JP2693920B2 - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
し、特にゲートアレイの方式の半導体集積回路装置に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a gate array type semiconductor integrated circuit device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ゲートアレイ方式の半導体集積回路は、
ＮＡＮＤ，ＮＯＲ等の論理回路を実現するトランジスタ
で構成された内部基本セルと、ＩＣチップ（以下ゲート
アレイチップと記す）外部とのインタフェースを取るた
めのトランジスタで構成された外部基本セルとを単位と
して、この内部／外部基本セルをゲートアレイチップ上
にアレイ状に配置したもの（マスタ）を有しており、上
層の配線パターンを作成するだけでユーザーの希望する
ＬＳＩ回路を短納期で作成できる。ゲートアレイにおい
て重要なことは、単位面積当たりの素子の集積度で、こ
れは大きければ大きいほど良く、ゲートアレイチップを
搭載するパッケージとゲートアレイチップとの接続用パ
ッドの大きさおよび配置間隔はそれぞれ数十μｍ必要
で、このパッド領域をいかに小さくできるかが集積度向
上の重要な鍵となる。2. Description of the Related Art A gate array type semiconductor integrated circuit is
A unit is an internal basic cell composed of a transistor that realizes a logic circuit such as NAND or NOR, and an external basic cell composed of a transistor for interfacing with the outside of an IC chip (hereinafter referred to as a gate array chip). Since the internal / external basic cells are arranged in an array on the gate array chip (master), the LSI circuit desired by the user can be produced in a short delivery time only by forming the wiring pattern of the upper layer. What is important in a gate array is the degree of integration of elements per unit area, and the larger this is, the better. The size and arrangement interval of the connection pad between the package on which the gate array chip is mounted and the gate array chip are respectively different. Since several tens of μm is required, how small this pad area can be is an important key for improving the degree of integration.
【０００３】図６は従来の半導体集積回路装置の第１の
例を示すレイアウト図である。FIG. 6 is a layout diagram showing a first example of a conventional semiconductor integrated circuit device.
【０００４】図６に示すように、ゲートアレイチップ１
００上に形成した内部セル領域１０１の周囲に入出力セ
ル領域２１０が形成される。入出力セル領域２１０は基
本となるトランジスタ（以下基本素子と記す）が入出力
セルピッチｄで繰り返し配置されており、この領域にチ
ップ外部とのインタフェース用の回路として入出力バッ
ファ２１１が配置される。また、パッド−バッファ間接
続線１０３は、パッケージとの接続用パッド（以下パッ
ドと記す）１０２と入出力バッファ２１１を接続する配
線で、ゲートアレイチップ１００の縁端から入出力バッ
ファ２１１の縁端までの距離ａを有している。さらに、
パッド１０２の配置間隔はパッドピッチｔとして表され
ているが、従来のゲートアレイは、図６に示すように、
パッドピッチｔと入出力セルピッチｄは完全に一致して
いるため、入出力バッファ２１１とパッド１０２の間の
配線は最短で接続することができた。As shown in FIG. 6, the gate array chip 1
The input / output cell region 210 is formed around the internal cell region 101 formed on the upper surface 00 of the cell. In the input / output cell region 210 , basic transistors (hereinafter referred to as basic elements) are repeatedly arranged at an input / output cell pitch d, and an input / output buffer 211 is arranged in this region as a circuit for interfacing with the outside of the chip. A pad-buffer connection line 103 is a wiring that connects a pad for connection with a package (hereinafter referred to as a pad) 102 and the input / output buffer 211, and is from the edge of the gate array chip 100 to the edge of the input / output buffer 211. Up to a. further,
The arrangement interval of the pads 102 is represented as a pad pitch t. In the conventional gate array, as shown in FIG.
Since the pad pitch t and the input / output cell pitch d are completely the same, the wiring between the input / output buffer 211 and the pad 102 could be connected in the shortest distance.
【０００５】図７は図６の部分拡大レイアウト図であ
る。FIG. 7 is a partially enlarged layout diagram of FIG.
