JPH09500501A

JPH09500501A - 伝送線からの電力を伝送線上のノードに結合する電力結合器

Info

Publication number: JPH09500501A
Application number: JP7504527A
Authority: JP
Inventors: バウマン，ドナルド・ディ
Original assignee: エシャロン・コーポレーション
Priority date: 1993-07-14
Filing date: 1994-05-03
Publication date: 1997-01-14
Also published as: DE69432178T2; US5424710A; WO1995002936A1; CN1130008A; EP0709010A4; EP0709010A1; EP0709010B1; DE69432178D1; AU6823794A; CN1071975C

Abstract

(57)【要約】撚り線対（２０、２２）などの２導体伝送線ネットワーク自体からそのネットワークのノードへの直流電力供給が、ネットワークにおける信号レベルの大きな低下なしに、またはネットワークから信号を受信し、もしくはネットワークへ信号を送信するノードの性能を妨害せずに、可能になるように、ノードをネットワークに接続するためのノード電力分離器。電力分離器（２６ａ、２６ｂ）を通る電流の流れは各伝送線（２０、２２）と直列にノード接続部に結合されているトランジスタ（３４）を通る。そのトランジスタ（３４）のベース−エミッタ間電圧は、その両端間に接続されているコンデンサ（４０）によって直接に、または別のトランジスタ（４２）のベースとエミッタの間に接続されているコンデンサ（４８）を有する別の回路によって、あるいはその両方によって、当該の信号周波数でほぼ一定となるようにクランプされる。種々の実施形態を開示する。

Description

【発明の詳細な説明】伝送線からの電力を伝送線上のノードに結合する電力結合器発明の背景１．発明の分野本発明はトランシーバおよびトランシーバ・モジュール、とくに撚り線対と知能セルの間のインタフェースを行い、かつデータ伝送媒体を介しての電力分配を行うトランシーバおよびトランシーバ・モジュールに関するものである。２．従来技術米国特許第４９１８６９０号に記載されているネットワークなど、検出、通信および制御を行う分散型知能ネットワークが知られている。このネットワークは複数のノードを備え、各ノードは、セルと、撚り線対などの共通媒体に接続されたトランシーバを含む。そのようなネットワーク用のトランシーバおよび関連する部品が米国特許第５１４８１４４号およびＥｃｈｅｌｏｎＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎによって１９９１年８月に出版された「ニューロン・チップによる撚り線対トランシーバを実現する（ＩｍｐｌｅｍｅｎｔｉｎｇＴｗｉｓｔｅｄ−ＰａｉｒＴｒａｎｓｃｅｉｖｅｒｓｗｉｔｈＮｅｕｒｏｎＣｈｉｐｓ）」と題する出版物に記載されている。本明細書を読むにつれてわかるように、本発明は、ノードを撚り線対伝送線に接続できるようにして、それに対する直流と低周波の低インピーダンスの結合を行い、それによって、伝送線からノードへの電力供給を直接行えるようにすると同時に、データ伝送の周波数帯における線のインピーダンスを高くして、伝送線に大きな負荷をかけず、かつ伝送線とノードの間でデータの交流結合を行えるようにするものである。発明の簡単な概要ネットワークにおける信号レベルの大きな低下なしに、またはネットワークから信号を受信し、もしくはネットワークへ信号を送信するノードの性能を妨害せずに、ネットワーク自体からそのネットワークのノードへの直流電力供給ができるように、撚り線対などの２導体伝送線ネットワークのノードをネットワークに接続するためのノード電力分離器。電力分離器を通る電流の流れは各伝送線と直列にノード接続部に結合されているトランジスタを通る。そのトランジスタのベース−エミッタ間電圧は、その両端間に接続されているコンデンサによって直接に、または別のトランジスタのベースとエミッタの間に接続されているコンデンサを有する別の回路によって、あるいはその両方によって、当該の信号周波数でほぼ一定となるようにクランプされる。種々の実施形態を開示する。