JPH0985684A - 円形素片の打ち抜き位置決定方法と円形素片の打ち抜き装置 - Google Patents
円形素片の打ち抜き位置決定方法と円形素片の打ち抜き装置Info
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- JPH0985684A JPH0985684A JP7269485A JP26948595A JPH0985684A JP H0985684 A JPH0985684 A JP H0985684A JP 7269485 A JP7269485 A JP 7269485A JP 26948595 A JP26948595 A JP 26948595A JP H0985684 A JPH0985684 A JP H0985684A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 平板状の素材から可及的に多くの円形素片を
打ち抜くことが可能である円形素片の打ち抜き位置決定
方法と円形素片の打ち抜き装置を提供する。 【解決手段】 平板状のウェハ１の外周に内接する外側
の位置から順に、一定間隔２ｄ以上の隙間を埋めるよう
に素片Ｃ1 〜Ｃ21の打ち抜き位置の中心Ｏ1 〜Ｏ21座標
を決定する。
打ち抜くことが可能である円形素片の打ち抜き位置決定
方法と円形素片の打ち抜き装置を提供する。 【解決手段】 平板状のウェハ１の外周に内接する外側
の位置から順に、一定間隔２ｄ以上の隙間を埋めるよう
に素片Ｃ1 〜Ｃ21の打ち抜き位置の中心Ｏ1 〜Ｏ21座標
を決定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は平板状の素材から円
形素片を打ち抜くための位置決定方法と円形素片の打ち
抜き装置に関する。
形素片を打ち抜くための位置決定方法と円形素片の打ち
抜き装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば、シリコンウェハか
ら、円形のシリコンの素片を取り出す場合に、図９，１
０に示される方法が用いられている。
ら、円形のシリコンの素片を取り出す場合に、図９，１
０に示される方法が用いられている。
【０００３】図９において、３１は前記シリコン素片を
作るためのベースとなるシリコンウェハ、３２はこのウ
ェハ３１から取出されるシリコン素片（以下、単に素片
という）である。このウェハ３１から素片３２を取り出
す場合に、まず、縦横の直線３３，３４に沿って切断す
ることにより、ウェハ３１から素片３２よりも僅かに大
きい最小限の大きさの方形体３５を形成する。その後、
形がいびつで、素片３２を取り出すのに不適当な小片３
５ａを取り除いて、残った方形体３５の角を丸めるよう
に切断することによって、真円形の素片３２を形成して
いた。
作るためのベースとなるシリコンウェハ、３２はこのウ
ェハ３１から取出されるシリコン素片（以下、単に素片
という）である。このウェハ３１から素片３２を取り出
す場合に、まず、縦横の直線３３，３４に沿って切断す
ることにより、ウェハ３１から素片３２よりも僅かに大
きい最小限の大きさの方形体３５を形成する。その後、
形がいびつで、素片３２を取り出すのに不適当な小片３
５ａを取り除いて、残った方形体３５の角を丸めるよう
に切断することによって、真円形の素片３２を形成して
いた。
【０００４】また、超音波加工機（図外の装置で、超音
波によって微粒子を振動させて素材を削り取って切断す
る装置）を用いることによって、図１０のように、シリ
コンウェハ４１から素片４２を直接的に打ち抜く方法が
ある。この場合超音波加工機は、素片４２が一定の隙間
をあけてハニカム状に並べられた状態に各素片４２を打
ち抜くことができる。
波によって微粒子を振動させて素材を削り取って切断す
る装置）を用いることによって、図１０のように、シリ
コンウェハ４１から素片４２を直接的に打ち抜く方法が
ある。この場合超音波加工機は、素片４２が一定の隙間
をあけてハニカム状に並べられた状態に各素片４２を打
ち抜くことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図９に示される切断方
法では、最初に正方形の形に切断するために、形がいび
つで、不適当として捨てられる小片３５ａの数が多くあ
り、材料の歩留りが悪い。また、図１０に示される方法
を用いることによりウェハ４１の中央部付近における素
片４２は最大個数取り出すことができ、図９に示される
方法よりも多くの素片４２を取り出すことができるが、
ウェハ４１の外周部付近には無駄なスペースが生じ、必
ずしも最適であるとは言えない。
法では、最初に正方形の形に切断するために、形がいび
つで、不適当として捨てられる小片３５ａの数が多くあ
り、材料の歩留りが悪い。また、図１０に示される方法
を用いることによりウェハ４１の中央部付近における素
片４２は最大個数取り出すことができ、図９に示される
方法よりも多くの素片４２を取り出すことができるが、
ウェハ４１の外周部付近には無駄なスペースが生じ、必
ずしも最適であるとは言えない。
【０００６】本発明はこのような実情を考慮に入れて成
されたものであって、一枚の平板状の素材から可及的に
多くの円形素片を打ち抜くことが可能である円形素片の
打ち抜き位置決定方法と円形素片の打ち抜き装置を提供
することを目的としている。
されたものであって、一枚の平板状の素材から可及的に
多くの円形素片を打ち抜くことが可能である円形素片の
打ち抜き位置決定方法と円形素片の打ち抜き装置を提供
することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の円形
素片の打ち抜き位置決定方法は、平板状の素材から半径
ｒの円形素片を打ち抜く位置を決定する方法であって、
まず、前記素材の外周に一定の隙間をあけて内接し、か
つ、一定の間隔２ｄをあけて互いに外接するｎ個の素片
の中心位置を決定し、その後、最後に決定されたｎ番目
の素片に一定の隙間２ｄをあけて外接する位置からｎ＋
１番目の素片の打ち抜き中心位置を決定するために、ｎ
番目の素片の中心位置より半径２（ｒ＋ｄ）の円の軌道
上から、 素材内であり、かつ、 １番目からｎ−１番目までの既に決定された全ての素
片と重なることがなく、 他の何れかの素片と２（ｒ＋ｄ）の距離にある という条件が満たされる位置を次のｎ＋１番目の素片の
中心位置として決定し、これを新たな素片の位置を見つ
