JPH09501676A - 塩素含有分子を結合させて、フッ素含有生成物を合成する方法 - Google Patents

塩素含有分子を結合させて、フッ素含有生成物を合成する方法

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JPH09501676A
JPH09501676A JP7507047A JP50704794A JPH09501676A JP H09501676 A JPH09501676 A JP H09501676A JP 7507047 A JP7507047 A JP 7507047A JP 50704794 A JP50704794 A JP 50704794A JP H09501676 A JPH09501676 A JP H09501676A
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ワン,リ
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Abstract

(57)【要約】 単一反応器又は反応器系列において、中間体を単離せずに、任意に実施することができるフッ素含有生成物RCFbc+a-1f+d-1eCR'の本発明による合成方法によって、クロロフルオロカーボンの代替え物を提供する。この方法は、2種類の塩素含有反応物RCClabcとR'CCldefとを水素と少なくとも1種類の触媒との存在下で結合させることを含む。RとR'はハロゲン、ハロゲン化炭化水素及び炭化水素から成る群から選択され、RとR'との少なくとも一方はフッ素を含む、aとdは1〜3の整数であり、b、c、e及びfは0〜2の整数であり、a、b及びcの合計は3であり、d、e及びfの合計は3である。さらに、カップリングした生成物を水素又はフッ素化剤によって任意の触媒の存在下で処理する。

Description

【発明の詳細な説明】 塩素含有分子を結合させて、フッ素含有生成物を合成する方法 発明の背景 クロロフルオロカーボンを代替え生成物によって置換する世界的努力はこのよ うな生成物に関する集中的な研究を生じている。現在、クロロフルオロカーボン (CFC)は、例えば発泡剤、溶剤、冷媒、噴射剤、冷却用流体、作動流体及び リンス剤(rinse agent)のような、用途に広く用いられている。 残念ながら、CFCは成層圏中に拡散するほどに安定であり、最終的に成層圏 で分解して、反応性の塩素含有ラジカルに成る。これらのラジカルは保護オゾン 層を触媒的に分解することが判明している。 発明の概要 単一反応器又は反応器系列において中間体を単離せずに任意に実施することが できる、フッ素含有生成物RCFbc+a-1f+d-1eCR'の本発明による合成 方法によって、クロロフルオロカーボンの代替え物が提供される。この方法は反 応物RCClabcとR'CCldfとを水素と少なくとも1種の触媒との存在 下で結合させることを含み(式中、RとR'はハロゲン、ハロゲン化炭化水素及 び炭化水素から成る群から選択され、RとR1との少なくとも一方はフッ素を含 む、aとdは1〜3の整数であり、b、c、e及びfは0〜2の整数であり、a 、b及びcの合計は3であり、d、e及びfの合計は3である)、さらに、カッ プリングした生成物を水素又はフッ素化剤によって処理することを含む。塩素含 有反応物RCClabcとR'CCldefの例はFCl2C−CClF2、F3 C−CCl3、F3C−CF2−CCl3、F3C−CF2−CHCl2、CF2Cl2 、F3C−CHCl2、F3C−CH2Clである。フッ素含有生成物RCFbc+a -1f+d-1eCR'の例は、F3C−CH2−CH2−CF3、F2CH−CHF−C HF−CHF2、F3C−CH2−CH2−CH2−CF3、F3C−CH2−CHF2 及びF3C−CF2−CH2−CH2−CF2−CF3である。 図面の簡単な説明 図1は、CFC−215からCFC−151−10の合成の生成物のガスクロ マトグラフィ−スペクトルである。縦座標は、質量スペクトロスコピ−検出器か らの全イオン電流を示し、横座標は、ガスクロマトグラフの保持時間を示す。 図2は、図1のスペクトルにおける生成物の1つに関する質量スペクトロスコ ピ−フラグメント化パタ−ンを示す。 図3は、中間体生成物組成を実証するために図2の質量スペクトロスコピ−フ ラグメント化パタ−ンの説明を与える。 図4は、CFC−215からHFC−55−10の合成の生成物のガスクロマ トグラフィ−スペクトルである。 図5は、HFC−55−10に関する図4におけるピークに関する質量フラグ メント化パタ−ンである。 発明の詳細な説明 クロロフルオロカーボンの使用の不利益は、比較的多量のフッ素と少量の塩素 とを置換して化合物の中へ入れることによって及び水素を導入して化合物を低い 濃度(altitude)においてより反応性にすることによって軽減されることができる 。伝統的なCFC生成物の塩素をフッ素と置換することは、沸点を低下させる。 従って、用途によって必要とされる生成物沸点を得るためには、分子中の炭素原 子の数を増加させることが一般に必要である。ジクロロジフルオロメタン(CF C−12)、クロロトリフルオロメタン(CFC−13)及びトリクロロフルオ ロメタン(CFC−11)のような、伝統的なCFC分子の合成は、比較的容易 であり、相互に関連して製造することができる。しかし、より発展した高炭素数 のヒドロフルオロカーボン(HFC's)の合成は、製造プロセスを非常に複雑 化する。本発明は、発展したHFC及び、発泡剤、溶剤、冷媒、噴射剤、冷却用 流体、作動流体及びリンス剤のようなその他の生成物を製造するための効果的な 方法を開示する。 本発明の方法は、水素と第1触媒との存在下で2種類の塩素含有反応物RCC labcとR'CCldefとをカップリングさせ、さらに、任意に第2触媒 の存在下で、カップリングした生成物を水素又はフッ素化剤で処理して、フッ素 含有生成物を形成することによって、フッ素含有生成物RCFbc+a-1f+d-1 eCR'を製造することを含む。RとR'はハロゲン、ハロゲン化炭化水素及び 炭化水素から成る群から選択され、RとR'との少なくとも一方はフッ素を含み 、 aとdは1〜3の整数であり、b、c、e及びfは0〜2の整数であり、a、b 及びcの合計は3であり、d、e及びfの合計は3である。RとR'は官能基又 は他の部分(moiety)を有することができ、これらは酸素、窒素、硫黄、リン、ヨ ウ素、臭素、または、カップリングに直接関係しない他の成分を有することがで きる。これらの官能基又は部分は、適用性(application property)を高め、合成 プロセス中にある一定の反応部位を遮蔽するために用いることができる。RとR1 の例は、−CF3、−CCl2F、−CF2CF3、−F、又は−Cl、塩素−及 びフッ素−含有アルキル基、塩素−及びフッ素−含有芳香族化合物である。反応 物の分子量の上限は知られていない。 