JPH09510835A - パッケージ内に設けられた光電子トランスミッタおよびレシーバを利用するホログラフィック光アイソレータ - Google Patents

パッケージ内に設けられた光電子トランスミッタおよびレシーバを利用するホログラフィック光アイソレータ

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JPH09510835A JP8534799A JP53479996A JPH09510835A JP H09510835 A JPH09510835 A JP H09510835A JP 8534799 A JP8534799 A JP 8534799A JP 53479996 A JP53479996 A JP 53479996A JP H09510835 A JPH09510835 A JP H09510835A
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Abstract

(57)【要約】 光アイソレータ(10)は、ホログラフィック素子(22,24,26)を利用して、光(34)のビームを光導波管(20)を介して配向させることにより、光効率を向上させる。光電子トランスミッタ(12)およびレシーバ(16)は、ホログラフィック素子によって反射される光のビームと整合する導波管に接続される。トランスミッタおよびレシーバは、個別のリードフレーム部分(14,18)上に配置され、光アイソレータはパッケージ(32)によって封入される。

Description

【発明の詳細な説明】 パッケージ内に設けられた光電子トランスミッタおよび レシーバを利用するホログラフィック光アイソレータ 発明の背景 本発明は、一般に、光デバイスに関し、さらに詳しくは、光電子トランスミッ タおよびレシーバの光結合に関する。 オプトアイソレータは、例えば、雑音分離を改善するため、あるいはユーザが 高電圧電源と接触することを防ぐために、電子回路の2つの部分を電気的に分離 することが望ましい場合に用いられる。一つの従来のオプトアイソレータは、電 気的に分離された半分のリードフレーム上に発光ダイオード(LED)および光 検出器を設け、LEDと光検出器とが共通面となるようにする。光透過材料は、 LEDおよび光検出器を取り囲み、この材料は光反射パッケージング材料によっ て取り囲まれるキャビティ内に配置される。LEDからの光は、キャビティの反 射壁から光検出器上に反射される。 この従来のオプトアイソレータの問題点は、光は、一般にキャビティの反射壁 の表面で何度か反射した後に、光検出器に入射することである。この迷光散乱( stray light scattering)の結果、LEDからの光の大部分は光検出器 の活性表面に入射せず、オプトアイソレータの効率は大幅に低下する。従って、 LEDからの迷光散乱が大幅に低減され、オプトアイソレータの効率が改善され た、オプトアイソレータを設けることが望ましい。 図面の簡単な説明 第1図は、本発明の一実施例による光アイソレータの断面図である。 図面の詳細な説明 簡潔には、本発明は、光電子トランスミッタから光電子レシーバに光信号を送 信する光アイソレータ(optical isolator)(本明細書では、オプトアイソレー タ(opto-isolator)ともいう)を提供する。トランスミッタおよびレシーバは 、リードフレームの個別の部分に配置され、平坦な光導波管がトランスミッタお よびレシーバに物理的に接続され、その間で光リンクを設ける。導波管は、その 上に配置された少なくとも一つのホログラフィック素子(holographic element )を有し、導波管を介してトランスミッタからレシーバに光のビームを配向させ る。パッケージは、トランスミッタおよびレシーバを支持するリードフレームの 部分を少なくとも取り囲む。 本発明は、光アイソレータ10の断面図を示す唯一の図面を参照して、さらに 詳しく説明できる。光電子トランスミッタ12は、第1リードフレーム部分14 に配置され、光電子レシーバ16は第2リードフレーム部分18に配置される。 平坦な光導波管20は、トランスミッタ12およびレシーバ16の両方に配置さ れた底面30を有する。ホログラフィック素子22,26は導波管20の上面2 8に配置され、ホログラフィック素子24は導波管20の底面30に配置される 。ホログラフィック素子22,24,26は、光34のビームがトランスミッタ 12から送信され、ホログラフィック素子22,24,26によって反射され、 レシーバ16の活性領域によって検出されるように、お互い対して整合され、ま たトランスミッタ12およびレシーバ16に対しても整合される。