JPH0974001A - サーミスタ装置 - Google Patents
サーミスタ装置Info
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- JPH0974001A JPH0974001A JP22625795A JP22625795A JPH0974001A JP H0974001 A JPH0974001 A JP H0974001A JP 22625795 A JP22625795 A JP 22625795A JP 22625795 A JP22625795 A JP 22625795A JP H0974001 A JPH0974001 A JP H0974001A
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- Japan
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- resin
- thermistor
- heat radiating
- linear expansion
- sealing resin
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- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 断続通電による出力低下が少なく、高出力が
安定して得られるサーミスタ装置を得る。 【解決手段】 サーミスタ素子１と、このサーミスタ素
子１を挟持する金属端子２，３と、さらにこれらの構成
部品１〜３を間に挟んだ絶縁板４，５とを、放熱ケース
６の開口部６ａから挿入、押圧する。次に、減圧脱気状
態の雰囲気において放熱ケース６の開口部６ａから液状
の封入樹脂７を充填する。封入樹脂７は部品１〜６間の
界面に生じた隙間に浸み込む。この封入樹脂７として、
ポリイミド樹脂にアルミナ粉を５０ｗｔ％混入したもの
を使用する。この後、封入樹脂７を硬化させる。
安定して得られるサーミスタ装置を得る。 【解決手段】 サーミスタ素子１と、このサーミスタ素
子１を挟持する金属端子２，３と、さらにこれらの構成
部品１〜３を間に挟んだ絶縁板４，５とを、放熱ケース
６の開口部６ａから挿入、押圧する。次に、減圧脱気状
態の雰囲気において放熱ケース６の開口部６ａから液状
の封入樹脂７を充填する。封入樹脂７は部品１〜６間の
界面に生じた隙間に浸み込む。この封入樹脂７として、
ポリイミド樹脂にアルミナ粉を５０ｗｔ％混入したもの
を使用する。この後、封入樹脂７を硬化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、サーミスタ装置、
特に、蒸気発生等のための発熱体として使用されるサー
ミスタ装置に関する。
特に、蒸気発生等のための発熱体として使用されるサー
ミスタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】蒸気発生等のための発熱体として使用さ
れるサーミスタ装置は、サーミスタ素子と、このサーミ
スタ素子を挟持する保持部材と、これらの部品を収容す
るための放熱ケースとで構成されている。サーミスタ素
子と保持部材と放熱ケースは相互に押圧され面接触して
いるが、各構成部品の反りや表面粗さのため、構成部品
間には僅かな隙間が生じることがある。ところが、この
隙間を満たしている空気は熱伝導が非常に悪いため、従
来の装置にあっては、サーミスタ素子で発生した熱が十
分に放熱ケースに伝わらず、高出力が得られなかった。
そこで、サーミスタ素子で発生した熱が保持部材を介し
て放熱ケースに十分に伝わるように、構成部品間の界面
にシリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂やポリイミド系樹
脂を封入することが試みられている。
れるサーミスタ装置は、サーミスタ素子と、このサーミ
スタ素子を挟持する保持部材と、これらの部品を収容す
るための放熱ケースとで構成されている。サーミスタ素
子と保持部材と放熱ケースは相互に押圧され面接触して
いるが、各構成部品の反りや表面粗さのため、構成部品
間には僅かな隙間が生じることがある。ところが、この
隙間を満たしている空気は熱伝導が非常に悪いため、従
来の装置にあっては、サーミスタ素子で発生した熱が十