けられなくなるまで繰り返すことを特徴としている。
素片の打ち抜き位置決定方法は、平板状の素材から半径
ｒの円形素片を打ち抜く位置を決定する方法であって、
まず、前記素材の外周に一定の隙間をあけて内接し、か
つ、一定の間隔２ｄをあけて互いに外接するｎ個の素片
の中心位置を決定し、その後、最後に決定されたｎ番目
の素片に一定の隙間２ｄをあけて外接する位置からｎ＋
１番目の素片の打ち抜き中心位置を決定するために、ｎ
番目の素片の中心位置より半径２（ｒ＋ｄ）の円の軌道
上から、 素材内であり、かつ、 １番目からｎ−１番目までの既に決定された全ての素
片と重なることがなく、 他の何れかの素片と２（ｒ＋ｄ）の距離にある という条件が満たされる位置を次のｎ＋１番目の素片の
中心位置として決定し、これを新たな素片の位置を見つ
けられなくなるまで繰り返すことを特徴としている。
【０００８】そして、前記素片の中心位置を素材の中心
を原点とする極座標 [Ｌ(n),θ(n)]で表わし、前記ｎ番
目の素片と同芯円となる半径２（ｒ＋ｄ）の円軌道上か
らｎ＋１番目の素片の打ち抜き中心座標を決定するため
に、前記円軌道上の角度θ2の位置の座標 [Ｌx,θx]を
中心とする素片が、ｉ＝１〜ｎ−１の何れにおいても Ｌx 2 +[Ｌ(i)]2 −２Ｌx Ｌ(i) ｃｏｓ [θx −θ(n)]
＜２（ｒ＋ｄ) である場合に前記 １番目からｎ−１番目までの既に決定された全ての素
片と重なることがなく、 他の何れかの素片と２（ｒ＋ｄ）の距離にある という条件が満たされたことを判断し、この条件が満た
されないときには角度θ2 を進めて新たな位置座標 [Ｌ
x,θx]で前記条件を再検討し、前記角度θ2 が初期値か
ら２πを越えるまで（円軌道を一周するまで）これを繰
り返し、前記条件が満たされた場合には、ｎに１を加え
て、新たなｎ番目の素片の中心座標を、 Ｌ(n) ＝Ｌx θ(n) ＝θx として決定した後に、新たなｎ番目の素片の中心座標に
基づいて、次のｎ＋１番目の座標を求めるための上記方
法を繰り返す一方、前記条件を満たす位置を見いだすこ
とができなくなった場合に処理を終了するようにしても
よい。
を原点とする極座標 [Ｌ(n),θ(n)]で表わし、前記ｎ番
目の素片と同芯円となる半径２（ｒ＋ｄ）の円軌道上か
らｎ＋１番目の素片の打ち抜き中心座標を決定するため
に、前記円軌道上の角度θ2の位置の座標 [Ｌx,θx]を
中心とする素片が、ｉ＝１〜ｎ−１の何れにおいても Ｌx 2 +[Ｌ(i)]2 −２Ｌx Ｌ(i) ｃｏｓ [θx −θ(n)]
＜２（ｒ＋ｄ) である場合に前記 １番目からｎ−１番目までの既に決定された全ての素
片と重なることがなく、 他の何れかの素片と２（ｒ＋ｄ）の距離にある という条件が満たされたことを判断し、この条件が満た
されないときには角度θ2 を進めて新たな位置座標 [Ｌ
x,θx]で前記条件を再検討し、前記角度θ2 が初期値か
ら２πを越えるまで（円軌道を一周するまで）これを繰
り返し、前記条件が満たされた場合には、ｎに１を加え
て、新たなｎ番目の素片の中心座標を、 Ｌ(n) ＝Ｌx θ(n) ＝θx として決定した後に、新たなｎ番目の素片の中心座標に
基づいて、次のｎ＋１番目の座標を求めるための上記方
法を繰り返す一方、前記条件を満たす位置を見いだすこ
とができなくなった場合に処理を終了するようにしても
よい。
【０００９】また、素材が円形である場合には、前記素
材が半径Ｒの円形であって、素片の中心座標を、 Ｌ(n) ＝Ｒ−ｒ−２ｄ θ(n) ＝ｎθ0 ｛θ0 ＝２ｓｉｎ-1[(ｒ＋ｄ）／
（Ｒ−ｒ−２ｄ)]｝ として、ｎが１から（２π／θ0 ）を越えない最大整数
になるまで計算することにより、円形素材の外周に一定
の隙間２ｄをあけて内接し、かつ、一定の間隔２ｄをあ
けて互いに外接する素片の位置の座標を計算し、決定し
てもよい。
材が半径Ｒの円形であって、素片の中心座標を、 Ｌ(n) ＝Ｒ−ｒ−２ｄ θ(n) ＝ｎθ0 ｛θ0 ＝２ｓｉｎ-1[(ｒ＋ｄ）／
（Ｒ−ｒ−２ｄ)]｝ として、ｎが１から（２π／θ0 ）を越えない最大整数
になるまで計算することにより、円形素材の外周に一定
の隙間２ｄをあけて内接し、かつ、一定の間隔２ｄをあ
けて互いに外接する素片の位置の座標を計算し、決定し
てもよい。
【００１０】さらに、前記角度θ2 の増加分が２π／Ａ
であり、この分割数Ａの初期値を１０とし、前記２つの
条件が満たされる位置が発見されたときに、角度θ2 を
２π／Ａ戻すと共に分割数Ａを１０倍し、再び前記２つ
の条件が満たされる位置を捜し出し、これを繰り返すこ
とにより、徐々に位置精度を向上させるようにしてもよ
い。
であり、この分割数Ａの初期値を１０とし、前記２つの
条件が満たされる位置が発見されたときに、角度θ2 を
２π／Ａ戻すと共に分割数Ａを１０倍し、再び前記２つ
の条件が満たされる位置を捜し出し、これを繰り返すこ
とにより、徐々に位置精度を向上させるようにしてもよ
い。
【００１１】また、本発明の円形素片の打ち抜き装置
は、プログラム制御できるステッピングモータと、この
ステッピングモータによって平面視縦横方向に位置変更
可能な加工台と、素材から円形素片を打ち抜くための打
ち抜き機構と、素材の外周から素片を無駄な隙間なく打
ち抜くための位置を決定する打ち抜き位置決定装置と、
打ち抜き位置決定装置から入力された位置信号に応じて
加工台の位置および打ち抜き機構の駆動を制御して素材
から素片を打ち抜く動作を制御するコントローラとを備
えている。
は、プログラム制御できるステッピングモータと、この
ステッピングモータによって平面視縦横方向に位置変更
可能な加工台と、素材から円形素片を打ち抜くための打
ち抜き機構と、素材の外周から素片を無駄な隙間なく打
ち抜くための位置を決定する打ち抜き位置決定装置と、
打ち抜き位置決定装置から入力された位置信号に応じて
加工台の位置および打ち抜き機構の駆動を制御して素材
から素片を打ち抜く動作を制御するコントローラとを備
えている。
【００１２】本発明の円形素片の打ち抜き位置決定方法
によれば、素片の打ち抜き位置を素材の外周から順に一
定の隙間だけをあけて決定することができ、素材の無駄
を最小限に抑えることができる。
によれば、素片の打ち抜き位置を素材の外周から順に一
定の隙間だけをあけて決定することができ、素材の無駄
を最小限に抑えることができる。
【００１３】本発明の円形素片の打ち抜き装置によれ
ば、上述の円形素片の打ち抜き位置決定方法によって決
定された各素片の打ち抜き位置を打ち抜き位置決定装置
