JPH0982928A - Master slice integrated circuit - Google Patents

Master slice integrated circuit

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JPH0982928A
JPH0982928A JP7238014A JP23801495A JPH0982928A JP H0982928 A JPH0982928 A JP H0982928A JP 7238014 A JP7238014 A JP 7238014A JP 23801495 A JP23801495 A JP 23801495A JP H0982928 A JPH0982928 A JP H0982928A
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JP
Japan
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basic
resistance element
integrated circuit
oscillator
pad
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JP7238014A
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Japanese (ja)
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Tomoaki Isozaki
智明 磯崎
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve flexibility of an external terminal connecting position of a mounted circuit including resistance elements, in a master slice integrated circuit containing the resistance elements. SOLUTION: A gate array base board is constituted of a basic cell array 1 which is a regular arrangement of basic cells 11, pads 2 with resistance elements 5 buried in lower regions, a basic I/O buffer cell array 3 which is constituted by arranging basic I/O buffer cells 31 on a ring, and corner blocks 4. A mounted circuit is constituted of the basic cell 11, the pad 2, the basic I/O buffer cell 31, and a resistance element 5 buried in a lower region of the pad which is not connected with an external terminal.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はマスタスライス集積
回路に関し、特に抵抗素子を内蔵するマスタスライス集
積回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a master slice integrated circuit, and more particularly to a master slice integrated circuit incorporating a resistance element.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、CMOS半導体集積回路におい
て、論理ゲートおよび順次論理素子以外に、抵抗素子ま
たは容量素子から構成される回路も用いられてきた。た
とえば、図3はCMOS回路で構成された発振器回路を
示す回路図である。また、図4は、図3の抵抗素子の実
現手段例を示す説明図である。図4(A)が拡散層を用
いた抵抗素子を示す説明図であり、図4(B)がチャネ
ル長の非常に大きいN型MOSトランジスタを用いた抵
抗素子を示す説明図である。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a CMOS semiconductor integrated circuit, a circuit including a resistance element or a capacitance element has been used in addition to a logic gate and a sequential logic element. For example, FIG. 3 is a circuit diagram showing an oscillator circuit composed of a CMOS circuit. Further, FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of a means for realizing the resistance element of FIG. FIG. 4A is an explanatory view showing a resistance element using a diffusion layer, and FIG. 4B is an explanatory view showing a resistance element using an N-type MOS transistor having an extremely large channel length.

【0003】図3を参照すると、この発振器回路は、増
幅器として使われるインバータ6,フィードバック抵抗
5,外部端子81〜82を介して接続される水晶発振子
9とから構成されている。この場合、インバータ6およ
びフィードバック抵抗5を接続する配線51〜52や外
部端子までの配線71〜72を出来るだけ短くすること
が望ましい。これらの配線が長くなると配線部のインダ
クタンスや浮遊容量のため、発振特性が悪くなるためで
ある。
Referring to FIG. 3, this oscillator circuit comprises an inverter 6 used as an amplifier, a feedback resistor 5, and a crystal oscillator 9 connected via external terminals 81 to 82. In this case, it is desirable to make the wirings 51 to 52 connecting the inverter 6 and the feedback resistor 5 and the wirings 71 to 72 to the external terminals as short as possible. This is because if these wirings become long, the oscillation characteristics deteriorate due to the inductance and stray capacitance of the wiring portion.

【0004】しかしながら、ゲートアレイ(Gate
Array)のようなマスタスライス(Master
Slice)方式の集積回路は、トランジスタサイズが
固定の基本セルをアレイ状に並べた内部構造となってい
る。また、この基本セルは通常の論理ゲートを設計する
ためのものであり、動作速度や消費電力の観点から、そ
こで使用されるトランジスタのチャネル長Lは製造可能
な範囲で最小の値とし、また、拡散層の抵抗成分も出来
るだけ付かないように設計されている。この基本セルを
用いて図4(A)または(B)の抵抗素子を実現しよう
とすると、数多い基本セルを用いないと実現できず、そ
の結果基本セルを結ぶ配線が非常に長くなり、インダク
タンス成分や容量成分が増加して発振器用などの抵抗素
子としては適さなくなる。そのため、発振器用などの抵
抗素子をチップのコーナ部に専用の抵抗素子として配置
していた。
However, the gate array (Gate)
Master slice (Master) such as Array
The Slice) integrated circuit has an internal structure in which basic cells having a fixed transistor size are arranged in an array. Further, this basic cell is for designing an ordinary logic gate, and from the viewpoint of operating speed and power consumption, the channel length L of the transistor used therein is set to the minimum value in the manufacturable range, and It is designed so that the resistance component of the diffusion layer is not attached as much as possible. When attempting to realize the resistance element of FIG. 4A or 4B using this basic cell, it cannot be realized without using many basic cells, and as a result, the wiring connecting the basic cells becomes very long and the inductance component And the capacitance component increases, and it becomes unsuitable as a resistance element for an oscillator. Therefore, a resistance element for an oscillator or the like is arranged as a dedicated resistance element in the corner portion of the chip.