図面の簡単な説明第１図は本発明を使用することを意図する環境を示すブロック図である。第２図は第１図の極性ブリッジ２４の回路図である。第３図はツェナーダイオードに非常に似た動作をするように接続されたＮＰＮトランジスタを示す回路図である。第４図は第３図の回路の直流電圧−電流特性を示す曲線である。第５図はコンデンサを付加した第３図の回路図である。第６図は、第５図の回路のダイナミック・インピーダンスの周波数による変化を示すグラフである。第７図は、本発明のトランジスタ部の縦続接続を示す回路図である。第８図は、各導電型のトランジスタを１つ使用する、第７図の回路に類似する２トランジスタ回路を示す図である。第９図は、第８図の回路をもう１セクションだけ拡張した回路図である。第１０図は、本発明のノード電力分離器の低インピーダンスを、ほぼ５００Ｈｚまでは十分に低く保ち、約５ＫＨｚで高ダイナミック・インピーダンス特性へと比較的完全にシフトさせ、少なくとも１５０ＫＨｚまではその高ダイナミック・インピーダンス・レベルを維持することが望まれる、本発明の意図する用途における本発明の所望の性能を示す曲線である。第１１図は、逆導体型のトランジスタで実現した第９図の回路図である。第１２図は、ソース電源６４を介した伝送線２０と２２へのソース電源の結合を示すブロック図である。発明の詳細な説明本発明を使用することを意図する環境を示す第１図をまず参照する。そこに示すように、一対のネットワーク線２０、２２、典型的には簡単な撚り線対が極性ブリッジ２４に接続されている。ただし、他の形式の導体対も使用できる。ネットワーク線２０、２２の間に直流電圧が加えられている。ネットワークでデータを伝送している間は、交流データ伝送信号がそれに重畳される。好適な実施形態においては、４２ボルトの直流電圧がネットワーク内部のある場所で線２０と２２の間に維持されるが、第１図に表されているような任意の特定のノード場所では、ネットワーク上の負荷のために、直流電圧がいくらか低くなることがある。同様に、線における交流信号レベルは、２５０ミリボルトＲＭＳ程度であるが、やはり任意の特定のノードでは、交流信号レベルは、線の長さ、線におけるノードの数、特定のノードに伝送するノードの相対位置などに応じて、かなりの量だけ低くなることがある。一般に、線２０と２２の間に印加される交流信号は差分信号であって、１つの線における信号部分が他の線における信号部分と等しく、位相が逆であるので、受信ノードにおいて線間の交流電圧の差としてそれを検出できる。各ノードにおける受信器は、両方の線上に等しく同位相で加えられるノイズの影響を比較的受けにくいため、これによって同相分除去性能が高くなる。極性ブリッジ２４は第２図に示すように単なる全ダイオード・ブリッジである。これによって、極性には無関係に各ノードをネットワークに接続できる。極性ブリッジの出力の正側と負側がノード電力分離器２６に接続され、極性ブリッジの正出力端子は正側ノード電力分離器２６ａに接続され、極性ブリッジ２４の負出力端子は負側ノード電力分離器２６ｂに接続される。ノード電力分離器は直流 −直流変換器２８に接続される。その詳細については後で説明する。これはノード電力分離器の直流電圧出力を、トランシーバ３０と、おそらく、各種のセンサなどのノードに関連するその他の機器等を動作させるために、通常は５ボルトまで逓減する。ネットワーク線２０、２２との間で信号をやり取りするために、トランシーバ３０はコンデンサ３２を介して伝送線に結合される。極性ブリッジ２４は、極性ブリッジの出力における交流負荷に応じて２本のネットワーク線の間に交流負荷をかけるので、同一の構成であることが好ましいノード電力分離器２６ａと２６ｂは、直流−直流変換器２８に直流電力を好ましくはネットワーク線自体のインピーダンスより著しく高くないインピーダンスで結合することが重要である。同時に少なくとも該当する信号周波数範囲内で、極性ブリッジ２４の出力に対して高い交流インピーダンスを与えることが重要である。好適な実施形態においては、信号周波数は約５ＫＨｚないし１５０ＫＨｚの帯域内である。なお、このようなネットワークの詳細は、本発明の譲受人に譲渡された１９９３年４月２０日出願の「撚り線対と知能セルの間でインタフェースするための方法および装置（Ｍｅｔｈｏｄ＆ＡｐｐａｒａｔｕｓｆｏｒＩｎｔｅｒｆａｃｉｎｇＢｅｔｗｅｅｎａＴｗｉｓｔｅｄＰａｉｒａｎｄａｎＩｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔＣｅｌｌ）」と題する同時係属の米国特許出願第０８／０４９５３４号に開示されている。