本発明は、水素と触媒との存在下で2種類の塩素含有反応物を結合させて、少 なくとも1種類の中間体RCFghCliCljklR'を形成し、次に、任意 の第2触媒の存在下で、この中間体をフッ素化剤又は水素及び触媒のいずれかで 処理して、フッ素含有生成物を形成することを含むフッ素含有生成物の製造方法 をも考慮する、上記式中、g,h及びiの合計は1から2までの整数であり、j ,k及び1の合計は1から2までの整数であり、g,h,i,j,k及び1は0 から1までの整数である。 カップリング反応に用いられた触媒は、第VIII族金属であり、ニッケル、 ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、鉄又はコ バルトからなる群から選択することができる。触媒は、アルミナ、炭素、酸化ク ロム、オキシフッ化クロム、フッ化クロムのような高表面積担体上に分散させる ことができる、又は触媒は、担体なしの高表面積金属酸化物、金属フッ化物又は 元素状金属として用いることができる。カップリング反応のための好ましい触媒 は、例えばアルミナ又は炭素のような高表面積担体上に分散された還元ルテニウ ム触媒である。 カップリング反応における反応物に対する水素のモル比は0.5から約10ま で変化することができ、圧力は周囲圧力から約1,000psigまで変化する ことができ、液体毎時空間速度(LHSV)は約0.1から約10まで変化する ことができる。反応は約20℃から約500℃までの範囲内、好ましくは約10 0℃から約250℃までの範囲内、最も好ましくは約150℃から約200℃ま での範囲内の温度で実施することができる。実質的な反応が生じて、200℃未 満の温度において実質的な転化及び選択性をもたらす。 さらに、フッ素含有生成物を水素及び任意の第2触媒で処理することは、生成 物をヒドロフルオロカーボンに還元する。フッ素化剤での処理は、ヒドロフルオ ロカーボン又はペルフルオロアルカンをもたらす。水素処理のために選択された 触媒は、カップリング反応のために用いた触媒と同じでも、又はアルミナ若しく は炭素のような高表面積担体上に実質的な水素化分解活性を与えると知られた金 属から選択することもできる。最も好ましい金属は例えば白金、コバルト、ニッ ケル、イリジウム、ルテニウム及びパラジウムのような第VIII金属を含み、 これらの金属はレニウム、イリジウム、コバルト及びニッケルを非限定的に含む プロモ−ターによって改質されることができる。或いは、金属を硫黄、ゲルマニ ウム又はスズを非限定的に含む成分によって減衰させる(attenuated)ことができ る。水素化反応は、約0.05から約10までの範囲内、好ましくは約0.2か ら約1.0までの範囲内の液体毎時空間速度(LHSV)、約20℃から約55 0℃まで、好ましくは100℃から約350℃までの範囲内の温度、及び約0p sigから約2000psigまで、好ましくは約30psigから約300p sigまでの範囲内の圧力において実施することができる。 フッ素化剤は、フッ化水素、フッ化ウラン、元素状フッ素又はフッ化物塩から なる群から選択されることができる。フッ化物塩の例は、フッ化カリウム、フッ 化ナトリウム及びフッ化セシウムである。ヒドロフッ素化(hydrofluorination) 触媒はクロムに基づく不均一系、フッ化水素中での五ハロゲン化アンチモンとの 液相接触に基づく触媒系、又はフッ化水素中でのエレクトロフッ素化(electrofl uorination)であることができる。ヒドロフッ素化反応は約0.05〜約5の範 囲内、好ましくは約0.1〜約1.0の範囲内の液体毎時空間速度(LHSV) 、約100℃〜約450℃、好ましくは250℃〜約350℃の範囲内の温度、 及び約0psig〜約500psig、好ましくは約50psig〜約200p sigの範囲内の圧力において実施することができる。しかし、フッ素化剤が元 素状フッ素である場合には、この反応は触媒なしで、約−50℃〜約+100℃ ,好ましくは−20℃〜約+20℃の範囲内の温度において実施することが好ま し い。 さらに、酸触媒異性体化を避けるために、例えばアルカリ金属のような塩基性 物質によって担体の酸性性質を除去することができる。例えば、リチウム、ナト リウム又はカリウムを、いずれかの反応に関して又は両方の反応に関して、アル ミナに加えることができる。 最初に塩素含有反応物を水素及び触媒の存在下でカップリングさせて、中間体 化合物を形成し、この中間体を例えば蒸留、膜、吸収剤又は他の分離装置のよう な手段によって単離し、次にこの中間体を任意の第2触媒と共に水素、例えば元 素状フッ素のようなフッ素化剤、又は例えばフッ化水素のようなヒドロフッ素化 剤によって処理して、フッ素含有生成物を形成することによって、新規なフッ素 含有生成物を合成することができる。或いは、単一反応器又は反応器系列におい て、中間体を単離せずに、フッ素含有生成物を合成して、さらに水素又はフッ素 化剤によって処理することができる。反応器系列と共に熱交換噐を用いて、温度 を調節することができる。 フッ素含有生成物をもたらす反応はHClを生じるので、非常に発熱性である 。塩酸は中和するか、副生成物として回収して、廃棄するか、又は再使用若しく は販売のために、Deacon反応を用いて塩素に転化させることができる。反 応器温度プロフィルを調節するために、過剰な熱は制御しなければならない。非 常に高い反応器温度は高い反応速度を生じるので、高い反応器温度は生成物選択 性の低下をももたらす。例えばクェンチ(quench)水素、例えば窒素のような不活 性流体、及び/又は生成物再循環流のような、熱分散方法を用いて、適切に熱制 御(thermal management)することができる。 上述したように、過剰な水素と適切な触媒とを用いて塩素含有反応物を結合さ せて、中間体を形成してから、生成物を形成することによって、又は直接生成物 を形成することによって、フッ素含有生成物を合成することができる。中間体は 飽和化合物又はオレフィンである可能性がある。接触水素化を用いて、オレフィ ンを水素化して、所望の生成物を形成することができる。可能な合成の例は下記 の通りである: CFC−113からのHFC−356mffの合成。HFC−356mff (1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロブタン)は、CFC−113(1, 1,2−トリクロロ−1,2,2−トリフルオロエタン)を用いて、CFC−1 13aの異性化を惹起するほど充分な酸性な触媒の存在下で合成することができ る。例えば、触媒CrF3にルテニウム触媒を物理的に混入するか、又はそれ自 体にルテニウムを含浸させることができる。全反応を単一反応器又は反応器系列 において、中間体を単離せずに、実施することができる。CFC−113が転位 して、CFC−113aを形成し、次にカップリングして、所望のHFC−35 6mffを形成する。 CFC−113からのHFC−356peeの合成。