JPH0948661A - 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器Info
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- JPH0948661A JPH0948661A JP7195211A JP19521195A JPH0948661A JP H0948661 A JPH0948661 A JP H0948661A JP 7195211 A JP7195211 A JP 7195211A JP 19521195 A JP19521195 A JP 19521195A JP H0948661 A JPH0948661 A JP H0948661A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アルミナ、及びフォルステライトの比誘電率は
それぞれ約１０及び約７程度で高く、また、ガラスセラ
ミック等の磁器は比誘電率が約４〜６と小さいがＱ値が
１０ＧＨｚで２０００以下と小さかった。 【解決手段】金属元素としてＭｇ，Ａｌ，Ｓｉからなる
複合酸化物であって、各金属元素の酸化物によるモル比
組成式をｘＭｇＯ−ｙＡｌ2 Ｏ3 −ｚＳｉＯ2 と表した
時、前記ｘ，ｙ，ｚが１０≦ｘ≦４０、１０≦ｙ≦４
０、２０≦ｚ≦８０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足すると
ともに、比誘電率が６以下で、かつ、測定周波数１０Ｇ
ＨｚでのＱ値が２０００以上の高周波用誘電体磁器組成
物であり、また該組成物を誘電体共振器の磁器基板や支
持部材として用いたものである。
それぞれ約１０及び約７程度で高く、また、ガラスセラ
ミック等の磁器は比誘電率が約４〜６と小さいがＱ値が
１０ＧＨｚで２０００以下と小さかった。 【解決手段】金属元素としてＭｇ，Ａｌ，Ｓｉからなる
複合酸化物であって、各金属元素の酸化物によるモル比
組成式をｘＭｇＯ−ｙＡｌ2 Ｏ3 −ｚＳｉＯ2 と表した
時、前記ｘ，ｙ，ｚが１０≦ｘ≦４０、１０≦ｙ≦４
０、２０≦ｚ≦８０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足すると
ともに、比誘電率が６以下で、かつ、測定周波数１０Ｇ
ＨｚでのＱ値が２０００以上の高周波用誘電体磁器組成
物であり、また該組成物を誘電体共振器の磁器基板や支
持部材として用いたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、マイクロ
波，ミリ波等の高周波で用いられる高周波用誘電体磁器
組成物に係わり、例えば、マイクロ波，ミリ波集積回路
等のマイクロ波，ミリ波帯域で用いられる回路素子用基
板，誘電体共振器用支持台，誘電体共振器，誘電体導波
路，誘電体アンテナ等の材料として有用な高周波用誘電
体磁器組成物、並びに誘電体磁器を支持台を介して基板
に固定した誘電体共振器に関するものである。
波，ミリ波等の高周波で用いられる高周波用誘電体磁器
組成物に係わり、例えば、マイクロ波，ミリ波集積回路
等のマイクロ波，ミリ波帯域で用いられる回路素子用基
板，誘電体共振器用支持台，誘電体共振器，誘電体導波
路，誘電体アンテナ等の材料として有用な高周波用誘電
体磁器組成物、並びに誘電体磁器を支持台を介して基板
に固定した誘電体共振器に関するものである。
【０００２】
【従来技術】マイクロ波，ミリ波集積回路をはじめとす
る高周波回路素子では、誘電体磁器を支持部材を介して
基板に固定する構造が採用される場合がある。例えば、
誘電体共振器制御型マイクロ波発信器は、第１図に示す
ように、誘電体磁器１を支持部材２を介して磁器基板３
に取り付け、誘電体磁器１の外部に漏れ出る電磁界Ｈを
利用して磁器基板３に設けたストリップライン４に結合
させ、これらを金属ケ−ス５に収容させた構造を有して
いる。
る高周波回路素子では、誘電体磁器を支持部材を介して
基板に固定する構造が採用される場合がある。例えば、
誘電体共振器制御型マイクロ波発信器は、第１図に示す
ように、誘電体磁器１を支持部材２を介して磁器基板３
に取り付け、誘電体磁器１の外部に漏れ出る電磁界Ｈを