分に放熱ケースに伝わらず、高出力が得られなかった。
そこで、サーミスタ素子で発生した熱が保持部材を介し
て放熱ケースに十分に伝わるように、構成部品間の界面
にシリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂やポリイミド系樹
脂を封入することが試みられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シリコ
ーン系樹脂は、熱伝導率が比較的高いものの、断続通電
を行うと急激に出力が低下する傾向がある。この理由と
しては、シリコーン系樹脂は硬度が低くかつ線膨張率が
大きいため、断続通電によるヒートサイクルの繰り返し
によって樹脂と構成部品間の界面が剥離し、熱伝導性が
悪化するからであると考えられる。また、エポキシ系樹
脂やポリイミド系樹脂は、線膨張率がシリコーン系と比
較して低いためヒートサイクルの影響を受けにくく、断
続通電による出力の低下がシリコーン系樹脂より少ない
ものの、熱伝導率が低く、サーミスタ素子で発生した熱
が十分に放熱ケースに伝わらず、高出力のサーミスタ装
置は困難である。
ーン系樹脂は、熱伝導率が比較的高いものの、断続通電
を行うと急激に出力が低下する傾向がある。この理由と
しては、シリコーン系樹脂は硬度が低くかつ線膨張率が
大きいため、断続通電によるヒートサイクルの繰り返し
によって樹脂と構成部品間の界面が剥離し、熱伝導性が
悪化するからであると考えられる。また、エポキシ系樹
脂やポリイミド系樹脂は、線膨張率がシリコーン系と比
較して低いためヒートサイクルの影響を受けにくく、断
続通電による出力の低下がシリコーン系樹脂より少ない
ものの、熱伝導率が低く、サーミスタ素子で発生した熱
が十分に放熱ケースに伝わらず、高出力のサーミスタ装
置は困難である。
【０００４】そこで、本発明の目的は、断続通電による
出力低下が少なく、高出力が安定して得られるサーミス
タ装置を提供することにある。
出力低下が少なく、高出力が安定して得られるサーミス
タ装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係るサーミスタ装置は、放熱ケース内に、
ショアＤ硬度が７０以上かつ線膨張が１．０×１０-4／
℃以下の樹脂に熱伝導粒子を２０〜８０ｗｔ％混入した
封入樹脂を充填したことを特徴とする。ここに、封入樹
脂の樹脂としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂
等が採用される。また、封入樹脂の熱伝導粒子として
は、アルミナ、炭化珪素、ジルコニア、あるいはこれら
の少なくとも二つの混合体等が採用される。
め、本発明に係るサーミスタ装置は、放熱ケース内に、
ショアＤ硬度が７０以上かつ線膨張が１．０×１０-4／
℃以下の樹脂に熱伝導粒子を２０〜８０ｗｔ％混入した
封入樹脂を充填したことを特徴とする。ここに、封入樹
脂の樹脂としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂
等が採用される。また、封入樹脂の熱伝導粒子として
は、アルミナ、炭化珪素、ジルコニア、あるいはこれら
の少なくとも二つの混合体等が採用される。
【０００６】
【作用】熱伝導粒子の混入によって封入樹脂の熱伝導率
はアップし、封入樹脂のショアＤ硬度は大きく、線膨張
率は小さくなる。
はアップし、封入樹脂のショアＤ硬度は大きく、線膨張
率は小さくなる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るサーミスタ装
置の実施形態について添付図面を参照して説明する。本
実施形態では、正特性サーミスタを例にして説明する。
図１及び図２に示すように、正特性サーミスタは、サー
ミスタ素子１と、このサーミスタ素子１を挟持する金属
端子２，３と、くさび形状の絶縁板４，５と、金属製放
熱ケース６を有している。
置の実施形態について添付図面を参照して説明する。本
実施形態では、正特性サーミスタを例にして説明する。
図１及び図２に示すように、正特性サーミスタは、サー
ミスタ素子１と、このサーミスタ素子１を挟持する金属
端子２，３と、くさび形状の絶縁板４，５と、金属製放
熱ケース６を有している。
【０００８】サーミスタ素子１は表裏面全面に電極が設
けられ、矩形状（サイズ２８×９×２．３（ｍｍ））を
しており、キュリー点温度は１８０℃、抵抗値は９０Ω