HFC−356pee( 1,1,2,3,4,4−ヘキサフルオロブタン)は、上記HFC−356mf fと同様に、CFC−113(1,1,2−トリクロロ−1,2,2−トリフル オロエタン)をカップリングさせて、四炭素オレフィン(CFC−13161y y,F2ClCCF=CFCClF2)を形成することによって、合成することが できる。四炭素オレフィンを、接触水素化を用いて、水素化して、所望の生成物 を形成する。 CFC−113aからのHFC−356mffの合成。HFC−356mff (1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロブタン)は、CFC−113a(1 ,1,1−トリクロロ−2,2,2−トリフルオロエタン)を、単一反応器又は 反応器系列において、中間体を単離せずにカップリングさせることによって、合 成することができる。 CFC−113aからのHFC−356mffの合成。HFC−356mff (1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロブタン)は、CFC−113a(1 ,1,1−トリクロロ−2,2,2−トリフルオロエタン)をカップリングさせ て、四炭素オレフィンCFC−1316mxx(F3CCCl=CClCF3)を 形成することによって、合成することができる。このオレフィンを次に、水素化 して、HFC−356mffを形成するか、又は第2中間体HCFC−336( F3CCHClCHClCF3)に転化させることができる。次に、この第2中間 体を水素と反応させて、所望のHFC−356mff生成物を製造することがで きる。 CFC−113aからのHFC−338の合成。HFC−338(1,1,1 , 2,3,4,4,4−オクタフルオロブタン)は、CFC−113a(1,1, 1−トリクロロ−2,2,2−トリフルオロエタン)をカップリングさせて、四 炭素オレフィン中間体(CFC−1316mxx,F3CCCl=CClCF3) を形成することによって、合成することができる。このオレフィンを次に、接触 水素化と比較的緩和な条件とを用いて水素化して、第2中間体生成物(HCFC −336,F3CCHClCHClCF3)を形成することができる。次に、この 第2中間体を例えばCrに基づく不均一系、HF中での五ハロゲン化アンチモン との液相接触に基づく触媒系又はHF中でのエレクトロフッ素化のような適当な 触媒上でHFと反応させて、所望のHFC−338生成物を製造することができ る。HFC−356mffはまた、CFC−113aのカップリングによってH FC−338と共に同時に製造されるが、反応器のプロセス条件を変えることに よって生成物の比を調節することができる。同時製造はいずれかの生成物単独の 製造に比べて経済性を向上させると期待される。 CFC−113aからのHFC−356mff及び/又はFC−31−10の 合成。HFC−356mff及び/又はFC−31−10(パーフルオロブタン )は、CFC−113aをカップリングさせて、実質的な量のCFC−316( F3CCCl2CCl2CF3)を形成することによって、合成することができる。 CFC−316を次に、HF中でエレクトロフッ素化して、FC−31−10を 製造するか、又は水素によって処理して、HFC−356mffを製造すること ができる。CFC−316をカップリングさせることによって、HFC−356 mffとFC−31−10とを同時に製造することができ、反応器のプロセス条 件を変えることによって生成物の比を調節することができる。 CFC−113aからのHFC−346mdfの合成。HFC−346mdf (1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−クロロブタン)は、CFC− 113a(1,1,1−トリクロロ−2,2,2−トリフルオロエタン)をカッ プリングさせて、四炭素オレフィンCFC−1316mxx(F3CCCl=C ClCF3)を形成することによって、合成することができる。このオレフィン を次に、部分的にヒドロ脱塩素して(hydrodechlorinated)、HFC−346md fを形成することができる。 CFC−113aとCFC−215とからのCFC−1418の合成。CFC −1418(2,3−ジクロロオクタフルオロ−2−ペンテン)は、CFC−1 13aとCFC−215(CF3CF2CCl3)との還元的カップリング(reduct ively coupling)によって合成することができる。CFC−1418をさらに処 理して、例えばヒドロ脱塩素及び/又はフッ素化して、他の生成物、例えばCF C−43−10(1,1,1,2,2,3,4,5,5,5−デカフルオロペン タン)、HFC−458(1,1,1,2,2,5,5−オクタフルオロペンタ ン)、又はFC−41−12(ペルフルオロペンタン)を形成することができる 。 CFC−113aとCFC−225とからのCFC−1418の合成。CFC −1418は、CFC−113aとCFC−225(1,1−ジクロロ−2,2 ,3,3,3−ペンタフルオロプロパン)との還元的カップリングによって合成 することができる。CFC−1418を上述のようにさらに処理することができ る。 CFC−12とCFC−113aとからのHFC−245faの合成。HFC −245fa(1,1,1,3,3−ぺンタクロロプロパン)は、CFC−12 とCFC−113aとをカップリングさせて、三炭素オレフィン(CFC−12 15,FCCCl=CF2)を形成することによって合成することができる。こ のオレフィンを、接触水素化を用いて、水素化して、所望の生成物を形成する。 CFC−113aの還元的カップリング反応はCFC−12の還元的カップリン グ反応よりも非常に迅速であるので、クロスカップリング(cross-coupling)を促 進し、2個のCFC−113a分子のカップリングを減ずるために、装入材料ス トック(charge stock)中のCFC−12:CFC−113aの高い比が好ましい 。 CFC−123からのHFC−356mff及び/又はHFC−338の合成 。HFC−356mff及び/又はHFC−338は、CFC−123(1,1 −ジクロロ−2,2,2−トリフルオロエタン)をカップリングさせて、四炭素 中間体(HCFC−336,F3CCHClCHClCF3)を形成することによ って合成することができる。この中間体を次に、接触水素化を用いて、ヒドロ脱 塩素して、所望の生成物を形成する。 CFC−12とCFC−123とからのHFC−245faの合成。HFC− 245faは、CFC−123(1,1−ジクロロ−2,2,2−トリフルオロ エタン)とCFC−12(ジクロロジフルオロメタン)とのカップリングによっ て、合成することができる。この分子をカップリングさせて、三炭素オレフィン (HFC−1225,F3CCH=CF2)を形成する。この三炭素オレフィンを 次に、接触水素化を用いて、水素化して、所望の生成物を形成する。CFC−1 23の還元的カップリング反応はCFC−12の還元的カップリング反応よりも 非常に迅速であると思われるので、クロスカップリングを促進し、2個のCFC −123分子のカップリングを減ずるために、装入材料ストック中のCFC−1 2:CFC−123の高い比が好ましく用いられる。 