JP3086063B2 - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JP3086063B2 JP3086063B2 JP04137383A JP13738392A JP3086063B2 JP 3086063 B2 JP3086063 B2 JP 3086063B2 JP 04137383 A JP04137383 A JP 04137383A JP 13738392 A JP13738392 A JP 13738392A JP 3086063 B2 JP3086063 B2 JP 3086063B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- image sensor
- emitting element
- receiving element
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Facsimile Heads (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、完全密着型のイメー
ジセンサに関する。
ジセンサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の密着型イメージセンサは、図3に
示すように基板31の上面に、樹脂モールドされたレン
ズ付きLEDチップ32を長手方向(紙面の表裏方向)
に列状に配置するとともに、ガラスカバー33の上面
に、受光素子34を配列し、LEDチップ32から発射
した光は、被読取部で反射して、受光素子34に入る。
レンズ付きLEDチップは基板に半田付けされるが、こ
のレンズ付きLEDチップに代えて、ベアチップのLE
Dを基板にダイボンディングし、かつワイヤボンディン
グするものもある。
示すように基板31の上面に、樹脂モールドされたレン
ズ付きLEDチップ32を長手方向(紙面の表裏方向)
に列状に配置するとともに、ガラスカバー33の上面
に、受光素子34を配列し、LEDチップ32から発射
した光は、被読取部で反射して、受光素子34に入る。
レンズ付きLEDチップは基板に半田付けされるが、こ
のレンズ付きLEDチップに代えて、ベアチップのLE
Dを基板にダイボンディングし、かつワイヤボンディン
グするものもある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のイメー
ジセンサは、LEDチップを数十個を一列に配置して使
用しているので、光量のバラツキが大きい、つまり、チ
ップの真上が最も明るく、チップとチップの間が暗くな
るので、イメージセンサの出力に大きなバラツキが生じ
る。このバラツキを軽減するために、LEDチップの数
を増やす対策を講じているタイプもあるが、コスト高と
なる問題がある。
ジセンサは、LEDチップを数十個を一列に配置して使
用しているので、光量のバラツキが大きい、つまり、チ
ップの真上が最も明るく、チップとチップの間が暗くな
るので、イメージセンサの出力に大きなバラツキが生じ
る。このバラツキを軽減するために、LEDチップの数
を増やす対策を講じているタイプもあるが、コスト高と
なる問題がある。
【0004】この発明は、上記問題点に着目してなされ
たものであって、安価でかつ出力バラツキの少ない高性
能な完全密着型イメージセンサを提供するにある。
たものであって、安価でかつ出力バラツキの少ない高性
能な完全密着型イメージセンサを提供するにある。
【0005】
【課題を解決するための手段及び作用】この発明の密着
型イメージセンサは、被読取部に光を採射するための発
光素子と、被読取部から反射された光を受ける受光素子
が基板に搭載されるものにおいて、前記基板の一方面に
発光素子を、他方面に受光素子を設け、この基板を取付
けたフレームに発光素子からの光を被読取部まで導く光
通路を設け、この光通路をその表面に光の反射材を形成
した光案内部としている。
型イメージセンサは、被読取部に光を採射するための発
光素子と、被読取部から反射された光を受ける受光素子
が基板に搭載されるものにおいて、前記基板の一方面に
発光素子を、他方面に受光素子を設け、この基板を取付
けたフレームに発光素子からの光を被読取部まで導く光
通路を設け、この光通路をその表面に光の反射材を形成
した光案内部としている。
【0006】この密着型イメージセンサでは、発光素子
から発せられた光が光案内部を経て、被読取部に入る
が、その間、光が光案内部の反射材の間で何回も反射が
繰り返され、光量のバラツキが減少する。
から発せられた光が光案内部を経て、被読取部に入る
が、その間、光が光案内部の反射材の間で何回も反射が
繰り返され、光量のバラツキが減少する。
【0007】
【実施例】以下、実施例により、この発明をさらに詳細
に説明する。図1は、この発明の一実施例を示す完全密
着型イメージセンサの断面図、図2は同イメージセンサ
の受光部を拡大したものである。このイメージセンサ
は、基板1の上面に受光素子2が実装され、基板1の下
面に発光素子(LED)3と、この発光素子3と受光素
子2を制御する電子部品4が実装されている。そして基
板1がフレーム5に固定されている。フレーム5の上部
に、原稿安定台6を設け、また受光素子2の上部にカバ
ーガラス7を設けている。カバーガラス7の表裏には、
マスク8、9が形成され、発光素子3からの光が、被読
取部である原稿10で反射され、受光素子2の受光部2
aに入るようにしている。
に説明する。図1は、この発明の一実施例を示す完全密
着型イメージセンサの断面図、図2は同イメージセンサ
の受光部を拡大したものである。このイメージセンサ
は、基板1の上面に受光素子2が実装され、基板1の下
面に発光素子(LED)3と、この発光素子3と受光素
子2を制御する電子部品4が実装されている。そして基
板1がフレーム5に固定されている。フレーム5の上部
に、原稿安定台6を設け、また受光素子2の上部にカバ
ーガラス7を設けている。カバーガラス7の表裏には、
マスク8、9が形成され、発光素子3からの光が、被読
取部である原稿10で反射され、受光素子2の受光部2
aに入るようにしている。
【0008】フレーム5の左上部には凹部5aが形成さ
れ、この凹部5aと基板1間の空室が、発光素子3か
ら、カバーガラス7に至るまでの光案内部11を構成し
ている。この光案内部11は樹脂封止されており、また
基板1の表面1aと、凹部5aの表面5bには光反射材
が形成されている。この光案内部11は、フレーム5の
長手方向に沿って、発光素子3、受光素子2の配列方向
に連続して、切れ目なく形成されている。
れ、この凹部5aと基板1間の空室が、発光素子3か
ら、カバーガラス7に至るまでの光案内部11を構成し
ている。この光案内部11は樹脂封止されており、また
基板1の表面1aと、凹部5aの表面5bには光反射材
が形成されている。この光案内部11は、フレーム5の
長手方向に沿って、発光素子3、受光素子2の配列方向