利用して磁器基板３に設けたストリップライン４に結合
させ、これらを金属ケ−ス５に収容させた構造を有して
いる。
【０００３】この種の高周波回路においては、誘電体磁
器１の電界が支持台２を介して漏れるのを制御すること
によって、無負荷Ｑの高い共振系が構成されることにな
るため、支持台２には比誘電率が低く誘電損失（ｔａｎ
δ）が小さい（Ｑ値が大きい）材料を使用する必要があ
る。このため、従来、支持部材材料としては比誘電率が
約７、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が約１５０００の
フォルステライトが採用され、また、磁器基板の材料と
しては主として比誘電率が約１０、測定周波数１０ＧＨ
ｚでのＱ値が２００００以上のアルミナ磁器が採用され
ていた（例えば、特開昭６２−１０３９０４号公報等参
照）。
器１の電界が支持台２を介して漏れるのを制御すること
によって、無負荷Ｑの高い共振系が構成されることにな
るため、支持台２には比誘電率が低く誘電損失（ｔａｎ
δ）が小さい（Ｑ値が大きい）材料を使用する必要があ
る。このため、従来、支持部材材料としては比誘電率が
約７、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が約１５０００の
フォルステライトが採用され、また、磁器基板の材料と
しては主として比誘電率が約１０、測定周波数１０ＧＨ
ｚでのＱ値が２００００以上のアルミナ磁器が採用され
ていた（例えば、特開昭６２−１０３９０４号公報等参
照）。
【０００４】一方、比誘電率が低い材料としては、従
来、比誘電率が４〜６、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値
が２０００以下のガラスセラミックが知られている（例
えば、特開昭６１−２３４１２８号公報等参照）。
来、比誘電率が４〜６、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値
が２０００以下のガラスセラミックが知られている（例
えば、特開昭６１−２３４１２８号公報等参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来用
いられていたアルミナ、及びフォルステライトの比誘電
率はそれぞれ約１０及び約７程度であり、近年における
高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より低い比誘
電率の材料が求められていた。
いられていたアルミナ、及びフォルステライトの比誘電
率はそれぞれ約１０及び約７程度であり、近年における
高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より低い比誘
電率の材料が求められていた。
【０００６】一方、低誘電率材料として用いられている
ガラスセラミック等の磁器は比誘電率が約４〜６と小さ
く、Ｑ値が１０ＧＨｚで２０００以下であり、近年にお
ける高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より高い
Ｑ値の低誘電率材料が求められていた。
ガラスセラミック等の磁器は比誘電率が約４〜６と小さ
く、Ｑ値が１０ＧＨｚで２０００以下であり、近年にお
ける高周波数帯の誘電体共振器の普及に伴い、より高い
Ｑ値の低誘電率材料が求められていた。
【０００７】また、共振器の磁器基板に主として使用さ
れているアルミナ磁器は比誘電率が約１０と比較的高
く、高インピ−ダンスのストリップラインを形成しよう
とすると、ライン幅が小さくなりすぎて（通常１μｍ以
下）、断線が生じたり、相対的なライン幅のばらつきが
大きくなり、マイクロ波集積回路の不良率が増大すると
いう問題があった。他方、この種の磁器基板におけるス
トリップラインのインピ−ダンスは、基板の厚さが一定
であれば、その比誘電率及びストリップラインの幅にそ
れぞれ反比例するため、ライン幅を小さくする代わり
に、比誘電率の低い基板材料を使用することによっても
インピ−ダンスを高めることができ、このため，より低
誘電率材料が求められていた。
れているアルミナ磁器は比誘電率が約１０と比較的高