HCFC−133aからのHFC−356mffの合成。HFC−356mf f(1−クロロ−2,2,2−トリフルオロエタン)の還元的カップリングによ って合成することができる。 CFC−214からのHCFC−558とHFC−578との合成。HCFC −558(ClCF2CF2CH2CH2CF2CF2Cl)とHFC−578(HC F2CF2CH2CH2CF2CF2H)とは、CFC−214(ClCF2CF2CC l3)をカップリングさせて、六炭素オレフィン(CFC−1518,ClCF2 CF2CCl=CClCF2CF2Cl)を形成することによって合成することが できる。このオレフィンを次に、接触水素化を用いて、水素化して、所望の生成 物を形成する。 CFC−215からのHFC−55−10の合成。HFC−55−10(1, 1,1,6,6,6−ヘキサフルオロヘキサン)は、CFC−215(CF3C F2CCl3)をカップリングさせて、六炭素オレフィン(CFC−151−10 ,F3CF2CCl=CClCF2CF3)を形成することによって合成することが できる。このオレフィンを次に、接触水素化を用いて、水素化して、所望の生成 物を形成する。 CFC−215からのCFC−51−10の合成。CFC−51−10(3, 3,4,4−テトラクロロデカフルオロヘキサン)は、CFC−215の還元的 カップリングによって合成することができる。CFC−51−10を次に、さら に処理して、例えばヒドロ脱塩素して、他の生成物(例えば、CFC−55−1 0)を形成することができる。 CFC−225からのHFC−55−10の合成。HFC−55−10は、C FC−225(1,1−ジクロロ−2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロパ ン)を還元的カップリングさせて、中間体HFC−153−10(1,1,1, 2,2,5,5,6,6,6−デカフルオロ−3−ヘキセン)を形成することに よって合成することができる。このオレフィンを次に、接触水素化を用いて、水 素化して、所望の生成物を形成する。実施例1−CFC−113aからのHFC−356mffの合成 注射器ポンプ駆動液体供給系、質量流量計制御される水素添加系、反応器、反 応器出口流出液サンプリング系及びオン−ライン/オフ−ラインGC/MS分析 系から成るミクロ反応器(microreactor)を用いて、下記データを得た。保持時間 の関数としてのGC/MSからの総イオン電流(TIC)のプロットにおけるピ ーク下面積は反応器からの流出液の濃度の推定値を与える。CFC−113aは 反応物であり、用いた触媒は炭素担体付き2%ルテニウムであった。表Iに示す 結果は生成物の分析を提供する。これらの結果は、所望の四炭素中間体であるC FC1316mxxの高収率を示す。これらのデータは2LHSV、10:1の H2:CFC−113aのモル比、及び温度の関数としての30psigの圧力 において得たものである。高収率のCFC−1316mxxを得ることができる と、はっきりと知ることができる。プロセス条件下でさらに精製すると、この生 成物の濃度をさらに高めることができる。生成物CFC−1316mxxをさら に接触水素化して、所望のHFC−356mffを得ることができる。 実施例2−単一反応器におけるCFC−113aからのHFC−356mffの 合成 単一反応器に炭素担体付き2%ルテニウム触媒10mlと炭素担体付き2%パ ラジウム触媒10mlとを連続的に装入することによって、HFC−356mf fを合成した。この反応器に10.0のモル比の水素ガス/CFC−113aと 共に、4ml/時の量のCFC−113a(Cl3CCF3)を供給した。反応器 流出液をGC/MSによって特徴づけた。表IIに示したデータは、ルテニウム 触媒含有反応器の入口区分を225℃に維持することによって得られた。反応器 の出口区分の温度は変動した。データは、HFC−356がこの方法で合成でき ることを原理証明する。さらに、この反応の主要副生成物であるF3CCH3(H FC−143a)は好ましい第三世代冷凍流体(refrigeration fluid)である。 実施例3−CFC−123からのHFC−356mffの合成 実施例1のミクロ反応器を用いて、HFC−356mffの先駆体をCFC− 123から合成した。GC/MS結果は四炭素中間体の高収率を示す。表III に示すデータは温度の関数としての転化率と選択性とを提供する。反応物はCF C−123であり、触媒はアルミナ担体付き10%ルテニウムであった。これら のデータは2LHSV、10:1のH2:CFC−123のモル比、及び温度の 関数としての30psigの圧力において得たものである。HCFC−336( CF3CHClCHClCF3)がこの方法で製造することができると、はっきり と知ることができる。プロセス条件下でさらに精製すると、この生成物の濃度を さらに高めることができる。内部炭素原子はキラルであるので、生成物に関して 2ピークが得られ;1ピークはメソ化合物であり、他方のピークはd/1ペア(p air)である。この中間体を接触ヒドロ脱塩素して、所望のHFC−356mff を得ることができる。 実施例4−CFC−215からのHFC−55−10の合成 実施例1のミクロ反応器を用いて、HFC−55−10をCFC−215から 合成した。反応物はCFC−215であり、触媒はアルミナ担体付き15%ルテ ニウムであった。図1に示すデータは、197℃最大反応器温度におけるGC/ MSからの総イオン電流(TIC)を表す。図2はCF3CF2CCl=CClC F2CF3中間体に関するフラグメント化パターンを示す。12.5分〜14分の ピークの両方は実質的に同じフラグメント化パターンを示し、シス異性体とトラ ンス異性体とに関する。図3はMSフラグメント化パターンの分析を示し、中間 体生成物の組成を実証する。GC/MS結果は、好ましい四炭素中間体であるC FC−151−10の高収率を示す。これらのデータは0.1 LHSV、10 :1のH2:CFC−215のモル比、及び温度の関数としての100psig の圧力において得たものである。CFC−151−10を製造することができる と、はっきりと知ることができる。プロセス条件下でさらに精製すると、この生 成物の濃度をさらに高めることができる。 ピーク反応器温度を269℃に高めることによって、HFC−55−10の合 成が実証された。触媒はこの温度において有意な水素化活性とヒドロ脱塩素活性 とを与え、中間体CFC−151−10をHFC−55−10に転化させた。図 4に示すデータは、我々がこの方法によってHFC−55−10を製造したこと を実証する。図5の質量フラグメント化パターンはこの生成物に関する。8.6 分におけるピークがHFC−151−10(CF3CF2CH=CHCF2CF3) として確認された。この生成物もHFC−55−10に水素化することができる 。
