JPH0973793A - 連想記憶装置 - Google Patents
連想記憶装置Info
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- JPH0973793A JPH0973793A JP7248676A JP24867695A JPH0973793A JP H0973793 A JPH0973793 A JP H0973793A JP 7248676 A JP7248676 A JP 7248676A JP 24867695 A JP24867695 A JP 24867695A JP H0973793 A JPH0973793 A JP H0973793A
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- memory
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C15/00—Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores
- G11C15/04—Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores using semiconductor elements
Landscapes
- Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】チップ面積が増大するのを抑えつつ、可変長デ
ータの一致検索及び検索式の処理を行う連想記憶装置を
実現する。 【解決手段】検索時に、複数のメモリワードで共有する
1つの一致検索センスアンプ28が検出した検索結果
と、一致検索センスアンプ毎に設けたワーキングレジス
タ34が保持する前の検索結果との論理演算をコントロ
ールゲート32が行い、その結果を再びワーキングレジ
スタに保持する。
ータの一致検索及び検索式の処理を行う連想記憶装置を
実現する。 【解決手段】検索時に、複数のメモリワードで共有する
1つの一致検索センスアンプ28が検出した検索結果
と、一致検索センスアンプ毎に設けたワーキングレジス
タ34が保持する前の検索結果との論理演算をコントロ
ールゲート32が行い、その結果を再びワーキングレジ
スタに保持する。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、連想記憶装置に関
し、特に一致検索回路毎に検索処理のため又はワード長
拡張のための論理処理手段を備えた連想記憶装置に関す
る。
し、特に一致検索回路毎に検索処理のため又はワード長
拡張のための論理処理手段を備えた連想記憶装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】通常のRAM(ランダムアクセスメモ
リ)、ROM(リードオンリメモリ)等の記憶装置で
は、データを記憶するワードをアドレスを用いて指定
し、読み出し又は書き込み等のデータアクセスを行う。
リ)、ROM(リードオンリメモリ)等の記憶装置で
は、データを記憶するワードをアドレスを用いて指定
し、読み出し又は書き込み等のデータアクセスを行う。
【0003】これに対し、連想記憶装置では、検索デー
タを入力し、入力された検索データと各ワードに記憶さ
れるデータとを照合し、該当するワードのアドレスを生
成して出力する。
タを入力し、入力された検索データと各ワードに記憶さ
れるデータとを照合し、該当するワードのアドレスを生
成して出力する。
【0004】従来の連想記憶装置の多くは、ワード長が
予め定められた所定のビット数以下に限定されているた
め、自然言語の辞書検索のような可変長のデータを扱う
ことができないという問題があった。
予め定められた所定のビット数以下に限定されているた
め、自然言語の辞書検索のような可変長のデータを扱う
ことができないという問題があった。
【0005】さらに、従来の連想記憶装置の多くは、単
純に検索データに該当するワードのアドレスを生成する
機能しか具備していないため、例えばデータベース処理
のように検索式等を扱う応用においては、連想記憶装置
の外部に設けられた計算機システムで連想記憶装置が出
力する検索結果を処理することが必要とされるという問
題があった。
純に検索データに該当するワードのアドレスを生成する
機能しか具備していないため、例えばデータベース処理
のように検索式等を扱う応用においては、連想記憶装置
の外部に設けられた計算機システムで連想記憶装置が出
力する検索結果を処理することが必要とされるという問
題があった。
【0006】可変長のデータを扱う従来の連想メモリ装
置として、例えば特開平5−189978号公報には、
複数のメモリワード毎に1つ設けられた一致検索回路を
有する連想メモリのメモリ幅拡張のための新規な構造と
して、図4に示すような構成が提案されている。
置として、例えば特開平5−189978号公報には、
複数のメモリワード毎に1つ設けられた一致検索回路を
有する連想メモリのメモリ幅拡張のための新規な構造と
して、図4に示すような構成が提案されている。
【0007】図4を参照して、上記公報に記載の連想メ
モリ装置は、4つのメモリワード26すなわちW(1,
1),W(2,1),W(3,1)及びW(4,1)、
…、W(1,n),W(2,n),W(3,n)及びW
(4,n)に対して1つ設けられる、センスアンプ(S
A)28(281〜28n)、一致検索線30(301〜
30n)、コントロールゲート(CGATE)32(3
21〜32n)、及びワーキングレジスタ(WR)34
(341〜34n)と、各々のメモリワード26に対応し
てそれぞれ設けられるデータレジスタ(例えばDR1〜
DR4)36(3611〜3641,361n〜364n)、及
びデータレジスタ36に対応して設けられこれらをそれ
ぞれ制御するトランジスタ37(3711〜3741,37
1n〜374n)からなる所定のワード長の一致検索回路ブ
ロック22(221〜22n)と、を備えている。
モリ装置は、4つのメモリワード26すなわちW(1,
1),W(2,1),W(3,1)及びW(4,1)、
…、W(1,n),W(2,n),W(3,n)及びW
(4,n)に対して1つ設けられる、センスアンプ(S
A)28(281〜28n)、一致検索線30(301〜
30n)、コントロールゲート(CGATE)32(3
21〜32n)、及びワーキングレジスタ(WR)34
(341〜34n)と、各々のメモリワード26に対応し
てそれぞれ設けられるデータレジスタ(例えばDR1〜
DR4)36(3611〜3641,361n〜364n)、及
びデータレジスタ36に対応して設けられこれらをそれ
ぞれ制御するトランジスタ37(3711〜3741,37
1n〜374n)からなる所定のワード長の一致検索回路ブ
ロック22(221〜22n)と、を備えている。
【0008】トランジスタ37(1,x),37(2,
x),37(3,x)及び37(4,x)(但しx=1
〜4)は、それぞれ制御信号Z1,Z2,Z3及びZ4
に共通に接続され、メモリワード26のW(1,1),
…,W(1,n)、W(2,1),…,W(2,n)、
W(3,1),…,W(3,n)、及びW(4,1),
…,W(4,n)の選択タイミングと同じタイミングで
制御される。
x),37(3,x)及び37(4,x)(但しx=1
〜4)は、それぞれ制御信号Z1,Z2,Z3及びZ4
に共通に接続され、メモリワード26のW(1,1),
…,W(1,n)、W(2,1),…,W(2,n)、
W(3,1),…,W(3,n)、及びW(4,1),
…,W(4,n)の選択タイミングと同じタイミングで
制御される。
【0009】センスアンプ28は、一致検索線30の信
号状態を検出するもので、一致検索線30の信号状態が
一致であれば“1”(High)を検出し、不一致であれ
ば“0”(Low)を検出する。
号状態を検出するもので、一致検索線30の信号状態が
一致であれば“1”(High)を検出し、不一致であれ
ば“0”(Low)を検出する。
【0010】コントロールゲート32は、データレジス
タ36に保持されている隣接する上位のメモリワードア
ドレスの前回の検索データD(t)の検索結果R(t)
と、今回の当該メモリワードアドレスの検索データD
(t+1)の検索結果R(t+1)と、の論理演算を行
う論理演算手段であって、図4に示す構成においては、
論理積(AND)を求める。
タ36に保持されている隣接する上位のメモリワードア
ドレスの前回の検索データD(t)の検索結果R(t)
と、今回の当該メモリワードアドレスの検索データD
(t+1)の検索結果R(t+1)と、の論理演算を行
う論理演算手段であって、図4に示す構成においては、
論理積(AND)を求める。
【0011】図5には、従来の連想メモリ装置の概略構
成を模式的に示したブロック図である。
成を模式的に示したブロック図である。
【0012】図5を参照して、連想メモリ装置(CAM
メモリ)10は、CAM(ContentAddressable Memor
y;内容アクセス・メモリ)メモリアレイ12、データ
アンドマスク駆動ブロック14、アドレスデコーダ1
6、一致検索回路ブロック18、及びアドレスエンコー
ダ20を含む。なお、CAMメモリ10は、RAM又は
ROM等のメモリと同様の働きをするメモリモードと、
一致検索を行なう一致検索モードと、を有し、通常のメ
モリモードでは、アドレスデコーダ16によりCAMメ
モリアレイ12内の任意のアドレスの内容を読み出し又
は書き込みがデータアンドマスク駆動ブロック14を介
して行なわれ、その際一致検索回路ブロック18、アド
レスデコーダ20は動作しない。一方、検索モードでは
データアンドマスク駆動ブロック14から一致検索の対
象となるビット位置を指定するマスク信号及び検索デー
タが入力される。
メモリ)10は、CAM(ContentAddressable Memor
y;内容アクセス・メモリ)メモリアレイ12、データ
アンドマスク駆動ブロック14、アドレスデコーダ1
6、一致検索回路ブロック18、及びアドレスエンコー
ダ20を含む。なお、CAMメモリ10は、RAM又は
ROM等のメモリと同様の働きをするメモリモードと、
一致検索を行なう一致検索モードと、を有し、通常のメ
モリモードでは、アドレスデコーダ16によりCAMメ
モリアレイ12内の任意のアドレスの内容を読み出し又
は書き込みがデータアンドマスク駆動ブロック14を介
して行なわれ、その際一致検索回路ブロック18、アド
レスデコーダ20は動作しない。一方、検索モードでは
データアンドマスク駆動ブロック14から一致検索の対
象となるビット位置を指定するマスク信号及び検索デー
タが入力される。
【0013】このような構成からなる一致検索ブロック
18を有するCAM装置10は、アドレスデコーダ16
によって、同一の一致検索回路22(図4参照)につな
がる1組4つのメモリワードのうちの1つのメモリワー
ドを各々の一致検索回路22から1つずつ選択し、1つ
のブロックを構成し、このブロック内では同時に一致検
索を行う。
18を有するCAM装置10は、アドレスデコーダ16
によって、同一の一致検索回路22(図4参照)につな
がる1組4つのメモリワードのうちの1つのメモリワー
ドを各々の一致検索回路22から1つずつ選択し、1つ
のブロックを構成し、このブロック内では同時に一致検
索を行う。
【0014】一致検索回路ブロック18を用いるCAM
10は、物理的配置ではなく、論理的なアドレス配置か
らすると、例えば図6に示すように、n個のメモリワー
ドを1群とする4つの論理アドレスメモリブロックLA
B1,LAB2,LAB3及びLAB4に分割されるこ
とになる。
10は、物理的配置ではなく、論理的なアドレス配置か
らすると、例えば図6に示すように、n個のメモリワー
ドを1群とする4つの論理アドレスメモリブロックLA
B1,LAB2,LAB3及びLAB4に分割されるこ
とになる。
【0015】すなわち、論理アドレスメモリブロックL
AB1としてはメモリワード26としてn個のメモリア
ドレスW(1,1),…,W(1,n)が、LAB2と
してはn個のメモリアドレスW(2,1),…,W
(2,n)が、LAB3としてはn個のメモリアドレス
W(3,1),…,W(3,n)が、LAB4としては
n個のメモリアドレスW(4,1),…,W(4,n)
が選択され、ブロック化される。
AB1としてはメモリワード26としてn個のメモリア
ドレスW(1,1),…,W(1,n)が、LAB2と
してはn個のメモリアドレスW(2,1),…,W
(2,n)が、LAB3としてはn個のメモリアドレス
W(3,1),…,W(3,n)が、LAB4としては
n個のメモリアドレスW(4,1),…,W(4,n)
が選択され、ブロック化される。
【0016】図4を参照して、従来の連想メモリ装置の
一致検索動作の一例について説明する。
一致検索動作の一例について説明する。
【0017】はじめに、全てのワーキングレジスタ34
(341,…,34n)、データレジスタ36(3611,
…,364n)は初期化するものとする。すなわち、全て
のデータレジスタ36には、データ“1”が保持されて
いるとする。
