JPH097907A - 裏面ポリシリコン付きウエーハ及びその製造方法 - Google Patents
裏面ポリシリコン付きウエーハ及びその製造方法Info
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- JPH097907A JPH097907A JP17556195A JP17556195A JPH097907A JP H097907 A JPH097907 A JP H097907A JP 17556195 A JP17556195 A JP 17556195A JP 17556195 A JP17556195 A JP 17556195A JP H097907 A JPH097907 A JP H097907A
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- polysilicon
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 実質的に反りのないＢＳＰ付きウエーハを低
コストで製造するためのＢＳＰ付きウエーハの製造方
法、及び、当該方法によって製造され高品質かつ従来品
に比べて安価なＢＳＰ付きウエーハを提供する。 【構成】 鏡面加工によって反りが生じた裏面ポリシリ
コン付きウエーハ１４に対して、水素ガス、窒素ガス、
アルゴンガスから選んだ少なくとも１種のガスからなる
雰囲気下で１０００〜１３００℃、０．５〜１０時間加
熱処理を行い、ウエーハの反り量Ｌを低減することを特
徴とする裏面ポリシリコン付きウエーハの製造方法。前
記方法によって製造された裏面ポリシリコン付きウエー
ハにおいて、ウエーハの反り量を０〜２０μｍに低減し
たことを特徴とする裏面ポリシリコン付きウエーハ。
コストで製造するためのＢＳＰ付きウエーハの製造方
法、及び、当該方法によって製造され高品質かつ従来品
に比べて安価なＢＳＰ付きウエーハを提供する。 【構成】 鏡面加工によって反りが生じた裏面ポリシリ
コン付きウエーハ１４に対して、水素ガス、窒素ガス、
アルゴンガスから選んだ少なくとも１種のガスからなる
雰囲気下で１０００〜１３００℃、０．５〜１０時間加
熱処理を行い、ウエーハの反り量Ｌを低減することを特
徴とする裏面ポリシリコン付きウエーハの製造方法。前
記方法によって製造された裏面ポリシリコン付きウエー
ハにおいて、ウエーハの反り量を０〜２０μｍに低減し
たことを特徴とする裏面ポリシリコン付きウエーハ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、裏面ポリシリコン付
きウエーハ及びその製造方法に関するものである。
きウエーハ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】裏面ポリシリコン（ＢＳＰ）付きウエー
ハは、シリコンウエーハの裏面に薄肉のポリシリコン層
を形成したウエーハである。裏面ポリシリコン層の厚さ
は、一般に０．３〜１０μｍ程度である。ＢＳＰ付きウ
エーハは、ＢＳＰがないウエーハよりも金属不純物等の
汚染を除去する能力が優れている。
ハは、シリコンウエーハの裏面に薄肉のポリシリコン層
を形成したウエーハである。裏面ポリシリコン層の厚さ
は、一般に０．３〜１０μｍ程度である。ＢＳＰ付きウ
エーハは、ＢＳＰがないウエーハよりも金属不純物等の
汚染を除去する能力が優れている。
【０００３】ＢＳＰ付きウエーハは、一般に、鏡面加工
前にウエーハの両面にポリシリコンを成膜し、片面のみ
鏡面加工するという手順で製造される。しかし、単結晶
シリコン（シリコン基板）と多結晶シリコン（Poly-Si
膜）の収縮率が異なるため、鏡面加工工程でウエーハが
反ってしまう問題が生じていた。
前にウエーハの両面にポリシリコンを成膜し、片面のみ
鏡面加工するという手順で製造される。しかし、単結晶
シリコン（シリコン基板）と多結晶シリコン（Poly-Si
膜）の収縮率が異なるため、鏡面加工工程でウエーハが
反ってしまう問題が生じていた。
【０００４】ウエーハの反り量の許容範囲は、例えば６
インチウエーハで２０μｍ程度であり、それ以上の反り
が生じたウエーハは不良品となる確率が大きくなる。よ
って、ウエーハの反りの問題は、ウエーハ製造の歩留ま
り向上のために、克服すべき重要な課題となっている。
インチウエーハで２０μｍ程度であり、それ以上の反り
が生じたウエーハは不良品となる確率が大きくなる。よ
って、ウエーハの反りの問題は、ウエーハ製造の歩留ま
り向上のために、克服すべき重要な課題となっている。
【０００５】反りの問題を解決ために、事前に反り量を
予想し、ウエーハを最初から反対方向に反らせておく方
法が提案された。この方法では、予めウエーハに与える
反り量と、鏡面加工によって生じる反り量とが、互いに