【0005】図5は、従来のマスタスライス集積回路で
あるゲートアレイの基盤構造を示すレイアウト図であ
る。図5を参照すると、従来のゲートアレイは、上述し
た基本セル11が規則的に並んでいる基本セルアレイ
1,パッド2,基本I/Oバッファセル31をリング上
に並べて構成される基本I/Oバッファセルアレイ3,
コーナブロック4とから構成されている。
FIG. 5 is a layout diagram showing a basic structure of a gate array which is a conventional master slice integrated circuit. Referring to FIG. 5, a conventional gate array is a basic I / O configured by arranging a basic cell array 1, a pad 2, and a basic I / O buffer cell 31 in which the basic cells 11 are regularly arranged on a ring. Buffer cell array 3,
The corner block 4 is included.

【0006】ゲートアレイにおいては、これらの基本セ
ルアレイ1および基本I/Oバッファセルアレイ3の部
分はそれぞれの製品によらず共通にしておき、この上に
ファンクションブロックと呼ばれるものを配置して、両
者のデータが組み合わされて各製品ごとの所望の機能を
実現する。レイアウトデータからみると、基本セルアレ
イ1および基本I/Oバッファセルアレイ3の部分のデ
ータは、主としてメタライズ工程の手前の工程までのデ
ータから構成され、その上にのせるファンクションブロ
ックのデータはメタライズ工程以降のデータを有してい
る。これらのファンクションブロック間の接続もメタラ
イズ工程で行い、自動レイアウト手法によりこのデータ
を発生させる。
In the gate array, the portions of the basic cell array 1 and the basic I / O buffer cell array 3 are common regardless of the respective products, and what is called a function block is arranged on the common cell array 1 and the basic I / O buffer cell array 3, and both are arranged. The data is combined to achieve the desired function for each product. From the viewpoint of layout data, the data of the basic cell array 1 and the basic I / O buffer cell array 3 is mainly composed of the data up to the step before the metallizing step, and the data of the function block placed on the data is after the metallizing step. Has the data of. The connection between these function blocks is also made in the metallization process, and this data is generated by the automatic layout method.

【0007】また、コーナブロック4は、基本I/Oバ
ッファセルアレイ3のコーナ部に配置され、この中に抵
抗素子5が作られている。このコーナブロック4の領域
は、基本セルアレイ1とは異なり、このエリアを使用し
て論理回路を作らないため、トランジスタサイズを自由
に設計できる。従って、図4で示したどちらの抵抗素子
の構造も実現できる。また、内部の基本セルを用いるの
に比べインダクタンスや浮遊容量も低減させることがで
きる。
The corner block 4 is arranged in the corner portion of the basic I / O buffer cell array 3, and the resistance element 5 is formed therein. Unlike the basic cell array 1, the area of the corner block 4 does not use this area to form a logic circuit, so that the transistor size can be freely designed. Therefore, the structure of either resistance element shown in FIG. 4 can be realized. Further, the inductance and the stray capacitance can be reduced as compared with the case where the internal basic cell is used.

【0008】図6は、図5に示した従来構造のゲートア
レイによる発振器回路の搭載例を示すレイアウト図であ
る。図6を参照すると、発振器回路は、インバータ用フ
ァンクションブロック6,抵抗素子5,発振器用I/O
バッファブロック7,水晶発振子を接続するマスタスラ
イス集積回路の外部端子81,82に接続されるパッド
21,22とから構成されている。また、パッド21,
22は、発振器用I/Oバッファブロック7を介して、
インバータ用ファンクションブロック6および抵抗素子
5に接続されている。
FIG. 6 is a layout diagram showing an example of mounting an oscillator circuit by the gate array having the conventional structure shown in FIG. Referring to FIG. 6, the oscillator circuit includes an inverter function block 6, a resistor element 5, and an oscillator I / O.
It comprises a buffer block 7 and pads 21 and 22 connected to external terminals 81 and 82 of a master slice integrated circuit for connecting a crystal oscillator. In addition, the pad 21,
22 is via the oscillator I / O buffer block 7,
It is connected to the inverter function block 6 and the resistance element 5.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来構造のゲートアレイでは、発振器の外部端子に接続さ
れるパッドの位置がコーナ部から離れている場合、パッ
ドからコーナ部のフィードバック抵抗までの配線が長く
なり、その配線容量とインダクタンスにより発振器とし
ての特性が変化してしまう。それを避けるため、発振器
として使用可能なパッドの位置をコーナに近い位置に限
定する必要があり、発振器の外部端子接続位置も制限を
受けるという問題があった。
However, in the gate array of this conventional structure, when the position of the pad connected to the external terminal of the oscillator is away from the corner portion, the wiring from the pad to the feedback resistance of the corner portion is provided. The length becomes longer, and the characteristics of the oscillator change due to the wiring capacitance and inductance. In order to avoid this, it is necessary to limit the position of the pad that can be used as an oscillator to a position close to the corner, and there is a problem that the external terminal connection position of the oscillator is also limited.