(341,…,34n)、データレジスタ36(3611,
…,364n)は初期化するものとする。すなわち、全て
のデータレジスタ36には、データ“1”が保持されて
いるとする。
【0018】最初に検索データD(t)の一致検索を行
う。まず、1ブロック目の論理アドレスメモリブロック
LAB1の全てのメモリワード26(W(1,1),
…,W(1,n))が同時に駆動され、これらのメモリ
ワードのメモリセルのデータと検索データD(t)との
一致検索が行われ、一致/不一致によって一致検索線3
01,…,30nの信号状態が変化し、この信号状態をそ
れぞれセンスアンプ281,…,28nで検出し、その検
索結果をそれぞれコントロールゲート32(321,
…,32n)に入力する。
う。まず、1ブロック目の論理アドレスメモリブロック
LAB1の全てのメモリワード26(W(1,1),
…,W(1,n))が同時に駆動され、これらのメモリ
ワードのメモリセルのデータと検索データD(t)との
一致検索が行われ、一致/不一致によって一致検索線3
01,…,30nの信号状態が変化し、この信号状態をそ
れぞれセンスアンプ281,…,28nで検出し、その検
索結果をそれぞれコントロールゲート32(321,
…,32n)に入力する。
【0019】ここで、コントロールゲート32はAND
ゲート38で構成され、ANDゲート38の一方の入力
端子にはそれぞれ初期化されたデータレジスタ36の全
てに保持されていたデータ“1”が全て入力されている
ので、ANDゲート38は、検索結果Rtをそのままそ
れぞれ出力する。
ゲート38で構成され、ANDゲート38の一方の入力
端子にはそれぞれ初期化されたデータレジスタ36の全
てに保持されていたデータ“1”が全て入力されている
ので、ANDゲート38は、検索結果Rtをそのままそ
れぞれ出力する。
【0020】そして、この検索結果R(t)は、それぞ
れワーキングレジスタ341,…,34nに保持され、上
述のメモリワードの駆動と同時に駆動される制御信号Z
iによって全て同時にオンされているトランジスタ37
(3711,…,371n)を通って、それぞれのメモリワ
ード26(W(1,1),…,W(1,n))に対応す
るデータレジスタ36(3611,…,361n)に保持さ
れる。
れワーキングレジスタ341,…,34nに保持され、上
述のメモリワードの駆動と同時に駆動される制御信号Z
iによって全て同時にオンされているトランジスタ37
(3711,…,371n)を通って、それぞれのメモリワ
ード26(W(1,1),…,W(1,n))に対応す
るデータレジスタ36(3611,…,361n)に保持さ
れる。
【0021】このようにして、1ブロック目の論理アド
レスメモリブロックLAB1の検索データD(t)によ
る一致検索が終了する。
レスメモリブロックLAB1の検索データD(t)によ
る一致検索が終了する。
【0022】次に、2ブロック目の論理アドレスメモリ
ブロックLAB2の検索データD(t)による一致検索
を全く同様にして行って、その結果R(t)をそれぞれ
のメモリワード26(W(2,1),…,W(2,
n))に対応するデータレジスタ36(3621,…,3
62n)に保持して、2ブロック目の検索を終了する。同
様にして、3ブロック目及び4ブロック目の論理アドレ
スメモリブロックLAB3及びLAB4の一致検索も、
その結果R(t)をそれぞれデータレジスタ36(36
31,…,363n),36(3641,…,364n)に保存
して終了する。
ブロックLAB2の検索データD(t)による一致検索
を全く同様にして行って、その結果R(t)をそれぞれ
のメモリワード26(W(2,1),…,W(2,
n))に対応するデータレジスタ36(3621,…,3
62n)に保持して、2ブロック目の検索を終了する。同
様にして、3ブロック目及び4ブロック目の論理アドレ
スメモリブロックLAB3及びLAB4の一致検索も、
その結果R(t)をそれぞれデータレジスタ36(36
31,…,363n),36(3641,…,364n)に保存
して終了する。
【0023】次に、検索データD(t+1)の一致検索
を行う。前回と同様に、論理アドレスメモリブロックL
AB1の全メモリワード26を駆動し、検索データとメ
モリデータの一致検索を行って一致検索線30の信号状
態をセンスアンプ28で検出し、その結果、すなわちメ
モリワード26(W(1,1),…,W(1,n))の
検索結果R(t+1)を、ANDゲート38(381,
…,38n)に入力する。そして、この検索結果R(t
+1)と、このANDゲート38の他方の入力として入
力されている1つ手前のメモリワード26(1行目はブ
ロック間レジスタ241、2行目はW(1,1),…,
W(1,n−1))のデータレジスタ36に保持されて
いる前回の検索結果R(t)との論理積を求め、その演
算結果Reをワーキングレジスタ34で保持し、信号線
Ziによってオンされたトランジスタ37を経由してデ
ータレジスタ36(3611,…,361n)にストアす
る。
を行う。前回と同様に、論理アドレスメモリブロックL
AB1の全メモリワード26を駆動し、検索データとメ
モリデータの一致検索を行って一致検索線30の信号状
態をセンスアンプ28で検出し、その結果、すなわちメ
モリワード26(W(1,1),…,W(1,n))の
検索結果R(t+1)を、ANDゲート38(381,
…,38n)に入力する。そして、この検索結果R(t
+1)と、このANDゲート38の他方の入力として入
力されている1つ手前のメモリワード26(1行目はブ
ロック間レジスタ241、2行目はW(1,1),…,
W(1,n−1))のデータレジスタ36に保持されて
いる前回の検索結果R(t)との論理積を求め、その演
算結果Reをワーキングレジスタ34で保持し、信号線
Ziによってオンされたトランジスタ37を経由してデ
ータレジスタ36(3611,…,361n)にストアす
る。
【0024】次に、上述と同様にして、2ブロック目の
論理アドレスメモリブロックLAB2の各メモリワード
の一致検索を行う。メモリワード26(W(2,i(2
≦i≦n)))の検索結果R(t+1)と1つ手前のメ
モリワードW(2,i−1)の前回の検索結果R(t)
との論理積をとり、その演算結果Reを同様にしてデー
タレジスタ36(3621,…,362n)にストアする。
このようにして、2ブロック目の論理アドレスメモリブ
ロックLAB2の2回目の検索を終了する。同じよう
に、3ブロック目及び4ブロック目の一致検索を同時に
行うことができる。
論理アドレスメモリブロックLAB2の各メモリワード
の一致検索を行う。メモリワード26(W(2,i(2
≦i≦n)))の検索結果R(t+1)と1つ手前のメ
モリワードW(2,i−1)の前回の検索結果R(t)
との論理積をとり、その演算結果Reを同様にしてデー
タレジスタ36(3621,…,362n)にストアする。
このようにして、2ブロック目の論理アドレスメモリブ
ロックLAB2の2回目の検索を終了する。同じよう
に、3ブロック目及び4ブロック目の一致検索を同時に
行うことができる。
【0025】さらに続いて一致検索を行う場合も、全く
同様にして行ってよい。
同様にして行ってよい。
【0026】この場合には、各々のデータレジスタ36
には、1回目の検索データD(t)による検索結果R
(t)と2回目の検索データD(t+1)による検索結
果R(t+1)との論理演算結果Reがストアされてお
り、この論理演算結果を、拡張されたビット幅の検索デ
ータD(t)+D(t+1)による検索結果として、3
回目の一致検索を行えばよい。さらに、データのビット
幅を拡張する場合には、上述の一致検索動作を続ければ
よい。
には、1回目の検索データD(t)による検索結果R
(t)と2回目の検索データD(t+1)による検索結
果R(t+1)との論理演算結果Reがストアされてお
り、この論理演算結果を、拡張されたビット幅の検索デ
ータD(t)+D(t+1)による検索結果として、3
回目の一致検索を行えばよい。さらに、データのビット
幅を拡張する場合には、上述の一致検索動作を続ければ
よい。
【0027】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図4等
を参照して説明した上記従来の可変長データを扱う連想
記憶装置においては、複数のメモリワードを共有するセ
ンスアンプ毎に、少なくとも1ビットの容量のワーキン
グレジスタとセンスアンプにつながるメモリワードと等
しい数の1ビットの容量のデータレジスタが必要とされ
ており、このためこの連想記憶装置は、特に比較的多数
のメモリワードが1つのセンスアンプを共有する場合に
は、面積的なオーバヘッドが非常に大きくなってしまう
という問題があった。
を参照して説明した上記従来の可変長データを扱う連想
記憶装置においては、複数のメモリワードを共有するセ
ンスアンプ毎に、少なくとも1ビットの容量のワーキン
グレジスタとセンスアンプにつながるメモリワードと等
しい数の1ビットの容量のデータレジスタが必要とされ
ており、このためこの連想記憶装置は、特に比較的多数
のメモリワードが1つのセンスアンプを共有する場合に
は、面積的なオーバヘッドが非常に大きくなってしまう
という問題があった。
【0028】また、上記従来の連想記憶装置は、データ
ベースの検索等で必要とされる検索式の処理が行えない
ため、連想記憶装置の外に設けられた計算機システム等
で大規模な一致メモリワードの集合演算を行う必要があ
るという問題があった。
ベースの検索等で必要とされる検索式の処理が行えない
ため、連想記憶装置の外に設けられた計算機システム等
で大規模な一致メモリワードの集合演算を行う必要があ
るという問題があった。
【0029】従って、本発明の目的は、上記従来技術の
問題点を解消し、可変長データを扱えると共に、さらに
一致メモリワードの集合演算を行う面積オーバヘッドが
小さな連想記憶装置を提供することにある。
問題点を解消し、可変長データを扱えると共に、さらに
一致メモリワードの集合演算を行う面積オーバヘッドが
小さな連想記憶装置を提供することにある。
【0030】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、複数のメモリアドレス毎に分割された
論理アドレスメモリブロックと、これらの論理アドレス
メモリブロックの同順位の複数の論理アドレスのメモリ
ワードに対して1つ設けられた一致検索センスアンプ
と、前記一致検索センスアンプに対応して設けられ前記
論理アドレスメモリブロックに時系列で入力される検索
データD(t)の検索結果R(t)を各々のメモリアド
レス毎に保持する保持手段と、前記一致検索センスアン
プに対応して設けられ前記保持手段により保持された検
索結果R(t)と次の検索データD(t+1)の検索結
果R(t+1)との論理演算を行う論理処理手段と、を
有し、前記一致検索センスアンプの出力を前記論理処理
手段の入力に接続し、前記保持手段の出力を前記論理処
理手段の他の入力に接続し、前記論理処理手段の出力を
前記保持手段の入力に接続し、検索を行う場合には、前
記複数の論理アドレスメモリブロックのある論理アドレ
スメモリブロックの全てのメモリワードに対し一括して
検索データD(t+1)で検索し、前記一致検索センス
アンプにて検出した検索結果R(t+1)と前記保持手
段の保持する検索結果R(t)との論理演算結果Reを
新たに前記保持手段に保持する、ことを特徴とする連想
記憶装置を提供する。
めに、本発明は、複数のメモリアドレス毎に分割された
論理アドレスメモリブロックと、これらの論理アドレス
メモリブロックの同順位の複数の論理アドレスのメモリ
ワードに対して1つ設けられた一致検索センスアンプ
と、前記一致検索センスアンプに対応して設けられ前記
論理アドレスメモリブロックに時系列で入力される検索
データD(t)の検索結果R(t)を各々のメモリアド
レス毎に保持する保持手段と、前記一致検索センスアン
プに対応して設けられ前記保持手段により保持された検
索結果R(t)と次の検索データD(t+1)の検索結
果R(t+1)との論理演算を行う論理処理手段と、を
有し、前記一致検索センスアンプの出力を前記論理処理
手段の入力に接続し、前記保持手段の出力を前記論理処
理手段の他の入力に接続し、前記論理処理手段の出力を
前記保持手段の入力に接続し、検索を行う場合には、前
記複数の論理アドレスメモリブロックのある論理アドレ
スメモリブロックの全てのメモリワードに対し一括して
検索データD(t+1)で検索し、前記一致検索センス
アンプにて検出した検索結果R(t+1)と前記保持手
段の保持する検索結果R(t)との論理演算結果Reを
新たに前記保持手段に保持する、ことを特徴とする連想
記憶装置を提供する。
【0031】また、本発明においては、前記一致検索セ
ンスアンプの各々に対応して前記保持手段を1又は複数
備え、前記一致検索センスアンプの出力を前記論理手段
の一の入力に接続し、1又は複数の前記保持手段の出力
を前記論理処理手段の残りの1又は複数の入力にそれぞ
れ接続するように構成してもよい。
ンスアンプの各々に対応して前記保持手段を1又は複数
備え、前記一致検索センスアンプの出力を前記論理手段
の一の入力に接続し、1又は複数の前記保持手段の出力
