JPH0962000A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

ポジ型フォトレジスト組成物

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JPH0962000A
JPH0962000A JP24064095A JP24064095A JPH0962000A JP H0962000 A JPH0962000 A JP H0962000A JP 24064095 A JP24064095 A JP 24064095A JP 24064095 A JP24064095 A JP 24064095A JP H0962000 A JPH0962000 A JP H0962000A
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JP
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mol
compound
cyclic terpene
phenol
terpene
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JP24064095A
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English (en)
Inventor
Toshiyuki Morikawa
敏行 森川
Takafumi Fujinobu
尊文 藤信
Yuuji Kintou
祐司 金籐
Shinobu Mineyama
忍 峰山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yasuhara Chemical Co Ltd
Original Assignee
Yasuhara Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目 的】 高解像度、高感度、耐熱性に優れたポジ型
フォトレジスト組成物を提供すること。 【構 成】 アルカリ可溶性樹脂、ナフトキノンジアジ
ド化合物および環状テルペン多価フェノール系化合物を
用いたものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、紫外線、遠紫外線、X
線、電子線等に対して高い感度を示し、アルカリ水溶液
で現像することによりパターン形成できる高集積度の集
積回路作製用ポジ型フォトレジスト組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、高解像度型フォトレジストの主流
であるポジ型フォトレジストはアルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂と感光物として1,2−ナフトキノンジアジド化
合物を含有する組成物が開発、実用化されてきた。即
ち、ノボラック樹脂は膨潤することなくアルカリ水溶液
に可溶であり、また感光物である1,2−ナフトキノン
ジアジド化合物はそれ自身、ノボラック樹脂の溶解阻止
剤として働き、組成物全体としてはアルカリには不溶で
ある。
【0003】1,2−ナフトキノンジアジド化合物とし
ては、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステ
ルが一般的に使用される。このエルテルのポリヒドロキ
シ成分として2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2´,
4,4´−テトラヒドロキシベンゾフェノン、7−ヒド
ロキシ−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−2,
4,4−トリメチルクロマン、アセトン−ピロガロール
縮合樹脂等が一般的に用いられる。
【0004】ここで光照射を受けると1,2−ナフトキ
ノンジアジド化合物は、分解しアルカリ可溶物質を生
じ、組成物全体としてアルカリ可溶となる。この光に対
する特異性を利用したこの組成物は、ポジ型レジストと
して特に有用であった。
【0005】しかしLSIの高集積化に伴いパターンル
ールの微細化が求められているなか、高解像度、高感度
を有するフォトレジストが要求されているが、従来のア
ルカリ可溶性ノボラック樹脂/1,2−ナフトキノンジ
アジド化合物からなる組成物では高解像度、高感度の要
求を満たすことが出来なくなってきた。
【0006】また、高集積化を行うためにエッチング方
式がウエット方式からドライ方式に移行しているが、ド
ライエッチング(130〜150℃)での耐熱性が不足
し、レジストパターンの熱変形が起きるという問題があ
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点に着目し、高解像度、高感度、耐熱性に優れたポ
ジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題を
解決するため鋭意検討した結果、アルカリ可溶性樹脂、
ナフトキノンジアジド化合物および環状テルペン多価フ
ェノール系化合物を用いることにより、上記目的を達成
しうることを見いだし本発明を完成した。
【0009】以下本発明を詳細に説明する。本発明に用
いるアルカリ可溶性樹脂としては、ノボラック樹脂、ポ
リヒドロキシスチレンおよびその誘導体、アセトンピロ
ガロール樹脂等を挙げることができるが、これらに限定
されるものではない。これらの中で特にノボラック樹脂
が好ましい。
【0010】ノボラック樹脂はフェノール類とアルデヒ
ド類やケトン類を酸性触媒の存在下で付加縮合して作ら
れる。フェノール類としてはフェノール、o−クレゾー
ル、m−クレゾール、p−クレゾール、o−エチルフェ
ノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノー
ル、o−ブチルフェノール、m−ブチルフェノール、p
−ブチルフェノール、2,3−キシレノール、2,4−
キシレノール、2,5−キシレノール、2,6ーキシレ
ノール、3,4ーキシレノール、3,6ーキシレノー
ル、p−フェニルフェノール、p−メトキシフェノー
ル、m−メトキシフェノール、ビスフェノールA、ビス
フェノールF、カテコール、レゾルシノール、ハイドロ
キノン、ナフトール等の化合物を単独もしくは2種以上
混合して使用することができるが、これらに限定される
ものではない。
【0011】アルデヒド類やケトン類としては、ホルム
アルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニル
アセトアルデヒド、フルフラール、アセトン、シクロヘ
キサノン等が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。これらのアルデヒド類やケトン類は単独もしく
は2種以上組み合わせて用いられる。
【0012】酸性触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸等の
無機酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸、トルエンスルホン酸等
の有機酸等を使用することができる。
【0013】こうして得られたノボラック樹脂の重量平
均分子量は2000〜20000の範囲であることが好
ましい。2000未満の場合はフォトレジストの耐熱性
が劣る傾向があり、20000を越えると解像度が劣る
傾向があり好ましくない。
【0014】本発明で感光物として用いられるナフトキ
ノンジアジド化合物は、ポリヒドロキシ化合物のナフト
キノンジアジドスルホン酸エステルを用いることができ
る。好ましいポリヒドロキシ化合物としてレゾルシン、
p−クレゾール、ピロガロール、2,3,4−トリヒド
ロキシベンゾフェノン、2,4−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、2,2´,4,4´−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、7−ヒドロキシ−2−(2,4−ジヒドロキ
シフェニル)−2,4,4−トリメチルクロマン、アセ
トン−ピロガロール縮合樹脂等が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。これらのナフトキノンジア
ジド化合物は、単独でまたは2種以上混合して使用され
る。
【0015】またこれらのナフトキノンジアジドスルホ
ン酸エステルは、ナフトキノンジアジドスルホン酸クロ
リドと、ポリヒドロキシ化合物を、弱アルカリの存在下
で縮合させることにより得られる。
【0016】本発明で使用される環状テルペン多価フェ
ノール系化合物は、環状テルペン化合物1分子にフェ
ノール類を2分子の割合で付加させた環状テルペン/フ
ェノール類1モル/2モル付加体、あるいはこの環状
テルペン/フェノール類1モル/2モル付加体と、アル
デヒド類やケトン類との縮合反応で得られたポリ環状テ
ルペン/フェノール類1モル/2モル付加体、あるいは
環状テルペンとフェノール類を共重合させた環状テル
ペンフェノール共重合体、および環状テルペン1分子
とフェノール類1分子の割合で付加させた環状テルペン
/フェノール類1モル/1モル付加体と、アルデヒド類
やケトン類との縮合反応で得られたポリ環状テルペン/
フェノール類1モル/1モル付加体を挙げることができ
るが、これらの化合物に限定されない。低分子化合物あ
るいは、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよ
い。また、融点を有する結晶性の化合物であっても、融
点の無い非晶性の化合物であってもよい。
【0017】環状テルペン/フェノール類1モル/2
モル付加体は、環状テルペン化合物とフェノール類とを
酸性触媒の存在下で反応させることにより製造すること
ができる。またポリ環状テルペン/フェノール類1モ
ル/2モル付加体は、上記環状テルペン/フェノール類
1モル/2モル付加体と、アルデヒド類やケトン類を縮
合反応させることにより製造することができる。また
環状テルペンフェノール共重合体は、環状テルペン化合
物とフェノール類をフリーデルクラフツ型触媒の存在下
で反応させることにより製造することができる。さらに
ポリ環状テルペン/フェノール類1モル/1モル付加
体は、環状テルペンとフェノール類を酸性触媒存在下で
反応させ環状テルペン/フェノール類1モル/1モル付
加体とし、得られた1モル/1モル付加体と、アルデヒ
ド類やケトン類を縮合反応させることにより製造するこ
とができる。これらの環状テルペン多価フェノール系化
合物は単独で使用することもできるし、2種類以上を併
用して使用することもできる。
【0018】本発明で使用される環状テルペン多価フェ
ノール系化合物を製造するための原料の環状テルペン化
合物は、単環のテルペン化合物であってもよいし、双環
のテルペン化合物であってもよい。その具体的な例とし
て例えば次のものが挙げられるがこれらに限定されるも
のではない。
【0019】α−ピネン、β−ピネン、ジペンテン、リ
モネン、フェランドレン、α−テルピネン、γ−テルピ
ネン、テルピノレン、1,8−シネオール、1,4−シ
ネオール、ターピネオール、カンフェン、トリシクレ
ン、パラメンテン−1、パラメンテン−2、パラメンテ
ン−3、パラメンタジエン類、カレン等。
【0020】また、本発明で使用される環状テルペン多
価フェノール系化合物を製造するための他方の原料であ
るフェノール類としては、フェノール、o−クレゾー
ル、m−クレゾール、p−クレゾール、o−エチルフェ
ノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノー
ル、o−ブチルフェノール、m−ブチルフェノール、p
−ブチルフェノール、2,3−キシレノール、2,4−
キシレノール、2,5−キシレノール、2,6ーキシレ
ノール、3,4ーキシレノール、3,6ーキシレノー
ル、p−フェニルフェノール、p−メトキシフェノー
ル、m−メトキシフェノール、ビスフェノールA、ビス
フェノールF、カテコール、レゾルシノール、ハイドロ
キノン、ナフトール等の化合物が挙げられる。これらの
フェノール類は、単独もしくは2種以上混合して使用す
ることができるが、これらに限定されるものではない。
【0021】環状テルペン化合物1分子とフェノール
類2分子との付加反応は、環状テルペン化合物1モルに
対してフェノール類を1〜12モル、好ましくは2〜8
モル使用し、酸触媒の存在下で20〜150℃の温度で
1〜10時間行わせる。その酸性触媒としては、塩酸、
硫酸、リン酸、ポリリン酸、三フッ化硼素もしくはその
錯体、陽イオン交換樹脂、活性白土等が挙げられる。反
応溶媒は使用しなくてもよいが、芳香族系炭化水素類、
アルコール類、エーテル類等の溶媒を使用することもで
きる。
【0022】このようにして製造される環状テルペン/
フェノール類1モル/2モル付加体の構造は、例えば一
般式で下記に示す構造式で表される化合物がその一例で
ある。
【0023】
【化1】
【0024】なお上記一般式(1)中、R1、R2、R
3、R4は、同一または異なり、水素原子またはメチル
基を示す。
【0025】
【化2】
【0026】なお上記一般式(2)中、R1、R2、R
3、R4は、同一または異なり、水素原子またはメチル
基を示す。
【0027】ポリ環状テルペン/フェノール類1モル
/2モル付加体を製造するための縮合剤として用いるア
ルデヒド類やケトン類としては、ホルムアルデヒド、パ
ラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアル
デヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、フェニルアセトアルデヒド、フルフラール、アセト
ン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
【0028】その縮合反応に際しては、環状テルペン/
フェノール類1モル/2モル付加体に、他のフェノール
類を併用して反応させることができるが、その場合環状
テルペン/フェノール類1モル/2モル付加体の使用割
合は、他のフェノール類との合計量に対して、少なくと
も20重量%、好ましくは40重量%以上である。環状
テルペン/フェノール類1モル/2モル付加体の割合が
少ないと、満足できるポリ環状テルペン/フェノール1
モル/2モル付加体が得られない。
【0029】その縮合反応における環状テルペン/フェ
ノール類1モル/2モル付加体や他のフェノール類とア
ルデヒド類やケトン類との反応割合は、ポリ環状テルペ
ン/フェノール類1モル/2モル付加体や他のフェノー
ル類1モルに対して、アルデヒド類やケトン類が0.1
〜2.0モル、好ましくは0.2〜1.2モルであり、
酸性触媒の存在下に、40〜200℃の温度で1〜12
時間反応させる。アルデヒド類やケトン類が多すぎると
ポリ環状テルペン/フェノール類1モル/2モル付加体
が高分子量化し、フォトレジストの解像度が劣るため好
ましくない。ポリ環状テルペン/フェノール類1モル/
2モル付加体のGPCによるポリスチレン換算の重量平
均分子量は、好ましくは500〜5,000である。
【0030】その縮合反応用酸性触媒としては、例えば
塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸、
トルエンスルホン酸等の有機酸を使用することができ
る。酸性触媒の使用量は環状テルペン/フェノール類1
モル/2モル付加体や他のフェノール類100重量部に
対して0.1〜5重量部である。その縮合反応において
は、芳香族炭化水素類、アルコール類、エーテル類等の
不活性溶剤を用いることができる。
【0031】環状テルペンフェノール共重合体を製造
するための環状テルペンとフェノール類の共重合反応
は、環状テルペン1モルに対してフェノール類を0.1
〜12モル、好ましくは0.2〜6モル使用し、フリー
デルクラフツ型触媒の存在下で0〜120℃の温度で1
〜10時間行わせる。そのフリーデルクラフツ型触媒と
しては塩化アルミニウム、三フッ化ホウ素もしくはその
錯体等が挙げられる。その際、芳香族系炭化水素等の反
応溶媒が一般的に用いられる。
【0032】こうして得られた環状テルペンフェノール
共重合体は環状テルペンnモルに対してフェノール類が
(n+1)モル交互に結合した化合物を主成分として含
む。この際nは1〜8の範囲が好ましい。nが8を越え
ると環状テルペンフェノール共重合体が高分子量となり
フォトレジストの解像度が劣り好ましくない。
【0033】ポリ環状テルペン/フェノール類1モル
/1モル付加体の前駆体である環状テルペン/フェノー
ル類1モル/1モル付加体を製造するための環状テルペ
ン1分子とフェノール類1分子の付加反応は、環状テル
ペン1モルに対してフェノール類を0.5〜6モル、好
ましくは1〜4モル使用し、酸性触媒の存在下で20〜
150℃の温度で1〜10時間行わせる。その酸性触媒
としては、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、三フッ化
ホウ素もしくはその錯体、陽イオン交換樹脂、活性白土
等が挙げられる。反応溶媒は使用しなくてもよいが、芳
香族系炭化水素類、アルコール類、エーテル類等の溶媒
を使用することもできる。
【0034】このようにして製造される環状テルペン/
フェノール類1モル/1モル付加体の構造は、例えば下
記に示す構造式で表される化合物がその一例である。
【0035】
【化3】
【0036】なお一般式(3)中、R1、R2は、同一
または異なり、水素原子またはメチル基を示す。
【0037】
【化4】
【0038】なお一般式(4)中、R1、R2は、同一
または異なり、水素原子またはメチル基を示す。
【0039】ポリ環状テルペン/フェノール類1モル/
1モル付加体を製造するための前記で得られた環状テル
ペン/フェノール類1モル/1モル付加体とアルデヒド
類やケトン類の縮合反応は、前記ポリ環状テルペン/
フェノール類1モル/2モル付加体と同様に行う。得ら
れたポリ環状テルペン/フェノール類1モル/1モル付
加体のGPCによる重量平均分子量は、好ましくは50
0〜5,000である。分子量が5,000を越えると
フォトレジストの解像度が劣り好ましくない。
【0040】前記のようにして得られれたアルカリ可溶
性樹脂、ナフトキノンジアジド化合物および環状テルペ
ン多価フェノール系化合物を組み合わせることにより、
本発明のポジ型フォトレジスト組成物となる。アルカリ
可溶性樹脂とナフトキノンジアジド化合物および環状テ
ルペン多価フェノール系化合物の配合比率は、アルカリ
可溶性樹脂100重量部に対して、ナフトキノンジアジ
ド化合物が5〜100重量部、好ましくは10〜50重
量部、環状テルペン多価フェノール系化合物が0.5〜
100重量部、好ましくは1〜50重量部である。ナフ
トキノンジアジド化合物が5重量部未満では解像度が著
しく低下し、100重量部を越えると感度および溶解性
が低下する。また、環状テルペン多価フェノール系化合
物が0.5重量部未満では、感度上昇効果が実質的に得
られず、100重量部を越えると解像度が低下する。
【0041】本発明のフォトレジスト組成物には必要に
応じて、塗布性を向上させるための界面活性剤、安定
剤、色素、顔料、可塑剤、接着助剤を添加することが可
能である。
【0042】本発明のポジ型フォトレジスト組成物の現
像液には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナ
トリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、
アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−
プロピルアミン等の第1アミン類、ジエチルアミン、ジ
−n−プロピルアミン等の第2アミン類、トリエチルア
ミン、メチルジエチルアミン等の第3アミン類、ジメチ
ルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコ
ールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級
アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン、1,8−ジア
ザビシクロ(5,4,0)−7−ウンデセン、1,5−
ジアザビシクロ(4,3,0)−5−ノナン等の環状ア
ミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができ
る。さらに上記アルカリ類の水溶液にアルコール類、界
面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
【0043】本発明のポジ型フォトレジスト組成物をシ
リコンウエハ等の基板に塗布する場合は、アルカリ可溶
性樹脂とナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとを
溶剤に溶解し、これをスピンコーター等で塗布すればよ
い。
【0044】この際に使用する溶剤としては、エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル等のアルコールエーテル類、メチルセ
ロソルブアセタート、エチルセロソルブアセタート等の
セロソルブエステル類、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類、ジオキサン、エチレングリコー
ルジエチルエーテル等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸
ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル等の脂肪酸エステル
類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類等が挙げ
られる。これらの溶剤は単独でもしくは数種類混合して
も使用することができる。
【0045】このようにして調製したポジ型フォトレジ
スト組成物は、例えば次のような処理を行うことにより
回路を形成することができる。即ち、0.2μmのテフ
ロンフィルタでろ過し、ジシラザン処理したシリコンウ
エハ上に膜厚1.0μmになるように塗布し、乾燥後、
紫外線または遠紫外線を用いて露光する。次に加熱を行
い、アルカリ現像液で現像し、更に乾燥してポジ型レジ
ストパターンを形成させる。最後にこのレジストパター
ンを酸素プラズマ等でエッチングすることによって回路
を形成することができる。以下に実施例によって本発明
を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例になんら
限定されるものではない。
【0046】
【実施例】
1)ノボラック樹脂1の製造例 m−クレゾール60g、p−クレゾール90g、37%
ホルマリン水溶液78gおよびシュウ酸0.3gをセパ
ラブルフラスコに仕込み、攪拌しながら100℃に昇温
し、5時間反応させた。その後真空度30mmHgまで
徐々に減圧し、水および未反応モノマーを除去した。さ
らに徐々に昇温し最終的に170℃/真空度30mmH
gとした。得られたノボラック樹脂はゲルパーミエイシ
ョンクロマトグラフィー(GPC)のポリスチレン換算
による重量平均分子量は7300であった。
【0047】2)ノボラック樹脂2の製造例 m−クレゾール75g、p−クレゾール75gを用いた
以外は上記1)と同様にしてノボラック樹脂を得た。得
られたノボラック樹脂のGPCによる重量平均分子量は
8500であった。
【0048】3)環状テルペン多価フェノール系化合物
−aの製造例 温度計、攪拌装置、滴下ロートおよび冷却管を備えた内
容積1リットルの4つ口フラスコに、フェノール6モ
ル、強酸性陽イオン交換樹脂34gを仕込んだ後、80
℃の温度に保持しながら、α−ピネン1モルを4時間か
けて滴下し、その後2時間攪拌し反応させた。次いで、
該混合液から、ろ過によって陽イオン交換樹脂を除き、
得られた反応液を蒸留水で2回洗浄したのち、5mmH
gの減圧条件下、250℃で30分間保持して未反応物
と副生成物を蒸留により留去し、淡黄色樹脂状物を得
た。この淡黄色樹脂状物を、トルエンを用いて再結晶法
による晶析を行い精製し、白色粉末98gを得た。この
白色粉末を、ガスクロマトグラフィーにより分析した結
果一般式(1)に相当する化合物と一般式(2)に相当
する化合物が、それぞれ63重量%、31重量%含まれ
ることが分かった。さらに核磁気共鳴スペクトル(NM
R)、および質量分析(MS)により一般式(1)の化
合物は1,3−ビス(4−ヒドロキシ−ベンゼン)−p
−メンタン、一般式(2)の化合物は2,8−ビス(4
−ヒドロキシ−ベンゼン)−p−メンタンと同定され
た。
【0049】4)環状テルペン多価フェノール系化合物
−b〜dの製造例 原料のフェノール類をo−クレゾール、2,6−キシレ
ノール、カテコールに代えた以外は3)−aの製造例
と同様に製造し、テルペンジo−クレゾール(b)を1
24g、テルペンジ2,6−キシレノール(c)を13
5g、テルペンジカテコール(d)を108g得た。同
定結果はそれぞれ次の通りであった。生成物b:一般式
(1)の化合物=54重量%、一般式(2)の化合物=
39重量%、生成物c:一般式(1)の化合物=51重
量%、一般式(2)の化合物=43重量%。
【0050】5)環状テルペン多価フェノール系化合物
−eの製造例 攪拌装置、温度計を装着したグラスライニング製オート
クレーブに上記−aの化合物を500g、37%ホル
マリン水溶液を50g、シュウ酸を2.5g、イオン交
換水を150g仕込み、120℃で4時間、密閉状態下
攪拌反応した。次に70℃まで冷却し、トルエンを60
0g仕込み反応油を溶解させ、イオン交換水で3回水洗
した。得られた水洗油は蒸留によりトルエンを除去しポ
リ環状テルペン/フェノール1モル/2モル付加体
(e)を502g得た。
【0051】6)環状テルペン多価フェノール系化合物
−fの製造例 原料として上記−bの化合物の仕込量を540gとす
る以外は5)−eの製造例と同様に製造し、ポリ環状
テルペン/o−クレゾール1モル/2モル付加体(f)
を526g得た。
【0052】7)環状テルペン多価フェノール系化合物
−gの製造例 攪拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を装着した4つ
口フラスコに、フェノールを94g、トルエンを230
g、三フッかホウ素エーテル錯体を6g仕込み、30℃
で攪拌しながら、リモネン136gを2時間で滴下反応
を行い、その後2時間後反応を行った。得られた反応油
はイオン交換水で3回水洗し、蒸留によりトルエンを留
去させ、更に250℃/5mmHgの条件で未反応物お
よび低重合物を留去させ、環状テルペンフェノール共重
合体(g)を205g得た。
【0053】8)環状テルペン多価フェノール系化合物
−hの製造例 原料のフェノール類としてビスフェノールAの仕込量を
80gとする以外は7)−gの製造例と同様に製造
し、ポリ環状テルペンフェノール共重合体(h)を18
5g得た。
【0054】9)環状テルペン多価フェノール系化合物
−iの製造例 攪拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を装着した4つ
口フラスコに、フェノールを94g、強酸性陽イオン交
換樹脂を34g仕込んだのち、80℃に加熱しながら1
−pメンテン138gを4時間かけて滴下し、その後2
時間攪拌し反応させた。次いでろ過により陽イオン交換
樹脂を除去し、得られた反応油はトルエン200gに溶
解し、蒸留水で3回洗浄した。更に蒸留によりトルエ
ン、未反応物を留去させ、5mmHgの真空度で留出温
度130〜160℃の留分:一般式(3)で示される白
色固体状化合物182gを得た。さらに得られた白色固
体158gを37%ホルマリン水溶液46g、シュウ酸
0.5gとを100℃で6時間反応させたのち、トルエ
ンを200g加えイオン交換水で3回水洗後、蒸留によ
りトルエン、未反応物を留去させ黄色樹脂状のポリ環状
テルペン/フェノール1モル/1モル付加体(i)を1
50g得た。
【0055】10)環状テルペン多価フェノール系化合
物−jの製造例 原料のテルペン化合物としてカンフェンを136g用い
る以外は9)−iの製造例と同様に製造し、中間体と
して一般式(4)で示される化合物が得られ、最終的に
ポリ環状テルペン/フェノール1モル/1モル付加体
(j)を142g得た。
【0056】実施例1 ノボラック樹脂1を10g、2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル(X)を2.5g、環状テルペン
多価フェノール系化合物−eを0.8g取り、これら
をエチルセロソルブアセタート35gに溶解させて、ポ
ジ型フォトレジスト組成物を調製した。
【0057】このポジ型フォトレジスト組成物を0.2
μmのテフロンフィルタでろ過し、ヘキサメチルジシラ
ザン処理したシリコンウエハ上に、スピンコーターで乾
燥膜厚1.2μmになるように塗布し、90℃で120
秒乾燥後、縮小投影露光器を用いて365nmで露光し
た。露光後は110℃で100秒乾燥後、2.38重量
%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像
し、さらに水洗して乾燥させレジストパターンを得た。
【0058】このようにして得られたレジストパターン
を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察し解像度を求め、
耐熱性はレジストパターンが形成されたシリコンウエハ
を、一定の温度で30分間加熱し、そのパターンの変形
が起こらない温度で表した。また、感度は1.0μmの
パターンを解像するに必要な露光時間の逆数で定義し、
比較例1の感度に対する相対値で示した。結果を表2に
示す。
【0059】実施例2〜10 アルカリ可溶性樹脂、1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸エステルおよび環状テルペン多価フェノ
ール系化合物の種類および配合量を表1の通りとし、実
施例1と同様にしてポジ型フォトレジスト組成物を調製
し、評価した。その評価結果を表2に示す。
【0060】比較例1〜3 多価フェノール系化合物を使用しないか、または多価フ
ェノール系化合物として、2,3,4−トリヒドロキシ
ベンゾフェノンまたは7−ヒドロキシ−2−(2,4−
ジヒドロキシフェニル)−2,4,4−トリメチルクロ
マンを使用する以外は実施例1と同様にポジ型フォトレ
ジスト組成物を調製し、評価した。フォトレジストの処
方を表1に、評価結果を表2に示す。
【0061】
【表1】
【0062】なお表1において(注1)の化合物Aはナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステルである。また
X、Y、K、Lは下記のとおりである。 X:2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンと1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドの
エステル Y:7−ヒドロキシ−2−(2,4−ジヒドロキシフェ
ニル)−2,4,4−トリメチルクコマンと1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドのエステ
ル K:2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン L:7−ヒドロキシ−2−(2,4−ジヒドロキシフェ
ニル)−2,4,4−トリメチルクロマン
【0063】
【表2】
【0064】
【効果】本発明により得られたポジ型フォトレジスト組
成物は、解像度、耐熱性、感度に優れ、高集積度の集積
回路作成に好適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 峰山 忍 広島県府中市高木町1080番地 ヤスハラケ ミカル株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルカリ可溶性樹脂、ナフトキノンジア
    ジド化合物、および環状テルペン多価フェノール系化合
    物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組
    成物。
  2. 【請求項2】 環状テルペン多価フェノール系化合物が
    環状テルペン化合物1分子にフェノール類を2分子の割
    合で付加させた環状テルペン/フェノール類1モル/2
    モル付加体である請求項1記載の組成物。
  3. 【請求項3】 環状テルペン多価フェノール系化合物が
    請求項2記載の環状テルペン/フェノール類1モル/2
    モル付加体と、アルデヒド類やケトン類との縮合反応で
    得られたポリ環状テルペン/フェノール類1モル/2モ
    ル付加体である請求項1記載の組成物。
  4. 【請求項4】 環状テルペン多価フェノール系化合物が
    環状テルペンとフェノール類を共重合させた環状テルペ
    ンフェノール共重合体である請求項1記載の組成物。
  5. 【請求項5】 環状テルペン多価フェノール系化合物が
    環状テルペン1分子とフェノール類1分子の割合で付加
    させた環状テルペン/フェノール類1モル/1モル付加
    体と、アルデヒド類やケトン類との縮合反応で得られた
    ポリ環状テルペン/フェノール類1モル/1モル付加体
    である請求項1記載の組成物。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6713592B2 (en) 2002-07-02 2004-03-30 General Electric Company Bis-hydroxyphenyl menthane polyesters and polyester/polycarbonates and methods for preparing same

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