く、高インピ−ダンスのストリップラインを形成しよう
とすると、ライン幅が小さくなりすぎて（通常１μｍ以
下）、断線が生じたり、相対的なライン幅のばらつきが
大きくなり、マイクロ波集積回路の不良率が増大すると
いう問題があった。他方、この種の磁器基板におけるス
トリップラインのインピ−ダンスは、基板の厚さが一定
であれば、その比誘電率及びストリップラインの幅にそ
れぞれ反比例するため、ライン幅を小さくする代わり
に、比誘電率の低い基板材料を使用することによっても
インピ−ダンスを高めることができ、このため，より低
誘電率材料が求められていた。
【０００８】本発明は、アルミナ，フォルステライトよ
りも低い比誘電率を有し、かつ、ガラスセラミックより
も高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器組成物を提供す
ることをことを目的とする。
りも低い比誘電率を有し、かつ、ガラスセラミックより
も高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器組成物を提供す
ることをことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、金属元素として、Ｍ
ｇ，Ａｌ，Ｓｉのみからなり、これらの元素の酸化物に
よるモル比組成式をｘＭｇＯ−ｙＡｌ2 Ｏ3 −ｚＳｉＯ
2 と表した時にｘ，ｙ，ｚが一定の値である場合には、
アルミナ、フォルステライトよりも低い比誘電率を有
し、かつ、ガラスセラミックよりも高いＱ値を有する高
周波用誘電体磁器組成物を得ることができることを見い
出し、本発明に至った。
を解決すべく鋭意検討した結果、金属元素として、Ｍ
ｇ，Ａｌ，Ｓｉのみからなり、これらの元素の酸化物に
よるモル比組成式をｘＭｇＯ−ｙＡｌ2 Ｏ3 −ｚＳｉＯ
2 と表した時にｘ，ｙ，ｚが一定の値である場合には、
アルミナ、フォルステライトよりも低い比誘電率を有
し、かつ、ガラスセラミックよりも高いＱ値を有する高
周波用誘電体磁器組成物を得ることができることを見い
出し、本発明に至った。
【００１０】即ち、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は、金属元素としてＭｇ，Ａｌ，Ｓｉからなる複合酸化
物であって、各金属元素の酸化物によるモル比組成式を
ｘＭｇＯ−ｙＡｌ2 Ｏ3 −ｚＳｉＯ2 と表した時、前記
ｘ，ｙ，ｚが１０≦ｘ≦４０、１０≦ｙ≦４０、２０≦
ｚ≦８０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足するとともに、比
誘電率が６以下で、かつ、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ
値が２０００以上のものである。
は、金属元素としてＭｇ，Ａｌ，Ｓｉからなる複合酸化
物であって、各金属元素の酸化物によるモル比組成式を
ｘＭｇＯ−ｙＡｌ2 Ｏ3 −ｚＳｉＯ2 と表した時、前記
ｘ，ｙ，ｚが１０≦ｘ≦４０、１０≦ｙ≦４０、２０≦
ｚ≦８０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００を満足するとともに、比
誘電率が６以下で、かつ、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ
値が２０００以上のものである。
【００１１】また、本発明の誘電体共振器は、基板上に
支持部材を介して誘電体磁器を固定してなる誘電体共振
器において、支持部材および／または基板が、金属元素
としてＭｇ，Ａｌ，Ｓｉからなる複合酸化物であって、
各金属元素の酸化物によるモル比組成式をｘＭｇＯ−ｙ
Ａｌ2 Ｏ3 −ｚＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ，ｙ，ｚが
１０≦ｘ≦４０、１０≦ｙ≦４０、２０≦ｚ≦８０、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１００を満足するとともに、比誘電率が６以
下で、かつ、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００