を前記論理処理手段の残りの1又は複数の入力にそれぞ
れ接続するように構成してもよい。
【0032】さらに、本発明においては、好ましくは、
前記保持手段が、2つの否定ゲートの入力端と出力端を
互いに接続してなる記憶回路を有し、前記論理処理手段
が、前記一致検索センスアンプの出力、前記一致検索セ
ンスアンプの出力の論理否定、及び予め定めた論理値か
らなる、少なくとも3つの入力から1つを選択して出力
する3入力選択回路を二つ備え、前記3入力選択回路と
対応して設けられ、前記記憶回路の入出力端と電源との
間にそれぞれ挿入され、且つ対応する前記3入力選択回
路の出力をゲートに入力する2つのスイッチ用トランジ
スタを有することを特徴とする。
前記保持手段が、2つの否定ゲートの入力端と出力端を
互いに接続してなる記憶回路を有し、前記論理処理手段
が、前記一致検索センスアンプの出力、前記一致検索セ
ンスアンプの出力の論理否定、及び予め定めた論理値か
らなる、少なくとも3つの入力から1つを選択して出力
する3入力選択回路を二つ備え、前記3入力選択回路と
対応して設けられ、前記記憶回路の入出力端と電源との
間にそれぞれ挿入され、且つ対応する前記3入力選択回
路の出力をゲートに入力する2つのスイッチ用トランジ
スタを有することを特徴とする。
【0033】
【作用】本発明に係る連想記憶装置においては、高集積
化及び大容量化、あるいは低消費電力化を達成すべく、
複数のメモリワード毎に1つの一致検索センスアンプを
備えている。ここで、検索データに対する一致検索を行
う場合、まず最上位の論理アドレスメモリブロックに対
して検索データD(t)の検索を行い、検索結果を一致
検索センスアンプ毎に設けられた保持手段に保持する。
化及び大容量化、あるいは低消費電力化を達成すべく、
複数のメモリワード毎に1つの一致検索センスアンプを
備えている。ここで、検索データに対する一致検索を行
う場合、まず最上位の論理アドレスメモリブロックに対
して検索データD(t)の検索を行い、検索結果を一致
検索センスアンプ毎に設けられた保持手段に保持する。
【0034】次に、同じ論理アドレスメモリブロックに
対して検索データD(t+1)の検索を行い、この結果
R(t+1)を保持手段が保持するR(t)との論理演
算を論理処理手段にて行い、その演算結果ReをR
(t)に代え新たに保持手段にて保持する。同じように
して、次の検索データD(t+2),D(t+3)に対
しても検索を行う。
対して検索データD(t+1)の検索を行い、この結果
R(t+1)を保持手段が保持するR(t)との論理演
算を論理処理手段にて行い、その演算結果ReをR
(t)に代え新たに保持手段にて保持する。同じように
して、次の検索データD(t+2),D(t+3)に対
しても検索を行う。
【0035】最上位の論理アドレスメモリブロックに対
する一連の検索が終わった後、次に上位の論理アドレス
メモリブロックに対し同様に検索を行う。より下位のブ
ロックに対しても同様に検索を繰り返す。
する一連の検索が終わった後、次に上位の論理アドレス
メモリブロックに対し同様に検索を行う。より下位のブ
ロックに対しても同様に検索を繰り返す。
【0036】このようにして本発明に係る連想記憶装置
においては、各々の論理アドレスメモリブロックに対し
て時系列で複数の検索データ(D(t),D(t+
1),…)の検索を行い、この検索結果R(t),R
(t+1),…の論理処理を行うことにより検索式の処
理を行う。
においては、各々の論理アドレスメモリブロックに対し
て時系列で複数の検索データ(D(t),D(t+
1),…)の検索を行い、この検索結果R(t),R
(t+1),…の論理処理を行うことにより検索式の処
理を行う。
【0037】さらに、検索の対象となる論理アドレスメ
モリブロックを、D(t)の検索とD(t+1)の検索
で切り替えることにより、一致検索センスアンプを共有
する複数の記憶ワードにわたって論理処理を行うことが
できる。このとき、論理処理として論理積を行うことに
より、メモリワードの長さを越える可変長データの一致
検索を行うことができる。
モリブロックを、D(t)の検索とD(t+1)の検索
で切り替えることにより、一致検索センスアンプを共有
する複数の記憶ワードにわたって論理処理を行うことが
できる。このとき、論理処理として論理積を行うことに
より、メモリワードの長さを越える可変長データの一致
検索を行うことができる。
【0038】続けてD(t+2)以降の検索結果と論理
積を繰り返し行うことにより、より長い可変長データの
一致検索を行うこともできる。可変長データの長さは、
一致検索センスアンプを共有するメモリワードの数によ
って制限を受ける。
積を繰り返し行うことにより、より長い可変長データの
一致検索を行うこともできる。可変長データの長さは、
一致検索センスアンプを共有するメモリワードの数によ
って制限を受ける。
【0039】前記従来の連想記憶装置においては、可変
長データの長さは装置全体の容量のみで制限されるた
め、一般に本発明の扱うデータ長の方が短くなる。
長データの長さは装置全体の容量のみで制限されるた
め、一般に本発明の扱うデータ長の方が短くなる。
【0040】しかし、実際には、可変長データの長さに
も上限があり、本発明の連想記憶装置は、実際上、ほと
んどの応用に対応できるものと考えられる。
も上限があり、本発明の連想記憶装置は、実際上、ほと
んどの応用に対応できるものと考えられる。
【0041】以上説明したように、本発明に係る連想記
憶装置は、一致検索センスアンプを共有する複数のメモ
リワードに対する検索結果同士は保持手段と論理処理手
段によって論理処理できるため、一致検索センスアンプ
を共有する複数のメモリワードの中で2つ以上のメモリ
ワードにまたがって構成する可変長データの一致検索を
行うことができる。
憶装置は、一致検索センスアンプを共有する複数のメモ
リワードに対する検索結果同士は保持手段と論理処理手
段によって論理処理できるため、一致検索センスアンプ
を共有する複数のメモリワードの中で2つ以上のメモリ
ワードにまたがって構成する可変長データの一致検索を
行うことができる。
【0042】また、1つのメモリワードの検索結果に対
し繰り返し論理処理することにより、データベース処理
における検索式の処理を行うことができる。
し繰り返し論理処理することにより、データベース処理
における検索式の処理を行うことができる。
【0043】さらに、本発明の連想記憶装置は、個々の
一致検索センスアンプに対応してわずか1ビットの保持
手段で実現でき、従来のメモリワード数分の保持手段が
必要となる連想記憶装置に比べ面積のオーバヘッドを大
幅に減少する。
一致検索センスアンプに対応してわずか1ビットの保持
手段で実現でき、従来のメモリワード数分の保持手段が
必要となる連想記憶装置に比べ面積のオーバヘッドを大
幅に減少する。
【0044】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照して以下に説明する。
を参照して以下に説明する。
【0045】
【実施形態1】図1は、本発明の第1の実施形態の構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【0046】図1を参照して、本発明の一実施形態が、
図4に示した前記従来の連想記憶装置と相違する点は、
本実施形態においては、以下に詳細に説明されるよう
に、データレジスタ36を具備せず、コントロールゲー
ト32は、ワーキングレジスタ34に保持されている対
応するメモリワードアドレスの前回の検索データD
(t)の検索結果R(t)と、今回の当該メモリワード
アドレスの検索データD(t+1)の検索結果R(t+
1)と、の論理演算を行う論理演算手段として構成した
ことである。そして、本発明の一実施形態に係る連想記
憶装置の全体概略構成は、図5に示すものと同様とされ
る。
図4に示した前記従来の連想記憶装置と相違する点は、
本実施形態においては、以下に詳細に説明されるよう
に、データレジスタ36を具備せず、コントロールゲー
ト32は、ワーキングレジスタ34に保持されている対
応するメモリワードアドレスの前回の検索データD
(t)の検索結果R(t)と、今回の当該メモリワード
アドレスの検索データD(t+1)の検索結果R(t+
1)と、の論理演算を行う論理演算手段として構成した
ことである。そして、本発明の一実施形態に係る連想記
憶装置の全体概略構成は、図5に示すものと同様とされ
る。
【0047】コントロールゲート32の備える論理演算
は各種演算が考えられるが、本実施形態においては、
R(t+1)、R(t)とR(t+1)の論理積(A
ND)及びR(t)とR(t+1)の論理和(OR)
の3つの論理演算を備えるものとする。
は各種演算が考えられるが、本実施形態においては、
R(t+1)、R(t)とR(t+1)の論理積(A
ND)及びR(t)とR(t+1)の論理和(OR)
の3つの論理演算を備えるものとする。
【0048】本実施形態は、前記従来例と同様に、4つ
の論理アドレスメモリブロックLAB1,LAB2,L
AB3及びLAB4に分割されるものとし(図6参
照)、この論理アドレスブロック内で同時に一致検索を
行う。
の論理アドレスメモリブロックLAB1,LAB2,L
AB3及びLAB4に分割されるものとし(図6参
照)、この論理アドレスブロック内で同時に一致検索を
行う。
【0049】図1を参照して、本発明の一実施形態に係
る連想記憶装置の一致検索動作の一例について以下に説
明する。
る連想記憶装置の一致検索動作の一例について以下に説
明する。
【0050】最初に検索データD(t)の一致検索を行
う。まず、1ブロック目の論理アドレスメモリブロック
LAB1の全てのメモリワード26(W(1,1),
…,W(1,n))が同時に駆動され、これらのメモリ
ワードのメモリセルのデータと検索データD(t)との
一致検索が行われ、一致不一致によって一致検索線30
(301,…,30n)の信号状態が変化し、この信号状
態をそれぞれセンスアンプ28(281,…,28n)で
検出し、その検索結果をそれぞれコントロールゲート3
2(321,…,32n)に入力する。
う。まず、1ブロック目の論理アドレスメモリブロック
LAB1の全てのメモリワード26(W(1,1),
…,W(1,n))が同時に駆動され、これらのメモリ
ワードのメモリセルのデータと検索データD(t)との
一致検索が行われ、一致不一致によって一致検索線30
(301,…,30n)の信号状態が変化し、この信号状
態をそれぞれセンスアンプ28(281,…,28n)で
検出し、その検索結果をそれぞれコントロールゲート3
2(321,…,32n)に入力する。
【0051】ここで、コントロールゲート32(3
21,…,32n)はセンスアンプ28(281,…,2
8n)の出力をそのままそれぞれ出力する。
21,…,32n)はセンスアンプ28(281,…,2
8n)の出力をそのままそれぞれ出力する。
【0052】そして、この検索結果R(t)は、それぞ
れのワーキングレジスタ34(341,…,34n)に保
持される。このようにして、1ブロック目の論理アドレ
スメモリブロックLAB1の検索データD(t)による
一致検索が終了する。
れのワーキングレジスタ34(341,…,34n)に保
持される。このようにして、1ブロック目の論理アドレ
スメモリブロックLAB1の検索データD(t)による
一致検索が終了する。
【0053】次に、同じ論理アドレスメモリブロックL
AB1に対してさらに検索データD(t+1)にも一致
するワードの検索を行う。D(t)の一致検索と同様に
行って、D(t+1)に対する検索結果をそれぞれコン
トロールゲート32に入力する。ここで、コントロール
ゲート32は、センスアンプ28の出力と、他方の入力
として入力されるワーキングレジスタ34の出力の論理
積を出力する。
AB1に対してさらに検索データD(t+1)にも一致
するワードの検索を行う。D(t)の一致検索と同様に
行って、D(t+1)に対する検索結果をそれぞれコン
トロールゲート32に入力する。ここで、コントロール
ゲート32は、センスアンプ28の出力と、他方の入力
として入力されるワーキングレジスタ34の出力の論理
積を出力する。
【0054】この演算結果を再びワーキングレジスタ3
4に保持することにより、論理アドレスメモリブロック
LAB1の中のD(t),D(t+1)の両方に一致す
るメモリワードの検索が終了する。
4に保持することにより、論理アドレスメモリブロック
LAB1の中のD(t),D(t+1)の両方に一致す
るメモリワードの検索が終了する。
【0055】同様に検索を繰り返すことにより、さらに
D(t+2)の検索結果と論理積または論理和といった
検索を行うこともできる。
D(t+2)の検索結果と論理積または論理和といった
検索を行うこともできる。
【0056】2番目以降の論理アドレスメモリブロック
LAB2,LAB3,LAB4に対しては、論理アドレ
スメモリブロックLAB1に対する一連の検索が終了
後、論理アドレスメモリブロックLAB1と同様にD
(t),D(t+1),…の検索をブロック毎に繰り返
し行う。
LAB2,LAB3,LAB4に対しては、論理アドレ