打ち消し合うようにしなければならない。
予想し、ウエーハを最初から反対方向に反らせておく方
法が提案された。この方法では、予めウエーハに与える
反り量と、鏡面加工によって生じる反り量とが、互いに
打ち消し合うようにしなければならない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最初か
らウエーハを反らせておく手法には、幾つかのデメリッ
トも存在する。それは、事前に最適な反り量を知ること
が難しく、また、たとえ最適な反り量が分っても、ウエ
ーハをそのような形状に加工することが難しい点であ
る。つまり、ウエーハのスライスには特別なブレードが
必要となり、そのようなブレードは高価であるばかりか
寿命も短いのである。
らウエーハを反らせておく手法には、幾つかのデメリッ
トも存在する。それは、事前に最適な反り量を知ること
が難しく、また、たとえ最適な反り量が分っても、ウエ
ーハをそのような形状に加工することが難しい点であ
る。つまり、ウエーハのスライスには特別なブレードが
必要となり、そのようなブレードは高価であるばかりか
寿命も短いのである。
【０００７】いずれにせよ、ウエーハに予め反りを与え
ておく方法は、コスト高となるため実用的ではなかっ
た。
ておく方法は、コスト高となるため実用的ではなかっ
た。
【０００８】このような従来技術の問題点に鑑み、本発
明は、実質的に反りのないＢＳＰ付きウエーハを低コス
トで製造するためのＢＳＰ付きウエーハの製造方法、及
び、当該方法によって製造され高品質で従来品に比べて
安価なＢＳＰ付きウエーハを提供することを目的として
いる。なお、本明細書において、“実質的に反りがな
い”とは“品質面で許容限度を超える反りがない”こと
を意味している。
明は、実質的に反りのないＢＳＰ付きウエーハを低コス
トで製造するためのＢＳＰ付きウエーハの製造方法、及
び、当該方法によって製造され高品質で従来品に比べて
安価なＢＳＰ付きウエーハを提供することを目的として
いる。なお、本明細書において、“実質的に反りがな
い”とは“品質面で許容限度を超える反りがない”こと
を意味している。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願第１発明は、鏡面加
工によって反りが生じた裏面ポリシリコン付きウエーハ
（１４）に対して、水素ガス、窒素ガス、アルゴンガス
から選んだ少なくとも１種のガスからなる雰囲気下で１
０００〜１３００℃、０．５〜１０時間加熱処理を行
い、ウエーハの反り量（Ｌ）を低減することを特徴とす
る裏面ポリシリコン付きウエーハの製造方法を要旨とし
ている。
工によって反りが生じた裏面ポリシリコン付きウエーハ
（１４）に対して、水素ガス、窒素ガス、アルゴンガス
から選んだ少なくとも１種のガスからなる雰囲気下で１
０００〜１３００℃、０．５〜１０時間加熱処理を行
い、ウエーハの反り量（Ｌ）を低減することを特徴とす
る裏面ポリシリコン付きウエーハの製造方法を要旨とし
ている。
【００１０】本願第２発明は、前記方法によって製造さ
れた裏面ポリシリコン付きウエーハにおいて、ウエーハ
の反り量を０〜２０μｍに低減したことを特徴とする裏
面ポリシリコン付きウエーハを要旨としている。
れた裏面ポリシリコン付きウエーハにおいて、ウエーハ
の反り量を０〜２０μｍに低減したことを特徴とする裏
面ポリシリコン付きウエーハを要旨としている。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は、本発明方法による裏面ポリシリコン付き
ウエーハの製造工程を示す説明図である。
する。図１は、本発明方法による裏面ポリシリコン付き
ウエーハの製造工程を示す説明図である。
【００１２】先ず、チョクラルスキー（ＣＺ）法によっ
て引き上げた単結晶シリコンをスライスして、ウエーハ
基板を製造する。ウエーハ基板の厚さは、例えば０．４
〜１．０ｍｍとする。このウエーハ基板は、例えば６イ
ンチウエーハの場合には、０〜２０μｍ程度反ってい
る。
て引き上げた単結晶シリコンをスライスして、ウエーハ
基板を製造する。ウエーハ基板の厚さは、例えば０．４
〜１．０ｍｍとする。このウエーハ基板は、例えば６イ
ンチウエーハの場合には、０〜２０μｍ程度反ってい
る。
【００１３】このウエーハ基板１１の両面に、厚さ０．
３〜１０μｍのポリシリコン膜１２を、原料としてシラ
ンなどのガスを用い、減圧ＣＶＤ法により形成する。
３〜１０μｍのポリシリコン膜１２を、原料としてシラ
ンなどのガスを用い、減圧ＣＶＤ法により形成する。
【００１４】次に、ポリシリコン膜１２を形成したウエ
ーハ１３の表面に、通常の鏡面（ＭＬ）加工を行う。こ
の鏡面加工によって、例えば６インチウエーハの場合に
は、３０〜５０μｍ程度の反りが生じる。これは、単結