である。金属端子２，３はステンレス製で、それぞれ一
方の端部にリード線２ａ，３ａが溶接等の手段にて電気
的に接続されている。金属端子２，３はサーミスタ素子
１の電極に面接触してサーミスタ素子１を挟持すると共
に、電気的に接続している。サーミスタ素子１の電極と
金属端子２，３は導電性ペースト等を介して密着させ、
後述の封入樹脂７が電極と金属端子２，３間に浸み込む
のを防止することが好ましいが、必らずしも必要なこと
ではない。絶縁板４，５はアルミナ等の高熱伝導材料か
らなり、サーミスタ素子１を挟持している金属端子２，
３の上下に配置され、これらの部品１〜３を挟んでい
る。絶縁板４，５は金属端子２，３と金属製放熱ケース
６とを電気的に絶縁する働きも有する。
けられ、矩形状（サイズ２８×９×２．３（ｍｍ））を
しており、キュリー点温度は１８０℃、抵抗値は９０Ω
である。金属端子２，３はステンレス製で、それぞれ一
方の端部にリード線２ａ，３ａが溶接等の手段にて電気
的に接続されている。金属端子２，３はサーミスタ素子
１の電極に面接触してサーミスタ素子１を挟持すると共
に、電気的に接続している。サーミスタ素子１の電極と
金属端子２，３は導電性ペースト等を介して密着させ、
後述の封入樹脂７が電極と金属端子２，３間に浸み込む
のを防止することが好ましいが、必らずしも必要なこと
ではない。絶縁板４，５はアルミナ等の高熱伝導材料か
らなり、サーミスタ素子１を挟持している金属端子２，
３の上下に配置され、これらの部品１〜３を挟んでい
る。絶縁板４，５は金属端子２，３と金属製放熱ケース
６とを電気的に絶縁する働きも有する。
【０００９】放熱ケース６は、肉厚が１．０ｍｍのアル
ミニウム材からなり、右側端部に開口部６ａを有し、左
側端部は開口部６ａから離れるにつれて高さ方向の寸法
が小さくなっている。内壁面は傾斜しており、この放熱
ケース６の内壁に沿うように絶縁板４，５の傾斜面が設
定されている。サーミスタ素子１及び金属端子２，３を
挟持した状態の絶縁体４，５を放熱ケース６の開口部６
ａから挿入、押圧すると、各構成部品１〜６相互間に高
さ方向の押圧が加わり、構成部品１〜６相互は面接触す
る。ただし、通常、各構成部品１〜６の反りや表面粗さ
のため、構成部品１〜６間には僅かな隙間が生じてい
る。
ミニウム材からなり、右側端部に開口部６ａを有し、左
側端部は開口部６ａから離れるにつれて高さ方向の寸法
が小さくなっている。内壁面は傾斜しており、この放熱
ケース６の内壁に沿うように絶縁板４，５の傾斜面が設
定されている。サーミスタ素子１及び金属端子２，３を
挟持した状態の絶縁体４，５を放熱ケース６の開口部６
ａから挿入、押圧すると、各構成部品１〜６相互間に高
さ方向の押圧が加わり、構成部品１〜６相互は面接触す
る。ただし、通常、各構成部品１〜６の反りや表面粗さ
のため、構成部品１〜６間には僅かな隙間が生じてい
る。
【００１０】各構成部品１〜５を放熱ケース６に収容し
た後、減圧脱気状態の雰囲気中において放熱ケース６の
開口部６ａから液状の封入樹脂７が充填される。封入樹
脂７は部品１〜６間の界面に生じた隙間に浸み込み、隙
間に略充填される。次に、封入樹脂７として、ポリイミ
ド樹脂（商品名：ハイテンプＨＴ−１００、コニシ
（株）製）にアルミナ粉（粒子の大きさは＃５００）を
５０ｗｔ％混入したもの（以下、実施形態１とする）を
使用した場合は、２００℃の温度で２時間硬化する。硬
化後の封入樹脂７のショアＤ硬度は９４、線膨張率は
５．６×１０-5／℃であった。
た後、減圧脱気状態の雰囲気中において放熱ケース６の
開口部６ａから液状の封入樹脂７が充填される。封入樹
脂７は部品１〜６間の界面に生じた隙間に浸み込み、隙
間に略充填される。次に、封入樹脂７として、ポリイミ
ド樹脂（商品名：ハイテンプＨＴ−１００、コニシ
（株）製）にアルミナ粉（粒子の大きさは＃５００）を
５０ｗｔ％混入したもの（以下、実施形態１とする）を
使用した場合は、２００℃の温度で２時間硬化する。硬
化後の封入樹脂７のショアＤ硬度は９４、線膨張率は
５．６×１０-5／℃であった。
【００１１】また、封入樹脂７として、エポキシ樹脂
（商品名：ＳＴＲＵＣＴ ＢＯＮＤＥＨ−４５６、三井
東圧化学（株）製）にアルミナ粉（粒子の大きさは＃５
００）を３０ｗｔ％混入したもの（以下、実施形態２と
する）を使用した場合は、１５０℃の温度で２時間硬化
