JPS63102272A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS63102272A JPS63102272A JP61248205A JP24820586A JPS63102272A JP S63102272 A JPS63102272 A JP S63102272A JP 61248205 A JP61248205 A JP 61248205A JP 24820586 A JP24820586 A JP 24820586A JP S63102272 A JPS63102272 A JP S63102272A
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- Japan
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- light
- semiconductor device
- optical semiconductor
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- Pending
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、受光素子あるいは発光素子を収納する光半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
第３図は例えばナショナル テクニカル リポート 第
２９巻 Ｎｏ、 ３ １９８３年６月（Ｎａｔｉｏｎ
ａｌＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ Ｖｏｌ、 ２
９ Ｎｏ、 ３ Ｊｕｎ、 １９８３）に示された従来
の光半導体装置を示す側面図である。
２９巻 Ｎｏ、 ３ １９８３年６月（Ｎａｔｉｏｎ
ａｌＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ Ｖｏｌ、 ２
９ Ｎｏ、 ３ Ｊｕｎ、 １９８３）に示された従来
の光半導体装置を示す側面図である。
図において、リード線１は光入出射面２に向かう方向と
逆方向にフォーミングしである。３はレーザ光等の人出
射光（光ビーム）であり、前記光ビームを受光あるいは
発光するのが光半導体装置収納の受光素子あるいは発光
素子を含む半導体チップ４である。５は前記光ビームを
減衰なく通過するための透明モールド材にて形成された
光半導体装置のケースである。６は前記光半導体装置を
半田付等により固定するための取付板である。
逆方向にフォーミングしである。３はレーザ光等の人出
射光（光ビーム）であり、前記光ビームを受光あるいは
発光するのが光半導体装置収納の受光素子あるいは発光
素子を含む半導体チップ４である。５は前記光ビームを
減衰なく通過するための透明モールド材にて形成された
光半導体装置のケースである。６は前記光半導体装置を
半田付等により固定するための取付板である。
次に動作について説明する。ここでは光半導体装置収納
の素子４が受光素子であることを仮定し説明する。まず
レーザ光等の光ビーム３はケースの入射光面２を通り、
透明モールド材で形成され図り た内部を通過し、半導体チップ内の受光素子に到達する
。到達した光は受光素子により光電流に変換され、さら
に内部回路にて処理された後出力信号として光半導体装
置の外部へと導かれ、他の回路へと伝送される。ここで
光ビームは微小入力であるため光入射面２の表面状態や
内部のモールド材の透明度及び不均一により光強度が微
妙に影響される。例えば表面状態が非常に粗く光ビーム
を通過しないような状態では光ビームとしての信号が伝
送されないことになる。
の素子４が受光素子であることを仮定し説明する。まず
レーザ光等の光ビーム３はケースの入射光面２を通り、
透明モールド材で形成され図り た内部を通過し、半導体チップ内の受光素子に到達する
。到達した光は受光素子により光電流に変換され、さら
に内部回路にて処理された後出力信号として光半導体装
置の外部へと導かれ、他の回路へと伝送される。ここで
光ビームは微小入力であるため光入射面２の表面状態や
内部のモールド材の透明度及び不均一により光強度が微
妙に影響される。例えば表面状態が非常に粗く光ビーム
を通過しないような状態では光ビームとしての信号が伝
送されないことになる。
（発明が解決しようとする問題点）
従来の光半導体装置は以上のように、人出射光面２が光
半導体装置ケース外殻に位置する構成となっているため
、光半導体装置運搬時や光半導体装置を取付板６に装着
した後においても、外部要因により、光半導体装置収納
の受光素子の光入射面２の透明モールド材５を損傷し、
光ビーム３の光信号強度に影響を与えるという問題があ
った。
半導体装置ケース外殻に位置する構成となっているため
、光半導体装置運搬時や光半導体装置を取付板６に装着
した後においても、外部要因により、光半導体装置収納
の受光素子の光入射面２の透明モールド材５を損傷し、
光ビーム３の光信号強度に影響を与えるという問題があ
った。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、光半導体装置の光入出射面の透明モールド材
が、運搬時及び装着時に外部要因により外傷を受けるの
を極めて少なくした光半導体装置を得ることを目的とす
る。
たもので、光半導体装置の光入出射面の透明モールド材
が、運搬時及び装着時に外部要因により外傷を受けるの
を極めて少なくした光半導体装置を得ることを目的とす
る。
この発明に係る光半導体装置は、光半導体装置の光入出
射面に、ある深さの凹部を設け、この凹部の底部領域内
の位置に受光部又は発光部を設けたものである。
射面に、ある深さの凹部を設け、この凹部の底部領域内
の位置に受光部又は発光部を設けたものである。
この発明に係る光半導体装置では、光入出射面に凹部を
設け、この凹部の底部領域内に受光部又は発光部を設け
たので、光入出射面以外の面が光半導体装置の運搬時、
移動時、及び装着時に外部要因により損傷を受けたとし
ても光入出射面の損傷は避けることができる。
設け、この凹部の底部領域内に受光部又は発光部を設け
たので、光入出射面以外の面が光半導体装置の運搬時、
移動時、及び装着時に外部要因により損傷を受けたとし
ても光入出射面の損傷は避けることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１は光半導体装置の出力信号を外部へ伝送
するため、及び光半導体装置を固定するためのリード線
、４は受光素子を含む半導体チップ、２は半導体チップ
４の受光素子への光入射面、２゛は受光素子部以外の光
が入射しない面、つまり光半導体装置の表面外殻、３は
レーザ等による光ビーム、５は透明モールド材で形成さ
れたケース、１０は該透明モールド材の光入射面に設け
た凹部であり、上記半導体チップ４はこの凹部１０の底
部領域内の位置に設けられている。