スメモリブロックLAB1に対する一連の検索が終了
後、論理アドレスメモリブロックLAB1と同様にD
(t),D(t+1),…の検索をブロック毎に繰り返
し行う。
【0057】次に、本発明の一実施形態に係るCAM
(内容アドレスメモリ)の可変長ワードの検索動作の一
例について説明する。
(内容アドレスメモリ)の可変長ワードの検索動作の一
例について説明する。
【0058】最初に1ブロック目の論理アドレスメモリ
ブロックLAB1に対してD(t)の検索を一括して行
う。コントロールゲート32はセンスアンプ28の出力
をそのまま出力し、この検索結果R(t)は、それぞれ
のワーキングレジスタ34に保持される。
ブロックLAB1に対してD(t)の検索を一括して行
う。コントロールゲート32はセンスアンプ28の出力
をそのまま出力し、この検索結果R(t)は、それぞれ
のワーキングレジスタ34に保持される。
【0059】続いて、次の論理アドレスメモリブロック
LAB2に対してD(t+1)の検索を一括して行う、
コントロールゲート32はセンスアンプ28の出力とワ
ーキングレジスタ34の出力の論理積を出力し、この値
を再びワーキングレジスタ34に保持する。
LAB2に対してD(t+1)の検索を一括して行う、
コントロールゲート32はセンスアンプ28の出力とワ
ーキングレジスタ34の出力の論理積を出力し、この値
を再びワーキングレジスタ34に保持する。
【0060】以上でワーキングレジスタ34上には、論
理アドレスメモリブロックLAB1,LAB2に対す
る、メモリワード長を越えるD(t)とD(t+1)の
データの検索結果が保持される。
理アドレスメモリブロックLAB1,LAB2に対す
る、メモリワード長を越えるD(t)とD(t+1)の
データの検索結果が保持される。
【0061】同様に、論理アドレスメモリブロックLA
B3に対してD(t+2)、論理アドレスメモリブロッ
クLAB4に対してD(t+3)の検索を繰り返しさら
に長い可変長データに対する一致検索を行うこともでき
る。また、D(t)の検索を論理アドレスメモリブロッ
クLAB2に対して行い、D(t+1)の検索を論理ア
ドレスメモリブロックLAB3に対して行うことによ
り、論理アドレスメモリブロックLAB2から始まる可
変長データの検索を行うこともできる。同様に、論理ア
ドレスメモリブロックLAB3から始まる可変長データ
の検索も可能である。
B3に対してD(t+2)、論理アドレスメモリブロッ
クLAB4に対してD(t+3)の検索を繰り返しさら
に長い可変長データに対する一致検索を行うこともでき
る。また、D(t)の検索を論理アドレスメモリブロッ
クLAB2に対して行い、D(t+1)の検索を論理ア
ドレスメモリブロックLAB3に対して行うことによ
り、論理アドレスメモリブロックLAB2から始まる可
変長データの検索を行うこともできる。同様に、論理ア
ドレスメモリブロックLAB3から始まる可変長データ
の検索も可能である。
【0062】
【実施形態2】本発明の別の実施形態として、図2に示
すように、各々のセンスアンプ28に対応して1つ以上
のワーキングレジスタ34を備え、センスアンプ28の
出力をコントロールゲート32の一の入力端に接続し、
対応する1つ以上のワーキングレジスタ34の出力をコ
ントロールゲート32の残りの入力端に接続するように
構成してもよい。
すように、各々のセンスアンプ28に対応して1つ以上
のワーキングレジスタ34を備え、センスアンプ28の
出力をコントロールゲート32の一の入力端に接続し、
対応する1つ以上のワーキングレジスタ34の出力をコ
ントロールゲート32の残りの入力端に接続するように
構成してもよい。
【0063】この場合、コントロールゲートは、センス
アンプ28の出力と1つ以上のワーキングレジスタ34
の出力を入力として論理演算を行い出力をある1つのワ
ーキングレジスタ34に再び保持する。これにより、各
センスアンプに対応して保持する検索結果が増え、より
多くの検索処理を扱うことが可能となる。
アンプ28の出力と1つ以上のワーキングレジスタ34
の出力を入力として論理演算を行い出力をある1つのワ
ーキングレジスタ34に再び保持する。これにより、各
センスアンプに対応して保持する検索結果が増え、より
多くの検索処理を扱うことが可能となる。
【0064】
【実施形態3】本発明の上記各実施形態においては、ワ
ーキングレジスタ34は、好ましくは、図3(A)に示
すように、2つの否定ゲート(インバータ)INV1、
INV2が互いの入力端と出力端を接続してなるスタテ
ィック型RAM(SRAM)のメモリセルに類似した記
憶回路(フリップフロップ)で構成される。
ーキングレジスタ34は、好ましくは、図3(A)に示
すように、2つの否定ゲート(インバータ)INV1、
INV2が互いの入力端と出力端を接続してなるスタテ
ィック型RAM(SRAM)のメモリセルに類似した記
憶回路(フリップフロップ)で構成される。
【0065】また、コントロールゲート32は、センス
アンプ28の出力(R(t+1))、センスアンプ28
の出力をインバータINV3により反転した信号(no
t(R(t+1)))、及び“0”(Low)(あるいは
“1”(High))の、3つの入力からいずれか1つを
選択して出力する2つの3入力セレクタSEL1、SE
L2(381,382)と、ワーキングレジスタ34のフ
リップフロップを構成する2つのインバータINV1、
INV2の接続点と低電位電源(Low)(又は高電位電
源(High))との間にそれぞれ接続され、ゲートが対
応するセレクタ(381,382)の出力にそれぞれ接続
された2つのMOSトランジスタM1、M2と、から構
成することができる。図3(A)においては、2つのM
OSトランジスタM1、M2は共に、Nチャネル型で構
成され、ソースは低電位電源(GND)に接続されてい
る。
アンプ28の出力(R(t+1))、センスアンプ28
の出力をインバータINV3により反転した信号(no
t(R(t+1)))、及び“0”(Low)(あるいは
“1”(High))の、3つの入力からいずれか1つを
選択して出力する2つの3入力セレクタSEL1、SE
L2(381,382)と、ワーキングレジスタ34のフ
リップフロップを構成する2つのインバータINV1、
INV2の接続点と低電位電源(Low)(又は高電位電
源(High))との間にそれぞれ接続され、ゲートが対
応するセレクタ(381,382)の出力にそれぞれ接続
された2つのMOSトランジスタM1、M2と、から構
成することができる。図3(A)においては、2つのM
OSトランジスタM1、M2は共に、Nチャネル型で構
成され、ソースは低電位電源(GND)に接続されてい
る。
【0066】2つのセレクタ(381,382)が適宜に
入力信号を選択することにより、この回路は、図3
(B)に示すように、様々な論理演算をセンスアンプ2
8の出力R(t+1)とワーキングレジスタ34が保持
する値R(t)との間で行い、論理演算結果を再びワー
キングレジスタ34に保持する。
入力信号を選択することにより、この回路は、図3
(B)に示すように、様々な論理演算をセンスアンプ2
8の出力R(t+1)とワーキングレジスタ34が保持
する値R(t)との間で行い、論理演算結果を再びワー
キングレジスタ34に保持する。
【0067】図3(B)に示した論理演算の回路動作に
ついて以下にいくつか説明する。
ついて以下にいくつか説明する。
【0068】図3を参照して、例えばセレクタ381が
センスアンプ28の出力の反転値(not(R(t+
1)))を選択し、セレクタ382がセンスアンプ28
の出力(R(t+1))を選択した場合には、R(t+
1)が“1”(“0”)の時、MOSトランジスタM1
は非導通(導通)、MOSトランジスタM2は導通(非
導通)状態となり、インバータINV1(INV2)の
入力端と低電位電源とが導通して“0”すなわちLowと
なりその出力が“1”となり、その結果フリップフロッ
プの出力は“0”(“1”)に設定され、センスアンプ
28の出力の反転論理(not(R(t+1)))が出
力される。
センスアンプ28の出力の反転値(not(R(t+
1)))を選択し、セレクタ382がセンスアンプ28
の出力(R(t+1))を選択した場合には、R(t+
1)が“1”(“0”)の時、MOSトランジスタM1
は非導通(導通)、MOSトランジスタM2は導通(非
導通)状態となり、インバータINV1(INV2)の
入力端と低電位電源とが導通して“0”すなわちLowと
なりその出力が“1”となり、その結果フリップフロッ
プの出力は“0”(“1”)に設定され、センスアンプ
28の出力の反転論理(not(R(t+1)))が出
力される。
【0069】また、例えばセレクタ381がセンスアン
プ28の出力の反転値(not(R(t+1)))を選
択し、セレクタ382が“0”を選択した場合には、M
OSトランジスタM2は常に非導通とされ、R(t+
1)が“1”の時、MOSトランジスタM1は非導通と
なり、ワーキングレジスタ34の出力は前回の記憶値R
(t)を保持し、R(t+1)が“0”の時、MOSト
ランジスタM1が導通状態となり、インバータINV2
の入力端がLowとなりフリップフロップの出力は
“1”、すなわちnot(R(t+1))となり、これ
はR(t)とnot(R(t+1))との論理和(O
R)演算と等価となる。
プ28の出力の反転値(not(R(t+1)))を選
択し、セレクタ382が“0”を選択した場合には、M
OSトランジスタM2は常に非導通とされ、R(t+
1)が“1”の時、MOSトランジスタM1は非導通と
なり、ワーキングレジスタ34の出力は前回の記憶値R
(t)を保持し、R(t+1)が“0”の時、MOSト
ランジスタM1が導通状態となり、インバータINV2
の入力端がLowとなりフリップフロップの出力は
“1”、すなわちnot(R(t+1))となり、これ
はR(t)とnot(R(t+1))との論理和(O
R)演算と等価となる。
【0070】さらに、例えばセレクタ381が“0”を
選択し、セレクタ382がセンスアンプ28の出力のR
(t+1)を選択した場合には、MOSトランジスタM
1は常に非導通とされ、R(t+1)が“1”の時、M
OSトランジスタM2が導通状態となりインバータIN
V1の入力端がLOWレベルとされワーキングレジスタ3
4の出力は“0”となり、R(t+1)が“0”の時、
MOSトランジスタM2は非導通となり、ワーキングレ
ジスタ34のフリップフロップ出力は前回の記憶値R
(t)を保持し、これはR(t)とnot(R(t+
1))との論理積(AND)演算と等価である(R(t
+1)が“0”の時R(t)を出力する)。
選択し、セレクタ382がセンスアンプ28の出力のR
(t+1)を選択した場合には、MOSトランジスタM
1は常に非導通とされ、R(t+1)が“1”の時、M
OSトランジスタM2が導通状態となりインバータIN
V1の入力端がLOWレベルとされワーキングレジスタ3
4の出力は“0”となり、R(t+1)が“0”の時、
MOSトランジスタM2は非導通となり、ワーキングレ
ジスタ34のフリップフロップ出力は前回の記憶値R
(t)を保持し、これはR(t)とnot(R(t+
1))との論理積(AND)演算と等価である(R(t
+1)が“0”の時R(t)を出力する)。
【0071】また、上記したように、2つのセレクタ
(381,382)が共に“0”を選択出力した場合、M
OSトランジスタM1,M2は共に非導通状態(オフ状
態)とされ、ワーキングレジスタ34の出力は前回の記
憶値R(t)を保持する。
(381,382)が共に“0”を選択出力した場合、M
OSトランジスタM1,M2は共に非導通状態(オフ状
態)とされ、ワーキングレジスタ34の出力は前回の記
憶値R(t)を保持する。
【0072】本実施形態の回路は、同等の論理演算機能
をもつ回路構成を通常のCMOS論理で構成した場合に
比べ、素子数が少なく、大容量化、低消費電力化に好適
とされる。
をもつ回路構成を通常のCMOS論理で構成した場合に
比べ、素子数が少なく、大容量化、低消費電力化に好適
とされる。
【0073】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
繰り返し検索を行い、検索センスアンプ毎に検索結果を
論理処理することにより、検索センスアンプを共有する
複数のメモリワードより構成される可変長データを検索
することができ、さらに検索式の処理を行うことができ
る連想記憶装置を提供するものであり、しかもセンスア
ンプ毎に1ビットの容量のワーキングレジスタとコント
ロールゲートを備えるだけなので従来例より面積を縮小
することができる。
繰り返し検索を行い、検索センスアンプ毎に検索結果を
論理処理することにより、検索センスアンプを共有する
複数のメモリワードより構成される可変長データを検索
することができ、さらに検索式の処理を行うことができ
る連想記憶装置を提供するものであり、しかもセンスア
ンプ毎に1ビットの容量のワーキングレジスタとコント
ロールゲートを備えるだけなので従来例より面積を縮小
することができる。
【図1】本発明に係る連想記憶装置における一致検索回
路ブロックの一実施形態の概略構成を示すブロック図で