する。硬化後の封入樹脂７のショア硬度は９０、線膨張
率は５．０×１０-5／℃であった。
（商品名：ＳＴＲＵＣＴ ＢＯＮＤＥＨ−４５６、三井
東圧化学（株）製）にアルミナ粉（粒子の大きさは＃５
００）を３０ｗｔ％混入したもの（以下、実施形態２と
する）を使用した場合は、１５０℃の温度で２時間硬化
する。硬化後の封入樹脂７のショア硬度は９０、線膨張
率は５．０×１０-5／℃であった。
【００１２】これら２種類の正特性サーミスタを、それ
ぞれ図３に示すように、開口部６ａを残して約８０％の
部分を、容器１１に入った水１２の中に浸漬して交流電
圧１００Ｖをリード線２ａ，３ａ間に印加し、水１２を
沸騰させた状態での出力を測定した。この後、これら２
種類の正特性サーミスタに対して、１分間の交流電圧
（１００Ｖ）印加と５分間の電圧無印加を１サイクルと
して１０００サイクルの断続通電を実施した後、再び出
力を測定した。評価結果を表１に示す。表１には比較の
ために、封入樹脂としてシリコーン樹脂（商品名：ＴＳ
Ｅ３３３４、東芝シリコーン（株）製）のみのもの（以
下、比較例１とする）を使用した場合、封入樹脂として
ポリイミド樹脂（商品名：ハイテンプＨＴ−１００、コ
ニシ（株）製）のみのもの（以下、比較例２とする）を
使用した場合、封入樹脂としてポリイミド樹脂（商品
名：ハイテンプＨＴ−１００、コニシ（株）製）にアル
ミナ粉（粒子の大きさは＃５００）を１０ｗｔ％混入し
たもの（以下、比較例３とする）を使用した場合の評価
結果も合わせて表示している。なお、比較例１の硬化後
の封入樹脂の硬度（ＪＩＳ Ａ）は６０、線膨張率は
１．５×１０-4／℃であった。
ぞれ図３に示すように、開口部６ａを残して約８０％の
部分を、容器１１に入った水１２の中に浸漬して交流電
圧１００Ｖをリード線２ａ，３ａ間に印加し、水１２を
沸騰させた状態での出力を測定した。この後、これら２
種類の正特性サーミスタに対して、１分間の交流電圧
（１００Ｖ）印加と５分間の電圧無印加を１サイクルと
して１０００サイクルの断続通電を実施した後、再び出
力を測定した。評価結果を表１に示す。表１には比較の
ために、封入樹脂としてシリコーン樹脂（商品名：ＴＳ
Ｅ３３３４、東芝シリコーン（株）製）のみのもの（以
下、比較例１とする）を使用した場合、封入樹脂として
ポリイミド樹脂（商品名：ハイテンプＨＴ−１００、コ
ニシ（株）製）のみのもの（以下、比較例２とする）を
使用した場合、封入樹脂としてポリイミド樹脂（商品
名：ハイテンプＨＴ−１００、コニシ（株）製）にアル
ミナ粉（粒子の大きさは＃５００）を１０ｗｔ％混入し
たもの（以下、比較例３とする）を使用した場合の評価
結果も合わせて表示している。なお、比較例１の硬化後
の封入樹脂の硬度（ＪＩＳ Ａ）は６０、線膨張率は
１．５×１０-4／℃であった。
【００１３】
【表１】
【００１４】表１において、実施形態１と比較例２を比
較すると、アルミナ粉の混入により初期出力が２５％向
上することがわかる。さらに、断続通電による出力低下
がアルミナ粉の混入によって少なくできることがわか
る。この原因として、アルミナ粉を樹脂に混入すること
によって、硬化後の封入樹脂７の線膨張率を、放熱ケー
ス６の線膨張率（アルミニウムの場合は２．９×１０-5
／℃）や絶縁板４，５の線膨張率（アルミナの場合は約
５×１０-6／℃）に近づけることができ、封入樹脂７と
構成部品１〜６の接着界面の剥離が起きにくくなったた
めと考えられる。
較すると、アルミナ粉の混入により初期出力が２５％向
上することがわかる。さらに、断続通電による出力低下
がアルミナ粉の混入によって少なくできることがわか
る。この原因として、アルミナ粉を樹脂に混入すること
によって、硬化後の封入樹脂７の線膨張率を、放熱ケー
ス６の線膨張率（アルミニウムの場合は２．９×１０-5
／℃）や絶縁板４，５の線膨張率（アルミナの場合は約
５×１０-6／℃）に近づけることができ、封入樹脂７と
構成部品１〜６の接着界面の剥離が起きにくくなったた
めと考えられる。
【００１５】ただし、比較例３から、アルミナ粉の混入
量が２０ｗｔ％未満であると、初期出力や断続通電によ
る出力低下の改善が認められないことがわかる。一方、
アルミナ粉の混入量が８０ｗｔ％を越えると封入樹脂の
流動性が悪くなり、構成部品１〜６間の隙間に浸み込ま
ないという問題が発生すると共に、樹脂成分が少なく、
構成部品１〜６との接着強度が低下するという問題が発