から入力し、入力された各素片の位置に従ってステッピ
ングモータおよび打ち抜き機構をプログラム制御して、
円形の各素材をその外周から無駄な隙間なく打ち抜くこ
とができる。
ば、上述の円形素片の打ち抜き位置決定方法によって決
定された各素片の打ち抜き位置を打ち抜き位置決定装置
から入力し、入力された各素片の位置に従ってステッピ
ングモータおよび打ち抜き機構をプログラム制御して、
円形の各素材をその外周から無駄な隙間なく打ち抜くこ
とができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１〜３は本発明の円形素片の打
ち抜き位置決定方法の一例を示すフローチャート、図４
〜６はこの位置決め方法によって素片の位置決定を行う
過程を示す図である。
ち抜き位置決定方法の一例を示すフローチャート、図４
〜６はこの位置決め方法によって素片の位置決定を行う
過程を示す図である。
【００１５】これらの図４〜６において、１は例えば半
径Ｒの円形素材であり、ここでは一例としてシリコンウ
ェハ、Ｃ1 〜Ｃ21はこのシリコンウェハ１から打ち抜か
れるシリコン素片（以下、このシリコン素片をチップ、
特定しないチップＣ1 〜Ｃ21をチップＣという）であ
る。
径Ｒの円形素材であり、ここでは一例としてシリコンウ
ェハ、Ｃ1 〜Ｃ21はこのシリコンウェハ１から打ち抜か
れるシリコン素片（以下、このシリコン素片をチップ、
特定しないチップＣ1 〜Ｃ21をチップＣという）であ
る。
【００１６】各チップＣの間およびシリコンウェハ１と
各チップＣの間には、例えば、隙間２ｄが存在してお
り、この隙間２ｄを設けることにより、各チップＣを正
確な円形となるように打ち抜くことができる。また、Ｏ
0 はウェハ１の中心であり、Ｏ1 〜Ｏ21はチップＣ1 〜
Ｃ21の中心（以下、特定しないチップＣの中心を単に中
心Ｏとする）である。そして、以下の説明における計算
式は、中心Ｏ0 を原点とした極座標 [Ｌ(n),θ(n)]によ
って表わされている。
各チップＣの間には、例えば、隙間２ｄが存在してお
り、この隙間２ｄを設けることにより、各チップＣを正
確な円形となるように打ち抜くことができる。また、Ｏ
0 はウェハ１の中心であり、Ｏ1 〜Ｏ21はチップＣ1 〜
Ｃ21の中心（以下、特定しないチップＣの中心を単に中
心Ｏとする）である。そして、以下の説明における計算
式は、中心Ｏ0 を原点とした極座標 [Ｌ(n),θ(n)]によ
って表わされている。
【００１７】以下に、シリコンウェハ１から、チップＣ
を最大個数の取れるようにチップＣの中心座標 [Ｌ(n),
θ(n)]を決定するアルゴリズムを図１〜３のフローチャ
ートおよび図４〜６を参照しながら説明する。
を最大個数の取れるようにチップＣの中心座標 [Ｌ(n),
θ(n)]を決定するアルゴリズムを図１〜３のフローチャ
ートおよび図４〜６を参照しながら説明する。
【００１８】まず、円形状であるウェハ１の外周に内接
するチップＣ1 〜Ｃ13の中心座標を決定するアルゴリズ
ムは図１に示されており、この図１のフローチャートに
示される処理を行うことにより、図４に示される１３個
のチップＣ1 〜Ｃ13の中心位置Ｏ1 〜Ｏ13が決定され
る。
するチップＣ1 〜Ｃ13の中心座標を決定するアルゴリズ
ムは図１に示されており、この図１のフローチャートに
示される処理を行うことにより、図４に示される１３個
のチップＣ1 〜Ｃ13の中心位置Ｏ1 〜Ｏ13が決定され
る。
【００１９】最初に、ウェハ１の半径Ｒ、チップＣの半
径ｒおよびチップＣ間およびウェハ１の外周とチップと
の間に必要とされる隙間２ｄが入力される（ステップＳ
１）。
径ｒおよびチップＣ間およびウェハ１の外周とチップと
の間に必要とされる隙間２ｄが入力される（ステップＳ
１）。
【００２０】θ0 はウェハ１の外周に隙間Ｄをあけて内
接するチップＣ1 〜Ｃ13のうちの隣接する２つのチップ
Ｃの中心Ｏを示す極座標の角度の差を示しており、この
θ0は、チップＣの中心Ｏ同士の距離２（ｒ＋ｄ）と、
各チップＣの中心Ｏの原点Ｏ0 からの距離Ｒ−ｒ−Ｄ
（本例では、前記隙間ＤをチップＣ間の隙間２ｄと同じ
にしているので、原点Ｏ0 からの距離はＲ−ｒ−２ｄと
なる）によって、以下の式１で表わされ、θ0 は式１に
従って計算される（ステップＳ２）。 θ0 ＝２ｓｉｎ-1〔（ｒ＋ｄ）／（Ｒ−ｒ−２ｄ）〕 …（１）
接するチップＣ1 〜Ｃ13のうちの隣接する２つのチップ
Ｃの中心Ｏを示す極座標の角度の差を示しており、この
θ0は、チップＣの中心Ｏ同士の距離２（ｒ＋ｄ）と、
各チップＣの中心Ｏの原点Ｏ0 からの距離Ｒ−ｒ−Ｄ
（本例では、前記隙間ＤをチップＣ間の隙間２ｄと同じ
にしているので、原点Ｏ0 からの距離はＲ−ｒ−２ｄと
なる）によって、以下の式１で表わされ、θ0 は式１に
従って計算される（ステップＳ２）。 θ0 ＝２ｓｉｎ-1〔（ｒ＋ｄ）／（Ｒ−ｒ−２ｄ）〕 …（１）
【００２１】次に、ウェハ１の外周に隙間２ｄをあけて
内接し、かつ、一定の間隔２ｄをあけて互いに外接する
チップＣの数ｎA を求めるために、２π／θ0 を計算す
る。つまり、ウェハ１の外周に隙間２ｄをあけて内接す
るチップＣの数ｎA は前記計算結果を越えない最大の整
数（本例ではｎA ＝１３）である（ステップＳ３）。
内接し、かつ、一定の間隔２ｄをあけて互いに外接する
チップＣの数ｎA を求めるために、２π／θ0 を計算す
る。つまり、ウェハ１の外周に隙間２ｄをあけて内接す
るチップＣの数ｎA は前記計算結果を越えない最大の整
数（本例ではｎA ＝１３）である（ステップＳ３）。
【００２２】以下の動作（ステップＳ５〜Ｓ８）は繰り
返し動作であり、繰り返す回数はカウンタｎによって数
えられている。また、このカウンタｎは、チップＣの番
号ともなっている。そこで、まず最初にカウンタｎに１
をセットする（ステップＳ４）。
返し動作であり、繰り返す回数はカウンタｎによって数
えられている。また、このカウンタｎは、チップＣの番
号ともなっている。そこで、まず最初にカウンタｎに１
をセットする（ステップＳ４）。
【００２３】ウェハ１の外周に内接するチップＣ1 〜Ｃ
13は何れも、ウェハ１の中心Ｏ0 から同距離の位置にあ
るため、チップＣ1 〜Ｃ13の中心Ｏ1 〜Ｏ13を示す極座
標の距離Ｌ(n) は何れもＲ−ｒ−２ｄによって表すこと
ができる（ステップＳ５）。
13は何れも、ウェハ１の中心Ｏ0 から同距離の位置にあ
るため、チップＣ1 〜Ｃ13の中心Ｏ1 〜Ｏ13を示す極座