以上のものである。
支持部材を介して誘電体磁器を固定してなる誘電体共振
器において、支持部材および／または基板が、金属元素
としてＭｇ，Ａｌ，Ｓｉからなる複合酸化物であって、
各金属元素の酸化物によるモル比組成式をｘＭｇＯ−ｙ
Ａｌ2 Ｏ3 −ｚＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ，ｙ，ｚが
１０≦ｘ≦４０、１０≦ｙ≦４０、２０≦ｚ≦８０、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１００を満足するとともに、比誘電率が６以
下で、かつ、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００
以上のものである。
【００１２】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物では、比誘電率が４
〜６、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００以上の
低誘電率および高Ｑ値の誘電体磁器を、例えば、誘電体
共振器の支持部材または基板に用いることにより、高イ
ンピーダンスのマイクロ波用集積回路などの高周波用回
路素子を信頼性を損なうことなく製造することができ
る。
〜６、測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００以上の
低誘電率および高Ｑ値の誘電体磁器を、例えば、誘電体
共振器の支持部材または基板に用いることにより、高イ
ンピーダンスのマイクロ波用集積回路などの高周波用回
路素子を信頼性を損なうことなく製造することができ
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の高周波用誘電体磁器組成
物の成分組成を前記範囲に限定したのは、次の理由によ
る。即ち、ＭｇＯのモル百分率を示すｘを１０〜４０と
したのは、１０未満では良好な焼結体が得られずＱ値が
低く、また４０を越えると比誘電率が高くなるからであ
る。特にＭｇＯ量を示すｘは、Ｑ値を５０００以上とす
るという点から１５〜３５が望ましい。
物の成分組成を前記範囲に限定したのは、次の理由によ
る。即ち、ＭｇＯのモル百分率を示すｘを１０〜４０と
したのは、１０未満では良好な焼結体が得られずＱ値が
低く、また４０を越えると比誘電率が高くなるからであ
る。特にＭｇＯ量を示すｘは、Ｑ値を５０００以上とす
るという点から１５〜３５が望ましい。
【００１４】また、Ａｌ2 Ｏ3 のモル百分率を示すｙを
１０〜４０としたのは、Ａｌ2 Ｏ3量ｙが１０よりも小
さい場合には、良好な焼結体が得られず、またＱ値が低
くなり、４０を越えると比誘電率が高くなるからであ
る。Ａｌ2 Ｏ3 量を示すｙは、Ｑ値を５０００以上とす
るという点から１５〜３５が望ましい。
１０〜４０としたのは、Ａｌ2 Ｏ3量ｙが１０よりも小
さい場合には、良好な焼結体が得られず、またＱ値が低
くなり、４０を越えると比誘電率が高くなるからであ
る。Ａｌ2 Ｏ3 量を示すｙは、Ｑ値を５０００以上とす
るという点から１５〜３５が望ましい。
【００１５】ＳｉＯ2 のモル百分率ｚを２０≦ｚ≦８０
としたのは、ｚが２０よりも小さい場合には比誘電率が
大きくなり、８０を越えると良好な焼結体が得られずＱ
値が低くなる。ＳｉＯ2 量を示すｚは、Ｑ値を５０００
以上とするという点から３０〜７０が望ましい。
としたのは、ｚが２０よりも小さい場合には比誘電率が
大きくなり、８０を越えると良好な焼結体が得られずＱ
値が低くなる。ＳｉＯ2 量を示すｚは、Ｑ値を５０００
以上とするという点から３０〜７０が望ましい。
【００１６】本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、Ｑ
値を５０００以上とするためには１５≦ｘ≦３５、１５
≦ｙ≦３５、３０≦ｚ≦７０を満足することが望まし
く、さらに、Ｑ値を７０００以上とするためには２０≦
ｘ≦３０、１７≦ｙ≦３０、４０≦ｚ≦６０を満足する
ことが望ましい。
値を５０００以上とするためには１５≦ｘ≦３５、１５
≦ｙ≦３５、３０≦ｚ≦７０を満足することが望まし