次に第３図を参照する。この図には、コレクタとベースの間に抵抗３６が接続され、ベースとエミッタの間に第２の抵抗３８が接続されているＮＰＮトランジスタ３４が示されている。一般に、トランジスタの両端間の電圧差Ｖ_A−Ｖ_B（正であると仮定する。Ｖ_Aは回路の正側、Ｖ_Bは回路の負側）が、トランジスタのベースを電圧Ｖ_BE、シリコン・トランジスタでは通常は約０．７ボルト、にバイアスするために必要な電圧より低い場合、このトランジスタはオフとなる。更に詳しくいえば、Ｖ_A−Ｖ_BにＲ₃₈を掛けた積をＲ₃₆とＲ₃₈の和で割った商がトランジスタのターン・オン・ベース−エミッタ間電圧Ｖ_BEより小さいとき、回路を流れる電圧は、トランジスタ中を流れる比較的小さい漏れ電流と、抵抗３６と３８の直列組合せを流れる電流との和に等しい。抵抗３６と３８は比較的高抵抗値の抵抗であるので、その中を流れる電流は比較的小さく、第４図からわかるように、その両端間の電圧に比例する。Ｖ_A−Ｖ_Bが、トランジスタ３４がターン・オンを開始する値に達すると、回路の両端間の電圧はそれ以上に変化することに抵抗しようとする。このトランジスタ中を流れる、したがって回路全体を流れる電流は、Ｖ_A−Ｖ_Bの非常に小さい変化に対して、大きく変化することができる。この領域では、ダイナミック抵抗値、すなわち、電流の変化に対する電圧の変化ΔＶ／ΔＩは非常に小さい。第５図に示すように、第３図のトランジスタ３４のベースとエミッタの間にコンデンサを付加した場合、この回路の特性は周波数に依存することになる。低い周波数では、コンデンサ４０のインピーダンスが抵抗３６と３８の抵抗値およびトランジスタの見掛けのコレクタ・インピーダンス、１／ｈ_oeよりはるかに高くなり、この回路の特性は第４図を参照して前に説明したのと同様になる。動作に際しては、第１図の直流−直流変換器が要求する電流が、装置全体の電流負荷容量の範囲内で、第４図の曲線の比較的平坦な部分のどこかに、回路のバイアスおよび動作点を決定する。その後、ネットワークにおける、コンデンサ４０のインピーダンスが抵抗３６と３８の抵抗値（およびトランジスタの見掛けのベース・インピーダンス）よりずっと小さくなる十分に高い周波数を持つネットワークの交流信号に関しては、コンデンサ４０はトランジスタのベース−エミッタ間電圧をその定常状態値すなわち低周波値に基本的にクランプする。これは、基本的にトランジスタが電流源または電流シンクに見えるように、トランジスタ中を流れる電流を低周波値すなわち直流動作値にクランプして、ノードに電力を供給するために必要な電流を流すが、電圧差Ｖ_A−Ｖ_Bの高周波変動にはほとんど左右されない。それらのより高い周波数では、ダイナミック・インピーダンス△Ｖ／ΔＩは高く、したがって、高周波における電圧変化に対する電流の変化は非常に小さい。これを第６図に示す。この図で、低周波ではダイナミック・インピーダンスは低く、コンデンサのインピーダンスが回路の当該の部分で支配的になる周波数まで周波数が高くなるとき、比較的高いインピーダンスに変化する。ベース−エミッタ間電圧の非常に小さい変化によって、トランジスタ内部で比較的大きい電流変化が生ずることになるので、希望の目的を達成するには、所望の周波数でベース −エミッタ間電圧を効果的にクランプするためにコンデンサ４０の容量を大きくする必要がある。しかし、図示のＮＰＮトランジスタでは、動作中はベース電圧はエミッタに対して常に正であるので、コンデンサ４０は極性を有するコンデンサとすることができ、それによってコンデンサの必要な物理寸法が小さくなる。更に、もちろん、シリコン・トランジスタのベース−エミッタ間電圧は０．７ボルトより非常に高く上昇することは決してないので、定格電圧が低いコンデンサを使用できる。この場合も所望の容量値に対するコンデンサの物理寸法がやはり小さくなる。第５図の回路における抵抗３６、３８の正味の効果は、トランジスタのベースを直流バイアスして、コレクタとエミッタの間の電圧上昇の結果として増加する量の電流をトランジスタに流すようにベースに接続される手段となり、かつコンデンサがトランジスタのベースとコレクタの間の交流減結合を行う。