【0010】したがって、本発明が解決しようとする課
題は、抵抗素子を内蔵するマスタスライス集積回路にお
いて、抵抗素子を含む搭載回路の外部端子接続位置のフ
レキシビリティを向上させることにある。
Therefore, the problem to be solved by the present invention is to improve the flexibility of the external terminal connection position of the mounted circuit including the resistance element in the master slice integrated circuit having the resistance element built therein.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】そのため、本発明は、基
本セルからなるアレイと、外部端子に対応して配置され
るパッドおよび基本I/Oバッファセルからなるアレイ
とを有するマスタスライス集積回路において、前記パッ
ドの下の領域に抵抗素子が埋め込まれている。
Therefore, the present invention provides a master slice integrated circuit having an array of basic cells and an array of pads arranged corresponding to external terminals and basic I / O buffer cells. A resistance element is embedded in a region below the pad.

【0012】さらに、搭載される回路は、前記基本セル
と、前記パッドおよび基本I/Oバッファセルと、前記
外部端子に接続されないパッドの下の領域に埋め込まれ
ている抵抗素子とから構成されている。
Further, the mounted circuit is composed of the basic cell, the pad and the basic I / O buffer cell, and a resistance element embedded in a region below the pad which is not connected to the external terminal. There is.

【0013】たとえば、搭載される回路が発振器回路で
ある場合、前記基本セルからなる増幅器と、前記基本I
/Oバッファセルからなる発振器用I/Oバッファブロ
ックと、前記外部端子に接続されないパッドの下の領域
に埋め込まれている抵抗素子からなるフィードバック抵
抗素子とから構成されている。
For example, when the mounted circuit is an oscillator circuit, an amplifier including the basic cell and the basic I
The oscillator I / O buffer block is composed of a / O buffer cell, and a feedback resistance element composed of a resistance element embedded in a region below the pad that is not connected to the external terminal.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0015】図1は、本発明のマスタスライス集積回路
であるゲートアレイの1実施形態を示すレイアウト図で
ある。図1を参照すると、この実施形態のゲートアレイ
は、基本セル11が規則的に並んでいる基本セルアレイ
1,抵抗素子5が下の領域に埋め込まれているパッド
2,基本I/Oバッファセル31をリング上に並べて構
成される基本I/Oバッファセルアレイ3,コーナブロ
ック4とから構成されている。このコーナブロック4の
中には抵抗素子は含まれていない。
FIG. 1 is a layout diagram showing one embodiment of a gate array which is a master slice integrated circuit of the present invention. Referring to FIG. 1, the gate array of this embodiment has a basic cell array 1 in which basic cells 11 are regularly arranged, a pad 2 in which a resistance element 5 is embedded in a region below, and a basic I / O buffer cell 31. Of the basic I / O buffer cell array 3 and the corner block 4. The corner block 4 does not include a resistance element.

【0016】図2は、図1に示すゲートアレイ基盤構造
による発振器回路の搭載例を示すレイアウト図である。
図2では説明を簡略化するため、発振器を1個のみ搭載
しているとして説明するが、実際には他の基本セルアレ
イ1の部分に通常の論理回路を実現するためのファンク
ションブロックが配置される。また、抵抗素子5はパッ
ド20の下の領域にしか記載されていないが、実際には
図1に示すように全パッドの下の領域に存在するが、図
2では表記を省略している。
FIG. 2 is a layout diagram showing an example of mounting an oscillator circuit having the gate array substrate structure shown in FIG.
Although only one oscillator is mounted in FIG. 2 for the sake of simplification of description, a function block for realizing a normal logic circuit is actually arranged in another basic cell array 1 portion. . Although the resistance element 5 is described only in the region under the pad 20, it actually exists in the region under all the pads as shown in FIG. 1, but the illustration is omitted in FIG.