【０００６】図７に示すように、入出力セル領域２１０
は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタおよびＮ型ＭＯＳトランジ
スタにより構成されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタは
ウェル４０１内に形成されたＰ型拡散層４０２およびポ
リシリコンゲート２０８により構成され、Ｎ型ＭＯＳト
ランジスタはＮ型拡散層４０３およびポリシリコンゲー
ト２０８により構成されている。４０４はウェルの電位
を固定するための拡散層（以下ウェルコン領域と記
す）、４０５は基板の電位を固定するための拡散層（以
下サブコン領域と記す）である。ここで、入出力セルピ
ッチｄは入出力バッファピッチに等しく、さらにパッド
ピッチｔとも一致しているため、パッド−バッファ間接
続線１０３は最短で接続することが可能である。As shown in FIG. 7, the input / output cell region 210
Is composed of a P-type MOS transistor and an N-type MOS transistor. The P-type MOS transistor is composed of a P-type diffusion layer 402 and a polysilicon gate 208 formed in the well 401, and the N-type MOS transistor is composed of an N-type diffusion layer 403 and a polysilicon gate 208. Reference numeral 404 is a diffusion layer for fixing the potential of the well (hereinafter referred to as wellcon region), and 405 is a diffusion layer for fixing the potential of the substrate (hereinafter referred to as subcon region). Since the input / output cell pitch d is equal to the input / output buffer pitch and also matches the pad pitch t, the pad-buffer connection line 103 can be connected in the shortest distance.
【０００７】一方、製造プロセスの都合（例えば、ゲー
トアレイチップの製造プロセスより組み立て技術の方が
遅れているときなど）により、図８に示すように、パッ
ドピッチｔ1 と入出力セルピッチｄ1 とが一致しない場
合には、パッド−バッファ間接続線１０４を曲げて接続
しなければならない。入出力セル領域は、ウェル４１１
内のＰ型拡散層４１２およびポリシコンゲート２０８に
よるＰ型トランジスタと、Ｎ型拡散層４１３およびポリ
シリコンゲート２０８によるＮ型トランジスタにより構
成されている。４１４，４１５はそれぞれウェルコン領
域、サブコン領域である。このように、入出力セルピッ
チｄ1 とパッドピッチｔ1 が異なると、パッド１０２と
入出力バッファ２２１を接続するパッド−バッファ間接
続線１０４を曲げなけらばならず、その結果、チップ縁
端から入出力バッファ縁端までの距離ａ1 が大きくな
り、パッド周囲に素子が配置されない無駄な面積が増加
し、単位面積当りの集積度が大幅に低下してしまう。On the other hand, due to the convenience of the manufacturing process (for example, when the assembly technique is behind the manufacturing process of the gate array chip), the pad pitch t 1 and the input / output cell pitch d 1 are set as shown in FIG. If they do not match, the pad-buffer connection line 104 must be bent and connected. The input / output cell region is the well 411.
It is composed of a P-type transistor including a P-type diffusion layer 412 and a polysilicon gate 208 therein, and an N-type transistor including an N-type diffusion layer 413 and a polysilicon gate 208. 414 and 415 are well-con regions and sub-con regions, respectively. Thus, when the output cell pitch d1 and pad pitch t 1 is different, the pad for connecting the input and output buffer 221 to the pad 102 - must kicked the bending buffers between connection lines 104, as a result, input from the chip edge The distance a1 to the edge of the output buffer becomes large, the useless area where elements are not arranged around the pad increases, and the degree of integration per unit area significantly decreases.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】この従来のゲートアレ
イは、パッドピッチと入出力セルピッチが異なると、パ
ッドと入出力バッファを接続する配線を曲げなければな
らず、その結果、配線領域が大きくなり、チップ全体の
面積（チップサイズ）が増大して集積度が著しく低下す
るという欠点があった。In this conventional gate array, when the pad pitch and the input / output cell pitch are different, the wiring connecting the pad and the input / output buffer must be bent, resulting in a large wiring area. However, there is a drawback that the area of the entire chip (chip size) increases and the degree of integration is significantly reduced.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置は、半導体チップ上に形成した内部セル領域と、前