標の距離Ｌ(n) は何れもＲ−ｒ−２ｄによって表すこと
ができる（ステップＳ５）。
【００２４】各チップＣ1 〜Ｃ13の中心Ｏ1 〜Ｏ13を示
す極座標の角度θ(n) は、上述した隣接する２つのチッ
プＣの中心Ｏを示す極座標の角度差θ0 を順に加えて行
けばよいのであるから、θ(n) ＝ｎθ0 によって表すこ
とができる（ステップＳ６）。
す極座標の角度θ(n) は、上述した隣接する２つのチッ
プＣの中心Ｏを示す極座標の角度差θ0 を順に加えて行
けばよいのであるから、θ(n) ＝ｎθ0 によって表すこ
とができる（ステップＳ６）。
【００２５】上記の座標の代入が終了すると、繰り返し
動作のカウンタｎが前記ウェハ１の外周に内接するチッ
プＣの数ｎA となっているかどうかが判断される（ステ
ップＳ７）。
動作のカウンタｎが前記ウェハ１の外周に内接するチッ
プＣの数ｎA となっているかどうかが判断される（ステ
ップＳ７）。
【００２６】そして、前記カウンタｎがｎA でない場合
（矢印Ｎの方向）には、ｎの値に１を加えてステップＳ
５に戻り（ステップＳ８）、上記の座標の代入動作をカ
ウンタｎがｎA になる（矢印Ｙの方向）まで上述の動作
（ステップＳ５〜Ｓ８）を繰り返す。
（矢印Ｎの方向）には、ｎの値に１を加えてステップＳ
５に戻り（ステップＳ８）、上記の座標の代入動作をカ
ウンタｎがｎA になる（矢印Ｙの方向）まで上述の動作
（ステップＳ５〜Ｓ８）を繰り返す。
【００２７】以上の動作によって、ウェハ１の外周に隙
間２ｄをあけて内接すると共に、互いに一定の間隔２ｄ
をあけて外接するチップＣの中心Ｏの位置をそれぞれ決
定できる。なお、本例では、ウェハ１の外周に１３個の
チップＣが内接するのでこの繰り返し処理が終了した時
点では、ｎ＝１３となっている。また、この数はウェハ
１の半径Ｒ、チップＣの半径ｒおよび各チップＣ間の隙
間２ｄによって変化するものであることは言うまでもな
い。
間２ｄをあけて内接すると共に、互いに一定の間隔２ｄ
をあけて外接するチップＣの中心Ｏの位置をそれぞれ決
定できる。なお、本例では、ウェハ１の外周に１３個の
チップＣが内接するのでこの繰り返し処理が終了した時
点では、ｎ＝１３となっている。また、この数はウェハ
１の半径Ｒ、チップＣの半径ｒおよび各チップＣ間の隙
間２ｄによって変化するものであることは言うまでもな
い。
【００２８】次に、図２のフローチャートと図５を参照
しながら、その後のチップＣ14〜Ｃ21の中心Ｏ14〜Ｏ21
の座標を決定する方法を説明する。ここで注目している
のは、ｎ番目（本例では、１３番目）のチップＣn の中
心Ｏn の座標 [Ｌ(n),θ(n)]である。このチップＣn と
同芯円上に半径が２（ｒ＋ｄ）である円軌道２を想定
し、この円軌道２上の一点の位置を計算の対象とするの
である。
しながら、その後のチップＣ14〜Ｃ21の中心Ｏ14〜Ｏ21
の座標を決定する方法を説明する。ここで注目している
のは、ｎ番目（本例では、１３番目）のチップＣn の中
心Ｏn の座標 [Ｌ(n),θ(n)]である。このチップＣn と
同芯円上に半径が２（ｒ＋ｄ）である円軌道２を想定
し、この円軌道２上の一点の位置を計算の対象とするの
である。
【００２９】そこでまず、チップＣn の中心Ｏn から見
た円軌道２上の角度θ2 にチップＣn の中心Ｏn を示す
極座標の角度θ(n) を初期値としてセットする（ステッ
プＳ９）。
た円軌道２上の角度θ2 にチップＣn の中心Ｏn を示す
極座標の角度θ(n) を初期値としてセットする（ステッ
プＳ９）。
【００３０】その後、順次θ2 を増加して、このθ2 が
示す円軌道２上の位置から次のチップＣn+1 の中心Ｏ
n+1 となる点を捜し出すのであるが、最初は前記円軌道
２を例えば１０分割し、円軌道２上の１０点において、
後述する条件式に適合するかどうかを判断するのであ
る。つまり、分割数Ａの初期値は１０である（ステップ
Ｓ１０）。なお、この分割数Ａの初期値は１０に限られ
るものではない。
示す円軌道２上の位置から次のチップＣn+1 の中心Ｏ
n+1 となる点を捜し出すのであるが、最初は前記円軌道
２を例えば１０分割し、円軌道２上の１０点において、
後述する条件式に適合するかどうかを判断するのであ
る。つまり、分割数Ａの初期値は１０である（ステップ
Ｓ１０）。なお、この分割数Ａの初期値は１０に限られ
るものではない。
【００３１】以下に続くステップＳ１２〜Ｓ２４は再び
繰り返し動作となる。そこで、まず、この繰り返し動作
の回数を監視するためのカウンタＮを０とする（ステッ
プＳ１１）。
繰り返し動作となる。そこで、まず、この繰り返し動作
の回数を監視するためのカウンタＮを０とする（ステッ
プＳ１１）。
【００３２】そして、次に、Ｎは１が加えられる（ステ
ップＳ１２）。
ップＳ１２）。
【００３３】そして、このＮが分割数Ａ以下の数である
かどうかを判断する。つまり、円軌道２上の分割数Ａに
よって分割した全ての点について考慮したかどうかを判
断する（ステップＳ１３）。
かどうかを判断する。つまり、円軌道２上の分割数Ａに
よって分割した全ての点について考慮したかどうかを判
断する（ステップＳ１３）。
【００３４】前記判断で、まだ全ての点を考慮していな
い場合（矢印Ｙの方向）には、前記角度θ2 が２π／Ａ
だけ進角される（ステップＳ１４）。
い場合（矢印Ｙの方向）には、前記角度θ2 が２π／Ａ
だけ進角される（ステップＳ１４）。
【００３５】そして、進角された角度θ2 に対応する円
軌道２上の点の原点Ｏ0 からの距離Ｌx が、中心Ｏn の
極座標（ｒ1 , θ1 ）＝ [Ｌ(n),θ(n)]と、円軌道２の
半径ｒ2 ＝２（ｒ＋ｄ）によって表される以下の式２に
より計算される（ステップＳ１５）。 Ｌx ＝√〔ｒ1 2 ＋ｒ2 2 ＋２ｒ1 ｒ2 ｃｏｓ（θ2 −θ1 ）〕 …（２）
軌道２上の点の原点Ｏ0 からの距離Ｌx が、中心Ｏn の
極座標（ｒ1 , θ1 ）＝ [Ｌ(n),θ(n)]と、円軌道２の
半径ｒ2 ＝２（ｒ＋ｄ）によって表される以下の式２に
より計算される（ステップＳ１５）。 Ｌx ＝√〔ｒ1 2 ＋ｒ2 2 ＋２ｒ1 ｒ2 ｃｏｓ（θ2 −θ1 ）〕 …（２）
【００３６】次いで、前記距離Ｌx とＲ−ｒ−２ｄとを
比較することにより、円軌道２上の角度θ2 の点を中心
とする半径ｒのチップＣが、隙間２ｄをあけて半径Ｒの
円形のウェハ１内に収まるかどうかを判断し、ウェハ１
内に納まらない場合（矢印Ｎの方向）には、前記ステッ