パッケージ3 2は、トランスミッタ12,レシーバ16,リードフレーム部分14,18,導 波管20およびホログラフィック素子22,24,26を封入する。 本発明に従って、第1リードフレーム部分14および第2リードフレーム部分 18は、実質的に共通面に配置される。好適な実施例では、これは、例えば、従 来のリードフレームなどの導電材料の共通シートから部分14,18を形成する ことによって達成される。あるいは、リードフレーム部分14,18は、個別の 金属シートから設けることができる。導電材料の共通シートを利用する利点は、 組 み立て中およびパッケージ32の形成前に、トランスミッタ12およびレシーバ 16を単一のリードフレームに接合できることである。これは、組み立てを簡単 にし、光アイソレータ10の製造コストを節減する。 導波管20は、例えば、プラスチックまたはガラスなど、一般に光透過性の絶 縁体であり、導波管20は、リードフレーム部分14およびリードフレーム部分 18を電気的に分離でき、しかもトランスミッタ12とレシーバ16との間に信 号経路を提供するように設けられる。 ホログラフィック素子22,24,26は、既知の処理方法を利用して従来の 材料から形成される。具体的には、各ホログラフィック素子は、好ましくは、約 100ミクロン以下の厚さを有する感光性フィルム(またはホログラフィック材 料ともいう)で作られる。このフィルムは、例えば、2クロム酸ゼラチン,ハロ ゲン化銀ゼラチンまたはフォトポリマとして入手できる。フィルム乳剤(film emulsion)は、好ましくは、導波管20に塗布され、ついで従来のレーザ記録処 理に露出され、指向性反射特性を有するフィルムが得られる。あるいは、導波管 上20に配置される間にフィルム乳剤を露出する代わりに、露出されないホログ ラフィック素子22,24,26をマイラー(mylar)などの個別の光透過基板 (図示せず)上に配置してもよい。次に、素子22,24,26は、従来のレー ザ処理に露出され、指向性反射特性を得る。この露出の次に、 素子22,24,26は光透過基板から導波管20に転写される。 当業者であれば、ホログラフィック素子22,24,26,トランスミッタ1 2およびレシーバ16の相対的な位置は、ホログラフィック素子22,24,2 6によって与えられるべき反射の角度を決定することが理解される。これらの反 射角度は、従来の方法を用いて決定され、また周知のように感光性ホログラフィ ック・フィルムのレーザ露光時に固定される。関連光用途におけるホログラフィ ック素子の利用に関する詳細については、米国特許第5,061,027号(1 991年10月29日にF.Richardに発行された“Solder-Bump Attached Optic al Interconnect Structure Utilizing Holographic Elements and Method of M aking Same”)および米国特許第5,101,460号(1992年3月31 日にF.Richardに発行された“Simultaneous Bidirectional Optical Interconn ect”)において説明され、これらの特許はともに参考として本明細書に含まれ る。 トランスミッタ12,レシーバ16およびホログラフィック素子22,24, 26は、例えば、透明な接着剤を利用して、導波管20に取り付けられる。トラ ンスミッタ12は、LEDおよび半導体レーザ・ダイオードを含む多くの従来の 光トランスミッタのうちの任意のものでもよく、 レシーバ16は、例えば、従来の光検出器など、一般に任意の光電性回路でもよ い。 トランスミッタ12およびレシーバ16からそれぞれのリードフレーム部分1 4,18への、ワイヤ・ボンディングなどの電気接続は、導波管20を切断また はエッチングすることにより、必要に応じて導波管20に開口部(図示せず)を 設けることによって行われる。あるいは、トランスミッタ12またはレシーバ1 6の端部を導波管20のエッジ部を超えて伸ばすことができ、ワイヤ・ボンディ ングをこの露出端部に対して行うことができる。パッケージ32は、好ましくは 、リードフレーム部分14,18,トランスミッタ12,レシーバ16,導波管 20およびホログラフィック素子22,24,26を完全に封入する。パッケー ジ32を形成するために用いられる材料は、例えば、プラスチックなどの従来の 成形材料である。このパッケージ32による封入の利点は、光アイソレータ10 が周辺光によって影響を受けないことである。