JPH0949899A - チャンネルカット結晶 - Google Patents
チャンネルカット結晶Info
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- JPH0949899A JPH0949899A JP22119395A JP22119395A JPH0949899A JP H0949899 A JPH0949899 A JP H0949899A JP 22119395 A JP22119395 A JP 22119395A JP 22119395 A JP22119395 A JP 22119395A JP H0949899 A JPH0949899 A JP H0949899A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 二つの反射面と底面との間の基台部分に、底
面に平行な切り込みを形成して、底面を固定台に接着固
定した場合にも二つの反射面の平行性を高精度に維持す
る。 【解決手段】 チャンネルカット結晶３０は、一つの単
結晶ブロックから切り出した二つの直立部分３２、３４
と基台部分３６からなる。対向する二つの反射面３３、
３５は互いに厳密に平行になるように加工されている。
基台部分３６には底面４２に平行な二つの切り込み３
８、４０が形成されている。底面４２は固定台４８に接
着剤によって接着固定される。その接着部分５０（ハッ
チングを施した部分）の面積は、その上方の切り込み４
０の面積にほぼ等しい。切り込み３８、４０の存在によ
り、接着部分から受ける応力や歪みが直立部分３２、３
４の姿勢変化に影響を及ぼしにくくなり、反射面３３、
３５の平行性が高精度に維持される。
面に平行な切り込みを形成して、底面を固定台に接着固
定した場合にも二つの反射面の平行性を高精度に維持す
る。 【解決手段】 チャンネルカット結晶３０は、一つの単
結晶ブロックから切り出した二つの直立部分３２、３４
と基台部分３６からなる。対向する二つの反射面３３、
３５は互いに厳密に平行になるように加工されている。
基台部分３６には底面４２に平行な二つの切り込み３
８、４０が形成されている。底面４２は固定台４８に接
着剤によって接着固定される。その接着部分５０（ハッ
チングを施した部分）の面積は、その上方の切り込み４
０の面積にほぼ等しい。切り込み３８、４０の存在によ
り、接着部分から受ける応力や歪みが直立部分３２、３
４の姿勢変化に影響を及ぼしにくくなり、反射面３３、
３５の平行性が高精度に維持される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、Ｘ線ビームを単
色化かつ平行化するためのチャンネルカット結晶に関す
る。
色化かつ平行化するためのチャンネルカット結晶に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線回折装置の技術分野において、Ｘ線
源と試料との間にチャンネルカット結晶を挿入して、Ｘ
線ビームを単色化かつ平行化する技術が知られている。
図４（ａ）はチャンネルカット結晶の使用状態を示す平
面図である。入射Ｘ線ビーム１０は、チャンネルカット
結晶１２の一方の反射表面１４で回折し、さらに他方の
反射表面１６で回折して、単色化かつ平行化されたビー
ム１８となり、これが試料に照射される。図４（ｂ）は
２個のチャンネルカット結晶１２、１３を対称に配置し
て４結晶モノクロメータとして使用する例である。
源と試料との間にチャンネルカット結晶を挿入して、Ｘ
線ビームを単色化かつ平行化する技術が知られている。
図４（ａ）はチャンネルカット結晶の使用状態を示す平
面図である。入射Ｘ線ビーム１０は、チャンネルカット
結晶１２の一方の反射表面１４で回折し、さらに他方の
反射表面１６で回折して、単色化かつ平行化されたビー
ム１８となり、これが試料に照射される。図４（ｂ）は
２個のチャンネルカット結晶１２、１３を対称に配置し
て４結晶モノクロメータとして使用する例である。
【０００３】図５は従来のチャンネルカット結晶の正面
図である。チャンネルカット結晶１２は、一つの単結晶
から切り出された対向する２個の直立部分２０、２２と
基台部分２４とからなる。この基台部分２４の底面２６
が接着剤によって固定台２８に接着固定される。
図である。チャンネルカット結晶１２は、一つの単結晶
から切り出された対向する２個の直立部分２０、２２と
基台部分２４とからなる。この基台部分２４の底面２６
が接着剤によって固定台２８に接着固定される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図５のように固定台２