プＳ１２に戻る（ステップＳ１６）。
比較することにより、円軌道２上の角度θ2 の点を中心
とする半径ｒのチップＣが、隙間２ｄをあけて半径Ｒの
円形のウェハ１内に収まるかどうかを判断し、ウェハ１
内に納まらない場合（矢印Ｎの方向）には、前記ステッ
プＳ１２に戻る（ステップＳ１６）。
【００３７】前記距離Ｌx がウェハ１内に納まる場合
（矢印Ｙの方向）には、次に、円軌道２上の角度θ2 の
点の原点Ｏ0 から見た角度θx を以下の式３によって計
算する（ステップＳ１７）。 θx ＝ｔａｎ-1〔（ｒ1 ｃｏｓθ1 ＋ｒ2 ｃｏｓθ2 ） ／（ｒ1 ｓｉｎθ1 ＋ｒ2 ｃｏｓθ2 ）〕 …（３）
（矢印Ｙの方向）には、次に、円軌道２上の角度θ2 の
点の原点Ｏ0 から見た角度θx を以下の式３によって計
算する（ステップＳ１７）。 θx ＝ｔａｎ-1〔（ｒ1 ｃｏｓθ1 ＋ｒ2 ｃｏｓθ2 ） ／（ｒ1 ｓｉｎθ1 ＋ｒ2 ｃｏｓθ2 ）〕 …（３）
【００３８】図３に示す以下に続くステップＳ１９〜Ｓ
２２も繰り返し動作である。そこで、まず、カウンタｉ
を０にしている（ステップＳ１８）。
２２も繰り返し動作である。そこで、まず、カウンタｉ
を０にしている（ステップＳ１８）。
【００３９】そして、次に前記カウンタｉに１を加えて
いる（ステップＳ１９）。
いる（ステップＳ１９）。
【００４０】つまり、最初のカウンタｉは１から始ま
り、最後に決定されたｎ番目のチップｎの一つ前まで、
ｉ＝１〜ｎ−１の何れにおいても以下の条件が成立する
かどうかを検討する（矢印Ｎの方向）（ステップＳ２
０）。
り、最後に決定されたｎ番目のチップｎの一つ前まで、
ｉ＝１〜ｎ−１の何れにおいても以下の条件が成立する
かどうかを検討する（矢印Ｎの方向）（ステップＳ２
０）。
【００４１】すなわち、前記円軌道２上の一点 [座標
(Ｌx,θx)] から各チップＣi の中心Ｏi までの距離Ｄ
ＩＳが以下の式４によって計算される（ステップＳ２
１）。 ＤＩＳ＝Ｌx 2 +[Ｌ(i)]2 −２Ｌx Ｌ(i) ｃｏｓ [θx-θ(i)] …（４）
(Ｌx,θx)] から各チップＣi の中心Ｏi までの距離Ｄ
ＩＳが以下の式４によって計算される（ステップＳ２
１）。 ＤＩＳ＝Ｌx 2 +[Ｌ(i)]2 −２Ｌx Ｌ(i) ｃｏｓ [θx-θ(i)] …（４）
【００４２】そして、前記距離ＤＩＳはチップ同士が隙
間２ｄをあけて外接する距離２（ｒ＋ｄ）よりも近く、
仮に円軌道２上の一点 [座標 (Ｌx,θx)] にチップＣ
n+1 を置いた場合に、そのチップＣn+1 がチップＣi に
重なるものかどうかが判断される。そして、重なる場合
（矢印Ｙの方向）には、前記ステップＳ１２に戻る（ス
テップＳ２２）。
間２ｄをあけて外接する距離２（ｒ＋ｄ）よりも近く、
仮に円軌道２上の一点 [座標 (Ｌx,θx)] にチップＣ
n+1 を置いた場合に、そのチップＣn+1 がチップＣi に
重なるものかどうかが判断される。そして、重なる場合
（矢印Ｙの方向）には、前記ステップＳ１２に戻る（ス
テップＳ２２）。
【００４３】また、重ならない場合（矢印Ｎの方向）に
は、ステップＳ１９に戻ることにより、ｉに１を加え
て、前記判断を繰り返す。
は、ステップＳ１９に戻ることにより、ｉに１を加え
て、前記判断を繰り返す。
【００４４】つまり、座標 (Ｌx,θx)の位置にチップＣ
n+1 を置いた場合に、このチップＣn+1 が、既に決定さ
れた全てのチップＣ1 〜Ｃn-1 と重ならないことが判断
された場合にのみ、ステップＳ２０の矢印Ｙの方向に処
理を継続できる。そして、分割数Ａが例えば、１×１０
7 以上あるかどうかを判断している（ステップＳ２
３）。
n+1 を置いた場合に、このチップＣn+1 が、既に決定さ
れた全てのチップＣ1 〜Ｃn-1 と重ならないことが判断
された場合にのみ、ステップＳ２０の矢印Ｙの方向に処
理を継続できる。そして、分割数Ａが例えば、１×１０
7 以上あるかどうかを判断している（ステップＳ２
３）。
【００４５】もし、このステップＳ２３において分割数
Ａが十分に大きくないことが判断された場合（矢印Ｎの
方向）には、前記座標 (Ｌx,θx)の精度が十分でないの
で、分割数Ａを１０倍にすると共に、カウンタＮから１
を引いてから１０倍にして、ステップ１２に戻ることに
より、精度を向上している（ステップＳ２４）。なお、
この精度は分割数Ａを大きくすることにより向上させら
れることは言うまでもない。
Ａが十分に大きくないことが判断された場合（矢印Ｎの
方向）には、前記座標 (Ｌx,θx)の精度が十分でないの
で、分割数Ａを１０倍にすると共に、カウンタＮから１
を引いてから１０倍にして、ステップ１２に戻ることに
より、精度を向上している（ステップＳ２４）。なお、
この精度は分割数Ａを大きくすることにより向上させら
れることは言うまでもない。
【００４６】前記ステップＳ２３において、分割数Ａが
例えば、１×１０7 以上の場合（矢印Ｙの方向）には、
カウンタｎに１を加える（ステップＳ２５）。
例えば、１×１０7 以上の場合（矢印Ｙの方向）には、
カウンタｎに１を加える（ステップＳ２５）。
【００４７】その後、Ｌ(n) ＝Ｌx ，θ(n) ＝θx とし
て新たなチップＣn の位置を決定する。そして、新たな
チップＣn の位置が決定されたら、再びステップＳ９に
戻って、このチップＣn の位置を中心に上記のステップ
Ｓ１１〜Ｓ２６の処理を繰り返して、続くｎ＋１番目の
チップＣn+1 の位置を捜し出す（ステップＳ２６）。
て新たなチップＣn の位置を決定する。そして、新たな
チップＣn の位置が決定されたら、再びステップＳ９に
戻って、このチップＣn の位置を中心に上記のステップ
Ｓ１１〜Ｓ２６の処理を繰り返して、続くｎ＋１番目の
チップＣn+1 の位置を捜し出す（ステップＳ２６）。
【００４８】前記ステップＳ１３において、カウンタＮ
が分割数Ａを越えた場合（矢印Ｎの方向）には、θ2 は
初期値θ(n) から２πを越えたことになる。すなわち、
円軌道２上を１周分検討したにもかかわらず、次のチッ
プＣn+1 を置くべき適切な場所を見つけ出すことができ
なかったことになる。
が分割数Ａを越えた場合（矢印Ｎの方向）には、θ2 は
初期値θ(n) から２πを越えたことになる。すなわち、
円軌道２上を１周分検討したにもかかわらず、次のチッ
プＣn+1 を置くべき適切な場所を見つけ出すことができ
なかったことになる。
【００４９】ところが、このときに分割数Ａが少ない場