生する。
量が２０ｗｔ％未満であると、初期出力や断続通電によ
る出力低下の改善が認められないことがわかる。一方、
アルミナ粉の混入量が８０ｗｔ％を越えると封入樹脂の
流動性が悪くなり、構成部品１〜６間の隙間に浸み込ま
ないという問題が発生すると共に、樹脂成分が少なく、
構成部品１〜６との接着強度が低下するという問題が発
生する。
【００１６】さらに、実施形態１及び２と比較例１を比
較すると、アルミナ粉の混入によりポリイミド樹脂やエ
ポキシ樹脂からなる封入樹脂がシリコーン系樹脂からな
る封入樹脂と同等の初期出力を得られることがわかる。
しかも、これらポリイミドやエポキシ樹脂からなる封入
樹脂は断続通電による出力低下がシリコーン系樹脂から
なる封入樹脂と比較して非常に小さく抑えられている。
較すると、アルミナ粉の混入によりポリイミド樹脂やエ
ポキシ樹脂からなる封入樹脂がシリコーン系樹脂からな
る封入樹脂と同等の初期出力を得られることがわかる。
しかも、これらポリイミドやエポキシ樹脂からなる封入
樹脂は断続通電による出力低下がシリコーン系樹脂から
なる封入樹脂と比較して非常に小さく抑えられている。
【００１７】なお、本発明に係るサーミスタ装置は前記
実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で
種々に変更することができる。サーミスタ装置は正特性
サーミスタ以外に負特性サーミスタであってもよい。ま
た、表裏面の少なくともいずれか一方の面に一対以上の
櫛歯状電極を設けたサーミスタ素子を絶縁板にて挟持
し、放熱ケースに圧入、収容する構造であってもよい。
さらに、放熱ケースの材料としては、金属以外に、アル
ミナ等の高熱伝導材を採用してもよい。この場合、絶縁
板は必らずしも必要でなくなり、構成部品間の押圧調整
のための板部材が必要であれば金属等の熱伝導率の高い
材料からなる板部材を使用することができる。
実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で
種々に変更することができる。サーミスタ装置は正特性
サーミスタ以外に負特性サーミスタであってもよい。ま
た、表裏面の少なくともいずれか一方の面に一対以上の
櫛歯状電極を設けたサーミスタ素子を絶縁板にて挟持
し、放熱ケースに圧入、収容する構造であってもよい。
さらに、放熱ケースの材料としては、金属以外に、アル
ミナ等の高熱伝導材を採用してもよい。この場合、絶縁
板は必らずしも必要でなくなり、構成部品間の押圧調整
のための板部材が必要であれば金属等の熱伝導率の高い
材料からなる板部材を使用することができる。
【００１８】さらに、封入樹脂の熱伝導粒子としては、
アルミナ以外に、炭化珪素、ジルコニア、あるいはこれ
らの少なくとも二つの混合体、例えばアルミナと炭化珪
素の混合体、アルミナとジルコニアの混合体、アルミナ
と炭化珪素とジルコニアの混合体等が採用される。
アルミナ以外に、炭化珪素、ジルコニア、あるいはこれ
らの少なくとも二つの混合体、例えばアルミナと炭化珪
素の混合体、アルミナとジルコニアの混合体、アルミナ
と炭化珪素とジルコニアの混合体等が採用される。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、放熱ケース内に、ショアＤ硬度が７０以上かつ
線膨張率が１．０×１０-4／℃以下の樹脂に熱伝導粒子
を２０〜８０ｗｔ％混入した封入樹脂を充填したので、
熱伝導粒子の混入によって封入樹脂の熱伝導率はアップ
し、封入樹脂のショアＤ硬度は大きく、線膨張率は小さ
くなる。この結果、断続通電による出力低下が少なく、
高出力が安定して得られるサーミスタ装置を得ることが
できる。特に、封入樹脂としてエポキシ系樹脂やポリイ
ミド系樹脂を採用し、熱伝導粒子としてアルミナや炭化
珪素やジルコニアを採用することにより、サーミスタ装
置は断続通電による出力低下が極めて少なく、高出力が
著しく安定して得られる。
よれば、放熱ケース内に、ショアＤ硬度が７０以上かつ
線膨張率が１．０×１０-4／℃以下の樹脂に熱伝導粒子
を２０〜８０ｗｔ％混入した封入樹脂を充填したので、
熱伝導粒子の混入によって封入樹脂の熱伝導率はアップ
し、封入樹脂のショアＤ硬度は大きく、線膨張率は小さ
くなる。この結果、断続通電による出力低下が少なく、
高出力が安定して得られるサーミスタ装置を得ることが