従来の光アイソレータに対するア イソレータ10の別の利点は、パッケージ32を形成するために用いられる材料 は反射材料からなる必要がないことである。これは、光34のビームがホログラ フィック素子22,24,26によってのみ反射され、導波管20とパッケージ 32との間の界面からの光34のビームの反射は必要ないためである。 光アイソレータ10を組み立てるために用いられる製造 方法およびパッケージ32の形成は、ともに従来のものである。パッケージ32 は、好ましくは、電気的に分離する前に、リードフレーム部分14,18の周り に形成される。共通のリードフレームを利用する場合、リードフレーム部分14 ,18は、例えば、封入後の相互接続レール,ダム・バーおよびクロス・バーな どの共通リードフレームの不必要な部分を切除することにより、電気的に分離さ れる。 もちろん、パッケージ32の物理的な寸法およびトランスミッタ12とレシー バ16との間の距離は特定の用途によって異なる。ただし、光アイソレータ10 は、例えば、トランスミッタ12およびレシーバ16が約5ミリメートル以下の 距離によって離間される、小さな寸法を有することが望ましい。また、平坦な光 導波管20の厚さはさまざまであるが、好ましくは、約3ミリメートル以下の厚 さを有する。 図面では単一の光電子レシーバ16のみを示したが、他の実施例では、複数の レシーバ(図示せず)を単一の光電子トランスミッタ12に光結合してもよい。 これは、例えば、ホログラフィック素子26を利用して、光34のビームを2つ またはそれ以上の光線に分割することによって達成される。このような実施例で は、各光線は、異なる光電子レシーバに入射するように反射される。例えば、第 2レシーバ(図示せず)は、ホログラフィック素子26から分割された第2光線 が入射するように、レシーバ16に近接 したリードフレーム部分18上で、かつ導波管20の底面30に接触して配置で きる。 上記の他に、本発明の別の実施例として、当業者であれば、3つのホログラフ ィック素子の代わりに単一のホログラフィック素子(図示せず)を利用できるこ とが理解される。これは、光34のビームがトランスミッタ12から導波管20 を介して単一のホログラフィック素子に直接反射し、また導波管20を介してレ シーバ16に反射されるように、単一のホログラフィック素子を光導波管20の 表面28上に配置することによって達成される。この別の実施例では、単一のホ ログラフィック素子は、表面28に配置され、またトランスミッタ12とレシー バ16との間に水平に配置される。一般に、この実施例は、上記の3つのホログ ラフィック素子を使用する場合に比べて、単一のホログラフィック素子について 異なる反射角度を必要とし、これらの角度は標準的な幾何学計算を利用して求め ることができる。上述のように単一のホログラフィック素子を利用することによ り、第1実施例で説明したように3つのホログラフィック素子を利用することに 比べて、より大きな光効率が光アイソレータ10について得られる。 以上、光信号経路について反射キャビティ壁からの光散乱に依存しないので、 大幅に改善された効率を有する新規な光アイソレータについて説明したことが明 らかである。本発明の光電子トランスミッタによって送信される光は、 制御された反復可能な方法でホログラフィック・フィルムからの反射によって配 向される。一つの利点は、散乱による光損失が最小限なことである。また、本発 明の別の利点は、光電子トランスミッタおよびレシーバの両方を同一リードフレ ーム上で形成でき、よって製造上の複雑さおよびコストを低減できることである 。このように共通のリードフレームを利用できるので、光アイソレータを封入す るために従来の低コストのパッケージングを利用できる。 上記の説明では、本発明の一例としての方法および実施例を開示し、説明した に過ぎない。当業者に理解されるように、本発明は、本発明の精神または本質的 な特性から逸脱せずに、他の特定の形式で具現できる。例えば、整合および反射 角度を適切に変更することで、3つ以上のホログラフィック素子を利用できる。 よって、本発明の開示は、請求の範囲に規定する発明の範囲を表すものであって 、制限するものではない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハートン,オースチン アメリカ合衆国イリノイ州オーク・パー ク、ノース・ユークリッド・アベニュー 642