合には、あるはずのチップＣn+1 を置くべき適切な位置
を見逃してしまう可能性がある。そこで、分割数Ａがあ
る程度の大きさを有していることを確認する必要があ
る。ここでは、例えば分割数Ａが１０００以上であるか
どうかを判断し、１０００以下である場合（矢印Ｎの方
向）には、Ａを１０倍にして精度を上げて、ステップＳ
１１から処理を再開する（ステップＳ２８）。
合には、あるはずのチップＣn+1 を置くべき適切な位置
を見逃してしまう可能性がある。そこで、分割数Ａがあ
る程度の大きさを有していることを確認する必要があ
る。ここでは、例えば分割数Ａが１０００以上であるか
どうかを判断し、１０００以下である場合（矢印Ｎの方
向）には、Ａを１０倍にして精度を上げて、ステップＳ
１１から処理を再開する（ステップＳ２８）。
【００５０】また、１０００以上である場合（矢印Ｙの
方向）には、次のチップＣn+1 を置くべき適切な位置は
ないと判断して、新たなチップＣn+1 を置くべき位置を
捜し出す処理を終了し、これまでに得られたチップＣ1
〜Ｃ21の位置を円形素片の打ち抜き装置に出力する（ス
テップＳ２９）。
方向）には、次のチップＣn+1 を置くべき適切な位置は
ないと判断して、新たなチップＣn+1 を置くべき位置を
捜し出す処理を終了し、これまでに得られたチップＣ1
〜Ｃ21の位置を円形素片の打ち抜き装置に出力する（ス
テップＳ２９）。
【００５１】本例では、図６に示すように、合計２１個
のチップＣ1 〜Ｃ21までを見つけ出すことができる。こ
れは、図９、１０に示す従来例の何れの場合よりも多い
数である。
のチップＣ1 〜Ｃ21までを見つけ出すことができる。こ
れは、図９、１０に示す従来例の何れの場合よりも多い
数である。
【００５２】下記の表１は、ウェハ１の半径Ｒとチップ
Ｃの半径ｒの比Ｒ／ｒを様々に変化させたときに、本発
明の円形素片の打ち抜き位置決定方法で取れるチップＣ
の数と、従来のハニカム状に配置させる方法で取れるチ
ップＣの数とを比較している。
Ｃの半径ｒの比Ｒ／ｒを様々に変化させたときに、本発
明の円形素片の打ち抜き位置決定方法で取れるチップＣ
の数と、従来のハニカム状に配置させる方法で取れるチ
ップＣの数とを比較している。
【００５３】
【表１】
【００５４】表１を見ても明らかなように、本発明の方
法によると、従来のハニカム状に並べる方法よりも多く
のチップＣを取り出すことが可能となる。したがって、
特に高価なウェハ１のような素材から、円形の素片を切
り出す場合には、歩留りがよく、それだけ製造コストが
低減できる。
法によると、従来のハニカム状に並べる方法よりも多く
のチップＣを取り出すことが可能となる。したがって、
特に高価なウェハ１のような素材から、円形の素片を切
り出す場合には、歩留りがよく、それだけ製造コストが
低減できる。
【００５５】なお、上記の例では、チップＣの位置を決
定するために、ウェハ１の中心Ｏ0を原点とする極座標
で表し、計算する例を挙げているのであるが、本発明は
これに限られるものではなく、ＸＹ座標を用いてもよい
ことは言うまでもない。
定するために、ウェハ１の中心Ｏ0を原点とする極座標
で表し、計算する例を挙げているのであるが、本発明は
これに限られるものではなく、ＸＹ座標を用いてもよい
ことは言うまでもない。
【００５６】また、ウェハ１の形状も、円形に限られる
ものではなく、例えば、図７に示すような折りフラ付き
のウェハ１や多角形のウェハ１であっても、ウェハ１の
外周に一定の隙間をあけて内接し、かつ、一定の間隔２
ｄをあけて互いに外接するｎ個の素片の中心位置を決定
するアルゴリズムを変更するだけでよく、以下の処理は
上記と同様に処理すればよい。
ものではなく、例えば、図７に示すような折りフラ付き
のウェハ１や多角形のウェハ１であっても、ウェハ１の
外周に一定の隙間をあけて内接し、かつ、一定の間隔２
ｄをあけて互いに外接するｎ個の素片の中心位置を決定
するアルゴリズムを変更するだけでよく、以下の処理は
上記と同様に処理すればよい。
【００５７】図８は本発明の円形素片の打ち抜き装置を
示すブロック図である。この図８において、１０は上述
の円形素片の打ち抜き位置決定方法を実行するためのパ
ーソナルコンピュータからなる打ち抜き位置決定装置、
１１はこの位置決定装置１０からの位置信号によって、
シリコーンウェハ１（図４〜６に図示）上の任意の位置
からチップＣを打ち抜くための円形素片の打ち抜き装
置、１２は位置決定装置１０からの位置信号と打ち抜き
装置１１との間を接続するための信号ケーブルである。
示すブロック図である。この図８において、１０は上述
の円形素片の打ち抜き位置決定方法を実行するためのパ
ーソナルコンピュータからなる打ち抜き位置決定装置、
１１はこの位置決定装置１０からの位置信号によって、
シリコーンウェハ１（図４〜６に図示）上の任意の位置
からチップＣを打ち抜くための円形素片の打ち抜き装
置、１２は位置決定装置１０からの位置信号と打ち抜き
装置１１との間を接続するための信号ケーブルである。
【００５８】前記打ち抜き装置１１は、各部を制御する
ステッピングモータコントローラ１３（以下、コントロ
ーラという）、前記信号ケーブル１２からの位置信号に
従ってモータドライバ１４を介してコントローラ１３に
よって駆動制御されるステッピングモータ１５、加工圧
制御部１６を介して加工台１７の加工圧を制御する油圧
機構１８、加工台１７の位置を検出するリニアゲージセ
ンサ１９、このリニアゲージセンサ１９の出力に従って
コントローラ１３にフィードバックするデジタルゲージ
コンパレータ２０、および、ウェハ１を打ち抜くための
ホーン２１に超音波を発振するための発振器振動子２２
とからなっている。また、前記加工圧制御部１６と、油
圧機構１８と、ホーン２１と、発振器振動子２２とによ
ってウェハ１の打ち抜き機構２３が構成される。
ステッピングモータコントローラ１３（以下、コントロ
ーラという）、前記信号ケーブル１２からの位置信号に
従ってモータドライバ１４を介してコントローラ１３に
よって駆動制御されるステッピングモータ１５、加工圧
制御部１６を介して加工台１７の加工圧を制御する油圧
機構１８、加工台１７の位置を検出するリニアゲージセ
ンサ１９、このリニアゲージセンサ１９の出力に従って
コントローラ１３にフィードバックするデジタルゲージ
コンパレータ２０、および、ウェハ１を打ち抜くための
ホーン２１に超音波を発振するための発振器振動子２２
とからなっている。また、前記加工圧制御部１６と、油