晶シリコンと多結晶シリコンの収縮率が異なるためであ
る。なお、これまでの工程は、従来の製法と同じであ
る。
ーハ１３の表面に、通常の鏡面（ＭＬ）加工を行う。こ
の鏡面加工によって、例えば６インチウエーハの場合に
は、３０〜５０μｍ程度の反りが生じる。これは、単結
晶シリコンと多結晶シリコンの収縮率が異なるためであ
る。なお、これまでの工程は、従来の製法と同じであ
る。
【００１５】本発明方法は、鏡面加工によって反りが生
じたＢＳＰ付きウエーハ１４に対して、水素ガス、窒素
ガス、アルゴンガスから選んだ少なくとも１種のガスか
らなる雰囲気下で１０００〜１３００℃、０．５〜１０
時間熱処理を行うことを特徴としている。
じたＢＳＰ付きウエーハ１４に対して、水素ガス、窒素
ガス、アルゴンガスから選んだ少なくとも１種のガスか
らなる雰囲気下で１０００〜１３００℃、０．５〜１０
時間熱処理を行うことを特徴としている。
【００１６】なお、この高温加熱処理に際し、特別な押
圧力をウエーハ１４に対して加える必要はなく、ウエー
ハ１４は支持部材の上に静置しておくだけで良い。
圧力をウエーハ１４に対して加える必要はなく、ウエー
ハ１４は支持部材の上に静置しておくだけで良い。
【００１７】熱処理雰囲気を前記３種のガスから選ぶ理
由は、次工程で必要な清浄あるいは活性な表面を得るた
めである。
由は、次工程で必要な清浄あるいは活性な表面を得るた
めである。
【００１８】また、前記温度範囲で加熱処理を行う理由
は、熱処理温度が１０００℃未満の場合には十分な反り
解消効果が得られず、反対に、熱処理温度が１３００℃
を超える場合には、鏡面ウエーハに欠陥が発生し、ウエ
ーハとしての要求を満たせなくなるという不具合が生じ
るからである。
は、熱処理温度が１０００℃未満の場合には十分な反り
解消効果が得られず、反対に、熱処理温度が１３００℃
を超える場合には、鏡面ウエーハに欠陥が発生し、ウエ
ーハとしての要求を満たせなくなるという不具合が生じ
るからである。
【００１９】また、熱処理時間に関して述べれば、熱処
理時間が０．５時間、つまり３０分間未満の場合には、
十分な反り解消効果が得られない。反対に、熱処理時間
が１０時間を超える場合には、１３００℃以上での処理
と同様に、欠陥が発生する等の不具合が生じる。
理時間が０．５時間、つまり３０分間未満の場合には、
十分な反り解消効果が得られない。反対に、熱処理時間
が１０時間を超える場合には、１３００℃以上での処理
と同様に、欠陥が発生する等の不具合が生じる。
【００２０】鏡面加工によって反りが生じたＢＳＰ付き
ウエーハ１４に対して、前記高温加加熱処理を行うこと
によって、ウエーハの反り量を約８０％〜１００％低減
することができる。一例を挙げれば、６インチウエーハ
の場合には、鏡面加工終了時の３０〜５０μｍ程度の反
り量を０〜２０μｍ程度まで低減することが可能であ
る。なお、この程度の反り量（図示せず）は、品質の観
点から許容される反り量である。
ウエーハ１４に対して、前記高温加加熱処理を行うこと
によって、ウエーハの反り量を約８０％〜１００％低減
することができる。一例を挙げれば、６インチウエーハ
の場合には、鏡面加工終了時の３０〜５０μｍ程度の反
り量を０〜２０μｍ程度まで低減することが可能であ
る。なお、この程度の反り量（図示せず）は、品質の観
点から許容される反り量である。
【００２１】以下、本発明の実施例１を説明する。
【００２２】厚さ０．６２５ｍｍ、直径６インチのウエ
ーハ基板を準備した。このウエーハ基板の反り量を測定
したところ、１０μｍであった。
ーハ基板を準備した。このウエーハ基板の反り量を測定
したところ、１０μｍであった。
【００２３】このウエーハ基板の両面に、厚さ約１μｍ
のポリシリコン膜１２を、通常の手順によって形成し
た。
のポリシリコン膜１２を、通常の手順によって形成し
た。
【００２４】次に、ポリシリコン膜１２を形成したウエ
ーハ１３の表面に、通常の鏡面（ＭＬ）加工を行った。
鏡面加工終了時に測定したところ、ウエーハの反り量Ｌ
は約５０μｍであった。
ーハ１３の表面に、通常の鏡面（ＭＬ）加工を行った。
鏡面加工終了時に測定したところ、ウエーハの反り量Ｌ
は約５０μｍであった。
【００２５】反りＬが生じたＢＳＰ付きウエーハ１４に
対して、１２００℃、実質的に水素１００％雰囲気下で
１時間加熱処理を行った。その結果、ＢＳＰ付きウエー
ハ１５の反り量は、１０μｍまで低減された。なお、こ
の反り量は、ウエーハ品質の観点から許容される反り量
であった。
対して、１２００℃、実質的に水素１００％雰囲気下で
１時間加熱処理を行った。その結果、ＢＳＰ付きウエー
ハ１５の反り量は、１０μｍまで低減された。なお、こ
の反り量は、ウエーハ品質の観点から許容される反り量
であった。
【００２６】このように、本発明方法によれば、ＢＳＰ