く、さらに、Ｑ値を７０００以上とするためには２０≦
ｘ≦３０、１７≦ｙ≦３０、４０≦ｚ≦６０を満足する
ことが望ましい。
【００１７】測定周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００
以上を満足するようにしたのは、Ｑ値が２０００以上あ
る場合には、近年における高周波数帯の誘電体共振器に
も十分対応することができるからである。Ｑ値は、高け
れば高い程望ましいが、特には、測定周波数１０ＧＨｚ
でのＱ値が５０００以上であることが望ましい。
以上を満足するようにしたのは、Ｑ値が２０００以上あ
る場合には、近年における高周波数帯の誘電体共振器に
も十分対応することができるからである。Ｑ値は、高け
れば高い程望ましいが、特には、測定周波数１０ＧＨｚ
でのＱ値が５０００以上であることが望ましい。
【００１８】また、本発明の誘電体磁器組成物では、図
２に示すように、主結晶相がコージェライトであり、他
に結晶相として、ムライト，スピネル，プロトエンスタ
タイト，クリノエンスタタイト，フォルステライト，ク
リストバライト，トリジマイト，コランダム等が析出す
る場合があるが、組成によってその析出相が異なる。
２に示すように、主結晶相がコージェライトであり、他
に結晶相として、ムライト，スピネル，プロトエンスタ
タイト，クリノエンスタタイト，フォルステライト，ク
リストバライト，トリジマイト，コランダム等が析出す
る場合があるが、組成によってその析出相が異なる。
【００１９】本発明の誘電体磁器組成物では、コージェ
ライトのみからなる結晶相であっても良い。
ライトのみからなる結晶相であっても良い。
【００２０】また、本発明の誘電体共振器は、図１に示
すように、基板３上に支持部材２を介して誘電体磁器１
を固定してなり、支持部材２または基板３、或いは支持
部材２及び基板３が、上記誘電体磁器組成物からなるも
のである。
すように、基板３上に支持部材２を介して誘電体磁器１
を固定してなり、支持部材２または基板３、或いは支持
部材２及び基板３が、上記誘電体磁器組成物からなるも
のである。
【００２１】本発明の誘電体磁器は、原料粉末として、
例えば、ＭｇＣＯ3 粉末，Ａｌ2 Ｏ3 粉末，ＳｉＯ2 粉
末を用い、所定の割合で秤量し、湿式混合した後乾燥
し、この混合物を大気中において１１００〜１３００℃
で仮焼した後、粉砕した。得られた粉末に適量のバイン
ダを加えて成形し、この成形体を大気中１３００〜１４
５０℃で焼成することにより得られる。特に、コージェ
ライトを主結晶相とする誘電体磁器は難焼結性であるた
め、適正な焼成温度捜し出し、焼成温度を厳密に制御し
て焼成する必要がある。
例えば、ＭｇＣＯ3 粉末，Ａｌ2 Ｏ3 粉末，ＳｉＯ2 粉
末を用い、所定の割合で秤量し、湿式混合した後乾燥
し、この混合物を大気中において１１００〜１３００℃
で仮焼した後、粉砕した。得られた粉末に適量のバイン
ダを加えて成形し、この成形体を大気中１３００〜１４
５０℃で焼成することにより得られる。特に、コージェ
ライトを主結晶相とする誘電体磁器は難焼結性であるた
め、適正な焼成温度捜し出し、焼成温度を厳密に制御し
て焼成する必要がある。
【００２２】尚、本発明の誘電体磁器組成物は、金属元
素として、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉのみからなるものである
が、例えば、粉砕ボールや原料粉末の不純物として、Ｚ
ｒ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃａ，Ｐ，Ｎａ，Ｔｉ等が混入
する場合があるが、この場合も、上記組成を満足する限
り低誘電率で、高Ｑ値の磁器を得ることができる。
素として、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉのみからなるものである
が、例えば、粉砕ボールや原料粉末の不純物として、Ｚ
ｒ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃａ，Ｐ，Ｎａ，Ｔｉ等が混入
する場合があるが、この場合も、上記組成を満足する限
り低誘電率で、高Ｑ値の磁器を得ることができる。