記内部セル領域の周囲に配置した入出力セル領域と、前
記入出力セル領域の外周に配置したパッドと、前記入出
力セル領域に下地固定して形成したＰ型ＭＯＳトランジ
スタ及びＮ型ＭＯＳトランジスタからなる矩形状の複数
の基本素子と、前記基本素子の中から連続して隣接する
前記基本素子を配線工程で結合して構成した入出力バッ
ファと、前記パッドと前記入出力バッファを接続するパ
ッド−バッファ間配線とを有する半導体集積回路装置に
おいて、前記基本素子を構成するトランジスタは数個づ
つのＰ型ＭＯＳトランジスタ及びＮ型ＭＯＳトランジス
タからなり、隣接する前記基本素子の配置間隔が隣接す
る前記パッドの配置間隔の整数分の１であり、前記パッ
ド−バッファ間配線が、前記パッドとこれに接続する前
記入出力バッファの各中心を結ぶ直線に沿って折れ曲が
ることなく配線されるように前記入出力バッファを配置
することを特徴としている。A semiconductor integrated circuit device according to the present invention includes an internal cell region formed on a semiconductor chip, an input / output cell region arranged around the internal cell region, and an input / output cell region. Pads placed on the outer circumference and the entry and exit
P-type MOS transistor formed by fixing the base in the force cell region
A plurality of rectangular shapes consisting of a star and N-type MOS transistors
Of the basic element and the basic element are continuously adjacent to each other.
An input / output bag constructed by combining the basic elements in a wiring process.
And a pad for connecting the pad and the input / output buffer.
In a semiconductor integrated circuit device having a pad- buffer wiring , a plurality of transistors forming the basic element are provided.
P-type MOS transistor and N-type MOS transistor
Of the basic elements adjacent to each other,
Wherein an integer fraction of one pad of the arrangement interval, the package that
Before wiring between the de-buffer and the pad and this
Bending along a straight line connecting the centers of the fill output buffer
Arrangement of the input / output buffers so that they can be wired without
It is characterized by doing .
【００１０】[0010]
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１１】図１は本発明の第１の実施例を示すレイア
ウト図である。FIG. 1 is a layout diagram showing a first embodiment of the present invention.
【００１２】図１に示すように、ゲートアレイチップ１
００上に形成された内部セル領域１０１の周囲に入出力
セル領域２００が形成され、入出力セル領域２００には
基本素子がユニットセル２０２として基本ピッチｕで繰
り返し配置されている。この入出力セル領域２００にチ
ップ外部とのインタフェース用の回路として入出力バッ
ファ２０１が配置される。ここで、基本ピッチｕは、パ
ッドピッチｔの整数分の１に設定されており、パッド１
０２と入出力バッファ２０１を接続するパッド−バッフ
ァ間接続線１０３は、パッドピッチｔに合わせて入出力
バッファ２０１を配置できるため、パッド−バッファ間
接続線１０３はゲートアレイチップ１００の縁端から入
出力バッファ２０１までの距離ａを最短で配線すること
ができる。尚、基本ピッチｕはパッドピッチｔの整数分
の１で説明しているが、パッドピッチｔ±（パッドの１
辺の長さ−パッドとバッファ間接続線の幅）÷２の範囲
内でも本発明の効果に変わりはない。以後も整数分の１
で説明する。As shown in FIG. 1, a gate array chip 1
The input / output cell region 200 is formed around the internal cell region 101 formed on the cell 00, and basic elements are repeatedly arranged as the unit cells 202 in the input / output cell region 200 at the basic pitch u. An input / output buffer 201 is arranged in the input / output cell area 200 as a circuit for interfacing with the outside of the chip. Here, the basic pitch u is set to 1 / integer of the pad pitch t, and the pad 1
02. The pad-buffer connection line 103 that connects the I / O buffer 201 to the I / O buffer 201 can be arranged according to the pad pitch t. Therefore, the pad-buffer connection line 103 enters from the edge of the gate array chip 100. The distance a to the output buffer 201 can be set as short as possible. Although the basic pitch u is described as an integral fraction of the pad pitch t, the pad pitch t ± (pad 1
The effect of the present invention does not change even within the range of (side length-width of connection line between pad and buffer) / 2. Subsequent integer
Will be described.