その交流減結合はある周波数で支配的になり、その周波数より高い周波数でトランジスタを流れる電流が大きく変化するのが防止される。しかし、そのベースとエミッタの間の電圧がほぼ一定であるため、第７図に示すように、それら２つの機能を達成する手段自体は類似の回路をトランジスタ３４のベースに縦続接続することによって形成することができる。この場合、第２のＮＰＮトランジスタ４２が電流をトランジスタ３４のベースに供給する。この第２のトランジスタは抵抗４４と４６によって直流バイアスされている。この回路では、コンデンサ４８がトランジスタ４２のベースとＶＢ接続部の間に接続され、そのコンデンサを、トランジスタ４２のベース−エミッタ間電圧とトランジスタ３４のベース−エミッタ間電圧の直列組合せに実効的に接続する。なお、第７図に示す回路に類似の回路では、トランジスタ４２はトランジスタ３４より通常はるかに小さくなり、２個のトランジスタにおける動作電流密度がほぼ同じになるように、おそらく比例することになる。そうすると、動作中は２個のトランジスタのＶ_BE′ｓがほぼ同じになる。更に、トランジスタ３４のベースとエミッタの間に抵抗５０とコンデンサ５２が接続される。抵抗５０はトランジスタ４２の漏れ電流のドレインとなり、単なる漏れ電流によるトランジスタ３４の意図しないターンオンが避けられる。また、抵抗５０とコンデンサ５２とトランジスタのベース・インピーダンスが、周波数依存ＲＣ回路を構成する。このＲＣ回路はさらに、より高い周波数においてトランジスタ３４のベース−エミッタ間電圧を変化しないようにクランプして、第６図のインピーダンス対周波数曲線の、低周波、低インピーダンス特性から高周波、高インピーダンス特性への遷移を鋭くする。第７図には、トランジスタ３５と、トランジスタ３４のエミッタに直列接続されている抵抗３７とから構成された電流制限回路もされている。抵抗３７は、所定の電流限界に達したとき、抵抗３７の両端間電圧降下が始まってトランジスタ３５をオンにするように選択する。そうするとトランジスタ４２のベース電圧が低く保たれ、トランジスタ４２と３４がオンである範囲を制限し、回路を流れる電流を制限しようとする。この回路は電流をほぼ０．７／Ｒ₃₇ ａｍｐに制限する。また、抵抗３７が存在すると回路の直流インピーダンスが高くなるが、回路が正しく動作するための適切な範囲内で、交流インピーダンスの比例的な望ましい上昇が起こる。第７図の回路は、トランジスタ４２のベース−エミッタ間電圧とトランジスタ３４のベース−エミッタ間電圧を直列に接続して、トランジスタ４２のベースを動作中約１．４ボルトにする。トランジスタ４２のベースをバイアスするのにいくらかが必要なので、通常は第７図の回路全体が正常な動作電流で約２ボルトの直流電圧降下Ｖ_A−Ｖ_Bを生ずる。しかし、同じ導電型ではなくて、第８図に示すように逆導電型のトランジスタを２個用いると、この電圧降下を小さくできる。この場合は、主電流を流すＮＰＮトランジスタ３４のベースが、第７図に示すように、抵抗５０とコンデンサ５２の並列組合せを介してそのエミッタに接続されるが、トランジスタ３４のバイアス電流はＰＮＰトランジスタ５４を介して供給される。このトランジスタ５４のベース−エミッタ間電圧は抵抗５６と５８の組合せによってバイアスされる。最後に、トランジスタ５４のベースとエミッタの間に接続されているコンデンサ６０がベースとエミッタの間を交流結合して、高い周波数において電圧をクランプする。この回路は、２つのＲＣネットワークを実効的に縦続接続して、回路の低周波、低インピーダンス特性から高周波、高インピーダンス特性への遷移をやはり鋭くする（第６図参照）という利点を持つ。２個のトランジスタのベース−エミッタ間電圧が加算的ではないため、第８図に示すような種類の回路は第７図の対応する回路よりも低いＶ_A−Ｖ_B電圧降下で動作できる。この回路における電流制限は、トランジスタ４１をオンにしようとする抵抗４３内の電流を制限して、トランジスタ５４と３４がオンになる範囲を制限することによって達成される。第８図に示すようなトランジスタ・セクションの縦続接続は、比較的低いＶ_A −Ｖ_B動作電圧降下を大きくすることなく、ＮＰＮセクションとＰＮＰセクションを交互にすることによって希望に応じて継続できる。たとえば、第９図を参照されたい。この図では第８図の回路をもう１セクションだけ拡大している。