８に接着固定されたチャンネルカット結晶１２は、接着
剤が乾いた状態において、基台部分２４の底面２６にわ
ずかな応力が生じる。この応力は、チャンネルカット結
晶にわずかな歪みをもたらし、２個の直立部分２０、２
２の姿勢が微妙に変化する。チャンネルカット結晶１２
は一つの単結晶ブロックから切り出されているので、本
来、一方の反射表面１４の部分の回折面（特定の結晶格
子面）と他方の反射表面１６の部分の回折面とは、完全
に平行になっているはずである。しかし、上述のように
チャンネルカット結晶に歪みが生じると、二つの反射表
面の間で回折面同志の平行性が狂うことになる。この平
行性の狂いは、チャンネルカット結晶の性能に重大な影
響を及ぼし、入射ビームに対する出射ビームの強度（反
射率）が極端に低下することになる。
８に接着固定されたチャンネルカット結晶１２は、接着
剤が乾いた状態において、基台部分２４の底面２６にわ
ずかな応力が生じる。この応力は、チャンネルカット結
晶にわずかな歪みをもたらし、２個の直立部分２０、２
２の姿勢が微妙に変化する。チャンネルカット結晶１２
は一つの単結晶ブロックから切り出されているので、本
来、一方の反射表面１４の部分の回折面（特定の結晶格
子面）と他方の反射表面１６の部分の回折面とは、完全
に平行になっているはずである。しかし、上述のように
チャンネルカット結晶に歪みが生じると、二つの反射表
面の間で回折面同志の平行性が狂うことになる。この平
行性の狂いは、チャンネルカット結晶の性能に重大な影
響を及ぼし、入射ビームに対する出射ビームの強度（反
射率）が極端に低下することになる。
【０００５】この発明は上述の問題点を解決するために
なされたものであり、その目的は、基台部分の底面を固
定台に接着固定した場合に、二つの反射表面における回
折面の平行性が高精度に維持されるようなチャンネルカ
ット結晶を提供することにある。
なされたものであり、その目的は、基台部分の底面を固
定台に接着固定した場合に、二つの反射表面における回
折面の平行性が高精度に維持されるようなチャンネルカ
ット結晶を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明のチャンネルカ
ット結晶は、二つの反射表面に対して垂直な底面を備え
ていて、前記底面と前記反射表面との間の基台部分に前
記底面に平行な切り込みが形成されている。このチャン
ネルカット結晶の基台部分の底面を固定台に接着固定し
た場合、切り込みの存在により、接着部分に生じる応力
や歪みが反射表面の姿勢変化に影響を及ぼしにくくな
る。したがって、対向する二つの反射表面における回折
面の平行性が高精度に維持される。前記切り込みは最低
一つあれば足りるが、底面からの距離が異なる２個の切
り込みを形成し、互いに反対の側面に開口するようにす
るのが好ましい。
ット結晶は、二つの反射表面に対して垂直な底面を備え
ていて、前記底面と前記反射表面との間の基台部分に前
記底面に平行な切り込みが形成されている。このチャン
ネルカット結晶の基台部分の底面を固定台に接着固定し
た場合、切り込みの存在により、接着部分に生じる応力
や歪みが反射表面の姿勢変化に影響を及ぼしにくくな
る。したがって、対向する二つの反射表面における回折
面の平行性が高精度に維持される。前記切り込みは最低
一つあれば足りるが、底面からの距離が異なる２個の切
り込みを形成し、互いに反対の側面に開口するようにす
るのが好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の実施の一形態
を示す斜視図である。このチャンネルカット結晶３０
は、一つの単結晶ブロックから切り出した二つの直立部
分３２、３４を備え、その下方の基台部分３６と一体に
なっている。直立部分３２、３４には対向する二つの反
射表面３３、３５が形成されている。この反射表面３
３、３５は、図１に示すように互いに平行になるように
カットしてもよいし、非平行（すなわち非対称カット）
にしてもよい。基台部分３６には二つの切り込み３８、
４０が形成されている。これらの切り込み３８、４０は
基台部分３６の底面４２に平行である。上側の切り込み
３８は一方の側面４４に開口していて、他方の側面４６
に向かって延びている。下側の切り込み４０は他方の側
面４６に開口していて、一方の側面４４に向かって延び
ている。なお、このチャンネルカット結晶は、加工後
に、加工歪みの残っている表面層を湿式エッチングで除
去して加工歪みを完全に除去することが必要である。
を示す斜視図である。このチャンネルカット結晶３０
は、一つの単結晶ブロックから切り出した二つの直立部
