3 Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34の結晶相のＢａの一部と置換されて
いる。本発明ではＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相を析出
させることにより、Ｑｆ値を向上するとともに、温度係
数τｆをプラス側からマイナス側に制御することができ
る。
【００１７】本発明の誘電体磁器組成物は、原料粉末と
して、ＢａＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，ＳｒＣＯ3 ，ＺｎＯ粉末
を準備し、これらを上記した組成比となるように秤量
し、ＺｒＯ2 ボールにより粉砕混合し、この混合粉末を
仮焼した後、再度ＺｒＯ2 ボールにより粉砕混合し、こ
の仮焼粉末をプレス成形やドクタ−ブレ−ド法等の公知
の方法により所定形状に成形し、大気中または酸素雰囲
気中において１２００〜１３００℃で２〜１０時間焼成
することにより得られる。原料粉末は、焼成により酸化
物を生成する水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の金属塩を用
いても良い。本発明の誘電体磁器中には、不可避不純物
として、Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｆｅ，Ｈｆ，Ｓｎ等
が含まれることもある。
して、ＢａＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，ＳｒＣＯ3 ，ＺｎＯ粉末
を準備し、これらを上記した組成比となるように秤量
し、ＺｒＯ2 ボールにより粉砕混合し、この混合粉末を
仮焼した後、再度ＺｒＯ2 ボールにより粉砕混合し、こ
の仮焼粉末をプレス成形やドクタ−ブレ−ド法等の公知
の方法により所定形状に成形し、大気中または酸素雰囲
気中において１２００〜１３００℃で２〜１０時間焼成
することにより得られる。原料粉末は、焼成により酸化
物を生成する水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の金属塩を用
いても良い。本発明の誘電体磁器中には、不可避不純物
として、Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｆｅ，Ｈｆ，Ｓｎ等
が含まれることもある。
【００１８】本発明の誘電体磁器組成物では、ＢａＴｉ
4 Ｏ9 結晶相中にＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相を均一
に分散させ、ＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相およびＢａ3 Ｔｉ12
Ｚｎ7 Ｏ34結晶相にＳｒを固溶させるためには、特に１
０５０〜１１５０℃の温度で６時間以上仮焼することが
必要である。それは、１０５０℃よりも低温で６時間未
満の仮焼では、Ｂａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相が形成さ
れ難いからである。
4 Ｏ9 結晶相中にＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相を均一
に分散させ、ＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相およびＢａ3 Ｔｉ12
Ｚｎ7 Ｏ34結晶相にＳｒを固溶させるためには、特に１
０５０〜１１５０℃の温度で６時間以上仮焼することが
必要である。それは、１０５０℃よりも低温で６時間未
満の仮焼では、Ｂａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相が形成さ
れ難いからである。
【００１９】
【実施例】原料として純度９９％以上のＢａＣＯ3 ，Ｔ
ｉＯ2 ，ＳｒＣＯ3 ，ＺｎＯの粉末を用いて、上記した
組成式のｘ，ａおよび亜鉛量が表１に示す割合となるよ
うに秤量し、純水を媒体とし、ＺｒＯ2 ボールを用いた
ボ−ルミルにて２０時間湿式混合した。次にこの混合物
を乾燥（脱水）し、１１００℃で６時間仮焼した。
ｉＯ2 ，ＳｒＣＯ3 ，ＺｎＯの粉末を用いて、上記した
組成式のｘ，ａおよび亜鉛量が表１に示す割合となるよ
うに秤量し、純水を媒体とし、ＺｒＯ2 ボールを用いた
ボ−ルミルにて２０時間湿式混合した。次にこの混合物
を乾燥（脱水）し、１１００℃で６時間仮焼した。
【００２０】この仮焼物を粉砕し、誘電特性評価用の試
料として直径１０ｍｍ高さ８ｍｍの円柱状に１トン／ｃ
ｍ2 の圧力でプレス成形し、これを酸化雰囲気中におい
て１２５０℃で２時間焼成し、直径８ｍｍ、高さ６ｍｍ
の円柱状の試料を得た。
料として直径１０ｍｍ高さ８ｍｍの円柱状に１トン／ｃ
ｍ2 の圧力でプレス成形し、これを酸化雰囲気中におい
て１２５０℃で２時間焼成し、直径８ｍｍ、高さ６ｍｍ
の円柱状の試料を得た。
【００２１】誘電特性の評価は、前記試料を用いて誘電
体円柱共振器法にて周波数６ＧＨｚにおける比誘電率と
Ｑ値を測定した。Ｑ値と測定周波数ｆとの積で表される
値を表１に記載した。また、−４０〜８５℃の温度範囲
における共振周波数を測定し、２５℃での共振周波数を
基準にして共振周波数の温度係数τｆを算出した。これ
らの結果を表１に記載した。
体円柱共振器法にて周波数６ＧＨｚにおける比誘電率と
Ｑ値を測定した。Ｑ値と測定周波数ｆとの積で表される
値を表１に記載した。また、−４０〜８５℃の温度範囲
における共振周波数を測定し、２５℃での共振周波数を
基準にして共振周波数の温度係数τｆを算出した。これ
らの結果を表１に記載した。
【００２２】
【表１】
【００２３】この表１から、本発明の誘電体磁器組成物
では、比誘電率が３３以上、Ｑｆ値が４００００〔ＧＨ
ｚ〕以上、共振周波数の温度係数τｆが±１５〔ｐｐｍ
／℃〕の範囲内の優れた特性を有することがわかる。
では、比誘電率が３３以上、Ｑｆ値が４００００〔ＧＨ
ｚ〕以上、共振周波数の温度係数τｆが±１５〔ｐｐｍ
／℃〕の範囲内の優れた特性を有することがわかる。
【００２４】そして、本発明者等は、Ｓｒを含有してい