【００１３】図２は図１の部分拡大図であり、説明をわ
かり易くするために電源配線、接地配線等および拡散層
と配線とのコンタクトホール等は省略している。FIG. 2 is a partially enlarged view of FIG. 1. Power source wiring, ground wiring, and contact holes between the diffusion layer and wiring are omitted for the sake of clarity.
【００１４】図２に示すように、入出力セル領域２００
は、２個づつのＰ型ＭＯＳトランジスタおよびＮ型トラ
ンジスタからなるユニットセル２０２により構成されて
いる。ユニットセル２０２は、ＮＡＮＤゲートやＮＯＲ
ゲートの基本ブロックを構成するのに必要なトランジス
タで構成され、通常２個乃至４個づつのＰ型ＭＯＳトラ
ンジスタ及びＮ型ＭＯＳトランジスタで構成される。Ｐ
型ＭＯＳトランジスタはウェル３０１内のＰ型拡散層３
０２およびポリシリコンゲート２０８により構成され、
Ｎ型ＭＯＳトランジスタはＮ型拡散層３０３およびポリ
シリコンゲート２０８により構成されている。３０４，
３０５はそれぞれウェルコン領域、サブコン領域であ
る。このように、ユニットセルピッチｕはバットピッチ
ｔの整数分の１であるため、パッド１０２のある位置に
入出力バッファを配置すればよく、パッド−バッファ間
接続線１０３は最短で接続することが可能となる。As shown in FIG. 2, the input / output cell region 200
Is composed of a unit cell 202 including two P-type MOS transistors and two N-type transistors. The unit cell 202 is a NAND gate or NOR.
Transistors required to form the basic blocks of the gate
And usually 2 to 4 P-type MOS transistors
It consists of a transistor and an N-type MOS transistor . P
Type MOS transistor is a P type diffusion layer 3 in the well 301.
02 and a polysilicon gate 208,
The N-type MOS transistor is composed of an N-type diffusion layer 303 and a polysilicon gate 208. 304,
305 are well-con area and sub-con area, respectively. As described above, since the unit cell pitch u is an integer fraction of the bat pitch t, the input / output buffer may be arranged at a position where the pad 102 is provided, and the pad-buffer connection line 103 can be connected in the shortest distance. It will be possible.
【００１５】図３は、本発明の第２の実施例を示す部分
的レイアウト図である。FIG. 3 is a partial layout diagram showing a second embodiment of the present invention.
【００１６】図３に示すように、Ｐ型ＭＯＳトランジス
タはウェル３１１内のＰ型拡散層３１２およびポリシリ
コンゲート２０８により構成され、Ｎ型ＭＯＳトランジ
スタはＮ型拡散層３１３およびポリシコンゲート２０８
により構成されている。３１４，３１５はそれぞれウェ
ルコン領域、サブコン領域である。第１の実施例と同様
に、ユニットセルピッチｕはパッドピッチｔの整数分の
１であるため、パッド１０２の位置に合わせて入出力バ
ッファを配置することにより、パッド−バッファ間接続
線１０３を最短で接続することができる。図２に示す第
１の実施例では、入出力セル領域の各トランジスタにお
けるドレーン、ソースの拡散層領域が独立しているが、
本実施例では２つのトランジスタで拡散層を共有してお
り、拡散層間隔を一部小さくできるため、トランジスタ
をより高集積化できるという利点がある。As shown in FIG. 3, the P-type MOS transistor is composed of the P-type diffusion layer 312 and the polysilicon gate 208 in the well 311, and the N-type MOS transistor is the N-type diffusion layer 313 and the polysilicon gate 208.
It consists of. Reference numerals 314 and 315 are well-con regions and sub-con regions, respectively. Since the unit cell pitch u is an integer fraction of the pad pitch t, as in the first embodiment, the pad-buffer connection line 103 is arranged by arranging the input / output buffer in accordance with the position of the pad 102. You can connect in the shortest time. In the first embodiment shown in FIG. 2, the drain and source diffusion layer regions in each transistor in the input / output cell region are independent.