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1995年8月14日 【補正内容】 差し替え用紙第1頁、第2頁及び第2a頁の翻訳文 原翻訳文第1頁第1行〜第 2頁第16行(明細書・・・・・一般に必要である。)と差し替える。 明細書 塩素含有分子を結合させて、フッ素含有生成物を合成する方法 発明の背景 クロロフルオロカーボンを代替え生成物によって置換する世界的努力はこのよ うな生成物に関する集中的な研究を生じている。現在、クロロフルオロカーボン (CFC)は、例えば発泡剤、溶剤、冷媒、噴射剤、冷却用流体、作動流体及び リンス剤(rinse agent)のような、用途に広く用いられている。 残念ながら、CFCは成層圏中に拡散するほどに安定であり、最終的に成層圏 で分解して、反応性の塩素含有ラジカルに成る。これらのラジカルは保護オゾン 層を触媒的に分解することが判明している。 EP0499984A1(Daikin Industries)はシリカ担 体付きニッケル触媒上での水素化による、ある一定のフッ素含有エタンのダイマ ー化を開示する。比較例では、シリカ担体付きクロム触媒がこの反応に効果的で はないことを示す。 EP0442087A1(Bayer AG)は適当な触媒上での不飽和フル オロカーボンの気相水素化による無塩素フルオロカーボンの製造を開示する。 発明の概要 単一反応器又は反応器系列において中間体を単離せずに任意に実施することが できる、フッ素含有生成物RCFbc+a-1f+d-1eCR'の本発明による合成 方法によって、クロロフルオロカーボンの代替え物が提供される。この方法は反 応物RCClabcとR'CCldefとを水素と少なくとも1種の触媒との 存在下で結合させることを含み(式中、RとR'はハロゲン、ハロゲン化炭化水 素及び炭化水素から成る群から選択され、RとR'との少なくとも一方はフッ素 を含む、aとdは1〜3の整数であり、b、c、e及びfは0〜2の整数であり 、a、b及びcの合計は3であり、d、e及びfの合計は3である)、さらに、 カップリングした生成物を水素又はフッ素化剤によって処理することを含む。塩 素含有反応物RCClabcとR'CCldefの例はFCl2C−CClF2 、 F3C−CCl3、F3C−CF2−CCl3、F3C−CF2−CCl2、CF2Cl2 、F3C−CHCl2、F3C−CH2Clである。フッ素含有生成物RCFbc+a -1f+d-1eCR'の例は、F3C−CH2−CH2−CF3、F2CH−CHF−C HF−CHF2、F3C−CH2−CH2−CH2−CF3、F3C−CH2−CHF2 及びF3C−CF2−CH2−CH2−CF2−CF3である。 図面の簡単な説明 図1は、CFC−215からCFC−151−10の合成の生成物のガスクロ マトグラフィ−スペクトルである。縦座標は、質量スペクトロスコピ−検出器か らの全イオン電流を示し、横座標は、ガスクロマトグラフの保持時間を示す。 図2は、図1のスペクトルにおける生成物の1つに関する質量スペクトロスコピ −フラグメント化パタ−ンを示す。 図3は、中間体生成物組成を実証するために図2の質量スペクトロスコピ−フ ラグメント化パタ−ンの説明を与える。 図4は、CFC−215からHFC−55−10の合成の生成物のガスクロマ トグラフィ−スペクトルである。 図5は、HFC−55−10に関する図4におけるピークに関する質量フラグ メント化パタ−ンである。 発明の詳細な説明 クロロフルオロカーボンの使用の不利益は、比較的多量のフッ素と少量の塩素 とを置換して化合物の中へ入れることによって及び水素を導入して化合物を低い 濃度(altitude)においてより反応性にすることによって軽減されることができる 。伝統的なCFC生成物の塩素をフッ素と置換することは、沸点を低下させる。 従って、用途によって必要とされる生成物沸点を得るためには、分子中の炭素原 子の数を増加させることが一般に必要である。差し替え用紙第4頁〜第6頁の翻訳文:原翻訳文第3頁第10行〜第5頁第14 行(本発明は・・・・・温度を調節することができる。)と差し替える。 本発明は、水素と触媒との存在下で2種類の塩素含有反応物を結合させて、少 なくとも1種類の中間体RCFghCliCljklR'を形成し、次に、任意 の第2触媒の存在下で、この中間体をフッ素化剤又は水素及び触媒のいずれかで 処理して、フッ素含有生成物を形成することを含むフッ素含有生成物の製造方法 をも考慮する、上記式中、g,h及びiの合計は1から2までの整数であり、j ,k及びlの合計は1から2までの整数であり、g,h,i,j,k及びlは0 から1までの整数である。 カップリング反応に用いられた触媒は、第VIII族金属であり、ニッケル、 ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、鉄又はコ バルトからなる群から選択することができる。触媒は、アルミナ、炭素、酸化ク ロム、オキシフッ化クロム、フッ化クロムのような高表面積担体上に分散させる ことができる、又は触媒は、担体なしの高表面積金属酸化物、金属フッ化物又は 元素状金属として用いることができる。カップリング反応のための好ましい触媒 は、例えばアルミナ又は炭素のような高表面積担体上に分散された還元ルテニウ ム触媒である。 カップリング反応における反応物に対する水素のモル比は0.5から10まで 変化することができ、圧力は周囲圧力から6895kPaゲージ(1,000p sig)まで変化することができ、液体毎時空間速度(LHSV)は0.1から 10まで変化することができる。反応は20℃から500℃までの範囲内、好ま しくは100℃から250℃までの範囲内、最も好ましくは150℃から200 ℃までの範囲内の温度で実施することができる。実質的な反応が生じて、200 ℃未満の温度において実質的な転化及び選択性をもたらす。 さらに、フッ素含有生成物を水素及び任意の第2触媒で処理することは、生成 物をヒドロフルオロカーボンに還元する。フッ素化剤での処理は、ヒドロフルオ ロカーボン又はペルフルオロアルカンをもたらす。水素処理のために選択された 触媒は、カップリング反応のために用いた触媒と同じでも、又はアルミナ若しく は炭素のような高表面積担体上に実質的な水素化分解活性を与えると知られた金 属から選択してもよい。最も好ましい金属は例えば白金、コバルト、ニッケル、 イリジウム、ルテニウム及びパラジウムのような第VIII金属を含み、これら の金属はレニウム、イリジウム、コバルト及びニッケルを非限定的に含むプロモ −ターによって改質されることができる。或いは、金属を硫黄、ゲルマニウム又 はスズを非限定的に含む成分によって減衰させる(attenuated)ことができる。水 素化反応は、0.05から10までの範囲内、好ましくは0.2から1.0まで の範囲内の液体毎時空間速度(LHSV)、20℃から550℃まで、好ましく は100℃から350℃までの範囲内の温度、及び6.895kPa(0psi g)から13,789kPa(2000psig)まで、好ましくは207kP a(30psig)から2,968kPaゲージ(300psig)までの範囲 内の圧力において実施することができる。 