ある。
路ブロックの一実施形態の概略構成を示すブロック図で
ある。
【図2】本発明に係る連想記憶装置における一致検索回
路ブロックの別の実施例の概略構成を示すブロック図で
ある。
路ブロックの別の実施例の概略構成を示すブロック図で
ある。
【図3】本発明の連想記憶装置のワーキングレジスタと
コントロールゲートの概略構成を示す回路図である。
コントロールゲートの概略構成を示す回路図である。
【図4】従来の連想記憶装置の一致検索回路ブロックの
別の実施例の概略構成を示すブロック図である。
別の実施例の概略構成を示すブロック図である。
【図5】従来の連想記憶装置の構成の概略を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図6】従来の連想記憶装置における論理アドレス構成
を説明する図である。
を説明する図である。
10 連想記憶装置(連想メモリ装置) 12 連想メモリアレイ 14 データアンドマスク駆動ブロック 16 アドレスデコーダ 18 一致検索回路ブロック 20 アドレスエンコーダ 22、221、22n 一致検索回路 26 メモリワード 28 センスアンプ 30、301、302、30n 一致検索線 32、321、322、32n コントロールゲート 34、341、342、34n ワーキングレジスタ 36、3611、3621、3631、3641、361n、36
2n、363n、364nデータレジスタ 381、382 3入力セレクタ
2n、363n、364nデータレジスタ 381、382 3入力セレクタ
Claims (6)
- 【請求項1】複数のメモリアドレス毎に分割された論理
アドレスメモリブロックと、 これらの論理アドレスメモリブロックの同順位の複数の
論理アドレスのメモリワードに対して1つ設けられた一
致検索センスアンプと、 前記一致検索センスアンプに対応して設けられ前記論理
アドレスメモリブロックに時系列で入力される検索デー
タD(t)の検索結果R(t)を各々のメモリアドレス
毎に保持する保持手段と、 前記一致検索センスアンプに対応して設けられ前記保持
手段により保持された検索結果R(t)と次の検索デー
タD(t+1)の検索結果R(t+1)との論理演算を
行う論理処理手段と、 を有し、 前記一致検索センスアンプの出力を前記論理処理手段の
入力に接続し、 前記保持手段の出力を前記論理処理手段の他の入力に接
続し、 前記論理処理手段の出力を前記保持手段の入力に接続
し、 検索を行う場合には、前記複数の論理アドレスメモリブ
ロックのある論理アドレスメモリブロックの全てのメモ
リワードに対し一括して検索データD(t+1)で検索
し、 前記一致検索センスアンプにて検出した検索結果R(t
+1)と前記保持手段の保持する検索結果R(t)との
論理演算結果Reを新たに前記保持手段に保持する、 ことを特徴とする連想記憶装置。 - 【請求項2】前記一致検索センスアンプの各々に対応し
て前記保持手段を1又は複数備え、 前記一致検索センスアンプの出力を前記論理手段の一の
入力に接続し、 1又は複数の前記保持手段の出力を前記論理処理手段の
残りの1又は複数の入力にそれぞれ接続することを特徴
とする請求項1記載の連想記憶装置。 - 【請求項3】前記保持手段が、2つの否定ゲートの入力
端と出力端を互いに接続してなる記憶回路を有し、 前記論理処理手段が、前記一致検索センスアンプの出
力、前記一致検索センスアンプの出力の論理否定、及び
予め定めた論理値からなる、少なくとも3つの入力から
1つを選択して出力する3入力選択回路を二つ備え、 前記3入力選択回路と対応して設けられ、前記記憶回路
の入出力端と電源との間にそれぞれ挿入され、且つ対応
する前記3入力選択回路の出力を制御端子に入力する2
つのスイッチ用トランジスタを有することを特徴とする
請求項1記載の連想記憶装置。 - 【請求項4】前記スイッチ用トランジスタがMOSトラ
ンジスタからなることを特徴とする請求項3記載の連想
記憶装置。 - 【請求項5】前記論理処理手段が予め定められた同一の
論理演算を行うように制御されることを特徴とする請求
項1記載の連想記憶装置。 - 【請求項6】検索時に、複数のメモリワードで共有する
一つの一致検索センスアンプが検出した今回の検算デー
タの検索結果を入力するコントロールゲートが、前記一
致検索センスアンプに対応して設けられ検索データの検
索結果を各々のメモリアドレス毎に保持するワーキング
レジスタが保持する前回の検索結果と、前記今回の検索
結果と、に対して所定の論理演算を施し、論理演算結果
を前記ワーキングレジスタが保持するように構成したこ
とを特徴とする連想記憶装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001160292A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-06-12 | Sibercore Technologies Inc | 可変幅のデータを検索するための可変幅のコンテントアドレサブルメモリデバイス |
Families Citing this family (156)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6226710B1 (en) | 1997-11-14 | 2001-05-01 | Utmc Microelectronic Systems Inc. | Content addressable memory (CAM) engine |
US6317349B1 (en) | 1999-04-16 | 2001-11-13 | Sandisk Corporation | Non-volatile content addressable memory |
US6166938A (en) * | 1999-05-21 | 2000-12-26 | Sandisk Corporation | Data encoding for content addressable memories |
US6157558A (en) * | 1999-05-21 | 2000-12-05 | Sandisk Corporation | Content addressable memory cell and array architectures having low transistor counts |
US6553453B1 (en) * | 1999-09-10 | 2003-04-22 | Sibercore Technologies, Inc. | Variable width content addressable memory device for searching variable width data |
US6813680B1 (en) | 2000-06-14 | 2004-11-02 | Netlogic Microsystems, Inc. | Method and apparatus for loading comparand data into a content addressable memory system |
US6799243B1 (en) | 2000-06-14 | 2004-09-28 | Netlogic Microsystems, Inc. | Method and apparatus for detecting a match in an intra-row configurable cam system |
US6757779B1 (en) | 1999-09-23 | 2004-06-29 | Netlogic Microsystems, Inc. | Content addressable memory with selectable mask write mode |
US6542391B2 (en) | 2000-06-08 | 2003-04-01 | Netlogic Microsystems, Inc. | Content addressable memory with configurable class-based storage partition |
US6751701B1 (en) | 2000-06-14 | 2004-06-15 | Netlogic Microsystems, Inc. | Method and apparatus for detecting a multiple match in an intra-row configurable CAM system |
US6259620B1 (en) | 2000-03-08 | 2001-07-10 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Multiple entry matching in a content addressable memory |
US6640220B1 (en) | 2000-03-14 | 2003-10-28 | Aeroflex Utmc Microelectronic Systems, Inc. | Search coprocessor subsystem having multiple search engines and dedicated key-table memory for connection to a computer system |
US6246601B1 (en) | 2000-06-14 | 2001-06-12 | Netlogic Microsystems, Inc. | Method and apparatus for using an inter-row configurable content addressable memory |
US6560670B1 (en) | 2000-06-14 | 2003-05-06 | Netlogic Microsystems, Inc. | Inter-row configurability of content addressable memory |
US6252789B1 (en) | 2000-06-14 | 2001-06-26 | Netlogic Microsystems, Inc. | Inter-row configurability of content addressable memory |
US6243281B1 (en) | 2000-06-14 | 2001-06-05 | Netlogic Microsystems, Inc. | Method and apparatus for accessing a segment of CAM cells in an intra-row configurable CAM system |
JP3644494B2 (ja) * | 2001-04-13 | 2005-04-27 | 日本電気株式会社 | 情報検索装置 |
GB2419197A (en) * | 2004-10-14 | 2006-04-19 | 3Com Corp | A content addressable memory storing wide words partitioned into segments |
US7539030B2 (en) * | 2006-03-28 | 2009-05-26 | Applied Wireless Identification Group, Inc. | Attribute cache memory |
US9158667B2 (en) | 2013-03-04 | 2015-10-13 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry |
US8964496B2 (en) | 2013-07-26 | 2015-02-24 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for performing compare operations using sensing circuitry |
US8971124B1 (en) | 2013-08-08 | 2015-03-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry |
US9153305B2 (en) | 2013-08-30 | 2015-10-06 | Micron Technology, Inc. | Independently addressable memory array address spaces |
US9019785B2 (en) | 2013-09-19 | 2015-04-28 | Micron Technology, Inc. | Data shifting via a number of isolation devices |
US9449675B2 (en) | 2013-10-31 | 2016-09-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for identifying an extremum value stored in an array of memory cells |