In the present embodiment, the diffusion layer is shared by the two transistors, and the distance between the diffusion layers can be partly reduced, so that there is an advantage that the transistor can be highly integrated.
【００１７】図４は本発明の第３の実施例を示す部分的
レイアウト図である。FIG. 4 is a partial layout diagram showing a third embodiment of the present invention.
【００１８】図４に示すように、Ｐ型ＭＯＳトランジス
タはウェル３２１内のＰ型拡散層３２２およびポリシコ
ンゲート２０８により構成され、Ｎ型ＭＯＳトランジス
タはＮ型拡散層３２３およびポリシリコンゲート２０８
により構成されている。３２４，３２５はそれぞれウェ
ルコン領域、サブコン領域である。第１，第２の実施例
と同様に、ユニットセルピッチｕはパッドピッチｔの整
数分の１であるため、パッド１０２のある位置に合わせ
て入出力バッファを配置することにより、パッド−バッ
ファ間接続線１０３を最短で接続することができる。図
２、図３に示す第１，第２の実施例では入出力セル領域
の各トランジスタにおけるドレーン，ソースの拡散層領
域が独立しているか又は一部まとまっている程度である
が、本実施例では、１つの辺のトランジスタ全てが拡散
層を共有しており、全てのトランジスタの拡散層間隔を
考慮する必要がないため、トランジスタを第１，第２の
実施例より集積できるという利点がある。尚、入出力バ
ッファ間の電気的な分離は、ポリシリコンゲート２０８
を遮断するような電位を与えることによりなされる。As shown in FIG. 4, the P-type MOS transistor is constituted by the P-type diffusion layer 322 and the polysilicon gate 208 in the well 321, and the N-type MOS transistor is formed by the N-type diffusion layer 323 and the polysilicon gate 208.
It consists of. 324 and 325 are well-con regions and sub-con regions, respectively. As in the first and second embodiments, the unit cell pitch u is an integer fraction of the pad pitch t. Therefore, by arranging the input / output buffer in accordance with the position of the pad 102, the pad-buffer interval can be increased. The connection line 103 can be connected in the shortest. In the first and second embodiments shown in FIGS. 2 and 3, the drain and source diffusion layer regions in each transistor in the input / output cell region are independent or partially gathered. However, all the transistors on one side share the diffusion layer, and it is not necessary to consider the diffusion layer intervals of all the transistors, which is advantageous in that the transistors can be integrated more than in the first and second embodiments. Incidentally, the electrical isolation between the input and output buffers is achieved by the polysilicon gate 208.
This is done by applying a potential that shuts off.
【００１９】図５は、本発明の第４の実施例を示す部分
的レイアウト図である。FIG. 5 is a partial layout diagram showing a fourth embodiment of the present invention.
【００２０】図５に示すように、Ｐ型ＭＯＳトランジス
タはウェル３３１内のＰ型拡散層３３２およびポリシリ
コンゲート２０９により構成され、Ｎ型ＭＯＳトランジ
スタはＮ型拡散層３３３およびポリシコンゲート２０９
により構成されている。３３４，３３５はそれぞれウェ
ルコン領域、サブコン領域である。第１の実施例と同様
に、ユニットセルピッチｕはパッドピッチｔの整数分の
１であるため、パッド１０２のある位置に応じて入出力
バッファを配置することにより、パッド−バッファ間接
続線１０３を最短で接続することができる。本実施例は
第３の実施例と同様に、１つの辺のトランジスタ全てが
拡散層を共有しているが、本実施例では素子に致命的な
ダメージを与えるラッチアップ現象を発生させないよう
に、Ｐ型、Ｎ型両拡散層を分割し、電位固定用に帯状の
ウェルコン、サブコン領域を新たに設けている。また、
図面では説明していなが、隣り合う入出力バッファ逆層
で動作（一方が接地電位から電源電位に上昇し、他方が
電源電位から接地電位に下降する）した場合、ラッチア
ップ現象の生ずる可能性が大きくなる。その際は、隣り
合う入出力バッファの間を少なくとも拡散層１ケ分以上
開け、その拡散層をＰ型ＭＯＳトランジスタであれば電
源電位に、Ｎ型ＭＯＳトランジスタであれば接地電位に
クランプすることによりラッチアップを防止することが
可能となる。As shown in FIG. 5, the P-type MOS transistor is composed of the P-type diffusion layer 332 and the polysilicon gate 209 in the well 331, and the N-type MOS transistor is the N-type diffusion layer 333 and the polysilicon gate 209.