分３２、３４を備え、その下方の基台部分３６と一体に
なっている。直立部分３２、３４には対向する二つの反
射表面３３、３５が形成されている。この反射表面３
３、３５は、図１に示すように互いに平行になるように
カットしてもよいし、非平行（すなわち非対称カット）
にしてもよい。基台部分３６には二つの切り込み３８、
４０が形成されている。これらの切り込み３８、４０は
基台部分３６の底面４２に平行である。上側の切り込み
３８は一方の側面４４に開口していて、他方の側面４６
に向かって延びている。下側の切り込み４０は他方の側
面４６に開口していて、一方の側面４４に向かって延び
ている。なお、このチャンネルカット結晶は、加工後
に、加工歪みの残っている表面層を湿式エッチングで除
去して加工歪みを完全に除去することが必要である。
【０００８】図２は図１のチャンネルカット結晶の正面
図である。上側の切り込み３８の最深部３９と他方の側
面４６との距離は、直立部分３２、３４の厚さＨに等し
い。また、下側の切り込み４０の最深部４１と一方の側
面４４との距離も、直立部分３２、３４の厚さＨに等し
い。基台部分３６の底面４２は固定台４８に接着剤によ
って接着固定される。その接着部分５０（ハッチングを
施した部分）の面積は、その上方の切り込み４０の面積
にほぼ等しい。この接着部分５０は、図２の紙面に対し
て垂直に延びていて基台部分３６の長さ（紙面に垂直な
寸法）と同じである。底面４２の全面を接着することも
可能であるが、図２に示すように底面に近い側の切り込
み４０の下方部分だけを接着する方が、直立部分３２、
３４への影響が少なくて好ましい。
図である。上側の切り込み３８の最深部３９と他方の側
面４６との距離は、直立部分３２、３４の厚さＨに等し
い。また、下側の切り込み４０の最深部４１と一方の側
面４４との距離も、直立部分３２、３４の厚さＨに等し
い。基台部分３６の底面４２は固定台４８に接着剤によ
って接着固定される。その接着部分５０（ハッチングを
施した部分）の面積は、その上方の切り込み４０の面積
にほぼ等しい。この接着部分５０は、図２の紙面に対し
て垂直に延びていて基台部分３６の長さ（紙面に垂直な
寸法）と同じである。底面４２の全面を接着することも
可能であるが、図２に示すように底面に近い側の切り込
み４０の下方部分だけを接着する方が、直立部分３２、
３４への影響が少なくて好ましい。
【０００９】使用する接着剤としては、セメダインを溶
剤で希釈したものを用いている。そのほかには、蜜ろ
う、エレクトロンワックス、エポキシ系接着剤などを利
用できる。
剤で希釈したものを用いている。そのほかには、蜜ろ
う、エレクトロンワックス、エポキシ系接着剤などを利
用できる。
【００１０】図２において、具体的な寸法例を説明する
と、直立部分３２、３４の厚さＨは４ｍｍ、基台部分３
６の幅Ｗは１３ｍｍ、基台部分３６の長さ（紙面に垂直
な寸法）は２８ｍｍ、切り込み３８、４０の深さＤは９
ｍｍ、切り込み３６、３８の間隙Ｇは０．５ｍｍであ
る。切り込み３８、４０の長さ（紙面に垂直な寸法）は
基台部分３６の長さと同じである。
と、直立部分３２、３４の厚さＨは４ｍｍ、基台部分３
６の幅Ｗは１３ｍｍ、基台部分３６の長さ（紙面に垂直
な寸法）は２８ｍｍ、切り込み３８、４０の深さＤは９
ｍｍ、切り込み３６、３８の間隙Ｇは０．５ｍｍであ
る。切り込み３８、４０の長さ（紙面に垂直な寸法）は
基台部分３６の長さと同じである。
【００１１】このような切り込み３６、３８を形成する
と、基台部分３６の底面４２を固定台４８に接着固定し
た場合に、接着部分から受ける応力や歪みが直立部分３
２、３４の姿勢変化に影響を及ぼしにくくなる。したが
って、反射表面３３、３５の間で回折面の平行性が高精
度に維持される。
と、基台部分３６の底面４２を固定台４８に接着固定し
た場合に、接着部分から受ける応力や歪みが直立部分３
２、３４の姿勢変化に影響を及ぼしにくくなる。したが
って、反射表面３３、３５の間で回折面の平行性が高精
度に維持される。
【００１２】図３は本発明の別の実施形態の正面図であ
る。この実施形態では、基台部分３６に一つの切り込み
４０だけを形成してある。この実施形態は、図２に示す
ような二つの切り込み３８、４０を形成する場合と比較
して、反射表面３３、３５の間で回折面の平行性を維持
する効果は多少劣るが、チャンネルカット結晶の加工は
容易になる。このような一つの切り込みで十分な場合も
ある。
る。この実施形態では、基台部分３６に一つの切り込み
４０だけを形成してある。この実施形態は、図２に示す
ような二つの切り込み３８、４０を形成する場合と比較
して、反射表面３３、３５の間で回折面の平行性を維持