フッ素化剤は、フッ化水素、フッ化ウラン、元素状フッ素又はフッ化物塩から なる群から選択されることができる。フッ化物塩の例は、フッ化カリウム、フッ 化ナトリウム及びフッ化セシウムである。ヒドロフッ素化(hydrofluorination) 触媒はクロムに基づく不均一系、フッ化水素中での五ハロゲン化アンチモンとの 液相接触に基づく触媒系、又はフッ化水素中でのエレクトロフッ素化(electrofl uorination)であることができる。ヒドロフッ素化反応は0.05〜5の範囲内 、好ましくは0.1〜1.0の範囲内の液体毎時空間速度(LHSV)、100 ℃〜450℃、好ましくは250℃〜350℃の範囲内の温度、及び6.895 kPaゲージ(0psig)〜3,477kPa(500psig)、好ましく は345kPaゲージ(50psig)〜1379kPa(200psig)の 範囲内の圧力において実施することができる。しかし、フッ素化剤が元素状フッ 素である場合には、この反応は触媒なしで、−50℃〜+100℃,好ましくは −20℃〜+20℃の範囲内の温度において実施することが好ましい。 さらに、酸触媒異性体化を避けるために、例えばアルカリ金属のような塩基性 物質によって担体の酸性性質を除去することかできる。例えば、リチウム、ナト リウム又はカリウムを、いずれかの反応に関して又は両方の反応に関して、アル ミナに加えることができる。 最初に塩素含有反応物を水素及び触媒の存在下でカップリングさせて、中間体 化合物を形成し、この中間体を例えば蒸留、膜、吸収剤又は他の分離装置のよう な手段によって単離し、次にこの中間体を任意の第2触媒と共に水素、例えば元 素状フッ素のようなフッ素化剤、又は例えばフッ化水素のようなヒドロフッ素化 剤によって処理して、フッ素含有生成物を形成することによって、新規なフッ素 含有生成物を合成することができる。或いは、単一反応器又は反応器系列におい て、中間体を単離せずに、フッ素含有生成物を合成して、さらに水素又はフッ素 化剤によって処理することができる。反応器系列と共に熱交換里を用いて、温度 を調節することができる。差し替え用紙第9頁〜第13頁の翻訳文:原翻訳文第7頁第10行〜第12頁第 6行(HFC−356mffはまた、・・・・・はっきりと知ることができる。 )と差し替える。 HFC−356mffはまた、CFC−113aのカップリングによってHF C−338と共に同時に製造されるが、反応器のプロセス条件を変えることによ って生成物の比を調節することができる。同時製造はいずれかの生成物単独の製 造に比べて経済性を向上させると期待される。 CFC−113aからのHFC−356mff及び/又はFC−31−10の 合成。HFC−356mff及び/又はFC−31−10(ペルフルオロブタン )は、CFC−113aをカップリングさせて、実質的な量のCFC−316( F3CCCl2CCl2CF3)を形成することによって、合成することができる。 CFC−316を次に、HF中でエレクトロフッ素化して、FC−31−10を 製造するか、又は水素によって処理して、HFC−356mffを製造すること ができる。CFC−316をカップリングさせることによって、HFC−356 mffとFC−31−10とを同時に製造することができ、反応器のプロセス条 件を変えることによって生成物の比を調節することができる。 CFC−113aからのHFC−346mdfの合成。HFC−346mdf( 1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−クロロブタン)は、CFC−1 13a(1,1,1−トリクロロ−2,2,2−トリフルオロエタン)をカップ リングさせて、四炭素オレフィンCFC−1316mxx(F3CCCl=CC lCF3)を形成することによって、合成することができる。このオレフィンを 次に、部分的にヒドロ脱塩素して(hydrodechlorinated)、HFC−346mdf を形成することができる。 CFC−113aとCFC−215とからのCFC−1418の合成。CFC −1418(2,3−ジクロロオクタフルオロ−2−ペンテン)は、CFC−1 13aとCFC−215(CF3CF2CCl3)との還元的カップリング(reduct ively coupling)によって合成することができる。CFC−1418をさらに処 理して、例えばヒドロ脱塩素及び/又はフッ素化して、他の生成物、例えばCF C−43−10(1,1,1,2,2,3,4,5,5,5−デカフルオロペン タン)、HFC−458(1,1,1,2,2,5,5,5−オクタフルオロペ ンタン)、又はFC−41−12(ペルフルオロペンタン)を形成することがで きる。 CFC−113aとCFC−225とからのCFC−1418の合成。CFC −1418は、CFC−113aとCFC−225(1,1−ジクロロ−2,2 ,3,3,3−ペンタフルオロプロパン)との還元的カップリングによって合成 することができる。CFC−1418を上述のようにさらに処理することができ る。 CFC−12とCFC−113aとからのHFC−245faの合成。HFC −245fa(1,1,1,3,3−ペンタクロロプロパン)は、CFC−12 とCFC−113aとをカップリングさせて、三炭素オレフィン(CFC−12 15,F3CCCl=CF2)を形成することによって合成することができる。こ のオレフィンを、接触水素化を用いて、水素化して、所望の生成物を形成する。 CFC−113aの還元的カップリング反応はCFC−12の還元的カップリン グ反応よりも非常に迅速であるので、クロスカップリング(cross-coupling)を促 進し、2個のCFC−113a分子のカップリングを減ずるために、装入材料ス トック(charge stock)中のCFC−12:CFC−113aの高い比が好ましい 。 CFC−123からのHFC−356mff及び/又はHFC−338の合成 。HFC−356mff及び/又はHFC−338は、CFC−123(1,1 −ジクロロ−2,2,2−トリフルオロエタン)をカップリングさせて、四炭素 中間体(HCFC−336,F3CCHClCHClCF3)を形成することによ って合成することができる。この中間体を次に、接触水素化を用いて、ヒドロ脱 塩素して、所望の生成物を形成する。 CFC−12とCFC−123とからのHFC−245faの合成。HFC− 245faは、CFC−123(1,1−ジクロロ−2,2,2−トリフルオロ エタン)とCFC−12(ジクロロジフルオロメタン)とのカップリングによっ て、合成することができる。この分子をカップリングさせて、三炭素オレフィン (HFC−1225,F3CCH=CF2)を形成する。この三炭素オレフィンを 次に、接触水素化を用いて、水素化して、所望の生成物を形成する。CFC−1 23の還元的カップリング反応はCFC−12の還元的カップリング反応よりも 非常に迅速であると思われるので、クロスカップリングを促進し、2個のCFC −123分子のカップリングを減ずるために、装入材料ストック中のCFC−1 2:CFC−123の高い比が好ましく用いられる。 