JPH09502055A - 改善された抵抗温度係数及び面積抵抗値を有するSiCr薄膜抵抗 - Google Patents
改善された抵抗温度係数及び面積抵抗値を有するSiCr薄膜抵抗Info
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.シリコンウェーハ上に堆積されたSiCr薄膜を有する抵抗の、抵抗温度 係数、及び面積抵抗値を増強するためのプロセスにおいて、 SiCr薄膜をアニールするのに有効な時間の期間、窒素雰囲気において 、約550℃から約650℃の温度で、SiCr薄膜を短時間加熱アニールする ステップを含むプロセス。 2.SiCrの薄膜は、シリコン・クロムターゲットからウェーハ上に、シリ コン/クロム合金をスパッタリングすることにより、ウェーハ上に堆積され、ウ ェーハは、燐ドーピングの低温二酸化シリコンウェーハであり、SiCr薄膜を アニールするのに有効な時間期間は、約50から約85秒である、請求項1に記 載のプロセス。 3.SiCr薄膜をアニールするのに有効な時間期間は、室温からアニール温 度への、約5から10秒のランプ状上昇時間を含む、請求項2に記載のプロセス 。 4.アニール温度は約650℃であり、アニール期間は、ランプ状上昇時間を 含めて、約60秒である、請求項3に記載のプロセス。 5.SiCr薄膜抵抗の抵抗温度係数、及び面積抵抗値を増強するためのプロ セスにおいて、 (a) ウェーハ上にSiCr薄膜を設けるために、シリコン・クロムのターゲ ットから、燐ドーピングの低温二酸化シリコン 上に、シリコン/クロム合金をスパッタリングするステップと、 (b) SiCr薄膜をアニールするのに有効な時間の期間、窒素雰囲気におい て、約550℃から約650℃の温度で、ウェーハを短時間加熱するステップと 、 (c) 抵抗バー領域を規定するために、第1のレジストマスクで、ウェーハを マスキングするステップと、 (d) 抵抗バー領域に抵抗バーを形成するために、マスクされたウェーハをエ ッチングするステップと、 (e) ウェーハから第1のレジストマスクを除去するステップと、 (f) SiCr薄膜、及び抵抗バーを保護するために、ウェーハ上にアルミニ ウムのブランケットを堆積させるステップと、 (g) 抵抗バーの端部がマスキングされ、作業場のある区域へのリード線が規 定されるように、第2のレジストマスクで、ウェーハをマスキングするステップ と、 (h) フィールド酸化膜、及び抵抗バーの本体部を露出させるために、ウェー ハをエッチングするステップと、 (i) 抵抗バーにアルミニウム接触子を設けるために、第2のレジストマスク を除去するステップと、 (j) SiCrとアルミニウム接触子を合金化して、抵抗をもたらすのに有効 な時間の期間、水素/窒素雰囲気において、約475℃の温度にウェーハを加熱 するステップと、 (k) 合金化されたウェーハを不動態化するステップと、 (1) 金属線を規定する窓を設けるために、第3のレジストマスクで、合金化 されたウェーハをマスキングするステップと、 (m) 第3のレジストマスクを除去するステップと、 を含むプロセス。 6.SiCr薄膜をアニールするのに有効な時間期間は、約50から約85秒 である、請求項5に記載のプロセス。 7. SiCr薄膜をアニールするのに有効な時間期間は、室温からアニール 温度への、約5から10秒のランプ状上昇時間を含む、請求項6に記載のプロセ ス。 8.アニール温度は約650℃であり、アニール期間は、ランプ状上昇時間を 含めて、約60秒である、請求項7に記載のプロセス。 9.シリコン・クロムターゲットは、約99.5%の純度を有し、且つそのタ ーゲットは、原子重量に基づき、約72%シリコン、及び約28%クロムの配合 を有する、請求項5に記載のプロセス。 10.SiCr薄膜をアニールするのに有効な時間期間は、約50から約85秒 である、請求項9に記載のプロセス。 11.SiCr薄膜をアニールするのに有効な時間期間は、室温からアニール温 度への、約5から10秒のランプ状上昇時間を含む、請求項10に記載のプロセ ス。 12.アニール温度は約650℃であり、アニール期間は、ランプ状上昇時間を 含めて、約60秒である、請求項11に記載のプ ロセス。
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