圧機構１８と、ホーン２１と、発振器振動子２２とによ
ってウェハ１の打ち抜き機構２３が構成される。
【００５９】すなわち、ステッピングモータ１５はコン
トローラ１３によって、プログラム制御されており、加
工台１７はステッピングモータ１５によって平面視縦横
方向に位置変更される。従って、コントローラ１３が位
置決定装置１０からの位置信号に応じて加工台１７の位
置および打ち抜き機構２３の動作を制御することによ
り、円形のチップＣ（図４〜６参照）をウェハ１の外周
から無駄なく正確に打ち抜くことが可能となり、半導体
チップＣの生産コストを最小限に抑えることができる。
トローラ１３によって、プログラム制御されており、加
工台１７はステッピングモータ１５によって平面視縦横
方向に位置変更される。従って、コントローラ１３が位
置決定装置１０からの位置信号に応じて加工台１７の位
置および打ち抜き機構２３の動作を制御することによ
り、円形のチップＣ（図４〜６参照）をウェハ１の外周
から無駄なく正確に打ち抜くことが可能となり、半導体
チップＣの生産コストを最小限に抑えることができる。
【００６０】なお、本例では位置決定装置１０を打ち抜
き装置１１と別体にし、両者１０，１１を信号ケーブル
１２によって接続することによって、ウェハ１の大きさ
Ｒ、チップＣの大きさｒ、隙間２ｄの幅を遠隔制御でき
るが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、
打ち抜き装置１１内に位置決定装置１０を設けて、加工
台１７に載置された段階で、チップＣの打ち抜き位置を
決定し、登録できるようにしてもよい。
き装置１１と別体にし、両者１０，１１を信号ケーブル
１２によって接続することによって、ウェハ１の大きさ
Ｒ、チップＣの大きさｒ、隙間２ｄの幅を遠隔制御でき
るが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、
打ち抜き装置１１内に位置決定装置１０を設けて、加工
台１７に載置された段階で、チップＣの打ち抜き位置を
決定し、登録できるようにしてもよい。
【００６１】また、上記各例では円形素片として半導体
チップＣ、素材としてシリコーンウェハ１を例に挙げて
いるのであるが、本発明はこれに限定されるものではな
く、円形のみならず、楕円形や多角形などの様々な形状
に適用できることは言うまでもない。
チップＣ、素材としてシリコーンウェハ１を例に挙げて
いるのであるが、本発明はこれに限定されるものではな
く、円形のみならず、楕円形や多角形などの様々な形状
に適用できることは言うまでもない。
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
平板状の素材の外周に内接する外側の位置から順に、一
定間隔２ｄ以上の隙間を埋めるように素片の打ち抜き位
置の中心座標を決定するので、素材の無駄スペースを最
小限に抑えることができ、歩留りを大幅に向上できる。
平板状の素材の外周に内接する外側の位置から順に、一
定間隔２ｄ以上の隙間を埋めるように素片の打ち抜き位
置の中心座標を決定するので、素材の無駄スペースを最
小限に抑えることができ、歩留りを大幅に向上できる。
【００６３】また、素材が円形である場合には、素片の
中心位置を素材の中心を原点とする極座標 [Ｌ(n),θ
(n)]で表わすことにより、計算をより簡素にすることが
でき、円形素片の打ち抜き位置決定方法による位置決定
の高速化を達成できる。
中心位置を素材の中心を原点とする極座標 [Ｌ(n),θ
(n)]で表わすことにより、計算をより簡素にすることが
でき、円形素片の打ち抜き位置決定方法による位置決定
の高速化を達成できる。
【００６４】加えて、新たな素片の位置を決定する精度
を徐々に向上させるようにすることにより、高精度であ
りながら高速に各素片の位置を決定できる。
を徐々に向上させるようにすることにより、高精度であ
りながら高速に各素片の位置を決定できる。
【００６５】本発明の円形素片の打ち抜き装置によれ
ば、上述の円形素片の打ち抜き位置決定方法によって決
定された各素片の打ち抜き位置を打ち抜き位置決定装置
から入力し、入力された各素片の位置に従ってステッピ
ングモータおよび打ち抜き機構をプログラム制御して、
円形の各素材をその外周から無駄な隙間なく打ち抜くこ
とができる。したがって、素材の歩留りがよく、それだ
け素片の製造コストを低減できる。
ば、上述の円形素片の打ち抜き位置決定方法によって決
定された各素片の打ち抜き位置を打ち抜き位置決定装置
から入力し、入力された各素片の位置に従ってステッピ
ングモータおよび打ち抜き機構をプログラム制御して、
円形の各素材をその外周から無駄な隙間なく打ち抜くこ
とができる。したがって、素材の歩留りがよく、それだ
け素片の製造コストを低減できる。
【図１】本発明の円形素片の打ち抜き位置決定方法の一
例を示すフローチャートの一部である。
例を示すフローチャートの一部である。
【図２】図１に続くフローチャートである。
【図３】図２に続くフローチャートである。
【図４】図１のフローチャートに示す処理を実行すると
きの内部動作を説明するための図である。
きの内部動作を説明するための図である。
【図５】図２，３のフローチャートに示す処理を実行す
るときの内部動作を説明するための図である。
るときの内部動作を説明するための図である。
【図６】本発明の円形素片の打ち抜き位置決定方法によ
って決定される素片の位置を示す説明図である。
って決定される素片の位置を示す説明図である。
【図７】素材の形状が異なる例を示す説明図である。
【図８】本発明の円形素片の打ち抜き装置の構成を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図９】従来の方法による円形素片の位置決定状態を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１０】従来の別の方法による円形素片の位置決定状
態を示す説明図である。
態を示す説明図である。
１…素材、２…円軌道、１０…打ち抜き位置決定装置、
１１…円形素片の打ち抜き装置、１３…コントローラ、
１５…ステッピングモータ、１７…加工台、２３…打ち
抜き機構、Ｃ1 〜Ｃ21…素片。
１１…円形素片の打ち抜き装置、１３…コントローラ、
１５…ステッピングモータ、１７…加工台、２３…打ち
抜き機構、Ｃ1 〜Ｃ21…素片。
Claims (5)
- 【請求項１】 平板状の素材から半径ｒの円形素片を打