HCFC−133aからのHFC−356mffの合成。HFC−356mf f(1−クロロ−2,2,2−トリフルオロエタン)の還元的カップリングによ って合成することができる。 CFC−214からのHCFC−558とHFC−578との合成。HCFC −558(ClCF2CF2CH2CH2CF2CF2Cl)とHFC−578(HC F2CF2CH2CH2CF2CF2H)とは、CFC−214(ClCF2CF2CC l3)をカップリングさせて、六炭素オレフィン(CFC−1518,ClCF2 CF2CCl=CClCF2CF2Cl)を形成することによって合成することが できる。このオレフィンを次に、接触水素化を用いて、水素化して、所望の生成 物を形成する。 CFC−215からのHFC−55−10の合成。HFC−55−10(1, 1,1,2,2,5,5,6,6,6−デカフルオロヘキサン)は、CFC−2 15(CF3CF2CCl3)をカップリングさせて、六炭素オレフィン(CFC −151−10,F3CF2CCl=CClCF2CF3)を形成することによって 合成することができる。このオレフィンを次に、接触水素化を用いて、水素化し て、所望の生成物を形成する。 CFC−215からのCFC−51−10の合成。CFC−51−10(3, 3,4,4−テトラクロロデカフルオロヘキサン)は、CFC−215の還元的 カップリングによって合成することができる。CFC−51−10を次に、さら に処理して、例えばヒドロ脱塩素して、他の生成物(例えば、CFC−55−1 0)を形成することができる。 CFC−225からのHFC−55−10の合成。HFC−55−10は、C FC−225(1,1−ジクロロ−2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロパ ン)を還元的カップリングさせて、中間体HFC−153−10(1,1,1, 2,2,5,5,6,6,6−デカフルオロ−3−ヘキセン)を形成することに よって合成することができる。このオレフィンを次に、接触水素化を用いて、水 素化して、所望の生成物を形成する。実施例1−CFC−113aからのHFC−356mffの合成 注射器ポンプ駆動液体供給系、質量流量計制御される水素添加系、反応器、反 応器出口流出液サンプリング系及びオン−ライン/オフ−ラインGC/MS分析 系から成るミクロ反応器(microreactor)を用いて、下記データを得た。保持時間 の関数としてのGC/MSからの総イオン電流(TIC)のプロットにおけるピ ーク下面積は反応器からの流出液の濃度の推定値を与える。CFC−113aは 反応物であり、用いた触媒は炭素担体付き2%ルテニウムであった。表Iに示す 結果は生成物の分析を提供する。これらの結果は、所望の四炭素中間体であるC FC1316mxxの高収率を示す。これらのデータは2LHSV、10:1の H2:CFC−113aのモル比、及び温度の関数としての207kPaゲージ (30psig)の圧力において得たものである。高収率のCFC−1316m xxを得ることができると、はっきりと知ることができる。プロセス条件下でさ らに精製すると、この生成物の濃度をさらに高めることができる。生成物CFC −1316mxxをさらに接触水素化して、所望のHFC−356mffを得る ことができる。 実施例2−単一反応器におけるCFC−113aからのHFC−356mffの 合成 単一反応器に炭素担体付き2%ルテニウム触媒10mlと炭素担体付き2%パ ラジウム触媒10mlとを連続的に装入することによって、HFC−356mf fを合成した。この反応器に10.0に等しいモル比の水素ガス/CFC−11 3aと共に、4ml/時の量のCFC−113a(Cl3CCF3)を供給した。 反応器流出液をGC/MSによって特徴づけた。表IIに示したデータは、ルテ ニウム触媒含有反応器の入口区分を225℃に維持することによって得られた。 反応器の出口区分の温度は変動した。データは、HFC−356がこの方法で合 成できることを原理証明する。さらに、この反応の主要副生成物であるF3CC H3(HFC−143a)は好ましい第三世代冷凍流体(refrigeration fluid)で ある。 実施例3−CFC−123からのHFC−356mffの合成 実施例1のミクロ反応器を用いて、HFC−356mffの先駆体をCFC− 123から合成した。GC/MS結果は四炭素中間体の高収率を示す。表III に示すデータは温度の関数としての転化率と選択性とを提供する。反応物はCF C−123であり、触媒はアルミナ担体付き10%ルテニウムであった。これら のデータは2LHSV、10:1のH2:CFC−123のモル比、及び温度の 関数としての207kPaゲージ(30psig)の圧力において得たものであ る。HCFC−336(CF3CHClCHClCF3)がこの方法で製造するこ とができると、はっきりと知ることができる。差し替え用紙第15頁の翻訳文:原翻訳文第12頁第2行〜第13頁第12行( これらのデータは・・・・・水素化することができる。)と差し替える。 これらのデータは0.1 LHSV、10:1のH2:CFC−215のモル 比、及び温度の関数としての2068kPaゲージ(300psig)の圧力に おいて得たものである。高収率のCFC−151−10を製造することができる と、はっきりと知ることができる。プロセス条件下でさらに精製すると、この生 成物の濃度がさらに上昇する。 ピーク反応器温度を269℃に高めることによって、HFC−55−10の合 成が実証された。触媒はこの温度において有意な水素化活性とヒドロ脱塩素活性 とを与え、中間体CFC−151−10をHFC−55−10に転化させた。図 4に示すデータは、我々がこの方法によってHFC−55−10を製造したこと を実証する。図5の質量フラグメント化パターンをこの生成物に関する。8.6 分におけるピークがHFC−151−10(CF3CF2CH=CHCF2CF3) として確認された。この生成物もHFC−55−10に水素化することができる 。 請求の範囲 (請求項1〜3は補正なし) 4.第1触媒がアルミナ及び炭素から成る群から選択される高表面積担体上 に分散された還元ルテニウム触媒である請求項1記載の方法。 5.フッ素化剤がフッ化水素、フッ化ウラン、元素状フッ素、フッ化カリウ ム、フッ化ナトリウム及びフッ化セシウムから成る群から選択される請求項1記 載の方法。 6.第2触媒が、白金、コバルト、ニッケル、イリジウム、ルテニウム及び パラジウムから選択される第VIII族金属から成る群から選択され、ルテニウ ム、イリジウム、コバルト及びニッケルから成る群から選択されるプロモーター によって任意に改質され、かつ硫黄、ゲルマニウム又はスズから成る群から選択 される減衰剤によって任意に改質される請求項1記載の方法。 7.RとR'が−CF3、−CCl2F、−CF2CF3、−CF2CF2CF3、 −F、−Cl、塩素含有アルキル基、フッ素含有アルキル基、塩素含有芳香族化 合物及びフッ素含有芳香族化合物から成る群から選択される請求項1記載の方法 。 