ない比較例の試料Ｎo.２３と、Ｓｒを含有している本発
明の試料Ｎo.１２について、強度を比較した結果、本発
明の試料Ｎo.１２の強度は試料Ｎo.２３よりも大幅に高
いことを確認した。
ない比較例の試料Ｎo.２３と、Ｓｒを含有している本発
明の試料Ｎo.１２について、強度を比較した結果、本発
明の試料Ｎo.１２の強度は試料Ｎo.２３よりも大幅に高
いことを確認した。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、Ｂ
ａ−Ｔｉ系誘電体磁器組成物において、Ｂａの一部をＳ
ｒで置換するとともに、Ｚｎを所定量添加含有すること
により、誘電率が３０〜４０で、Ｑｆが４００００〔Ｇ
Ｈｚ〕以上であり、共振周波数の温度係数τｆを−１５
〜＋１５〔ｐｐｍ／℃〕の範囲内で制御することがで
き、さらに磁器強度を向上することができ、これにより
マイクロ波やミリ波などの周波数領域において使用され
る種々の共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電
体導波路用材料等に最適とすることができる。
ａ−Ｔｉ系誘電体磁器組成物において、Ｂａの一部をＳ
ｒで置換するとともに、Ｚｎを所定量添加含有すること
により、誘電率が３０〜４０で、Ｑｆが４００００〔Ｇ
Ｈｚ〕以上であり、共振周波数の温度係数τｆを−１５
〜＋１５〔ｐｐｍ／℃〕の範囲内で制御することがで
き、さらに磁器強度を向上することができ、これにより
マイクロ波やミリ波などの周波数領域において使用され
る種々の共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電
体導波路用材料等に最適とすることができる。
【図１】表１の試料Ｎo.１２の本発明の誘電体磁器を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図２】ＢａＴｉ4 Ｏ9 を主結晶相とＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ
7 Ｏ34結晶相中のＥＰＭＡ分析結果を示すグラフであ
る。
7 Ｏ34結晶相中のＥＰＭＡ分析結果を示すグラフであ
る。
１・・・ＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相 ２・・・Ｂａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榎並 信一 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内 (72)発明者 久和 登代美 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】金属元素として少なくともＢａ，Ｔｉ，Ｓ
ｒを含有し、これらのモル比による組成式を、 （Ｂａ1-a Ｓｒa ）Ｏ−ｘＴｉＯ2 と表した時、前記ｘおよびａが、 ３．９ ≦ｘ≦４．１ ０．０１≦ａ≦０．０８ を満足する主成分１００重量部に対して、亜鉛をＺｎＯ
換算で４重量部以上１８重量部以下添加含有することを
特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】ＢａＴｉ4 Ｏ9 を主結晶相とし、このＢａ
Ｔｉ4 Ｏ9 結晶相中にＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相が
均一に分散するとともに、ＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相および
Ｂａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相にＳｒが固溶しているこ
とを特徴とする請求項１記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25343495A JP3261023B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25343495A JP3261023B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0987015A true JPH0987015A (ja) | 1997-03-31 |
| JP3261023B2 JP3261023B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=17251352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25343495A Expired - Fee Related JP3261023B2 (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3261023B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8565305B2 (en) | 2002-05-03 | 2013-10-22 | Lg Electronics Inc. | Method of determining motion vectors for a bi-predictive block |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP25343495A patent/JP3261023B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8565305B2 (en) | 2002-05-03 | 2013-10-22 | Lg Electronics Inc. | Method of determining motion vectors for a bi-predictive block |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3261023B2 (ja) | 2002-02-25 |
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