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.光アイソレータであって: 電気的に分離され、かつ実質的に共通の面に配置された、第1リードフレーム 部分と第2リードフレーム部分; 前記第1リードフレーム部分に配置された光電子トランスミッタ; 前記第2リードフレーム部分に配置された第1光電子レシーバ; 上面および底面を有する平坦な光導波管であって、前記底面は前記トランスミ ッタおよび前記第1光電子レシーバ上に配置された、平坦な光導波管; 前記光導波管の前記上面上に配置され、かつ前記トランスミッタから発光され る光のビームが第1ホログラフィック素子によって前記光導波管内に反射される ように前記トランスミッタと整合された、第1ホログラフィック素子; 前記光導波管の前記底面上に配置され、かつ前記光のビームが第2ホログラフ ィック素子によって前記光導波管内に反射されるように前記第1ホログラフィッ ク素子に対して整合された、第2ホログラフィック素子; 前記光導波管の前記上面上に配置され、かつ前記光のビームが第3ホログラフ ィック素子によって前記第1光電子レシーバ上に反射されるように前記第2ホロ グラフィック素子および前記第1光電子レシーバに対して整合された、 第3ホログラフィック素子;および 少なくとも、前記第1リードフレーム部分,前記第2リードフレーム部分,前 記トランスミッタおよび前記第1光電子レシーバを封入するパッケージ; によって構成されることを特徴とする光アイソレータ。 2.前記光導波管は、ガラスおよびプラスチックからなるグループから選択さ れることを特徴とする請求項1記載の光アイソレータ。 3.前記パッケージは、成形材料から形成されることを特徴とする請求項1記 載の光アイソレータ。 4.前記光電子トランスミッタは、発光ダイオードであることを特徴とする請 求項1記載の光アイソレータ。 5.前記第1光電子レシーバは、光検出器であることを特徴とする請求項1記 載の光アイソレータ。 6.前記第1リードフレーム部分および前記第2リードフレーム部分は、導電 材料の共通のシートから形成されることを特徴とする請求項1記載の光アイソレ ータ。 7.前記第1ホログラフィック素子は、約100ミクロン以下の厚さを有する ことを特徴とする請求項1記載の光アイソレータ。 8.前記光電子トランスミッタおよび前記第1光電子レシーバは、約5ミリメ ートル以下の距離だけ離間されることを特徴とする請求項1記載の光アイソレー タ。 9.前記パッケージは、前記光導波管,前記第1ホログ ラフィック素子,前記第2ホログラフィック素子および前記第3ホログラフィッ ク素子をさらに封入することを特徴とする請求項1記載の光アイソレータ。 10.前記第1,第2および第3ホログラフィック素子のうち少なくとも一つ は、前記光のビームを第1光線と第2光線とに分割し、前記第1光線は前記第1 光電子レシーバに入射し、前記第2光線は第2光電子レシーバに入射することを 特徴とする請求項1記載の光アイソレータ。 11.光アイソレータであって: 電気的に分離され、かつ実質的に共通の面に配置され、かつ導電材料の共通の シートから形成される、第1リードフレーム部分と第2リードフレーム部分; 前記第1リードフレーム部分に配置された光電子トランスミッタ; 前記第2リードフレーム部分に配置された光電子レシーバであって、前記光電 子トランスミッタと光電子レシーバとの間の距離が約5ミリメートル以下である 、光電子レシーバ; 約3ミリメートル以下の厚さで、上面および底面を有する平坦な光導波管であ って、前記底面は前記光電子トランスミッタおよび前記光電子レシーバ上に配置 された、平坦な光導波管; 約100ミクロン以下の厚さを有し、前記光導波管の前記上面上に配置され、 前記光電子トランスミッタから発光 される光のビームが第1ホログラフィック素子によって前記光導波管内に反射さ れるように前記光電子トランスミッタと整合された、第1ホログラフィック素子 ; 約100ミクロン以下の厚さを有し、前記光導波管の前記底面上に配置され、 前記光のビームが第2ホログラフィック素子によって前記光導波管内に反射され るように前記第1ホログラフィック素子に対して整合された、第2ホログラフィ ック素子; 約100ミクロン以下の厚さを有し、前記光導波管の前記上面上に配置され、 前記光のビームが第3ホログラフィック素子によって前記光電子レシーバ上に反 射されるように前記第2ホログラフィック素子および前記光電子レシーバの両方 に対して整合された、第3ホログラフィック素子;および 少なくとも、前記第1リードフレーム部分,前記第2リードフレーム部分,前 記光電子トランスミッタおよび前記光電子レシーバを封入するパッケージ; によって構成されることを特徴とする光アイソレータ。 