する効果は多少劣るが、チャンネルカット結晶の加工は
容易になる。このような一つの切り込みで十分な場合も
ある。
【００１３】チャンネルカット結晶の材質としては、結
晶の完全性の高いゲルマニウムやシリコンが代表的であ
り、回折面としては、Ｇｅ（２２０）面、Ｇｅ（４４
０）面、Ｓｉ（４００）面、Ｓｉ（２２０）面、Ｓｉ
（１１１）面、Ｓｉ（３３３）面などが使われる。
晶の完全性の高いゲルマニウムやシリコンが代表的であ
り、回折面としては、Ｇｅ（２２０）面、Ｇｅ（４４
０）面、Ｓｉ（４００）面、Ｓｉ（２２０）面、Ｓｉ
（１１１）面、Ｓｉ（３３３）面などが使われる。
【００１４】図２に示す固定台４８は、さらに、姿勢調
整機能付きの結晶ホルダ（図示せず）で支持されて、結
晶ホルダに対する固定台４８の姿勢が調整される。これ
により、光学系に挿入されたチャンネルカット結晶の位
置や姿勢が調整できる。
整機能付きの結晶ホルダ（図示せず）で支持されて、結
晶ホルダに対する固定台４８の姿勢が調整される。これ
により、光学系に挿入されたチャンネルカット結晶の位
置や姿勢が調整できる。
【００１５】本発明のチャンネルカット結晶は、チャン
ネルカットモノクロメータとして単体で使用される場合
もあるし、４結晶モノクロメータを構成するように１対
で使用される場合もある。また、Ｘ線回折装置の光学系
において試料の入射側に挿入される以外に、試料の回折
側（受光側）に挿入される場合（アナライザー結晶と呼
ばれる。）もある。
ネルカットモノクロメータとして単体で使用される場合
もあるし、４結晶モノクロメータを構成するように１対
で使用される場合もある。また、Ｘ線回折装置の光学系
において試料の入射側に挿入される以外に、試料の回折
側（受光側）に挿入される場合（アナライザー結晶と呼
ばれる。）もある。
【００１６】
【発明の効果】この発明のチャンネルカット結晶は、底
面と反射表面との間の基台部分に、底面に平行な切り込
みが形成されているので、底面を固定台に接着固定した
場合に、切り込みの存在により、接着部分に生じる応力
や歪みが反射表面の姿勢変化にほとんど影響を及ぼさな
くなる。したがって、対向する二つの反射表面の間で回
折面の平行性が高精度に維持される。
面と反射表面との間の基台部分に、底面に平行な切り込
みが形成されているので、底面を固定台に接着固定した
場合に、切り込みの存在により、接着部分に生じる応力
や歪みが反射表面の姿勢変化にほとんど影響を及ぼさな
くなる。したがって、対向する二つの反射表面の間で回
折面の平行性が高精度に維持される。
【図１】この発明の実施の一形態を示す斜視図である。
【図２】図１のチャンネルカット結晶の正面図である。
【図３】この発明の別の実施形態の正面図である。
【図４】チャンネルカット結晶と４結晶モノクロメータ
の使用状態の平面図である。
の使用状態の平面図である。
【図５】従来のチャンネルカット結晶の正面図である。
３０ チャンネルカット結晶 ３２、３４ 直立部分 ３３、３５ 反射表面 ３６ 基台部分 ３８、４０ 切り込み ４２ 底面 ４４、４６ 側面 ５０ 接着部分
Claims (6)
- 【請求項１】 対向する二つの反射表面を一つの単結晶
ブロックから切り出したチャンネルカット結晶におい
て、前記反射表面に垂直な底面を設け、前記底面と前記
反射表面との間の基台部分に前記底面に平行な切り込み
を形成したことを特徴とするチャンネルカット結晶。 - 【請求項２】 前記切り込みは、前記基台部分の一方の
側面に開口していて、前記一方の側面から他方の側面に
向かって延びていることを特徴とする請求項１記載のチ
ャンネルカット結晶。 - 【請求項３】 前記切り込みの最深部と前記他方の側面
との距離は、前記反射表面を備える直立部分の厚さに等
しいことを特徴とする請求項２記載のチャンネルカット
結晶。 - 【請求項４】 前記底面に平行に第１の切り込みと第２
の切り込みが形成されていて、これらの切り込みは前記
底面からの距離が異なっており、前記第１の切り込みは
前記基台部分の一方の側面に開口しており、前記第２の
切り込みは前記基台部分の他方の側面に開口しているこ
とを特徴とする請求項１記載のチャンネルカット結晶。 - 【請求項５】 前記底面が固定台に接着固定されている
ことを特徴とする請求項１記載のチャンネルカット結
晶。 - 【請求項６】 前記底面と前記固定台とは、前記底面に
一番近い前記切り込みに対応する面積部分において互い
に接着固定されていることを特徴とする請求項５記載の