US9430191B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-08-30 | Micron Technology, Inc. | Division operations for memory |
US9934856B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-04-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for comparing data patterns in memory |
US9711207B2 (en) | 2014-06-05 | 2017-07-18 | Micron Technology, Inc. | Performing logical operations using sensing circuitry |
US9449674B2 (en) | 2014-06-05 | 2016-09-20 | Micron Technology, Inc. | Performing logical operations using sensing circuitry |
US9496023B2 (en) | 2014-06-05 | 2016-11-15 | Micron Technology, Inc. | Comparison operations on logical representations of values in memory |
US10074407B2 (en) | 2014-06-05 | 2018-09-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for performing invert operations using sensing circuitry |
US9455020B2 (en) | 2014-06-05 | 2016-09-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for performing an exclusive or operation using sensing circuitry |
US9830999B2 (en) | 2014-06-05 | 2017-11-28 | Micron Technology, Inc. | Comparison operations in memory |
US9704540B2 (en) | 2014-06-05 | 2017-07-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for parity determination using sensing circuitry |
US9910787B2 (en) | 2014-06-05 | 2018-03-06 | Micron Technology, Inc. | Virtual address table |
US9779019B2 (en) | 2014-06-05 | 2017-10-03 | Micron Technology, Inc. | Data storage layout |
US9711206B2 (en) | 2014-06-05 | 2017-07-18 | Micron Technology, Inc. | Performing logical operations using sensing circuitry |
US9786335B2 (en) | 2014-06-05 | 2017-10-10 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry |
US9740607B2 (en) | 2014-09-03 | 2017-08-22 | Micron Technology, Inc. | Swap operations in memory |
US9904515B2 (en) | 2014-09-03 | 2018-02-27 | Micron Technology, Inc. | Multiplication operations in memory |
US9589602B2 (en) | 2014-09-03 | 2017-03-07 | Micron Technology, Inc. | Comparison operations in memory |
US9747961B2 (en) | 2014-09-03 | 2017-08-29 | Micron Technology, Inc. | Division operations in memory |
US10068652B2 (en) | 2014-09-03 | 2018-09-04 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for determining population count |
US9847110B2 (en) | 2014-09-03 | 2017-12-19 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for storing a data value in multiple columns of an array corresponding to digits of a vector |
US9898252B2 (en) | 2014-09-03 | 2018-02-20 | Micron Technology, Inc. | Multiplication operations in memory |
US9836218B2 (en) | 2014-10-03 | 2017-12-05 | Micron Technology, Inc. | Computing reduction and prefix sum operations in memory |
US9940026B2 (en) | 2014-10-03 | 2018-04-10 | Micron Technology, Inc. | Multidimensional contiguous memory allocation |
US10163467B2 (en) | 2014-10-16 | 2018-12-25 | Micron Technology, Inc. | Multiple endianness compatibility |
US10147480B2 (en) | 2014-10-24 | 2018-12-04 | Micron Technology, Inc. | Sort operation in memory |
US9779784B2 (en) | 2014-10-29 | 2017-10-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry |
US9747960B2 (en) | 2014-12-01 | 2017-08-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for converting a mask to an index |
US10073635B2 (en) | 2014-12-01 | 2018-09-11 | Micron Technology, Inc. | Multiple endianness compatibility |
US10032493B2 (en) | 2015-01-07 | 2018-07-24 | Micron Technology, Inc. | Longest element length determination in memory |
US10061590B2 (en) | 2015-01-07 | 2018-08-28 | Micron Technology, Inc. | Generating and executing a control flow |
US9583163B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-02-28 | Micron Technology, Inc. | Loop structure for operations in memory |
CN107408405B (zh) | 2015-02-06 | 2021-03-05 | 美光科技公司 | 用于并行写入到多个存储器装置位置的设备及方法 |
WO2016126472A1 (en) | 2015-02-06 | 2016-08-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for scatter and gather |
EP3254287A4 (en) | 2015-02-06 | 2018-08-08 | Micron Technology, INC. | Apparatuses and methods for memory device as a store for program instructions |
WO2016144724A1 (en) | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for shift decisions |
US9898253B2 (en) | 2015-03-11 | 2018-02-20 | Micron Technology, Inc. | Division operations on variable length elements in memory |
US9741399B2 (en) | 2015-03-11 | 2017-08-22 | Micron Technology, Inc. | Data shift by elements of a vector in memory |
EP3268965A4 (en) | 2015-03-12 | 2018-10-03 | Micron Technology, INC. | Apparatuses and methods for data movement |
US10146537B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-12-04 | Micron Technology, Inc. | Vector population count determination in memory |
US10049054B2 (en) | 2015-04-01 | 2018-08-14 | Micron Technology, Inc. | Virtual register file |
US10140104B2 (en) | 2015-04-14 | 2018-11-27 | Micron Technology, Inc. | Target architecture determination |
US9959923B2 (en) | 2015-04-16 | 2018-05-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods to reverse data stored in memory |
US10073786B2 (en) | 2015-05-28 | 2018-09-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for compute enabled cache |
US9704541B2 (en) | 2015-06-12 | 2017-07-11 | Micron Technology, Inc. | Simulating access lines |
US9921777B2 (en) | 2015-06-22 | 2018-03-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for data transfer from sensing circuitry to a controller |
US9996479B2 (en) | 2015-08-17 | 2018-06-12 | Micron Technology, Inc. | Encryption of executables in computational memory |
US9905276B2 (en) | 2015-12-21 | 2018-02-27 | Micron Technology, Inc. | Control of sensing components in association with performing operations |
US9952925B2 (en) | 2016-01-06 | 2018-04-24 | Micron Technology, Inc. | Error code calculation on sensing circuitry |
US10048888B2 (en) | 2016-02-10 | 2018-08-14 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for partitioned parallel data movement |