また、これは回路の低周波、低インピーダンス特性から高周波、高インピーダンス特性への遷移を鋭くする。なお、第１０図からわかるように、本発明の意図する用途では、本発明のノード電力分離器の低ダイナミック・インピーダンスをほぼ５００Ｈｚの間は十分に低く保ち、約５ＫＨｚで高ダイナミック・インピーダンス特性に比較的完全にシフトさせ、最低１５０ＫＨｚまではその高ダイナミック・インピーダンス・レベルに維持することが望ましい。最後に、本発明の好適な実施形態は第７図および第８図の回路であるが、開示したどの回路も逆導電型のトランジスタで容易に製作できることに留意されたい。具体例を挙げると、第１１図の回路は、第９図の回路を水平軸の周りで文字通り裏返しにし、ＮＰＮトランジスタの代わりにＰＮＰトランジスタを用い、かつ第９図のＮＰＮトランジスタをＰＮＰトランジスタで置き換えたものである。第７図および第８図の好適な回路の代表的な値は次の通りである。第７図について、Ｒ₃₇＝１０オームＲ₄₄＝５１ＫオームＲ₄₆＝１００ＫオームＲ₅₀＝１０ＫオームＣ₄₈＝１．０μｆＣ₅₂＝０．６８μｆ第８図について、Ｒ₄₃＝１０オームＲ₅₀＝６．２ＫオームＲ₅₆＝５１ＫオームＲ₅₈＝１００ＫオームＣ₅₂＝１．０μｆＣ₆₀＝２．０μｆいずれにしても、２０ないし３０Ｋオームまたはそれより高い線にＡＣ付加を与える電力分離器が本発明によって容易に達成できる。線に信号をロードせずに線に直流電力を供給するために、同じ電力分離器を使用できるが、通常はより高い電力（電流）容量である。これを第１２図に示す。この図ではソース電源６２がソース電力分離器６４を介して伝送線２０と２２に接続されている。また、信号周波数で線を終端するための抵抗７０とコンデンサ７２の直列組合せも示されている。本発明の好適な実施形態および種々の代替実施形態をここに開示し説明したが、その要旨および範囲から逸脱することなしに態様および細部に種々の変更を行えることが当業者には明らかであろう。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＪＰ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＮ，ＭＷ，ＮＬ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＺ，ＶＮ

Claims

【特許請求の範囲】１．２導体伝送線と複数のノードを有するデータ伝送システムで使用する電力分離器であって、ノードと伝送線の間に接続され、交流データ信号を重畳できる２本の伝送線導体の間に直流電圧を有する伝送線からノード電力を取り出す電力分離器において、１つは伝送線導体に結合し、他は伝送線ノードに結合する第１および第２の接続部を有し、かつエミッタと、ベースと、コレクタとを有し、コレクタが前記第１の接続部に結合され、エミッタが第２の接続部に結合されたトランジスタを有するノード電力分離器と、トランジスタのベースに結合され、トランジスタのベースを直流バイアスして、エミッタとコレクタの間の電圧増加の結果として増大する量だけトランジスタを導通させ、かつトランジスタのベースとエミッタの間を交流減結合する手段とを備え、それによってノード電力分離器の第１の接続部と第２の接続部の間の直流電圧がそれらの間に直流電流を流させ、同時に、ノード電力分離器が伝送線の交流データ信号に十分なインピーダンスを与えることを特徴とする電力分離器。２．トランジスタのベースに結合され、エミッタとコレクタの間の電圧増加の結果として増加する量だけトランジスタを導通させるため、かつトランジスタのベースとエミッタの間の交流減結合を行うために、トランジスタのベースを直流バイアスする手段が、トランジスタのベースとエミッタの間に結合された抵抗およびコンデンサと、トランジスタのベースとコレクタの間に結合された抵抗とを備えることを特徴とする請求項１に記載のノード電力分離器。３．トランジスタのベースに結合され、トランジスタのベースとエミッタの間の交流減結合を行う手段が、トランジスタのベースとエミッタの間に結合されたコンデンサを備えることを特徴とする請求項１に記載のノード電力分離器。４．更にノード電力分離器を流れる電流を制限する電流制限手段を有する請求項１に記載のノード電力分離器。５．