It consists of. 334 and 335 are well-con regions and sub-con regions, respectively. As in the first embodiment, the unit cell pitch u is an integer fraction of the pad pitch t. Therefore, by arranging the input / output buffer according to the position of the pad 102, the pad-buffer connecting line 103 is formed. Can be connected in the shortest. In this embodiment, as in the third embodiment, all the transistors on one side share the diffusion layer. However, in this embodiment, the latch-up phenomenon that causes fatal damage to the device is prevented. Both the P-type and N-type diffusion layers are divided, and strip-shaped well-con and sub-con regions are newly provided for fixing the potential. Also,
Although not illustrated in the figure, latch-up phenomenon may occur when the I / O buffer reverse layers adjacent to each other operate (one rises from the ground potential to the power potential and the other falls from the power potential to the ground potential). Grows larger. In that case, at least one diffusion layer is provided between adjacent input / output buffers, and the diffusion layer is clamped to a power supply potential for a P-type MOS transistor and a ground potential for an N-type MOS transistor. It becomes possible to prevent latch-up.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、入出力セ
ル領域を形成する基本素子と基本素子の配置間隔を、パ
ッドとパッドとの配置間隔より狭くすることにより、従
来のゲートアレイに比較して、チップサイズを縮小する
ことが可能である。例えば、チップサイズ５ｍｍ×５ｍ
ｍで内部セル数が同一と仮定した時、従来のゲートアレ
イに比較して面積比で約７％縮小することが可能であ
る。As described above, according to the present invention, the arrangement interval between the basic elements forming the input / output cell region is made narrower than the arrangement interval between the pads, and compared with the conventional gate array. Then, the chip size can be reduced. For example, chip size 5mm x 5m
Assuming that the number of internal cells is the same in m, the area ratio can be reduced by about 7% as compared with the conventional gate array.
【００２２】また、同一チップサイズで比較すると、同
じ５ｍｍ×５ｍｍのチップの場合、２入力ＮＡＮＤゲー
ト換算で２１ｋゲートから２４ｋゲートと約１４％内部
セル数を増加させることが可能である。Further, when comparing the same chip size, in the case of the same 5 mm × 5 mm chip, it is possible to increase the number of internal cells from 21 k gates to 24 k gates by about 14% in terms of 2-input NAND gates.
【００２３】さらに、本発明は製造プロセスの変更によ
り、入出力バッファとパッドのピッチに違いが生じても
入出力バッファの配置位置を基本ユニットの配置ピッチ
に合わせて構成することにより、従来使用していた測定
用治具やパッケージがそのまま使えるという大きな効果
を有する。さらに、パッド配置も自由に変えられるた
め、パッケージ毎に最適なボンディング配線になるよう
にパッド位置を決めることができる。Further, the present invention can be used conventionally by arranging the arrangement position of the input / output buffer according to the arrangement pitch of the basic unit even if the pitch of the input / output buffer and the pad is changed by the change of the manufacturing process. It has a great effect that the existing measuring jigs and packages can be used as they are. Further, since the pad arrangement can be freely changed, the pad position can be determined so as to obtain the optimum bonding wiring for each package.
【図１】本発明の第１の実施例を示すレイアウト図。FIG. 1 is a layout diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図２】図１の部分拡大レイアウト図。FIG. 2 is a partially enlarged layout diagram of FIG.
【図３】本発明の第２の実施例を示す部分的レイアウト
図。FIG. 3 is a partial layout diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第３の実施例を示す部分的レイアウト
図。FIG. 4 is a partial layout diagram showing a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第４の実施例を示す部分的レイアウト
図。FIG. 5 is a partial layout diagram showing a fourth embodiment of the present invention.