できる。特に、封入樹脂としてエポキシ系樹脂やポリイ
ミド系樹脂を採用し、熱伝導粒子としてアルミナや炭化
珪素やジルコニアを採用することにより、サーミスタ装
置は断続通電による出力低下が極めて少なく、高出力が
著しく安定して得られる。
【図１】本発明に係るサーミスタ装置の一実施形態を示
す分解斜視図。
す分解斜視図。
【図２】図１に示したサーミスタ装置の断面図。
【図３】サーミスタ装置の出力評価試験方法を説明する
ための断面図。
ための断面図。
１…サーミスタ素子 ２，３…金属端子 ４，５…絶縁板 ６…放熱ケース ７…封入樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】 サーミスタ素子と、 前記サーミスタ素子を挟持する保持部材と、 前記サーミスタ素子及び前記保持部材を収容するための
放熱ケースと、 前記放熱ケース内に充填される、ショアＤ硬度が７０以
上かつ線膨張率が１．０×１０-4／℃以下の樹脂に熱伝
導粒子を２０〜８０ｗｔ％混入した封入樹脂と、 を備えたことを特徴とするサーミスタ装置。 - 【請求項２】 前記封入樹脂の樹脂がエポキシ系又はポ
リイミド系であることを特徴とする請求項１記載のサー
ミスタ装置。 - 【請求項３】 前記封入樹脂の熱伝導粒子がアルミナ又
は炭化珪素又はジルコニア又はこれらの少なくとも二つ
の混合体であることを特徴とする請求項１又は２記載の
サーミスタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22625795A JPH0974001A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | サーミスタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22625795A JPH0974001A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | サーミスタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974001A true JPH0974001A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16842369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22625795A Pending JPH0974001A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | サーミスタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0974001A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004363164A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Alps Electric Co Ltd | 密封型電気部品 |
| EP1646055A1 (en) * | 2004-10-07 | 2006-04-12 | I.R.C.A. S.p.a. Industria Resistenze Corazzate e Affini | PTC element emdedded in a heat conducting resin body |
| JP2008153069A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Toyota Motor Corp | 接続装置 |
| JP2008270551A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Nichicon Corp | 正特性サーミスタ装置およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-09-04 JP JP22625795A patent/JPH0974001A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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