8.水素と触媒との存在下で2種類の塩素含有反応物を結合させて、少なく とも1種類の中間体RCFghCliCljklR'を形成し、次に、任意の第 2触媒の存在下で、この中間体をフッ素化剤によって又は水素及び触媒によって のいずれかで処理して、フッ素含有生成物を形成する請求項1記載の方法[上記 式中、g,h及びiの合計は1から2までの整数であり、j,k及び1の合計は 1から2までの整数であり、g,h,i,j,k及び1は0から1までの整数で ある]。 【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1995年10月27日 【補正内容】 請求の範囲 1.2種類の塩素含有反応物RCClabcとR'CCldefとを水素 と、アルミナ、炭素、酸化クロム、オキシフッ化クロム、フッ化クロムから成る 群から選択される高表面積担体上に任意に分散させたルテニウムの第1触媒との 存在下でカップリングさせ、さらに、カップリングした生成物を水素又はフッ素 化剤によって任意に第2触媒の存在下で処理して、フッ素含有生成物を形成する ことによるフッ素含有生成物RCFbc+a-1f+d-1eCR'の製造方法[上記 式中、RとR'はハロゲン、ハロゲン化炭化水素及び炭化水素から成る群から選 択され、RとR'との少なくとも一方はフッ素を含み、aとdは1〜3の整数で あり、b、c、e及びfは0〜2の整数であり、a、b及びcの合計は3であり 、d、e及びfの合計は3である]。 2.フッ素含有生成物が、F3C−CH2−CH2−CF3、F2CH−CHF −CHF−CHF2、HF2C−CHF−CHF−CF2H、F3C−CHCl−C H2−CF3、F3C−CF2−CF2−CF3、F3C−CCl2−CH2−CF3、F3 C−CH2−CH2−CH2−CF3、F3C−CF2−CHF−CHF−CF3、F3 C−CF2−CF2−CF2−CF3、F3C−CH2−CHF2、F3C−CF2−C H2−CH2−CF2−CF3、ClF2C−CF2−CH2−CH2−CF2−CF2C l及びHF2C−CF2−CH2−CH2−CF2−CF2Hから成る群から選択され る請求項1記載の方法。 3.塩素含有反応物がFCl2C−CClF2、F3C−CCl3、F3C−C F2−CCl3、F3C−CF2−CHCl2、ClCF2CF2Cl3、CF2Cl2、 F3C−CHCl2及びF3C−CH2Clから成る群から選択される請求項1記載 の方法。 (請求項4〜8は補正なし)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AP(KE,MW,SD),AM,AU, BB,BG,BR,BY,CA,CN,CZ,FI,G E,HU,JP,KG,KP,KR,KZ,LK,LT ,LV,MD,MG,MN,NO,NZ,PL,RO, RU,SI,SK,TJ,TT,UA,UZ,VN (72)発明者 ヴァン・デー・ピュイ,マイケル アメリカ合衆国ニューヨーク州14227― 1344,チークトワガ,ジョアン・レーン 32 (72)発明者 カイザー,マーク アメリカ合衆国イリノイ州60513,ブルッ クフィールド,オーク・アベニュー 3537 (72)発明者 ワン,リ アメリカ合衆国イリノイ州60108,ブルー ミンデール,ファーンウッド・レーン 130

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.2種類の塩素含有反応物RCClabcとR'CCldefとを水素 と第1触媒との存在下でカップリングさせ、さらに、カップリングした生成物を 水素又はフッ素化剤によって任意に第2触媒の存在下で処理して、フッ素含有生 成物を形成することによるフッ素含有生成物RCFbc+a-1f+d-1eCR'の 製造方法[上記式中、RとR'はハロゲン、ハロゲン化炭化水素及び炭化水素か ら成る群から選択され、RとR'との少なくとも一方はフッ素を含む、aとdは 1〜3の整数であり、b、c、e及びfは0〜2の整数であり、a、b及びcの 合計は3であり、d、e及びfの合計は3である]。 2.フッ素含有生成物が、F3C−CH2−CH2−CF3、F2CH−CHF −CHF−CHF2、HF2C−CHF−CHF−CF2H、F3C−CHCl−C H2−CF3、F3C−CF2−CF2−CF3、F3C−CCl2−CH2−CF3、F3 C−CH2−CH2−CH2−CF3、F3C−CF2−CHF−CHF−CF3、F3 C−CF2−CF2−CF2−CF3、F3C−CH2−CHF2、F3C−CF2−C H2−CH2−CF2−CF3、ClF2C−CF2−CH2−CH2−CF2−CF2C l及びHF2C−CF2−CH2−CH2−CF2−CF2Hから成る群から選択され る請求項1記載の方法。 3.塩素含有反応物がFCl2C−CClF2、F3C−CCl3、F3C−C F2−CCl3、F3C−CF2−CHCl2、ClCF2CF2Cl3、CF2Cl2、 F3C−CHCl2及びF3C−CH2Clから成る群から選択される請求項1記載 の方法。 4.第1触媒がニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム 、イリジウム、白金、鉄又はコバルトから成る群から選択される第VIII族金 属から成る群から選択され、アルミナ、炭素、酸化クロム、オキシフッ化クロム 、フッ化クロムから成る群から選択される高表面積担体上に任意に分散される請 求項1記載の方法。 5.第1触媒がアルミナ及び炭素から成る群から選択される高表面積担体上 に分散された還元ルテニウム触媒である請求項4記載の方法。 6.フッ素化剤がフッ化水素、フッ化ウラン、元素状フッ素、フッ化カリウ ム、フッ化ナトリウム及びフッ化セシウムから成る群から選択される請求項1記 載の方法。 7.第2触媒が、白金、コバルト、ニッケル、イリジウム、ルテニウム及び パラジウムから選択される第VIII族金属から成る群から選択され、ルテニウ ム、イリジウム、コバルト及びニッケルから成る群から選択されるプロモーター によって任意に改質され、かつ硫黄、ゲルマニウム又はスズから成る群から選択 される減衰剤によって任意に改質される請求項1記載の方法。 8.RとR'が−CF3、−CCl2F、−CF2CF3、−CF2CF2CF3、 −F、−Cl、塩素含有アルキル基、フッ素含有アルキル基、塩素含有芳香族化 合物及びフッ素含有芳香族化合物から成る群から選択される請求項1記載の方法 。 9.水素と触媒との存在下で2種類の塩素含有反応物を結合させて、少なく とも1種類の中間体RCFghCliCljklR'を形成し、次に、任意の第 2触媒の存在下で、この中間体をフッ素化剤又は水素及び触媒のいずれかで処理 して、フッ素含有生成物を形成する、フッ素含有生成物の製造方法[上記式中、 g,h及びiの合計は1から2までの整数であり、j,k及び1の合計は1から 2までの整数であり、g,h,i,j,k及び1は0から1までの整数である] 。
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