12.前記パッケージは、前記光導波管,前記第1ホログラフィック素子,前 記第2ホログラフィック素子および前記第3ホログラフィック素子をさらに封入 することを特徴とする請求項11記載の光アイソレータ。 13.前記第1リードフレーム部分および前記第2リードフレーム部分は、電 気的に分離される前に、前記パッケ ージによって封入されることを特徴とする請求項12記載の光アイソレータ。 14.光アイソレータであって: 電気的に分離され、かつ実質的に共通の面に配置された、第1リードフレーム 部分と第2リードフレーム部分; 前記第1リードフレーム部分に配置された光電子トランスミッタ; 前記第2リードフレーム部分に配置された第1光電子レシーバ; 第1表面および第2表面を有する平坦な光導波管であって、前記第2表面は前 記光電子トランスミッタおよび前記第1光電子レシーバ上に配置された、平坦な 光導波管; 前記光導波管の前記第1表面上に配置され、かつ前記光電子トランスミッタか ら発光される光のビームがホログラフィック素子によって前記光導波管を介して 前記第1光電子レシーバ上に反射されるように前記光電子トランスミッタおよび 前記第1光電子レシーバと整合された、ホログラフィック素子;および 少なくとも、前記第1リードフレーム部分,前記第2リードフレーム部分,前 記光電子トランスミッタおよび前記光電子レシーバを封入するパッケージ; によって構成されることを特徴とする光アイソレータ。 15.前記光導波管は、ガラスおよびプラスチックからなるグループから選択 されることを特徴とする請求項14 記載の光アイソレータ。 16.前記パッケージは、成形材料から形成されることを特徴とする請求項1 4記載の光アイソレータ。 17.前記光電子トランスミッタは、発光ダイオードであることを特徴とする 請求項14記載の光アイソレータ。 18.前記第1リードフレーム部分および前記第2リードフレーム部分は、導 電材料の共通のシートから形成されることを特徴とする請求項14記載の光アイ ソレータ。 19.前記光電子トランスミッタおよび前記第1光電子レシーバは、約5ミリ メートル以下の距離だけ離間されることを特徴とする請求項14記載の光アイソ レータ。 20.前記ホログラフィック素子は、前記光のビームを第1光線と第2光線と に分割し、前記第1光線は前記第1光電子レシーバに入射し、前記第2光線は第 2光電子レシーバに入射することを特徴とする請求項14記載の光アイソレータ 。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010161202A (ja) 2009-01-08 2010-07-22 Renesas Electronics Corp 光結合素子及びその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2285623A1 (fr) * 1974-09-20 1976-04-16 Max Planck Gesellschaft Dispositif auto-formateur d'images, comportant un guide d'ondes
GB1514477A (en) * 1974-09-24 1978-06-14 Post Office Optical devices
FR2622706B1 (fr) * 1987-11-03 1992-01-17 Thomson Csf Dispositif d'interconnexion optique dynamique pour circuits integres
CA2063606C (en) * 1989-07-13 1997-07-15 Peter Healey Optical communications network
US5061027A (en) * 1990-09-04 1991-10-29 Motorola, Inc. Solder-bump attached optical interconnect structure utilizing holographic elements and method of making same
US5101460A (en) * 1990-09-04 1992-03-31 Motorola, Inc. Simultaneous bidirectional optical interconnect

Also Published As

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