２導体伝送線および複数のノードを有するデータ伝送システムで使用する電力分離器であって、ノードと伝送線の間に接続して、交流データ信号を重畳できる２本の伝送線導体の間に直流電圧を有する伝送線からノード電力を取り出す電力分離器において、１つは伝送線導体に結合し、他は伝送線ノードに結合する第１および第２の接続部を備え、かつ、それぞれエミッタと、ベースと、コレクタとを有する複数のトランジスタを有し、その第１のトランジスタのコレクタが前記第１の接続部に結合され、エミッタが第２の接続部に結合され、連続する各トランジスタのエミッタおよびコレクタのいずれかが先行するトランジスタのベースに結合され、他方が第１の接続部と第２の接続部のいずれかに結合さたノード電力分離器と、前記複数のトランジスタのうちの最後のトランジスタのベースに結合され、そのトランジスタのベースを直流バイアスし、エミッタとコレクタの間の電圧増加の結果として増大する量だけトランジスタを導通させる手段と、複数のトランジスタそれぞれのベースとエミッタの間に結合され、そのトランジスタのベースとエミッタの間を交流減結合する手段とを備え、それによってノード電力分離器の第１の接続部と第２の接続部の間の直流電圧が、それらの間に直流電流を流させ、同時に、ノード電力分離器が伝送線の交流データ信号に十分なインピーダンスを与えることを特徴とする電力分離器。６．複数のトランジスタのうちの最後のトランジスタのベースに結合され、トランジスタのベースを直流バイアスして、エミッタとコレクタの間の電圧増加の結果として増大する量だけトランジスタを導通させる手段が、そのトランジスタのベースとコレクタの間に結合された抵抗と、ベースとエミッタの間に結合された第２の抵抗とを備え、複数のトランジスタそれぞれのベースとエミッタの間に結合され、そのトランジスタのベースとエミッタの間を交流減結合する手段が、コンデンサを備えることを特徴とする請求項５に記載のノード電力分離器。７．複数のトランジスタが全て同じ導電型であり、全てのトランジスタのコレクタが第１の接続部と第２の接続部のうちの一方に結合されることを特徴とする請求項５または請求項６に記載のノード電力分離器。８．複数のトランジスタが導電型が交互に変わり、第１の導電型の全てのトランジスタのコレクタが第１の接続部と第２の接続部のうちの一方に結合され、第２の導電型の全てのトランジスタのコレクタが第１の接続部と第２の接続部のうちの他方に結合されることを特徴とする請求項５または請求項６に記載のノード電力分離器。９．更にノード電力分離器を流れる電流を制限するための電流制限手段から構成される請求項５に記載のノード電力分離器。１０．２導体伝送線および複数のノードを有するデータ伝送システムで使用する電力分離器であって、ノードと伝送線の間に接続して、交流データ信号を重畳できる２本の伝送線導体の間に直流電圧を有する伝送線からノード電力を取り出す電力分離器において、一方が伝送線導体の１つに結合され、他方が伝送線ノードに結合される第１の正の接続部および第２の負の接続部と、それぞれエミッタと、ベースと、コレクタがあり、導電型がＮＰＮとＰＮＰの間で交互に変わる複数のトランジスタを有し、全てのＰＮＰトランジスタのエミッタが正の接続部に結合され、全てのＮＰＮトランジスタのエミッタが負の接続部に結合されているノード電力分離器とを備え、第１のトランジスタのエミッタおよびコレクタが第１の接続部および第２の接続部に直列接続され、連続する各トランジスタのコレクタが先行トランジスタのベースに結合され、さらに、複数のトランジスタのうちの最後のトランジスタのベースとそのコレクタの間に結合された抵抗、およびそのトランジスタのベースとエミッタの間に結合され、トランジスタのベースを直流バイアスして、エミッタとコレクタの間の電圧増加の結果として増大する量だけトランジスタを導通させる抵抗と、複数のトランジスタそれぞれのベースとエミッタの間に結合され、トランジスタのベースとエミッタの間を交流減結合する手段とを備え、それによってノード電力分離器の第１の接続部と第２の接続部の間の直流電圧が、それらの間に直流電流を流させ、同時に、ノード電力分離器が伝送線の交流データ信号に大きなインピーダンスを与えることを特徴とする電力分離器。１１．各トランジスタのベースとエミッタの間に抵抗が結合されることを特徴とする請求項１０に記載のノード電力分離器。１２．更にノード電力分離器を流れる電流を制限する電流制限手段が構成される請求項１０に記載のノード電力分離器。