チャンネルカット結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22119395A JP3721215B2 (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | チャンネルカット結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22119395A JP3721215B2 (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | チャンネルカット結晶 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0949899A true JPH0949899A (ja) | 1997-02-18 |
| JP3721215B2 JP3721215B2 (ja) | 2005-11-30 |
Family
ID=16762934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22119395A Expired - Fee Related JP3721215B2 (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | チャンネルカット結晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3721215B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6574306B2 (en) | 2000-05-31 | 2003-06-03 | Rigaku Corporation | Channel-cut monochromator |
| WO2004055569A1 (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-01 | Sharan Instruments Corporation | 光学素子固定構造、光学素子固定体、光学素子および光学素子ホルダ |
| JP2006337290A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Shimadzu Corp | Ｘ線分光装置 |
| JP2006337122A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Shimadzu Corp | Ｘ線分光装置 |
-
1995
- 1995-08-08 JP JP22119395A patent/JP3721215B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6574306B2 (en) | 2000-05-31 | 2003-06-03 | Rigaku Corporation | Channel-cut monochromator |
| WO2004055569A1 (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-01 | Sharan Instruments Corporation | 光学素子固定構造、光学素子固定体、光学素子および光学素子ホルダ |
| JP2004198575A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Sharan Instruments Corp | 光学素子固定構造、光学素子固定体、光学素子および光学素子ホルダ |
| US7692883B2 (en) | 2002-12-17 | 2010-04-06 | Sharan Instruments Corporation | Optical element fixing structure, optical element fixing body, optical element, and optical element holder |
| JP2006337122A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Shimadzu Corp | Ｘ線分光装置 |
| JP2006337290A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Shimadzu Corp | Ｘ線分光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3721215B2 (ja) | 2005-11-30 |
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