ち抜く位置を決定する方法であって、まず、前記素材の
外周に一定の隙間をあけて内接し、かつ、一定の間隔２
ｄをあけて互いに外接するｎ個の素片の中心位置を決定
し、 その後、最後に決定されたｎ番目の素片に一定の隙間２
ｄをあけて外接する位置からｎ＋１番目の素片の打ち抜
き中心位置を決定するために、ｎ番目の素片の中心位置
より半径２（ｒ＋ｄ）の円の軌道上から、 素材内であり、かつ、 １番目からｎ−１番目までの既に決定された全ての素片
と重なることがなく、 他の何れかの素片と２（ｒ＋ｄ）の距離にあるという条
件が満たされる位置を次のｎ＋１番目の素片の中心位置
として決定し、これを新たな素片の位置を見つけられな
くなるまで繰り返すことを特徴とする円形素片の打ち抜
き位置決定方法。 - 【請求項２】 前記素片の中心位置を素材の中心を原点
とする極座標 [Ｌ(n),θ(n)]で表わし、前記ｎ番目の素
片と同芯円となる半径２（ｒ＋ｄ）の円軌道上からｎ＋
１番目の素片の打ち抜き中心座標を決定するために、前
記円軌道上の角度θ2 の位置の座標 [Ｌx,θx]を中心と
する素片が、ｉ＝１〜ｎ−１の何れにおいても Ｌx 2 +[Ｌ(i)]2 −２Ｌx Ｌ(i) ｃｏｓ [θx −θ(n)]
＜２（ｒ＋ｄ) である場合に前記１番目からｎ−１番目までの既に決定
された全ての素片と重なることがなく、他の何れかの素
片と２（ｒ＋ｄ）の距離にあるという条件が満たされた
ことを判断し、この条件が満たされないときには角度θ
2 を進めて新たな位置座標 [Ｌx,θx]で前記条件を再検
討し、前記角度θ2 が初期値から２πを越えるまで（円
軌道を一周するまで）これを繰り返し、前記条件が満た
された場合には、ｎに１を加えて、新たなｎ番目の素片
の中心座標を、 Ｌ(n) ＝Ｌx θ(n) ＝θx として決定した後に、新たなｎ番目の素片の中心座標に
基づいて、次のｎ＋１番目の座標を求めるための上記方
法を繰り返す一方、 前記条件を満たす位置を見いだすことができなくなった
場合に処理を終了する請求項１に記載の円形素片の打ち
抜き位置決定方法。 - 【請求項３】 前記素材が半径Ｒの円形であって、素片
の中心座標を、 Ｌ(n) ＝Ｒ−ｒ−２ｄ θ(n) ＝ｎθ0 ｛θ0 ＝２ｓｉｎ-1[(ｒ＋ｄ）／
（Ｒ−ｒ−２ｄ)]｝ として、ｎが１から（２π／θ0 ）を越えない最大整数
になるまで計算することにより、円形素材の外周に一定
の隙間２ｄをあけて内接し、かつ、一定の間隔２ｄをあ
けて互いに外接する素片の位置の座標を計算し、決定す
ることを特徴とする請求項２に記載の円形素片の打ち抜
き位置決定方法。 - 【請求項４】 前記角度θ2 の増加分が２π／Ａであ
り、この分割数Ａの初期値を１０とし、前記２つの条件
が満たされる位置が発見されたときに、角度θ2 を２π
／Ａ戻すと共に分割数Ａを１０倍し、再び前記２つの条
件が満たされる位置を捜し出し、これを繰り返すことに
より、徐々に位置精度を向上させることを特徴とする請
求項２または３に記載の円形素片の打ち抜き位置決定方
法。 - 【請求項５】 プログラム制御されるステッピングモー
タと、このステッピングモータによって平面視縦横方向
に位置変更可能な加工台と、平板状の素材から円形素片
を打ち抜くための打ち抜き機構と、前記素材の外周から
素片を無駄な隙間なく打ち抜くための位置を決定する打
ち抜き位置決定装置と、この打ち抜き位置決定装置から
入力された位置信号に応じて加工台の位置および打ち抜
き機構の駆動を制御して素材から素片を打ち抜く動作を
制御するコントローラとを備えたことを特徴とする円形
素片の打ち抜き装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7269485A JPH0985684A (ja) | 1995-09-23 | 1995-09-23 | 円形素片の打ち抜き位置決定方法と円形素片の打ち抜き装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7269485A JPH0985684A (ja) | 1995-09-23 | 1995-09-23 | 円形素片の打ち抜き位置決定方法と円形素片の打ち抜き装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0985684A true JPH0985684A (ja) | 1997-03-31 |
Family
ID=17473104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7269485A Pending JPH0985684A (ja) | 1995-09-23 | 1995-09-23 | 円形素片の打ち抜き位置決定方法と円形素片の打ち抜き装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0985684A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6312089B1 (en) | 1997-07-08 | 2001-11-06 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Ink jet recorder |
| JP2009267295A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Toppan Printing Co Ltd | シリコン基板の製造方法 |
| CN107891469A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-04-10 | 宁波杭州湾新区双林汽车部件有限公司 | 汽车发动机舱密封件自动裁切机 |
| CN109702357A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-05-03 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种激光加工圆片方法及系统 |
-
1995
- 1995-09-23 JP JP7269485A patent/JPH0985684A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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