【0017】図2に示された発振器回路は、基本セル1
1からなるインバータ用ファンクションブロック6,基
本I/Oバッファセル31からなる発振器用I/Oバッ
ファブロック7,抵抗素子5,パッド21および22か
ら構成されている。
The oscillator circuit shown in FIG.
1, an inverter function block 6, a basic I / O buffer cell 31, an oscillator I / O buffer block 7, a resistance element 5, and pads 21 and 22.

【0018】インバータ用ファンクションブロック6
は、基本セルアレイ1に構成され、発振器用I/Oバッ
ファブロック7と最も近い位置に置かれ、これらを接続
する配線は最短距離で接続されている。
Inverter function block 6
Is arranged in the basic cell array 1 and is placed at a position closest to the oscillator I / O buffer block 7, and the wiring connecting these is connected at the shortest distance.

【0019】発振器用I/Oバッファブロック7は、パ
ッド20,21,22に対応する3つの基本I/Oバッ
ファセル31を占有する大きさであり、パッド21およ
び22に接続される2個のブロック端子,パッド20の
下の領域に埋め込まれている抵抗素子5に接続される2
個のブロック端子,インバータ用ファンクションブロッ
ク6に接続される2個のブロック端子とを持っている。
その内部等価回路は図2で示すとおりブロック端子間配
線である。ただし、実際には、さらにESDやラッチア
ップに対する保護用の回路が入っている場合がある。
The oscillator I / O buffer block 7 is sized to occupy the three basic I / O buffer cells 31 corresponding to the pads 20, 21, 22 and is connected to the pads 21 and 22. Block terminal, connected to the resistance element 5 embedded in the area below the pad 20 2
It has one block terminal and two block terminals connected to the inverter function block 6.
The internal equivalent circuit is wiring between block terminals as shown in FIG. However, in practice, a circuit for protection against ESD and latch-up may be included in some cases.

【0020】抵抗素子5は、ボンディングされることの
ないパッド20の下の領域に埋め込まれている。したが
って、ボンディング時に発生する熱やや圧力に起因する
素子特性の劣化は発生しない。
The resistance element 5 is embedded in a region below the pad 20 which is not bonded. Therefore, the element characteristics are not deteriorated due to heat or pressure generated during bonding.

【0021】パッド21,22は、水晶発振子を接続す
る外部端子にボンディングされるパッドである。これら
のパッドの下の領域に埋め込まれている抵抗素子は使用
されない。
The pads 21 and 22 are pads bonded to external terminals for connecting the crystal oscillator. The resistive elements embedded in the area under these pads are not used.

【0022】以上説明したように、本実施形態のゲート
アレイ基盤構造の場合、搭載される発振器回路の特性を
変化させることなく、発振器の外部端子位置がどの部分
にきても、図2で示した構成を実現することが可能にな
る。
As described above, in the case of the gate array substrate structure of the present embodiment, no matter which position the external terminal of the oscillator comes to, it is shown in FIG. 2 without changing the characteristics of the mounted oscillator circuit. It is possible to realize a different configuration.

【0023】なお、図2の実施形態の他に、外部端子に
接続されるパッド21,22と抵抗素子5との間を発振
器用I/Oバッファブロック7を介さずに直接接続し、
発振器回路の配線長をさらに短くする実施形態も可能で
ある。
In addition to the embodiment of FIG. 2, the pads 21 and 22 connected to the external terminals and the resistance element 5 are directly connected without the I / O buffer block 7 for the oscillator,
An embodiment in which the wiring length of the oscillator circuit is further shortened is also possible.

【0024】また、本実施形態のマスタスライス集積回
路の説明では、抵抗素子を含む搭載回路として発信器回
路を用いたが、他の抵抗素子を含む搭載回路において
も、搭載回路の特性を変化させることなく、抵抗素子を
含む搭載回路の外部端子位置を自由に設定することが出
来る。
Further, in the description of the master slice integrated circuit of the present embodiment, the oscillator circuit is used as the mounting circuit including the resistance element, but the characteristics of the mounting circuit are changed even in the mounting circuit including other resistance elements. It is possible to freely set the position of the external terminal of the mounted circuit including the resistance element.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によるマス
タスライス集積回路は、パッドの下の領域に抵抗素子が
埋め込まれているため、抵抗素子を含む回路を搭載する
場合ボンディングされないパッドの下の領域に埋め込ま
れている抵抗素子を利用でき、外部端子に接続されるパ
ッドと抵抗素子との配線長を常に最小にすることができ
る。そのため、搭載回路の外部端子位置によって、抵抗
素子を含む搭載回路の特性が変動することを抑えること
が出来る。
As described above, in the master slice integrated circuit according to the present invention, since the resistance element is embedded in the region under the pad, when the circuit including the resistance element is mounted, the master slice integrated circuit is not bonded under the pad. The resistance element embedded in the region can be used, and the wiring length between the pad connected to the external terminal and the resistance element can always be minimized. Therefore, it is possible to prevent the characteristics of the mounted circuit including the resistance element from varying depending on the positions of the external terminals of the mounted circuit.