付きウエーハ１５の反り量を、ウエーハの品質上許容で
きる程度まで低減できることが確認された。
付きウエーハ１５の反り量を、ウエーハの品質上許容で
きる程度まで低減できることが確認された。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、実質的に反りのないＢ
ＳＰ付きのウエーハを低コストで製造することができ
る。また、本発明のＢＳＰ付きウエーハを用いれば、高
品質の半導体デバイスを歩留まり良く製造することがで
きる。
ＳＰ付きのウエーハを低コストで製造することができ
る。また、本発明のＢＳＰ付きウエーハを用いれば、高
品質の半導体デバイスを歩留まり良く製造することがで
きる。
【図１】本発明方法による裏面ポリシリコン付きウエー
ハの製造工程を示す説明図。
ハの製造工程を示す説明図。
１１ ウエーハ基板 １２ ポリシリコン膜 １３ 両面にポリシリコン膜を有するウエーハ １４ 鏡面処理で反ったウエーハ １５ 高温加熱処理を施したウエーハ Ｌ 反り量
Claims (3)
- 【請求項１】 鏡面加工によって反りが生じた裏面ポリ
シリコン付きウエーハ（１４）に対して、水素ガス、窒
素ガス、アルゴンガスから選んだ少なくとも１種のガス
からなる雰囲気下で１０００〜１３００℃、０．５〜１
０時間加熱処理を行い、ウエーハの反り量（Ｌ）を低減
することを特徴とする裏面ポリシリコン付きウエーハの
製造方法。 - 【請求項２】 鏡面加工によって生じた反り量を８０〜
１００％低減することを特徴とする請求項１に記載の裏
面ポリシリコン付きウエーハの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の方法によって製造した
裏面ポリシリコン付きウエーハにおいて、ウエーハの反
り量を０〜２０μｍに低減したことを特徴とする裏面ポ
リシリコン付きウエーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17556195A JPH097907A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 裏面ポリシリコン付きウエーハ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17556195A JPH097907A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 裏面ポリシリコン付きウエーハ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097907A true JPH097907A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15998238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17556195A Pending JPH097907A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 裏面ポリシリコン付きウエーハ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097907A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100562438B1 (ko) * | 1997-10-30 | 2006-07-06 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼의 열처리방법 및 이에 의해 열처리된 실리콘 웨이퍼 |
-
1995
- 1995-06-20 JP JP17556195A patent/JPH097907A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100562438B1 (ko) * | 1997-10-30 | 2006-07-06 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼의 열처리방법 및 이에 의해 열처리된 실리콘 웨이퍼 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040716 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040810 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20041207 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |