JPH0955400A - Electronic part and method for mounting electronic part - Google Patents
Electronic part and method for mounting electronic partInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術(図8及び図9) 発明が解決しようとする課題(図8及び図9) 課題を解決するための手段(図1〜図7) 発明の実施の形態(図1〜図7) 発明の効果[Table of Contents] The present invention will be described in the following order. TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION Conventional Technology (FIGS. 8 and 9) Problems to be Solved by the Invention (FIGS. 8 and 9) Means for Solving the Problems (FIGS. 1 to 7) Embodiments of the Invention (FIGS. 1 to 7) Effect of the invention
【0002】[0002]
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品及び電子部
品の実装方法に関し、例えばベアチツプ及びそのベアチ
ツプを配線基板上に実装する際の実装方法に適用して好
適なものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component and a method for mounting the electronic component, and is suitable for application to, for example, a bare chip and a mounting method for mounting the bare chip on a wiring board.
【0003】[0003]
【従来の技術】従来、配線基板上に実装するチツプ状電
子部品の1つとして、半導体集積回路(以下、これをI
C回路と呼ぶ)が複数形成されたウエハを各IC回路毎
の個別のチツプに切断分離してなる、いわゆるベアチツ
プと呼ばれるものがある。2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor integrated circuits (hereinafter referred to as I
There is a so-called bare chip in which a wafer on which a plurality of (C circuits) are formed is cut and separated into individual chips for each IC circuit.
【0004】通常、この種の電子部品の実装作業は、ベ
アチツプの回路面に複数形成された電極上にそれぞれは
んだでなるボンデイング用のバンプ(以下、これをチツ
プ側バンプと呼ぶ)を設け、これら各チツプ側バンプが
配線基板の対応する各電極上にそれぞれ設けられたはん
だでなるボンデイング用のバンプ(以下、これを基板側
バンプと呼ぶ)と接触するように配線基板上に位置決め
マウントした後、これらの各チツプ側バンプ及び基板側
バンプを加熱溶融(以下、これをリフローと呼ぶ)して
接合するようにして行われる(以下、これを第1の実装
方法と呼ぶ)。従つて図8に示すように、このような第
1の実装方法により配線基板1上に実装されたベアチツ
プ2は、当該ベアチツプ2側の各電極3がそれぞれ対応
する配線基板1側の各電極4と、各チツプ側バンプがそ
れぞれ対応する各基板側バンプと溶融一体化してなるバ
ンプ5を介して接合した状態に配線基板1上に実装され
る。Usually, in the mounting work of this kind of electronic component, a plurality of bonding bumps (hereinafter referred to as chip side bumps) made of solder are respectively provided on a plurality of electrodes formed on the circuit surface of the bare chip. After each chip-side bump is positioned and mounted on the wiring board so as to come into contact with the bonding bumps made of solder provided on the corresponding electrodes of the wiring board (hereinafter referred to as board-side bumps), These chip-side bumps and substrate-side bumps are heated and melted (hereinafter referred to as reflow) and joined (hereinafter referred to as a first mounting method). Therefore, as shown in FIG. 8, the bare chip 2 mounted on the wiring board 1 by such a first mounting method has electrodes 4 on the wiring board 1 side corresponding to the electrodes 3 on the bare chip 2 side. Then, each chip-side bump is mounted on the wiring board 1 in a state of being bonded to the corresponding board-side bump via the bump 5 formed by fusion and integration.
【0005】このような第1の実装方法に加え、従来、
図8との対応部分に同一符号を付して示す図9に示すよ
うに、ベアチツプ6の回路面6A上の所定位置に金属膜
(以下、これをチツプ側金属膜と呼ぶ)7を形成すると
共に、チツプ側金属膜7と対向する配線基板8の位置に
ほぼ同形状の金属膜(以下、これを基板側金属膜と呼
ぶ)9を形成し、これらのチツプ側金属膜7と基板側金
属膜9とを各バンプ5とほぼ同融点のバンプ10で接合
することにより、絶縁基板8上に実装する方法(以下、
これを第2の実装方法と呼ぶ)もある。In addition to the first mounting method as described above,
As shown in FIG. 9 in which parts corresponding to those in FIG. 8 are denoted by the same reference numerals, a metal film (hereinafter referred to as a chip-side metal film) 7 is formed at a predetermined position on the circuit surface 6A of the bare chip 6. At the same time, a metal film (hereinafter referred to as a substrate-side metal film) 9 having substantially the same shape is formed at a position of the wiring substrate 8 facing the chip-side metal film 7, and the chip-side metal film 7 and the substrate-side metal film A method of mounting on the insulating substrate 8 by bonding the film 9 and the bumps 10 with the bumps 10 having substantially the same melting point (hereinafter,
This is called the second mounting method).
【0006】この場合、一般的にベアチツプ6を配線基
板8上に実装すると、ベアチツプ6と配線基板8との熱
膨張係数の差に起因してリフロー途中及びリフロー後の
温度変化により各バンプ5に熱応力を生じるが、この第
2の実装方法によれば、チツプ側金属膜7と基板側金属
膜9との間のバンプ10部分に熱応力を分散させること
ができ、かくして各バンプ5に熱応力が集中することを
回避し得る利点がある。またこの第2の実装方法によれ
ば、実装の際、チツプ側金属膜7上及び基板側金属膜9
上の各バンプをリフローし溶融させたときに、当該溶融
したはんだのセルフアライメント効果により、配線基板
8に対するベアチツプ6の多少の位置ずれが補正される
利点がある。In this case, generally, when the bare chip 6 is mounted on the wiring board 8, the bumps 5 are formed on the respective bumps 5 due to a temperature change during reflow and after reflow due to a difference in thermal expansion coefficient between the bare chip 6 and the wiring board 8. Although thermal stress is generated, according to this second mounting method, the thermal stress can be dispersed in the bump 10 portion between the chip-side metal film 7 and the substrate-side metal film 9, and thus the thermal stress is applied to each bump 5. There is an advantage that stress concentration can be avoided. Further, according to this second mounting method, at the time of mounting, the chip side metal film 7 and the substrate side metal film 9 are mounted.
When each of the above bumps is reflowed and melted, there is an advantage that a slight misalignment of the bare chip 6 with respect to the wiring board 8 is corrected by the self-alignment effect of the melted solder.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な第1及び第2の実装方法では、ベアチツプ2を配線基
板1上に実装する際に、各チツプ側バンプと各基板側バ
ンプとを確実に接合させるために、X線等を用いた高精
度な位置合わせが必要となる問題があつた。またこれら
の位置合わせ作業では、各チツプ側バンプと対応する各
基板側バンプとを1つづつ又は複数個づつ位置合わせす
るため、位置ずれを起こさずにベアチツプ2を配線基板
1上に実装するためには長い作業時間を必要とし、1つ
のベアチツプ2あたりの実装タクトタイムが長くなる問
題があつた。However, according to the first and second mounting methods as described above, when mounting the bare chip 2 on the wiring board 1, the chip-side bumps and the board-side bumps are surely separated from each other. There is a problem that it is necessary to perform highly accurate alignment using X-rays or the like in order to join the two. In addition, in these alignment operations, the chip bumps and the corresponding board bumps are aligned one by one or in plurals, so that the bare chip 2 is mounted on the wiring substrate 1 without causing positional displacement. Requires a long working time, and there is a problem that the mounting tact time per one bare chip 2 becomes long.
【0008】さらに上述の第1及び第2の実装方法で
は、各チツプ側バンプとそれぞれ対応する基板側バンプ
とを位置合わせした後にリフロー等の手法により接合す
る場合、リフロー炉内で発生する熱風等の影響により、
各チツプ側バンプと対応する各基板側バンプとが位置ず
れを起こす問題があつた。Further, in the above-described first and second mounting methods, when the chip-side bumps and the corresponding substrate-side bumps are aligned and then joined by a method such as reflow, hot air or the like generated in the reflow furnace is used. Due to
There is a problem in that each chip side bump and each corresponding substrate side bump are misaligned.
【0009】さらに第1及び第2の実装方法では、ベア
チツプ2を配線基板1上に位置合わせした際に、当該配
線基板1に対してベアチツプ2が回転方向に位置ずれを
生じることがあるが、この第1及び第2の実装方法で
は、配線基板1に対するベアチツプ2の回転方向の位置
ずれを全く補正せずに実装する問題があつた。Further, in the first and second mounting methods, when the bare chip 2 is aligned on the wiring board 1, the bare chip 2 may be displaced relative to the wiring board 1 in the rotational direction. In the first and second mounting methods, there is a problem of mounting without correcting the positional deviation of the bare chip 2 with respect to the wiring board 1 in the rotational direction.
【0010】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、配線基板上に精度良く容易に実装し得る電子部品及
び電子部品の実装方法を提案しようとするものである。The present invention has been made in consideration of the above points, and an object thereof is to propose an electronic component and an electronic component mounting method which can be mounted on a wiring board with high accuracy and easily.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め第1の発明においては、一面に複数のボンデイング用
の第1のバンプが形成され、当該各第1のバンプを、配
線基板の所定面に形成された対応するボンデイング用の
第2のバンプにそれぞれ接合することにより配線基板に
実装する電子部品において、一面の中央部に形成され、
第1のバンプよりも低い融点温度特性を有する単数又は
複数の第1のダミーバンプと、一面に第1のダミーバン
プを取り囲むように形成され、当該第1のバンプの融点
温度及び第1のダミーバンプの融点温度間に設定された
所定の融点温度特性を有する単数又は複数の第2のダミ
ーバンプとを設けるようにして、各第1のダミーバンプ
を、当該各第1のダミーバンプと同じ融点温度特性を有
し、かつそれぞれ配線基板の所定面に対応させて形成さ
れた第3のダミーバンプと接合すると共に、各第2のダ
ミーバンプを、当該第2のダミーバンプと同じ融点温度
特性を有し、かつそれぞれ配線基板の所定面に対応させ
て形成された第4のダミーバンプと接合することにより
上記配線基板に実装するようにした。In order to solve such a problem, in the first invention, a plurality of first bumps for bonding are formed on one surface, and each of the first bumps is formed on a predetermined surface of a wiring board. In the electronic component to be mounted on the wiring board by being bonded to the corresponding second bumps for bonding, which are formed in the central portion of one surface,
One or a plurality of first dummy bumps having a melting point temperature characteristic lower than that of the first bumps, and a melting point temperature of the first bumps and a melting point temperature of the first dummy bumps which are formed so as to surround the first dummy bumps on one surface. A single or a plurality of second dummy bumps having a predetermined melting point temperature characteristic set between the temperatures is provided, and each first dummy bump has the same melting point temperature characteristic as the first dummy bump. In addition, each second dummy bump is bonded to a third dummy bump formed corresponding to a predetermined surface of the wiring board, and each second dummy bump has the same melting point temperature characteristic as that of the second dummy bump. The wiring board is mounted on the wiring board by being joined to the fourth dummy bump formed corresponding to the surface.
【0012】また第2の発明においては、一面に複数の
ボンデイング用の第1のバンプが形成され、当該各第1
のバンプを、配線基板の所定面に形成された対応するボ
ンデイング用の第2のバンプにそれぞれ接合することに
より上記配線基板に実装する電子部品の実装方法におい
て、電子部品の一面の中央部に第1のバンプよりも低い
融点温度特性を有する単数又は複数の第1のダミーバン
プを形成し、一面に第1のバンプの融点温度及び第1の
ダミーバンプの融点温度間に設定された所定の融点温度
特性を有する単数又は複数の第2のダミーバンプを第1
のダミーバンプを取り囲むように形成すると共に、電子
部品を配線基板に実装する際に各第1のダミーバンプ及
び各第2のダミーバンプと対向する配線基板の所定面
に、第1のダミーバンプと同じ融点温度特性を有する単
数又は複数の第3のダミーバンプを形成し、第2のダミ
ーバンプと同じ融点温度特性を有する単数又は複数の第
4のダミーバンプを形成する第1の工程と、電子部品の
各第1のダミーバンプと配線基板の対応する各第3のダ
ミーバンプとを位置合わせして接合する第2の工程と、
電子部品の各第2のダミーバンプと配線基板の対応する
各第4のダミーバンプとを接合する第3の工程と、電子
部品の各第1のバンプと配線基板の対応する各第2のバ
ンプとを接合する第4の工程とを設けるようにする。Further, in the second invention, a plurality of first bumps for bonding are formed on one surface, and each of the first bumps is bonded.
In the method of mounting an electronic component on the wiring board by bonding the bumps of the above to the corresponding second bumps for bonding formed on the predetermined surface of the wiring substrate, the first part is formed on the central portion of the one surface of the electronic component. One or a plurality of first dummy bumps having a melting point temperature characteristic lower than that of the first bump are formed, and a predetermined melting point temperature characteristic set between the melting point temperature of the first bump and the melting point temperature of the first dummy bump on one surface. A second dummy bump or bumps having a first dummy bump
And surrounding the first dummy bump and the second dummy bump on the predetermined surface of the wiring substrate facing the first dummy bump and the second dummy bump when mounting the electronic component on the wiring substrate. Forming a single or a plurality of third dummy bumps having the same, and forming a single or a plurality of fourth dummy bumps having the same melting point temperature characteristics as the second dummy bump, and each first dummy bump of the electronic component. And a second step of aligning and joining the corresponding third dummy bumps of the wiring board,
A third step of joining the second dummy bumps of the electronic component and the corresponding fourth dummy bumps of the wiring substrate together with the first bumps of the electronic component and the corresponding second bumps of the wiring substrate are performed. And a fourth step of joining.
【0013】これにより第1の発明では、ボンデイング
用の第1のバンプが複数形成された電子部品の一面の中
央部に第1のバンプよりも低い融点温度特性を有する単
数又は複数の第1のダミーバンプが形成され、一面に第
1のダミーバンプを取り囲むように第1のバンプの融点
温度及び第1のダミーバンプの融点温度間に設定された
所定の融点温度特性を有する単数又は複数の第2のダミ
ーバンプが形成されると共に、各第1のダミーバンプ
を、当該各第1のダミーバンプと同じ融点温度特性を有
し、かつそれぞれ配線基板の所定面に対応させて形成さ
れた第3のダミーバンプと接合し、各第2のダミーバン
プを、当該第2のダミーバンプと同じ融点温度特性を有
し、かつそれぞれ配線基板の所定面に対応させて形成さ
れた第4のダミーバンプと接合するようにしたことによ
り、第1及び第3のダミーバンプと第2及び第4のダミ
ーバンプを溶融してなる金属の表面張力によつてセルフ
アライメント効果が働き、配線基板に対する電子部品の
X、Y方向及び回転方向の位置ずれを補正しながら実装
することができる。As a result, in the first invention, a single or a plurality of first bumps having a melting point temperature characteristic lower than that of the first bumps is formed in the central portion of one surface of the electronic component on which the plurality of first bumps for bonding are formed. A dummy bump is formed, and one or more second dummy bumps having predetermined melting point temperature characteristics set between the melting point temperature of the first bump and the melting point temperature of the first dummy bump so as to surround the first dummy bump on one surface. And each first dummy bump is joined to a third dummy bump that has the same melting point temperature characteristics as the first dummy bump and is formed corresponding to a predetermined surface of the wiring board. Each of the second dummy bumps has a fourth melting point characteristic which is the same as that of the second dummy bump and is formed so as to correspond to a predetermined surface of the wiring board. By joining the first and third dummy bumps and the second and fourth dummy bumps to each other, the self-alignment effect is exerted by the surface tension of the metal formed by melting the first and third dummy bumps, and the X , Y direction and rotation direction can be mounted while correcting the positional deviation.
【0014】また第2の発明では、ボンデイング用の第
1のバンプが複数形成された電子部品の一面の中央部に
第1のバンプよりも低い融点温度特性を有する単数又は
複数の第1のダミーバンプを形成すると共に、一面に第
1のバンプの融点温度及び第1のダミーバンプの融点温
度間に設定された所定の融点温度特性を有する単数又は
複数の第2のダミーバンプを第1のダミーバンプを取り
囲むように形成し、また電子部品を配線基板に実装する
際に各第1のダミーバンプ及び各第2のダミーバンプと
対向する配線基板の所定面に、第1のダミーバンプと同
じ融点温度特性を有する単数又は複数の第3のダミーバ
ンプを形成すると共に、第2のダミーバンプと同じ融点
温度特性を有する単数又は複数の第4のダミーバンプを
形成し、次いで電子部品の各第1のダミーバンプと配線
基板の対応する各第3のダミーバンプとを位置合わせし
て接合し、続いて電子部品の各第2のダミーバンプと配
線基板の対応する各第4のダミーバンプとを接合し、次
いで電子部品の各第1のバンプと配線基板の対応する各
第2のバンプとを接合するようにしたことにより、各第
1のダミーバンプ及び各第3のダミーバンプが溶融して
なる金属の表面張力によつてセルフアライメト効果が働
き配線基板に対する電子部品のX、Y方向の位置ずれを
補正した後、各第2のダミーバンプ及び各第4のダミー
バンプが溶融してなる金属の表面張力によつてセルフア
ライメント効果が働き配線基板に対する電子部品の回転
方向の位置ずれを補正することができる。In the second invention, a single or a plurality of first dummy bumps having melting point temperature characteristics lower than those of the first bumps are formed in a central portion of one surface of an electronic component on which a plurality of first bumps for bonding are formed. And forming a single or a plurality of second dummy bumps having a predetermined melting point temperature characteristic set between the melting point temperature of the first bump and the melting point temperature of the first dummy bump on one surface so as to surround the first dummy bump. Which has the same melting point temperature characteristic as that of the first dummy bump on a predetermined surface of the wiring substrate facing the first dummy bumps and the second dummy bumps when the electronic component is mounted on the wiring substrate. And the fourth dummy bump having the same melting point temperature characteristic as the second dummy bump are formed, and then the third dummy bump is formed. The first dummy bumps of the component and the corresponding third dummy bumps of the wiring board are aligned and joined together, and then the second dummy bumps of the electronic component and the corresponding fourth dummy bumps of the wiring board are connected. A metal formed by melting the first dummy bumps and the third dummy bumps by joining the first bumps of the electronic component and the corresponding second bumps of the wiring board. The self-alignment effect is activated by the surface tension of the metal and after the positional deviation of the electronic component with respect to the wiring board in the X and Y directions is corrected, the surface tension of the metal formed by melting the second dummy bumps and the fourth dummy bumps. As a result, the self-alignment effect works and the positional deviation of the electronic component with respect to the wiring board in the rotational direction can be corrected.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0016】図1(A)〜図2(B)において、本発明
を適用したベアチツプ11及び配線基板21の構成を示
す。まず図1(A)及び(B)に示すように、ベアチツ
プ11は、回路面11Aの最外周に沿つて所定ピツチに
複数の電極(以下、これらをチツプ側電極と呼ぶ)12
が配設されている。これら各チツプ側電極12上には、
それぞれ例えば高融点はんだでなるボンデイング用のバ
ンプ(以下、これをチツプ側バンプと呼ぶ)13が、所
定の高さに突出形成されている。1 (A) to 2 (B), the structure of the bare chip 11 and the wiring board 21 to which the present invention is applied is shown. First, as shown in FIGS. 1 (A) and 1 (B), the bare chip 11 has a plurality of electrodes (hereinafter, referred to as chip-side electrodes) 12 in a predetermined pitch along the outermost periphery of the circuit surface 11A.
Are arranged. On each of these chip side electrodes 12,
Bonding bumps 13 (hereinafter, referred to as chip-side bumps) 13 made of, for example, high melting point solder, are formed so as to project to a predetermined height.
【0017】またベアチツプ11には、回路面11Aの
中央部のパツシベーシヨン膜(図示せず)上に、四角形
状でなる第1の金属膜(以下、これを第1のチツプ側金
属膜と呼ぶ)14が配設されている。この第1のチツプ
側金属膜14上の中心部には、実装時のX、Y方向の位
置ずれ補正用としてチツプ側バンプ13よりも融点の低
い、例えば低融点はんだでなるダミーバンプ(以下、こ
れを第1のチツプ側ダミーバンプと呼ぶ)15が、チツ
プ側バンプ13と同じ高さに突出形成されている。In the bare chip 11, a rectangular first metal film (hereinafter referred to as a first chip side metal film) is formed on the passivation film (not shown) in the central portion of the circuit surface 11A. 14 are provided. At the center of the first chip-side metal film 14, a dummy bump having a melting point lower than that of the chip-side bump 13, for example, a low-melting-point solder (hereinafter, this is used for correcting misalignment in the X and Y directions during mounting). Is referred to as a first chip side dummy bump) 15 is formed so as to project at the same height as the chip side bump 13.
【0018】さらにベアチツプ11には、四角形状でな
る第1のチツプ側金属膜14の周囲のパツシベーシヨン
膜上に、この四角形状の各頂点を取り囲むように弓なり
形状でなる4つの第2の金属膜(以下、これらを第2の
チツプ側金属膜と呼ぶ)16が配設されている。これら
各第2のチツプ側金属膜16上には、実装時の回転方向
の位置ずれ補正用として、それぞれチツプ側バンプ13
よりも融点が低く、かつ第1のチツプ側ダミーバンプ1
5よりも融点の高い、例えば共晶はんだでなるダミーバ
ンプ(以下、これを第2のチツプ側ダミーバンプと呼
ぶ)17が、チツプ側バンプ13と同じ高さになるよう
に各第2のチツプ側金属膜16の形状に合わせて弓なり
形状に突出形成されている。Further, in the bare chip 11, four passivation films around the first chip-side metal film 14 in the shape of a quadrangle are provided on the passivation film around the vertices in the shape of a quadrangle. (Hereinafter, these are referred to as a second chip side metal film) 16. On each of these second chip-side metal films 16, chip-side bumps 13 are respectively provided for positional deviation correction in the rotation direction during mounting.
Lower melting point than the first chip side dummy bump 1
Each second chip-side metal is formed so that the dummy bumps 17 having a melting point higher than 5 and made of, for example, eutectic solder (hereinafter, referred to as second chip-side dummy bumps) have the same height as the chip-side bumps 13. It is formed in an arched shape so as to match the shape of the film 16.
【0019】この場合ベアチツプ11では、回路面11
Aの面積に対し10分の1乃至4分の1程度となるよう
に、第1のチツプ側金属膜14と各第2のチツプ側金属
膜16との面積の和が選定されている。これによりベア
チツプ11においては、第1のチツプ側ダミーバンプ1
5及び各第2のチツプ側ダミーバンプ17の各表面積を
大きく確保でき、かくしてこれら第1のチツプ側ダミー
バンプ15及び各第2のチツプ側ダミーバンプ17が溶
融された際の表面張力を大きくし得るようになされてい
る。In this case, in the bare chip 11, the circuit surface 11
The sum of the areas of the first chip-side metal film 14 and each second chip-side metal film 16 is selected so that the area is about 1/10 to 1/4 of the area A. As a result, in the bare chip 11, the first chip-side dummy bump 1
5 and each of the second chip-side dummy bumps 17 can have a large surface area, thus increasing the surface tension when the first chip-side dummy bumps 15 and each of the second chip-side dummy bumps 17 are melted. Has been done.
【0020】一方図2(A)及び(B)に示すように、
配線基板21の実装面21A上には、ベアチツプ11の
各チツプ側電極12と、第1のチツプ側金属膜14と、
各第2のチツプ側金属膜16とそれぞれ対応させて複数
の電極(以下、これを基板側電極と呼ぶ)22と、第1
の金属膜(以下、これを第1の基板側金属膜と呼ぶ)2
3と、複数の第2の金属膜(以下、これを第2の基板側
金属膜と呼ぶ)24とが配設されている。On the other hand, as shown in FIGS. 2 (A) and 2 (B),
On the mounting surface 21A of the wiring board 21, each chip side electrode 12 of the bare chip 11, the first chip side metal film 14,
A plurality of electrodes (hereinafter referred to as substrate side electrodes) 22 corresponding to the respective second chip side metal films 16;
Metal film (hereinafter, referred to as a first substrate-side metal film) 2
3 and a plurality of second metal films (hereinafter, referred to as a second substrate-side metal film) 24.
【0021】また各基板側電極22上には、それぞれボ
ンデイング用のバンプ(以下、これを基板側バンプと呼
ぶ)25が、所定の高さで各基板側電極22と同じ形状
に突出形成され、各チツプ側電極12(図1)上に形成
された各チツプ側バンプ13と同じ組成で構成されてい
る。さらに第1の基板側金属膜23上には、第1のダミ
ーバンプ(以下、これを第1の基板側ダミーバンプと呼
ぶ)26が、各基板側バンプ25と同じ高さで第1の基
板側金属膜23と同じ形状に突出形成され、第1のチツ
プ側金属膜14(図1)上に形成された第1のチツプ側
ダミーバンプ15と同じ組成で構成されている。さらに
各第2の基板側金属膜24上には、それぞれ第2のダミ
ーバンプ(以下、これを第2の基板側ダミーバンプと呼
ぶ)27が基板側バンプ25と同じ高さで各第2の基板
側金属膜24と同じ形状に突出形成され、各第2のチツ
プ側金属膜16(図1)上に形成された各第2のチツプ
側ダミーバンプ17と同じ組成で構成されている。Bonding bumps 25 (hereinafter referred to as substrate bumps) 25 are formed on each substrate electrode 22 so as to have the same shape as each substrate electrode 22 at a predetermined height. It is composed of the same composition as each chip-side bump 13 formed on each chip-side electrode 12 (FIG. 1). Further, on the first substrate-side metal film 23, the first dummy bumps (hereinafter, referred to as the first substrate-side dummy bumps) 26 have the same height as the substrate-side bumps 25 and the first substrate-side metal. It is formed to have the same shape as the film 23 and has the same composition as the first chip-side dummy bump 15 formed on the first chip-side metal film 14 (FIG. 1). Further, second dummy bumps 27 (hereinafter, referred to as second substrate side dummy bumps) 27 are formed on the respective second substrate side metal films 24 at the same height as the substrate side bumps 25. The second chip-side dummy bumps 17 are formed so as to have the same shape as the metal film 24 and are formed on the second chip-side metal films 16 (FIG. 1), and have the same composition.
【0022】これによりこの配線基板21では、各基板
側バンプ25、第1の基板側ダミーバンプ26及び各第
2の基板側ダミーバンプ27と、それぞれベアチツプ1
1の対応するチツプ側バンプ13、第1のチツプ側ダミ
ーバンプ15及び第2のチツプ側ダミーバンプ17とを
位置決めマウントし得、さらにその状態においてベアチ
ツプ11を実装し得るようになされている。As a result, in the wiring substrate 21, the bumps 25 on the substrate side, the dummy bumps 26 on the first substrate side, the dummy bumps 27 on the second substrate side, and the bare chip 1 respectively.
The corresponding one chip-side bump 13, the first chip-side dummy bump 15 and the second chip-side dummy bump 17 can be positioned and mounted, and the bare chip 11 can be mounted in that state.
【0023】ここで実際上このベアチツプ11は、図3
〜図7に示す以下の手順により配線基板21上に実装す
ることができる。すなわち、まず図3に示すように、配
線基板21の実装面21A上に所定の間隔を保つてベア
チツプ11を回路面11Aが対向するように保持し、こ
の状態において第1の基板側金属膜23上に形成された
第1の基板側ダミーバンプ26の中心部に第1のチツプ
側金属膜14上に形成された第1のチツプ側ダミーバン
プ15の中心部を位置決めする。In practice, this bare chip 11 is shown in FIG.
~ It can be mounted on the wiring board 21 by the following procedure shown in FIG. That is, as shown in FIG. 3, first, the bare chip 11 is held on the mounting surface 21A of the wiring board 21 so that the circuit surfaces 11A face each other at a predetermined interval, and in this state, the first substrate-side metal film 23 is held. The center of the first chip-side dummy bumps 15 formed on the first chip-side metal film 14 is positioned at the center of the first substrate-side dummy bumps 26 formed above.
【0024】次いで図4に示すように、配線基板21の
各基板側バンプ25、第1の基板側ダミーバンプ26及
び各第2の基板側ダミーバンプ27に対して、ベアチツ
プ11の各チツプ側バンプ13、第1のチツプ側ダミー
バンプ15及び各第2のチツプ側ダミーバンプ17を位
置合わせして接触させる。Next, as shown in FIG. 4, each chip-side bump 13, each chip-side bump 13 of the bare chip 11 with respect to each board-side bump 25, the first board-side dummy bump 26 and each second board-side dummy bump 27 of the wiring board 21, The first chip-side dummy bumps 15 and the respective second chip-side dummy bumps 17 are aligned and brought into contact with each other.
【0025】続いて図5に示すように、ベアチツプ11
が一時的に固定された配線基板21をリフロー炉(図示
せず)に入れて、第1のチツプ側ダミーバンプ15及び
第1の基板側ダミーバンプ26のみが溶融する程度の温
度(例えば低融点はんだが溶融する 150〔℃〕程度の温
度)で加熱することにより、第1のチツプ側ダミーバン
プ15及び第1の基板側ダミーバンプ26を溶融して接
合する。Then, as shown in FIG.
The wiring substrate 21 temporarily fixed to the substrate is placed in a reflow furnace (not shown), and the temperature is such that only the first chip-side dummy bumps 15 and the first substrate-side dummy bumps 26 are melted (for example, low melting point solder The first chip-side dummy bumps 15 and the first substrate-side dummy bumps 26 are melted and joined by heating at a melting temperature of about 150 ° C.).
【0026】因みに、ベアチツプ11を配線基板21上
に位置合わせした際に、第1のチツプ側ダミーバンプ1
5の中心部と、第1の基板側ダミーバンプ26の中心部
との間で位置ずれが生じることがある。しかしこの位置
ずれは、第1のチツプ側ダミーバンプ15及び第1の基
板側ダミーバンプ26が溶融した際、はんだのセルフア
ライメント効果によりそれぞれ正しい位置合わせ状態に
補正される。By the way, when the bare chip 11 is aligned on the wiring board 21, the first chip side dummy bumps 1 are formed.
A misalignment may occur between the central part of No. 5 and the central part of the first substrate-side dummy bump 26. However, this misalignment is corrected to the correct alignment state by the self-alignment effect of the solder when the first chip-side dummy bump 15 and the first substrate-side dummy bump 26 are melted.
【0027】次いで図6に示すように、配線基板21を
各チツプ側バンプ13及び各基板側バンプ25が溶融せ
ず、各第2のチツプ側ダミーバンプ17及び各第2の基
板側ダミーバンプ27が溶融する程度の温度(例えば共
晶はんだが溶融する 183〔℃〕程度の温度)で加熱する
ことにより、それぞれ第2のチツプ側ダミーバンプ17
及び第2の基板側ダミーバンプ27を溶融して接合す
る。Next, as shown in FIG. 6, the chip-side bumps 13 and the board-side bumps 25 of the wiring board 21 do not melt, but the second chip-side dummy bumps 17 and the second board-side dummy bumps 27 melt. By heating at a temperature (for example, a temperature of about 183 [° C.] at which the eutectic solder is melted) for each second chip-side dummy bump 17
Then, the second substrate-side dummy bumps 27 are melted and joined.
【0028】因みに、ベアチツプ11を配線基板21上
に位置合わせした際、又はリフローにより第1のチツプ
側ダミーバンプ15の中心部と第1の基板側ダミーバン
プ26の中心部との位置ずれを補正した際に、各第2の
チツプ側ダミーバンプ17と各第2の基板側ダミーバン
プ27との間で位置ずれ(すなわち、回転方向の位置ず
れ)が生じることがある。しかしこの回転方向の位置ず
れは、各第2のチツプ側ダミーバンプ17及び対応する
各第2の基板側ダミーバンプ27が溶融した際、はんだ
のセルフアライメント効果によりそれぞれ正しい位置合
わせ状態に補正される。By the way, when the bare chip 11 is aligned on the wiring board 21, or when the positional deviation between the central portion of the first chip side dummy bump 15 and the central portion of the first substrate side dummy bump 26 is corrected by reflow. In addition, there may be a displacement (that is, a displacement in the rotational direction) between each second chip-side dummy bump 17 and each second substrate-side dummy bump 27. However, this positional deviation in the rotational direction is corrected to the correct alignment state by the self-alignment effect of the solder when the second chip-side dummy bumps 17 and the corresponding second substrate-side dummy bumps 27 are melted.
【0029】続いて図7に示すように、配線基板21を
各チツプ側バンプ13及び各基板側バンプ25が溶融す
る程度の温度(例えば高融点はんだが溶融する程度の温
度)で加熱して、各チツプ側バンプ13及び対応する各
基板側バンプ25を溶融して接合する。これにより配線
基板21に対するベアチツプ11のX、Y方向及び回転
方向の位置ずれを順次補正しながら、ベアチツプ11を
配線基板21上に実装することができる。Subsequently, as shown in FIG. 7, the wiring substrate 21 is heated at a temperature at which the chip-side bumps 13 and the substrate-side bumps 25 are melted (for example, a temperature at which the high melting point solder is melted), The chip-side bumps 13 and the corresponding substrate-side bumps 25 are melted and joined. This allows the bare chip 11 to be mounted on the wiring board 21 while sequentially correcting the positional deviation of the bare chip 11 with respect to the wiring board 21 in the X, Y and rotation directions.
【0030】以上の構成において、この実施例では、ベ
アチツプ11の回路面11Aの中央部にボンデイング用
のチツプ側バンプ13よりも融点の低い第1のチツプ側
ダミーバンプ15を設けると共に、当該第1のチツプ側
ダミーバンプ15の周囲にチツプ側バンプ13よりも融
点が低く、かつ第1のチツプ側ダミーバンプ15よりも
融点の高い複数の第2のチツプ側ダミーバンプ17を設
ける一方、配線基板21の実装面21A上に、ベアチツ
プ11の第1のチツプ側ダミーバンプ15と、各第2の
チツプ側ダミーバンプ17とにそれぞれ対応させて、こ
れら第1のチツプ側ダミーバンプ15と、各第2のチツ
プ側ダミーバンプ17と同じ融点の第1の基板側ダミー
バンプ26と、第2の基板側ダミーバンプ27とを設け
る。In this embodiment, the first chip-side dummy bump 15 having a melting point lower than that of the chip-side bump 13 for bonding is provided at the center of the circuit surface 11A of the bare chip 11, and the first chip-side dummy bump 15 is provided. A plurality of second chip-side dummy bumps 17 having a lower melting point than the chip-side bumps 13 and a higher melting point than the first chip-side dummy bumps 15 are provided around the chip-side dummy bumps 15, while the mounting surface 21A of the wiring board 21 is provided. The first chip-side dummy bumps 15 and the second chip-side dummy bumps 17 corresponding to the first chip-side dummy bumps 15 and the respective second chip-side dummy bumps 17 of the bare chip 11 are the same as above. A first substrate side dummy bump 26 and a second substrate side dummy bump 27 having a melting point are provided.
【0031】次いでこのベアチツプ11を配線基板21
上に、対応するバンプ同士が接触するように位置決めマ
ウントした後(図3及び図4)、この配線基板21をリ
フロー炉内に入れて第1のチツプ側ダミーバンプ15及
び第1の基板側ダミーバンプ26が溶融する程度の温度
で加熱することにより、これら第1のチツプ側ダミーバ
ンプ15と第1の基板側ダミーバンプ26とを溶融さ
せ、一体化させる(図5)。続いてリフロー炉内の温度
を第2のチツプ側ダミーバンプ17及び第2の基板側ダ
ミーバンプ27が溶融する程度の温度に上げることによ
り、これら第2のチツプ側ダミーバンプ17及び第2の
基板側ダミーバンプ27を溶融させ、一体化させる(図
6)。さらにリフロー炉内の温度をチツプ側バンプ13
及び基板側バンプ25が溶融する程度の温度に上げるこ
とにより、これらチツプ側バンプ13及び基板側バンプ
25を溶融させて一体化させ、かくしてベアチツプ11
を電気的及び物理的に配線基板21上に接合する(図
7)。Next, this bare chip 11 is connected to the wiring board 21.
After positioning and mounting so that the corresponding bumps come into contact with each other (FIGS. 3 and 4), the wiring board 21 is put in a reflow furnace and the first chip side dummy bumps 15 and the first substrate side dummy bumps 26 are placed. The first chip-side dummy bumps 15 and the first substrate-side dummy bumps 26 are melted and integrated by heating at a temperature to such an extent that they melt (FIG. 5). Subsequently, the temperature inside the reflow furnace is raised to a temperature at which the second chip-side dummy bumps 17 and the second substrate-side dummy bumps 27 are melted, so that the second chip-side dummy bumps 17 and the second substrate-side dummy bumps 27 are melted. Are melted and integrated (FIG. 6). Further, the temperature inside the reflow furnace is controlled by the bump 13 on the chip side.
By raising the temperature to such a degree that the substrate-side bumps 25 are melted, the chip-side bumps 13 and the substrate-side bumps 25 are melted and integrated, and thus the bare chip 11
Are electrically and physically bonded onto the wiring board 21 (FIG. 7).
【0032】この場合上述のように、第1のチツプ側ダ
ミーバンプ15の中心部と、第1の基板側ダミーバンプ
26の中心部との間で生じる位置ずれは、当該第1のチ
ツプ側ダミーバンプ15及び第1の基板側ダミーバンプ
26が溶融した際、はんだのセルフアライメント効果に
よりそれぞれ正しい位置合わせ状態に補正される。また
各第2のチツプ側ダミーバンプ17と各第2の基板側ダ
ミーバンプ27との間で生じる位置ずれ(すなわち、回
転方向の位置ずれ)は、当該各第2のチツプ側ダミーバ
ンプ17及び対応する各第2の基板側ダミーバンプ27
が溶融した際、はんだのセルフアライメント効果により
それぞれ正しい位置合わせ状態に補正される。In this case, as described above, the positional deviation generated between the central portion of the first chip side dummy bump 15 and the central portion of the first substrate side dummy bump 26 is the same as that of the first chip side dummy bump 15 and When the first substrate-side dummy bumps 26 are melted, the self-alignment effect of the solder corrects them to correct alignment. Further, the positional deviation (that is, the positional deviation in the rotational direction) between the second chip-side dummy bumps 17 and the respective second substrate-side dummy bumps 27 is caused by the respective second chip-side dummy bumps 17 and the corresponding first-side dummy bumps 17. Substrate side dummy bump 27
When the solder melts, the self-alignment effect of the solder corrects each to the correct alignment.
【0033】従つてこの実装方法では、実装の際に段階
的に昇温してリフローすることにより、配線基板21に
対するベアチツプ11のX、Y方向及び回転方向の位置
ずれを順次補正することができる。この結果リフロー前
にX線等を用いた精密な位置合わせを必要とすることな
く、位置合わせ時間を短くすることができ、かくして1
つのベアチツプ11当たりの実装タクトタムを短縮する
ことができる。Accordingly, in this mounting method, the positional deviation of the bare chip 11 with respect to the wiring board 21 in the X, Y and rotational directions can be sequentially corrected by gradually increasing the temperature and reflowing during mounting. . As a result, the alignment time can be shortened without the need for precise alignment using X-rays or the like before reflow, and thus 1
It is possible to reduce the mounting tact tom per one bear chip 11.
【0034】またこの実施例では、ベアチツプ11の第
1のチツプ側金属膜14と各第2のチツプ側金属膜16
との面積の和、及び配線基板21の第1の基板側金属膜
23と各第2の基板側金属膜24との面積の和を、ベア
チツプ11の回路面11Aの表面積に対して10分の1
乃至4分の1程度となるようにしているため、第1のチ
ツプ側ダミーバンプ15及び各第2のチツプ側ダミーバ
ンプ17並びに第1の基板側ダミーバンプ26及び各第
2の基板側ダミーバンプ27は、表面積を十分に大きく
確保でき、かくして表面張力も十分に大きくすることが
できる。これにより、リフローの際に配線基板21に対
するベアチツプ11のX、Y方向及び回転方向の位置ず
れを最小限に抑えることができる。Further, in this embodiment, the first chip side metal film 14 of the bare chip 11 and each second chip side metal film 16 are provided.
And the sum of the areas of the first board-side metal film 23 and the second board-side metal film 24 of the wiring board 21 with respect to the surface area of the circuit surface 11A of the bare chip 11 by 10 minutes. 1
Therefore, the surface area of the first chip side dummy bumps 15 and the respective second chip side dummy bumps 17, the first substrate side dummy bumps 26 and the respective second substrate side dummy bumps 27 are Can be secured sufficiently large, and thus the surface tension can also be sufficiently large. As a result, it is possible to minimize the positional deviation of the bare chip 11 with respect to the wiring board 21 in the X, Y and rotation directions during the reflow.
【0035】以上の構成によれば、ベアチツプ11の回
路面11Aの中央部に本来のボンデイング用の複数のチ
ツプ側バンプ13と同じ高さに、各チツプ側バンプ13
よりも低融点な第1のチツプ側ダミーバンプ15を形成
し、各チツプ側バンプ13よりも低融点でかつ第1のチ
ツプ側ダミーバンプ15よりも高融点な弓なり形状でな
る複数の第2のチツプ側ダミーバンプ17を第1のチツ
プ側ダミーバンプ15を取り囲むように形成すると共
に、配線基板21の実装面21A上に、ベアチツプ11
の第1のチツプ側ダミーバンプ15と各第2のチツプ側
ダミーバンプ17とにそれぞれ対応させて、これら第1
のチツプ側ダミーバンプ15と、第2のチツプ側ダミー
バンプ17と同じ融点でなる第1の基板側ダミーバンプ
26と、第2の基板側ダミーバンプ27とを本来のボン
デイング用の複数の基板側バンプ25と同じ高さに形成
し、この後ベアチツプ11を配線基板21の所定位置上
に位置決めして載上し、第1のチツプ側ダミーバンプ1
5及び第1の基板側ダミーバンプ26をそれらの溶融す
る温度で加熱して溶融接合させ、次いで各第2のチツプ
側ダミーバンプ17及び各第2の基板側ダミーバンプ2
7をそれらの溶融する温度で加熱して溶融接合させ、続
いて各チツプ側バンプ13及び各基板側バンプ22をそ
れらの溶融する温度で加熱して溶融接合させてベアチツ
プ11を配線基板21上に実装するようにしたことによ
り、第1のチツプ側ダミーバンプ15と第1の基板側ダ
ミーバンプ26との中心部の位置ずれ及び各第2のチツ
プ側ダミーバンプ17と各第2の基板側ダミーバンプ2
7との回転方向の位置ずれを、溶融したはんだのセルフ
アライメント効果により順次正しい位置合わせ状態に補
正することができ、かくして配線基板上に精度良く容易
に実装し得る電子部品及び電子部品の実装方法を実現す
ることができる。According to the above construction, each chip-side bump 13 is provided at the same height as the original plurality of chip-side bumps 13 for bonding at the center of the circuit surface 11A of the bare chip 11.
A plurality of second chip sides each having a bow shape having a lower melting point than each of the chip side bumps 13 and a higher melting point than the first chip side dummy bumps 15. The dummy bumps 17 are formed so as to surround the first chip-side dummy bumps 15, and the bare chips 11 are formed on the mounting surface 21A of the wiring board 21.
Of the first chip-side dummy bumps 15 and the respective second chip-side dummy bumps 17 of
The chip-side dummy bumps 15, the first substrate-side dummy bumps 26 having the same melting point as the second chip-side dummy bumps 17, and the second substrate-side dummy bumps 27 are the same as the plurality of substrate-side bumps 25 for original bonding. It is formed to a height, and then the bare chip 11 is positioned and placed on a predetermined position of the wiring board 21, and the first chip side dummy bump 1
5 and the first substrate-side dummy bumps 26 are heated and melt-bonded at a temperature at which they melt, and then each second chip-side dummy bump 17 and each second substrate-side dummy bump 2
7 is heated at their melting temperature to be melt-bonded, and subsequently each chip-side bump 13 and each substrate-side bump 22 is heated at their melting temperature to be melt-bonded to place the bare chip 11 on the wiring board 21. Due to the mounting, the positional deviation of the central portion between the first chip-side dummy bumps 15 and the first substrate-side dummy bumps 26 and each second chip-side dummy bump 17 and each second substrate-side dummy bump 2 is performed.
The positional deviation in the rotational direction from 7 can be sequentially corrected to a correct alignment state by the self-alignment effect of the molten solder, and thus an electronic component and an electronic component mounting method that can be easily and accurately mounted on a wiring board. Can be realized.
【0036】なお上述の実施例においては、本発明をベ
アチツプ11及びそのベアチツプ11を配線基板21上
に実装する際の実装方法に適用するようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、その他の電子部
品及びその電子部品を配線基板上に実装する際の実装方
法にも広く適用することができる。In the above embodiment, the present invention is applied to the bare chip 11 and the mounting method for mounting the bare chip 11 on the wiring board 21, but the present invention is not limited to this. Instead, it can be widely applied to other electronic components and a mounting method for mounting the electronic components on a wiring board.
【0037】また上述の実施例においては、ベアチツプ
11及び配線基板21に第2のチツプ側ダミーバンプ1
7及び第2の基板側ダミーバンプ27をそれぞれ4個づ
つ形成するようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、ベアチツプ11及び配線基板21に3個
以下又は5個以上の所定数づつ形成するようにしても良
い。In the above embodiment, the second chip side dummy bump 1 is formed on the bare chip 11 and the wiring board 21.
7 and the second substrate-side dummy bumps 27 are formed in the number of four, respectively, but the present invention is not limited to this, and the bare chip 11 and the wiring substrate 21 may have a predetermined number of three or less or five or more. They may be formed one by one.
【0038】さらに上述の実施例においては、ベアチツ
プ11の第1のチツプ側金属膜14及び複数の第2のチ
ツプ側金属膜16の面積の和と、配線基板21の第1の
基板側金属膜23及び複数の第2の基板側金属膜24の
面積の和を、ベアチツプ11における回路面11Aの表
面積に対し10分の1乃至4分の1程度となるように選
定するようにした場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、この他の大きさの表面積となるように選定す
るようにしても良い。Further, in the above-described embodiment, the sum of the areas of the first chip-side metal film 14 of the bare chip 11 and the plurality of second chip-side metal films 16 and the first substrate-side metal film of the wiring board 21. The case where the sum of the areas of 23 and the plurality of second substrate-side metal films 24 is selected to be about 1/10 to 1/4 of the surface area of the circuit surface 11A of the bare chip 11 will be described. However, the present invention is not limited to this, and the surface area may be selected to have another size.
【0039】また上述の実施例においては、ベアチツプ
11及び配線基板21に第1のチツプ側ダミーバンプ1
5及び第1の基板側ダミーバンプ26をそれぞれ1個づ
つ形成するようにした場合について述べたが、本発明は
これに限らず、複数個づつ形成するようにしても良い。In the above embodiment, the first chip side dummy bump 1 is formed on the bare chip 11 and the wiring board 21.
The case where the first dummy bumps 26 and the first substrate-side dummy bumps 26 are formed one by one has been described, but the present invention is not limited to this, and a plurality of dummy bumps 26 may be formed.
【0040】さらに上述の実施例においては、ベアチツ
プ11の第1のチツプ側ダミーバンプ15を球状に突出
形成し、配線基板21の第1の基板側ダミーバンプ26
を第1の基板側金属膜23と同じ形状に突出形成するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、種々の形状に突出形成するようにしても良い。Further, in the above-described embodiment, the first chip-side dummy bumps 15 of the bare chip 11 are formed so as to project in a spherical shape, and the first substrate-side dummy bumps 26 of the wiring board 21 are formed.
Although the case where the protrusions are formed to have the same shape as the first substrate-side metal film 23 has been described, the present invention is not limited to this, and the protrusions may be formed to have various shapes.
【0041】さらに上述の実施例においては、ベアチツ
プ11の複数の第2のチツプ側ダミーバンプ17及び配
線基板21の複数の第2の基板側ダミーバンプ27をそ
れぞれ第1のチツプ側金属膜14及び第1の基板側金属
膜23の各頂点をそれぞれ取り囲むように弓なり形状に
突出形成するようにした場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、配線基板21に対するベアチツプ11
の回転方向の位置ずれを補正し得れば、例えばベアチツ
プ11の中央部の所定領域を円状に取り囲むように楕円
形状等の種々の形状でなるダミーバンプを突出形成する
ようにしても良い。Further, in the above-described embodiment, the plurality of second chip-side dummy bumps 17 of the bare chip 11 and the plurality of second substrate-side dummy bumps 27 of the wiring board 21 are respectively connected to the first chip-side metal film 14 and the first chip-side metal film 14. The case where the apexes are formed so as to surround the respective vertices of the substrate-side metal film 23 in a bow shape has been described.
If the positional deviation in the rotation direction can be corrected, for example, dummy bumps having various shapes such as an elliptical shape may be formed to project so as to surround a predetermined area in the central portion of the bare chip 11 in a circular shape.
【0042】[0042]
【発明の効果】上述のように本発明によれば、ボンデイ
ング用の第1のバンプが複数形成された電子部品の一面
の中央部に第1のバンプよりも低い融点温度特性を有す
る単数又は複数の第1のダミーバンプが形成され、一面
に第1のダミーバンプを取り囲むように第1のバンプの
融点温度及び第1のダミーバンプの融点温度間に設定さ
れた所定の融点温度特性を有する単数又は複数の第2の
ダミーバンプが形成されると共に、各第1のダミーバン
プを、当該各第1のダミーバンプと同じ融点温度特性を
有し、かつそれぞれ配線基板の所定面に対応させて形成
された第3のダミーバンプと接合し、各第2のダミーバ
ンプを、当該第2のダミーバンプと同じ融点温度特性を
有し、かつそれぞれ配線基板の所定面に対応させて形成
された第4のダミーバンプと接合するようにしたことに
より、第1及び第3のダミーバンプと第2及び第4のダ
ミーバンプを溶融してなる金属の表面張力によつてセル
フアライメント効果が働き、配線基板に対する電子部品
のX、Y方向及び回転方向の位置ずれを補正しながら実
装することができ、かくして配線基板上に精度良く容易
に実装し得る電子部品を実現することができる。As described above, according to the present invention, a single or a plurality of ones having a melting point temperature characteristic lower than that of the first bump is formed in the central portion of one surface of the electronic component on which the plurality of first bumps for bonding are formed. A first dummy bump is formed, and a single or a plurality of ones having a predetermined melting point temperature characteristic set between the melting point temperature of the first bump and the melting point temperature of the first dummy bump are formed so as to surround the first dummy bump on one surface. Third dummy bumps formed with second dummy bumps, each first dummy bump having the same melting point temperature characteristic as each first dummy bump and corresponding to a predetermined surface of the wiring board. And the second dummy bumps having the same melting point temperature characteristics as those of the second dummy bumps and being formed so as to correspond to the predetermined surface of the wiring board. By joining the bumps to each other, the self-alignment effect is exerted by the surface tension of the metal formed by melting the first and third dummy bumps and the second and fourth dummy bumps, and the X-axis of the electronic component with respect to the wiring board. , The Y direction and the rotation direction can be corrected while mounting, and thus an electronic component that can be mounted on the wiring board with high accuracy and easily can be realized.
【0043】また上述のように本発明によれば、ボンデ
イング用の第1のバンプが複数形成された電子部品の一
面の中央部に第1のバンプよりも低い融点温度特性を有
する単数又は複数の第1のダミーバンプを形成すると共
に、一面に第1のバンプの融点温度及び第1のダミーバ
ンプの融点温度間に設定された所定の融点温度特性を有
する単数又は複数の第2のダミーバンプを第1のダミー
バンプを取り囲むように形成し、また電子部品を配線基
板に実装する際に各第1のダミーバンプ及び各第2のダ
ミーバンプと対向する配線基板の所定面に、第1のダミ
ーバンプと同じ融点温度特性を有する単数又は複数の第
3のダミーバンプを形成すると共に、第2のダミーバン
プと同じ融点温度特性を有する単数又は複数の第4のダ
ミーバンプを形成し、次いで電子部品の各第1のダミー
バンプと配線基板の対応する各第3のダミーバンプとを
位置合わせして接合し、続いて電子部品の各第2のダミ
ーバンプと配線基板の対応する各第4のダミーバンプと
を接合し、次いで電子部品の各第1のバンプと配線基板
の対応する各第2のバンプとを接合するようにしたこと
により、各第1のダミーバンプ及び各第3のダミーバン
プが溶融してなる金属の表面張力によつてセルフアライ
メト効果が働き配線基板に対する電子部品のX、Y方向
の位置ずれを補正した後、各第2のダミーバンプ及び各
第4のダミーバンプが溶融してなる金属の表面張力によ
つてセルフアライメント効果が働き配線基板に対する電
子部品の回転方向の位置ずれを補正することができ、か
くして配線基板上に精度良く容易に実装し得る電子部品
の実装方法を実現することができる。As described above, according to the present invention, a single or a plurality of melting point temperature characteristics lower than those of the first bumps are provided in the central portion of one surface of the electronic component on which the plurality of first bumps for bonding are formed. The first dummy bump is formed, and one or more second dummy bumps having a predetermined melting point temperature characteristic set between the melting point temperature of the first bump and the melting point temperature of the first dummy bump are formed on one surface of the first dummy bump. The same melting point temperature characteristics as those of the first dummy bumps are formed on a predetermined surface of the wiring board which is formed so as to surround the dummy bumps and which is opposed to the first dummy bumps and the second dummy bumps when the electronic component is mounted on the wiring board. Forming a single or a plurality of third dummy bumps having the same, and forming a single or a plurality of fourth dummy bumps having the same melting point temperature characteristic as the second dummy bumps. Then, the first dummy bumps of the electronic component and the corresponding third dummy bumps of the wiring substrate are aligned and joined together, and subsequently, the second dummy bumps of the electronic component and the corresponding fourth dummy bumps of the wiring substrate are connected. By joining the dummy bumps and then the first bumps of the electronic component and the corresponding second bumps of the wiring board, the first dummy bumps and the third dummy bumps are melted. A metal formed by melting the second dummy bumps and the fourth dummy bumps after the self-alignment effect is actuated by the surface tension of the formed metal and the positional deviation of the electronic component with respect to the wiring board in the X and Y directions is corrected. The self-alignment effect is exerted by the surface tension of the wire, and the positional deviation of the electronic component with respect to the wiring board in the rotational direction can be corrected. It is possible to realize the electronic part mounting method capable of instrumentation.
【図1】本発明の一実施例によるベアチツプの構成を示
す平面図及び断面図である。FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view showing the structure of a bare chip according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施例による配線基板の構成を示す
平面図及び断面図である。FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view showing a configuration of a wiring board according to an embodiment of the present invention.
【図3】本発明の一実施例によるベアチツプと配線基板
との実装における位置合わせの説明に供する断面図であ
る。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining alignment in mounting a bare chip and a wiring board according to an embodiment of the present invention.
【図4】本発明の一実施例によるベアチツプと配線基板
との実装におけるリフロー前の位置ずれの説明に供する
断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a positional deviation before reflow in mounting a bare chip and a wiring board according to an embodiment of the present invention.
【図5】本発明の一実施例によるベアチツプと配線基板
との実装におけるX、Y方向の位置ずれ補正の説明に供
する、図2のA−A’線をとつて示す断面図である。5 is a sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 2 for explaining the positional deviation correction in the X and Y directions in mounting the bare chip and the wiring board according to the embodiment of the present invention.
【図6】本発明の一実施例によるベアチツプと配線基板
との実装における回転方向の位置ずれ補正の説明に供す
る、図2のA−A’線をとつて示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 2 for explaining the positional deviation correction in the rotation direction in mounting the bare chip and the wiring board according to the embodiment of the present invention.
【図7】本発明の一実施例による配線基板上に実装され
たベアチツプの説明に供する、図2のA−A’線をとつ
て示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 2 for explaining a bare chip mounted on a wiring board according to an embodiment of the present invention.
【図8】従来のベアチツプの実装方法の説明に供する断
面図である。FIG. 8 is a sectional view for explaining a conventional mounting method for a bare chip.
【図9】従来のベアチツプの実装方法の説明に供する断
面図である。FIG. 9 is a sectional view for explaining a conventional mounting method for a bare chip.
1、8、21……配線基板、2、6、11……ベアチツ
プ、3、4……電極、5、10……バンプ、6A……回
路面、7……チツプ側金属膜、9……基板側金属膜、1
1A……回路面、12……チツプ側電極、13……チツ
プ側バンプ、14……第1のチツプ側金属膜、15……
第1のチツプ側ダミーバンプ、16……第2のチツプ側
金属膜、17……第2のチツプ側ダミーバンプ、21A
……実装面、22……基板側電極、23……第1の基板
側金属膜、24……第2の基板側金属膜、25……基板
側バンプ、26……第1の基板側ダミーバンプ、27…
…第2の基板側ダミーバンプ。1, 8, 21 ... Wiring board, 2, 6, 11 ... Bare chip, 3, 4 ... Electrode, 5, 10 ... Bump, 6A ... Circuit surface, 7 ... Chip side metal film, 9 ... Substrate side metal film, 1
1A ... Circuit surface, 12 ... Chip side electrode, 13 ... Chip side bump, 14 ... First chip side metal film, 15 ...
First chip-side dummy bump, 16 ... Second chip-side metal film, 17 ... Second chip-side dummy bump, 21A
... Mounting surface, 22 ... Substrate side electrode, 23 ... First substrate side metal film, 24 ... Second substrate side metal film, 25 ... Substrate side bump, 26 ... First substrate side dummy bump , 27 ...
… Second substrate-side dummy bump.
Claims (4)
プが形成され、当該各第1のバンプを、配線基板の所定
面に形成された対応するボンデイング用の第2のバンプ
にそれぞれ接合することにより上記配線基板に実装する
電子部品において、 上記一面の中央部に形成され、上記第1のバンプよりも
低い融点温度特性を有する単数又は複数の第1のダミー
バンプと、 上記一面に上記第1のダミーバンプを取り囲むように形
成され、上記第1のバンプの融点温度及び上記第1のダ
ミーバンプの融点温度間に設定された所定の融点温度特
性を有する単数又は複数の第2のダミーバンプとを具
え、 上記各第1のダミーバンプを、当該各第1のダミーバン
プと同じ融点温度特性を有し、かつそれぞれ上記配線基
板の上記所定面に対応させて形成された第3のダミーバ
ンプと接合すると共に、上記各第2のダミーバンプを、
当該第2のダミーバンプと同じ融点温度特性を有し、か
つそれぞれ上記配線基板の上記所定面に対応させて形成
された第4のダミーバンプと接合することにより上記配
線基板に実装することを特徴とする電子部品。1. A plurality of first bumps for bonding are formed on one surface, and each of the first bumps is bonded to a corresponding second bump for bonding formed on a predetermined surface of a wiring board. As a result, in the electronic component mounted on the wiring board, one or a plurality of first dummy bumps formed in the central portion of the one surface and having a melting point temperature characteristic lower than that of the first bump, and the first dummy bump on the one surface. A dummy dummy bump having a predetermined melting point temperature characteristic set between the melting point temperature of the first bump and the melting point temperature of the first dummy bump. The first dummy bumps are formed so as to have the same melting point temperature characteristics as the first dummy bumps and correspond to the predetermined surface of the wiring board. Thereby bonding the third dummy bump, the respective second dummy bumps,
It is characterized in that it has the same melting point temperature characteristic as that of the second dummy bump and is mounted on the wiring board by being joined to the fourth dummy bump formed corresponding to the predetermined surface of the wiring board. Electronic components.
ダミーバンプとの表面積の和が、上記一面の表面積の1
0分の1乃至4分の1程度に選定されたことを特徴とす
る請求項1に記載の電子部品。2. The sum of the surface areas of each of the first dummy bumps and each of the second dummy bumps is 1 of the surface area of the one surface.
The electronic component according to claim 1, wherein the electronic component is selected to be about one-zero to one-fourth.
プが形成され、当該各第1のバンプを、配線基板の所定
面に形成された対応するボンデイング用の第2のバンプ
にそれぞれ接合することにより上記配線基板に実装する
電子部品の実装方法において、 上記電子部品の上記一面の中央部に上記第1のバンプよ
りも低い融点温度特性を有する単数又は複数の第1のダ
ミーバンプを形成し、上記一面に上記第1のバンプの融
点温度及び上記第1のダミーバンプの融点温度間に設定
された所定の融点温度特性を有する単数又は複数の第2
のダミーバンプを上記第1のダミーバンプを取り囲むよ
うに形成すると共に、上記電子部品を上記配線基板に実
装する際に上記各第1のダミーバンプ及び上記各第2の
ダミーバンプと対向する上記配線基板の上記所定面に、
上記第1のダミーバンプと同じ融点温度特性を有する単
数又は複数の第3のダミーバンプを形成し、上記第2の
ダミーバンプと同じ融点温度特性を有する単数又は複数
の第4のダミーバンプを形成する第1の工程と、 上記電子部品の上記各第1のダミーバンプと上記配線基
板の対応する上記各第3のダミーバンプとを位置合わせ
して接合する第2の工程と、 上記電子部品の上記各第2のダミーバンプと上記配線基
板の対応する上記各第4のダミーバンプとを接合する第
3の工程と、 上記電子部品の上記各第1のバンプと上記配線基板の対
応する上記各第2のバンプとを接合する第4の工程とを
具えることを特徴とする電子部品の実装方法。3. A plurality of bonding first bumps are formed on one surface, and each of the first bumps is bonded to a corresponding bonding second bump formed on a predetermined surface of a wiring board. Thereby, in the mounting method of the electronic component to be mounted on the wiring board, a single or a plurality of first dummy bumps having a melting point temperature characteristic lower than that of the first bump is formed in a central portion of the one surface of the electronic component, A single or a plurality of second melting points having predetermined melting point temperature characteristics set between the melting point temperature of the first bump and the melting point temperature of the first dummy bump on the one surface.
Dummy dummy bumps are formed so as to surround the first dummy bumps, and when the electronic component is mounted on the wiring board, the predetermined dummy bumps on the wiring board facing the first dummy bumps and the second dummy bumps are mounted on the wiring board. On the surface
A single or a plurality of third dummy bumps having the same melting point temperature characteristics as the first dummy bumps are formed, and a single or a plurality of fourth dummy bumps having the same melting point temperature characteristics as the second dummy bumps are formed. A second step of aligning and joining the first dummy bumps of the electronic component with the corresponding third dummy bumps of the wiring board; and the second dummy bumps of the electronic component And a third step of joining the corresponding fourth dummy bumps of the wiring board, and joining the first bumps of the electronic component and the corresponding second bumps of the wiring board. A method for mounting an electronic component, comprising: a fourth step.
ミーバンプとの表面積の和が、上記一面の表面積の10
分の1乃至4分の1程度に選定されることを特徴とする
請求項3に記載の電子部品の実装方法。4. The sum of the surface areas of the first dummy bump and each of the second dummy bumps is 10 of the surface area of the one surface.
4. The mounting method for an electronic component according to claim 3, wherein the amount is selected to be about 1/4 to 1/4.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23078395A JPH0955400A (en) | 1995-08-15 | 1995-08-15 | Electronic part and method for mounting electronic part |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23078395A JPH0955400A (en) | 1995-08-15 | 1995-08-15 | Electronic part and method for mounting electronic part |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0955400A true JPH0955400A (en) | 1997-02-25 |
Family
ID=16913205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23078395A Pending JPH0955400A (en) | 1995-08-15 | 1995-08-15 | Electronic part and method for mounting electronic part |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0955400A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001093935A (en) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Rohm Co Ltd | Semiconductor device and semiconductor chip used therefor |
JP2011086879A (en) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Powertech Technology Inc | Flip chip structure of semiconductor |
JP2013183059A (en) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | New Japan Radio Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
-
1995
- 1995-08-15 JP JP23078395A patent/JPH0955400A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001093935A (en) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Rohm Co Ltd | Semiconductor device and semiconductor chip used therefor |
JP2011086879A (en) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Powertech Technology Inc | Flip chip structure of semiconductor |
JP2013183059A (en) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | New Japan Radio Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
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