US9892767B2 (en) | 2016-02-12 | 2018-02-13 | Micron Technology, Inc. | Data gathering in memory |
US9971541B2 (en) | 2016-02-17 | 2018-05-15 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for data movement |
US9899070B2 (en) | 2016-02-19 | 2018-02-20 | Micron Technology, Inc. | Modified decode for corner turn |
US10956439B2 (en) | 2016-02-19 | 2021-03-23 | Micron Technology, Inc. | Data transfer with a bit vector operation device |
US9697876B1 (en) | 2016-03-01 | 2017-07-04 | Micron Technology, Inc. | Vertical bit vector shift in memory |
US9997232B2 (en) | 2016-03-10 | 2018-06-12 | Micron Technology, Inc. | Processing in memory (PIM) capable memory device having sensing circuitry performing logic operations |
US10262721B2 (en) | 2016-03-10 | 2019-04-16 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for cache invalidate |
US10379772B2 (en) | 2016-03-16 | 2019-08-13 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for operations using compressed and decompressed data |
US9910637B2 (en) | 2016-03-17 | 2018-03-06 | Micron Technology, Inc. | Signed division in memory |
US10120740B2 (en) | 2016-03-22 | 2018-11-06 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for debugging on a memory device |
US11074988B2 (en) | 2016-03-22 | 2021-07-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for debugging on a host and memory device |
US10388393B2 (en) | 2016-03-22 | 2019-08-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for debugging on a host and memory device |
US10977033B2 (en) | 2016-03-25 | 2021-04-13 | Micron Technology, Inc. | Mask patterns generated in memory from seed vectors |
US10474581B2 (en) | 2016-03-25 | 2019-11-12 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for cache operations |
US10430244B2 (en) | 2016-03-28 | 2019-10-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods to determine timing of operations |
US10074416B2 (en) | 2016-03-28 | 2018-09-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for data movement |
US10453502B2 (en) | 2016-04-04 | 2019-10-22 | Micron Technology, Inc. | Memory bank power coordination including concurrently performing a memory operation in a selected number of memory regions |
US10607665B2 (en) | 2016-04-07 | 2020-03-31 | Micron Technology, Inc. | Span mask generation |
US9818459B2 (en) | 2016-04-19 | 2017-11-14 | Micron Technology, Inc. | Invert operations using sensing circuitry |
US9659605B1 (en) | 2016-04-20 | 2017-05-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for performing corner turn operations using sensing circuitry |
US10153008B2 (en) | 2016-04-20 | 2018-12-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for performing corner turn operations using sensing circuitry |
US10042608B2 (en) | 2016-05-11 | 2018-08-07 | Micron Technology, Inc. | Signed division in memory |
US9659610B1 (en) | 2016-05-18 | 2017-05-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for shifting data |
US10049707B2 (en) | 2016-06-03 | 2018-08-14 | Micron Technology, Inc. | Shifting data |
US10387046B2 (en) | 2016-06-22 | 2019-08-20 | Micron Technology, Inc. | Bank to bank data transfer |
US10037785B2 (en) | 2016-07-08 | 2018-07-31 | Micron Technology, Inc. | Scan chain operation in sensing circuitry |
US10388360B2 (en) | 2016-07-19 | 2019-08-20 | Micron Technology, Inc. | Utilization of data stored in an edge section of an array |
US10733089B2 (en) | 2016-07-20 | 2020-08-04 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for write address tracking |
US10387299B2 (en) | 2016-07-20 | 2019-08-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for transferring data |
US9767864B1 (en) | 2016-07-21 | 2017-09-19 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for storing a data value in a sensing circuitry element |
US9972367B2 (en) | 2016-07-21 | 2018-05-15 | Micron Technology, Inc. | Shifting data in sensing circuitry |
US10303632B2 (en) | 2016-07-26 | 2019-05-28 | Micron Technology, Inc. | Accessing status information |
US10468087B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-11-05 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for operations in a self-refresh state |
US9990181B2 (en) | 2016-08-03 | 2018-06-05 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for random number generation |
US11029951B2 (en) | 2016-08-15 | 2021-06-08 | Micron Technology, Inc. | Smallest or largest value element determination |
US10606587B2 (en) | 2016-08-24 | 2020-03-31 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods related to microcode instructions indicating instruction types |
US10466928B2 (en) | 2016-09-15 | 2019-11-05 | Micron Technology, Inc. | Updating a register in memory |
US10387058B2 (en) | 2016-09-29 | 2019-08-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods to change data category values |
US10014034B2 (en) | 2016-10-06 | 2018-07-03 | Micron Technology, Inc. | Shifting data in sensing circuitry |
US10529409B2 (en) | 2016-10-13 | 2020-01-07 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods to perform logical operations using sensing circuitry |
US9805772B1 (en) | 2016-10-20 | 2017-10-31 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods to selectively perform logical operations |
CN207637499U (zh) | 2016-11-08 | 2018-07-20 | 美光科技公司 | 用于形成在存储器单元阵列上方的计算组件的设备 |
US10423353B2 (en) | 2016-11-11 | 2019-09-24 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for memory alignment |
US9761300B1 (en) | 2016-11-22 | 2017-09-12 | Micron Technology, Inc. | Data shift apparatuses and methods |
US10402340B2 (en) | 2017-02-21 | 2019-09-03 | Micron Technology, Inc. | Memory array page table walk |
US10403352B2 (en) | 2017-02-22 | 2019-09-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for compute in data path |