に連続して、切れ目なく形成されている。
【0009】このイメージセンサにおいて、発光素子3
より、発せられた光は、光案内部11の反射面1a、5
bで繰り返し反射をしながら、徐々に均一化された後、
原稿10に照射される。これにより、光量のバラツキは
減少する。原稿10で反射した光は、受光素子2の受光
部2aに入射される。なお、上記実施例において、光案
内部11に樹脂封止する際に、乳白色の樹脂を使用すれ
ば、光が拡散するので、バラツキがより少なくなる。
より、発せられた光は、光案内部11の反射面1a、5
bで繰り返し反射をしながら、徐々に均一化された後、
原稿10に照射される。これにより、光量のバラツキは
減少する。原稿10で反射した光は、受光素子2の受光
部2aに入射される。なお、上記実施例において、光案
内部11に樹脂封止する際に、乳白色の樹脂を使用すれ
ば、光が拡散するので、バラツキがより少なくなる。
【0010】また、上記実施例では、受光素子2とし
て、マルチチップ形を使用しているが、この発明では、
もちろんこれに限られるものではなく、アモルファス、
シリコン等を用いた薄膜型を使用してもよい。
て、マルチチップ形を使用しているが、この発明では、
もちろんこれに限られるものではなく、アモルファス、
シリコン等を用いた薄膜型を使用してもよい。
【0011】
【発明の効果】この発明によれば、基板の一方面に発光
素子を、他方面に受光素子を設け、この基板を取付けた
フレームに発光素子からの光を被読取部まで導く光通路
を設け、この光通路をその表面に光の反射材を形成した
光案内部としたので、光量のバラツキが少なくなり、L
EDの光量を上げた場合でも、かなりバラツキが小さく
なるので、イメージセンサの読取りスピードをより高速
化できる。
素子を、他方面に受光素子を設け、この基板を取付けた
フレームに発光素子からの光を被読取部まで導く光通路
を設け、この光通路をその表面に光の反射材を形成した
光案内部としたので、光量のバラツキが少なくなり、L
EDの光量を上げた場合でも、かなりバラツキが小さく
なるので、イメージセンサの読取りスピードをより高速
化できる。
【0012】また、LEDの数の少ない場合でもバラツ
キが少なく、かつ光量も明るくでき、また予めLEDを
選別していなくても、バラツキを少なくおさえることが
できるので、LEDのコストダウンが可能となり、当然
イメージセンサ全体もコストダウンができる。また、L
EDのバラツキが少ないということは、イメージセンサ
の出力のバラツキが少ないことを意味し、安価で、高性
能のイメージセンサを提供できる。更に、請求項2の構
成とすれば、不要な光をより一層カットすることが可能
となり、一段の高性能化を実現できる。
キが少なく、かつ光量も明るくでき、また予めLEDを
選別していなくても、バラツキを少なくおさえることが
できるので、LEDのコストダウンが可能となり、当然
イメージセンサ全体もコストダウンができる。また、L
EDのバラツキが少ないということは、イメージセンサ
の出力のバラツキが少ないことを意味し、安価で、高性
能のイメージセンサを提供できる。更に、請求項2の構
成とすれば、不要な光をより一層カットすることが可能
となり、一段の高性能化を実現できる。
【図1】この発明の一実施例を示す、完全密着型イメー
ジセンサの断面図である。
ジセンサの断面図である。
【図2】同実施例イメージセンサの受光部近傍を拡大し
て示した図である。
て示した図である。
【図3】従来の完全密着型イメージセンサを示す図であ
る。
る。
1 基板 2 受光素子 3 発生素子 11 案内部 1a、5b 反射面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−255162(JP,A) 特開 平4−40740(JP,A) 特開 平1−161964(JP,A) 特開 昭60−180367(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04N 1/028
Claims (2)
- 【請求項1】被読取部に光を採射するための発光素子
と、被読取部から反射された光を受ける受光素子が基板
に搭載される密着型イメージセンサにおいて、 前記基板の一方面に発光素子を、他方面に受光素子を設
け、この基板を取付けたフレームに発光素子からの光を
被読取部まで導く光通路を設け、この光通路をその表面
に光の反射材を形成した光案内部としたことを特徴とす
る密着型イメージセンサ。 - 【請求項2】 前記受光素子の上部に配置したカバーガラ
スの受光素子側の面にマスクを設け、このマスクにおけ
る発光素子からの光が被読取部に達する光路に相当する
部分と、被読取部からの反射光が受光素子に達する光路
に相当する部分とに開口部を設けたことを特徴とする請
求項1記載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04137383A JP3086063B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04137383A JP3086063B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 密着型イメージセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05336302A JPH05336302A (ja) | 1993-12-17 |
JP3086063B2 true JP3086063B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=15197407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04137383A Expired - Lifetime JP3086063B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3086063B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007295152A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Fujifilm Corp | 撮像装置 |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP04137383A patent/JP3086063B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05336302A (ja) | 1993-12-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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