図において、１は光半導体装置の出力信号を外部へ伝送
するため、及び光半導体装置を固定するためのリード線
、４は受光素子を含む半導体チップ、２は半導体チップ
４の受光素子への光入射面、２゛は受光素子部以外の光
が入射しない面、つまり光半導体装置の表面外殻、３は
レーザ等による光ビーム、５は透明モールド材で形成さ
れたケース、１０は該透明モールド材の光入射面に設け
た凹部であり、上記半導体チップ４はこの凹部１０の底
部領域内の位置に設けられている。
６は光半導体装置を固定する取付板である。
次に動作について説明する。ここでも光半導体装置収納
のチップ４が受光素子であるとして説明する。光半導体
装置から光ビーム３として外部へ出力信号が伝送される
動作は従来装置と同様である。
のチップ４が受光素子であるとして説明する。光半導体
装置から光ビーム３として外部へ出力信号が伝送される
動作は従来装置と同様である。
本実施例では、光入射面２と光が入射しない面２′との
間にある距離ｄを、透明モールド材で形成されたケース
に凹部１０を設けることによって設けているため、光半
導体装置を運搬、移動及び装着する時に、光半導体装置
の透明モールドで形成されたケース表面２゛が外部要因
により損傷を受けたとしても、光入射面２は損傷を受け
ず、光ビーム３による光強度は入射面による減衰がなく
、受光素子４に導かれることになる。
間にある距離ｄを、透明モールド材で形成されたケース
に凹部１０を設けることによって設けているため、光半
導体装置を運搬、移動及び装着する時に、光半導体装置
の透明モールドで形成されたケース表面２゛が外部要因
により損傷を受けたとしても、光入射面２は損傷を受け
ず、光ビーム３による光強度は入射面による減衰がなく
、受光素子４に導かれることになる。
なお、上記実施例では受光素子４部の光入射面２と光が
入射しない面２°との間に透明モールドで形成されたケ
ース５に凹部１０を設けることによっである距離ｄを設
けたものを示したが、この距離は第２図の本発明の他の
実施例に示すように光半導体装置に、光が入射しない面
に厚さｄを持つ盛り上げ部材７を接着等により取付ける
ことによって形成してもよい。第２図において１１はケ
ース２の光入射面２と盛り上げ部材７とにより形成され
る凹部である。また盛り上げ部材７の材質は透明あるい
は不透明素材のいずれでも、よい。
入射しない面２°との間に透明モールドで形成されたケ
ース５に凹部１０を設けることによっである距離ｄを設
けたものを示したが、この距離は第２図の本発明の他の
実施例に示すように光半導体装置に、光が入射しない面
に厚さｄを持つ盛り上げ部材７を接着等により取付ける
ことによって形成してもよい。第２図において１１はケ
ース２の光入射面２と盛り上げ部材７とにより形成され
る凹部である。また盛り上げ部材７の材質は透明あるい
は不透明素材のいずれでも、よい。
以上のように、この発明に係る光半導体装置によれば、
光半導体装置の光入射面に凹部を設けることにより、該
光入射面と光が入射しないケース表面との間にある距離
を設けるように構成したので、光入射面の損傷がなく、
光ビームの光強度が、光入射面により減衰なく受光素子
に導かれ、光入力信号が劣化しないものが得られる効果
がある。
光半導体装置の光入射面に凹部を設けることにより、該
光入射面と光が入射しないケース表面との間にある距離
を設けるように構成したので、光入射面の損傷がなく、
光ビームの光強度が、光入射面により減衰なく受光素子
に導かれ、光入力信号が劣化しないものが得られる効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例による光半導体装置を示す
側面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す側面図、
第３図は従来の光半導体装置を示す側面図である。 ２は光入出射面、２゛は光が入出射しない面、３は光ビ
ーム、４は受光素子あるいは発光素子の半導体チップ、
５は遇明モールドで形成されたケース、６は取付板、７
は厚さｄを持つ盛り上げ部材。
側面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す側面図、
第３図は従来の光半導体装置を示す側面図である。 ２は光入出射面、２゛は光が入出射しない面、３は光ビ
ーム、４は受光素子あるいは発光素子の半導体チップ、
５は遇明モールドで形成されたケース、６は取付板、７
は厚さｄを持つ盛り上げ部材。
Claims (1)
- （１）受光素子または発光素子を半導体チップ内部に収
納し、これを透明モールド材にてモールドしてなる光半
導体装置において、 その光入出射面部にある深さの凹部を設け、この凹部の
底部領域内の位置に受光部又は発光部を設けたことを特
徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61248205A JPS63102272A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61248205A JPS63102272A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102272A true JPS63102272A (ja) | 1988-05-07 |
Family
ID=17174755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61248205A Pending JPS63102272A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63102272A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171252A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂モールド形受光用半導体装置 |
| JP2003017715A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sony Corp | 光検出半導体装置 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP61248205A patent/JPS63102272A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171252A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂モールド形受光用半導体装置 |
| JP2003017715A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sony Corp | 光検出半導体装置 |
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