US10268389B2 (en) | 2017-02-22 | 2019-04-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for in-memory operations |
US10838899B2 (en) | 2017-03-21 | 2020-11-17 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for in-memory data switching networks |
US11222260B2 (en) | 2017-03-22 | 2022-01-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for operating neural networks |
US10185674B2 (en) | 2017-03-22 | 2019-01-22 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for in data path compute operations |
US10049721B1 (en) | 2017-03-27 | 2018-08-14 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for in-memory operations |
US10147467B2 (en) | 2017-04-17 | 2018-12-04 | Micron Technology, Inc. | Element value comparison in memory |
US10043570B1 (en) | 2017-04-17 | 2018-08-07 | Micron Technology, Inc. | Signed element compare in memory |
US9997212B1 (en) | 2017-04-24 | 2018-06-12 | Micron Technology, Inc. | Accessing data in memory |
US10942843B2 (en) | 2017-04-25 | 2021-03-09 | Micron Technology, Inc. | Storing data elements of different lengths in respective adjacent rows or columns according to memory shapes |
US10236038B2 (en) | 2017-05-15 | 2019-03-19 | Micron Technology, Inc. | Bank to bank data transfer |
US10068664B1 (en) | 2017-05-19 | 2018-09-04 | Micron Technology, Inc. | Column repair in memory |
US10013197B1 (en) | 2017-06-01 | 2018-07-03 | Micron Technology, Inc. | Shift skip |
US10262701B2 (en) | 2017-06-07 | 2019-04-16 | Micron Technology, Inc. | Data transfer between subarrays in memory |
US10152271B1 (en) | 2017-06-07 | 2018-12-11 | Micron Technology, Inc. | Data replication |
US10318168B2 (en) | 2017-06-19 | 2019-06-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for simultaneous in data path compute operations |
US10162005B1 (en) | 2017-08-09 | 2018-12-25 | Micron Technology, Inc. | Scan chain operations |
US10534553B2 (en) | 2017-08-30 | 2020-01-14 | Micron Technology, Inc. | Memory array accessibility |
US10416927B2 (en) | 2017-08-31 | 2019-09-17 | Micron Technology, Inc. | Processing in memory |
US10741239B2 (en) | 2017-08-31 | 2020-08-11 | Micron Technology, Inc. | Processing in memory device including a row address strobe manager |
US10346092B2 (en) | 2017-08-31 | 2019-07-09 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for in-memory operations using timing circuitry |
US10409739B2 (en) | 2017-10-24 | 2019-09-10 | Micron Technology, Inc. | Command selection policy |
US10522210B2 (en) | 2017-12-14 | 2019-12-31 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for subarray addressing |
US10332586B1 (en) | 2017-12-19 | 2019-06-25 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for subrow addressing |
US10614875B2 (en) | 2018-01-30 | 2020-04-07 | Micron Technology, Inc. | Logical operations using memory cells |
US11194477B2 (en) | 2018-01-31 | 2021-12-07 | Micron Technology, Inc. | Determination of a match between data values stored by three or more arrays |
US10437557B2 (en) | 2018-01-31 | 2019-10-08 | Micron Technology, Inc. | Determination of a match between data values stored by several arrays |
US10725696B2 (en) | 2018-04-12 | 2020-07-28 | Micron Technology, Inc. | Command selection policy with read priority |
US10440341B1 (en) | 2018-06-07 | 2019-10-08 | Micron Technology, Inc. | Image processor formed in an array of memory cells |
US11175915B2 (en) | 2018-10-10 | 2021-11-16 | Micron Technology, Inc. | Vector registers implemented in memory |
US10769071B2 (en) | 2018-10-10 | 2020-09-08 | Micron Technology, Inc. | Coherent memory access |
US10483978B1 (en) | 2018-10-16 | 2019-11-19 | Micron Technology, Inc. | Memory device processing |
US11184446B2 (en) | 2018-12-05 | 2021-11-23 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for incentivizing participation in fog networks |
US10867655B1 (en) | 2019-07-08 | 2020-12-15 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for dynamically adjusting performance of partitioned memory |
US11360768B2 (en) | 2019-08-14 | 2022-06-14 | Micron Technolgy, Inc. | Bit string operations in memory |
US11449577B2 (en) | 2019-11-20 | 2022-09-20 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for performing video processing matrix operations within a memory array |
US11853385B2 (en) | 2019-12-05 | 2023-12-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for performing diversity matrix operations within a memory array |
US11227641B1 (en) | 2020-07-21 | 2022-01-18 | Micron Technology, Inc. | Arithmetic operations in memory |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05182471A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Kawasaki Steel Corp | 機能メモリプロセッサ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2786364B2 (ja) * | 1992-01-13 | 1998-08-13 | 川崎製鉄株式会社 | 連想メモリ装置 |
FR2687004B1 (fr) * | 1992-01-31 | 1994-03-18 | France Telecom | Architecture de memoire associative. |
EP0646932B1 (en) * | 1993-04-19 | 2001-09-26 | Oki Electric Industry Company, Limited | Circuit for decoding variable-length code, and system for decoding variable-length code which uses the circuit |
JP2738363B2 (ja) * | 1995-09-07 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 連想記憶装置 |
-
1995
- 1995-08-31 JP JP7248676A patent/JP2812262B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-09-03 US US08/706,470 patent/US5787458A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05182471A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Kawasaki Steel Corp | 機能メモリプロセッサ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001160292A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-06-12 | Sibercore Technologies Inc | 可変幅のデータを検索するための可変幅のコンテントアドレサブルメモリデバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2812262B2 (ja) | 1998-10-22 |
US5787458A (en) | 1998-07-28 |
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