【図６】従来の半導体集積回路装置の第１の例を示すレ
イアウト図。FIG. 6 is a layout diagram showing a first example of a conventional semiconductor integrated circuit device.
【図７】図６の部分拡大レイアウト図。[7] partially enlarged layout diagram of FIG.
【図８】従来の半導体集積回路装置の第２の例を示す部
分的レイアウト図。FIG. 8 is a partial layout diagram showing a second example of a conventional semiconductor integrated circuit device.
１００ ゲートアレイチップ １０１ 内部セル領域 １０２ パッド １０３，１０４ パッド−バッファ間接続線 ２００，２１０ 入出力バッファ ２０２ ユニットセル ２０８，２０９ ポリシリコンゲート ３０１，３１１，３２１，３３１，４０１，４１１
ウェル ３０２，３１２，３２２，３３２，４０２，４１２
Ｐ型拡散層 ３０３，３１３，３２３，３３３，４０３，４１３
Ｎ型拡散層 ３０４，３１４，３２４，３３４，４０４，４１４
ウェルコン領域 ３０５，３１５，３２５，３３５，４０５，４１５
サブコン領域100 gate array chip 101 internal cell region 102 pad 103, 104 pad-buffer connection line 200, 210 input / output buffer 202 unit cell 208, 209 polysilicon gate 301, 311, 321, 331, 401, 411
Wells 302, 312, 322, 332, 402, 412
P-type diffusion layer 303, 313, 323, 333, 403, 413
N-type diffusion layer 304, 314, 324, 334, 404, 414
Wellcon regions 305, 315, 325, 335, 405, 415
Subcon area
Claims (1)
と、前記内部セル領域の周囲に配置した入出力セル領域
と、前記入出力セル領域の外周に配置したパッドと、前
記入出力セル領域に下地固定して形成したＰ型ＭＯＳト
ランジスタ及びＮ型ＭＯＳトランジスタからなる矩形状
の複数の基本素子と、前記基本素子の中から連続して隣
接する前記基本素子を配線工程で結合して構成した入出
力バッファと、前記パッドと前記入出力バッファを接続
するパッド−バッファ間配線とを有する半導体集積回路
装置において、前記基本素子を構成するトランジスタは
数個づつのＰ型ＭＯＳトランジスタ及びＮ型ＭＯＳトラ
ンジスタからなり、隣接する前記基本素子の配置間隔が
隣接する前記パッドの配置間隔の整数分の１であり、前
記パッド−バッファ間配線が、前記パッドとこれに接続
する前記入出力バッファの各中心を結ぶ直線に沿って折
れ曲がることなく配線されるように前記入出力バッファ
を配置することを特徴とする半導体集積回路装置。An inner cell region claim 1 was formed on a semiconductor chip, and the output cell region disposed around the inner cell region, and a pad disposed on an outer periphery of the output cell region, before
A P-type MOS transistor formed by fixing the base in the writing output cell area
Rectangular shape consisting of transistor and N-type MOS transistor
Multiple basic elements and one of the basic elements
I / O constructed by connecting the basic elements that are in contact with each other in the wiring process
Connection and Chikaraba Tsu file, the input and output buffer and the pad
Pad - in a semiconductor integrated circuit device having a wiring between buffers, the transistors constituting the basic element
Several P-type MOS transistors and N-type MOS transistors
It is composed of a transistor, and the arrangement interval of the basic elements adjacent to each other is
An integral submultiple of the arrangement interval of the pad adjacent the front
The pad-buffer wiring is connected to the pad and the pad.
Fold along a straight line connecting the centers of the I / O buffer
The input / output buffer is wired so that it is not bent.
The semiconductor integrated circuit device characterized by placing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6327571A JP2693920B2 (en) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6327571A JP2693920B2 (en) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186176A JPH08186176A (en) | 1996-07-16 |
| JP2693920B2 true JP2693920B2 (en) | 1997-12-24 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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-
1994
- 1994-12-28 JP JP6327571A patent/JP2693920B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH08186176A (en) | 1996-07-16 |
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