【0026】また、抵抗素子を含む搭載回路の外部端子
位置に制限を加える必要がなくなるため、ユーザ要求に
対する外部端子位置設定のフレキシビリティが向上する
などの効果がある。
Further, since it is not necessary to limit the external terminal position of the mounted circuit including the resistance element, there is an effect that the flexibility of setting the external terminal position in response to a user request is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のマスタスライス集積回路の1実施形態
を示すレイアウト図である。
FIG. 1 is a layout diagram showing one embodiment of a master slice integrated circuit of the present invention.

【図2】図1のマスタスライス集積回路による発振器回
路の搭載例を示すレイアウト図である。
FIG. 2 is a layout diagram showing an example of mounting an oscillator circuit by the master slice integrated circuit of FIG.

【図3】抵抗素子を含む搭載回路例である発振器回路を
示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an oscillator circuit which is an example of a mounted circuit including a resistance element.

【図4】図3の抵抗素子の実現手段例を示す説明図であ
る。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of means for realizing the resistance element of FIG.

【図5】従来のマスタスライス集積回路の基盤構造を示
すレイアウト図である。
FIG. 5 is a layout diagram showing a basic structure of a conventional master slice integrated circuit.

【図6】図5のマスタスライス集積回路による発振器回
路の搭載例を示すレイアウト図である。
6 is a layout diagram showing an example of mounting an oscillator circuit by the master slice integrated circuit of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基本セルアレイ 11 基本セル 2,20〜22 パッド 3 基本I/Oバッファセルアレイ 31 基本I/Oバッファセル 4 コーナブロック 5 抵抗素子またはフィードバック抵抗素子 51〜52,71〜72 配線 6 インバータまたはインバータ用ファンクションブ
ロック 7 発振器用I/Oバッファブロック 81〜82 外部端子 9 水晶発振子
1 Basic Cell Array 11 Basic Cell 2, 20-22 Pad 3 Basic I / O Buffer Cell Array 31 Basic I / O Buffer Cell 4 Corner Block 5 Resistance Element or Feedback Resistance Element 51-52, 71-72 Wiring 6 Inverter or Function for Inverter Block 7 Oscillator I / O buffer block 81-82 External terminal 9 Crystal oscillator

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基本セルからなるアレイと、外部端子に
対応して配置されるパッドおよび基本I/Oバッファセ
ルからなるアレイとを有するマスタスライス集積回路に
おいて、 前記パッドの下の領域に抵抗素子が埋め込まれているこ
とを特徴とするマスタスライス集積回路。
1. A master slice integrated circuit having an array of basic cells and an array of pads arranged corresponding to external terminals and basic I / O buffer cells, wherein a resistance element is provided in a region below the pads. Embedded therein is a master slice integrated circuit.
【請求項2】 前記基本セルと、前記パッドおよび基本
I/Oバッファセルと、前記外部端子に接続されないパ
ッドの下の領域に埋め込まれている抵抗素子とから構成
される回路を搭載する、請求項1記載のマスタスライス
集積回路。
2. A circuit comprising the basic cell, the pad and the basic I / O buffer cell, and a resistance element embedded in a region below the pad that is not connected to the external terminal is mounted. Item 2. A master slice integrated circuit according to item 1.
【請求項3】 前記基本セルからなる増幅器と、前記基
本I/Oバッファセルからなる発振器用I/Oバッファ
ブロックと、前記外部端子に接続されないパッドの下の
領域に埋め込まれている抵抗素子からなるフィードバッ
ク抵抗素子とから構成される発振器回路を搭載する、請
求項1記載のマスタスライス集積回路。
3. An amplifier composed of the basic cell, an oscillator I / O buffer block composed of the basic I / O buffer cell, and a resistance element embedded in a region below a pad not connected to the external terminal. The master slice integrated circuit according to claim 1, further comprising an oscillator circuit including a feedback resistance element.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010067481A1 (en) * 2008-12-10 2010-06-17 パナソニック株式会社 Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same
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Effective date: 19981020