【００２３】また、本発明の誘電体磁器組成物では、低
誘電率および高Ｑ値が求められるものであれば、例え
ば、回路素子用基板，誘電体共振器の誘電体磁器，誘電
体導波路，誘電体アンテナ等、どのようなものでも適用
できるが、上記したように、誘電体共振器の支持部材ま
たは基板に最適である。
誘電率および高Ｑ値が求められるものであれば、例え
ば、回路素子用基板，誘電体共振器の誘電体磁器，誘電
体導波路，誘電体アンテナ等、どのようなものでも適用
できるが、上記したように、誘電体共振器の支持部材ま
たは基板に最適である。
【００２４】
【実施例】原料粉末として純度９９％のＭｇＣＯ3 、純
度９９．７％のＡｌ2 Ｏ3 、純度９９．４％のＳｉＯ2
粉末を用い、これらを焼結体が表１に示す組成となるよ
うに秤量し、１５時間湿式混合した後、乾燥し、この混
合物を１２００℃２時間仮焼した後、粉砕した。得られ
た粉末に適量のバインダを加えて造粒し、これを１００
０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力の下で成形して直径１２ｍｍ厚さ
８ｍｍの成形体を得た。この成形体を大気中１３００〜
１４５０℃で２時間焼成して誘電体磁器試料を得た。
度９９．７％のＡｌ2 Ｏ3 、純度９９．４％のＳｉＯ2
粉末を用い、これらを焼結体が表１に示す組成となるよ
うに秤量し、１５時間湿式混合した後、乾燥し、この混
合物を１２００℃２時間仮焼した後、粉砕した。得られ
た粉末に適量のバインダを加えて造粒し、これを１００
０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力の下で成形して直径１２ｍｍ厚さ
８ｍｍの成形体を得た。この成形体を大気中１３００〜
１４５０℃で２時間焼成して誘電体磁器試料を得た。
【００２５】この試料を用いて誘電体円柱共振器法にて
周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率とＱ値を測定し、そ
の結果を表１に示す。
周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率とＱ値を測定し、そ
の結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１によれば、本発明に係る高周波用誘電
体磁器組成物は、比誘電率が４〜６と低く、しかも測定
周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００以上と高い値を示
すことがわかる。
体磁器組成物は、比誘電率が４〜６と低く、しかも測定
周波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００以上と高い値を示
すことがわかる。
【００２８】尚、図２に試料Ｎo.５のＸ線回折チャート
図を示す。この図２から、コージェライトの他に、プロ
トエンスタタイト，スピネルが析出していることが判
る。また、図３に本発明の組成範囲および試料の組成を
示す３元図を示す。
図を示す。この図２から、コージェライトの他に、プロ
トエンスタタイト，スピネルが析出していることが判
る。また、図３に本発明の組成範囲および試料の組成を
示す３元図を示す。
【００２９】
【発明の効果】本発明の高周波用誘電体磁器組成物で
は、４〜６の低い比誘電率を有し、１０ＧＨｚでのＱ値
が２０００以上の高いＱ値を示す磁器が得られ、例え
ば、誘電体共振器の支持部材または基板に用いることに
より、高インピーダンスのマイクロ波用集積回路などの
高周波用回路素子を信頼性を損なうことなく製造するこ
とができる。また、低誘電率および高Ｑ値であるため、
例えば、マイクロ波，ミリ波集積回路等のマイクロ波，
ミリ波帯域で用いられる回路素子用基板，誘電体共振器
用支持台，誘電体共振器，誘電体導波路，誘電体アンテ
ナ等の材料として最適である。
は、４〜６の低い比誘電率を有し、１０ＧＨｚでのＱ値
が２０００以上の高いＱ値を示す磁器が得られ、例え
ば、誘電体共振器の支持部材または基板に用いることに
より、高インピーダンスのマイクロ波用集積回路などの
高周波用回路素子を信頼性を損なうことなく製造するこ
とができる。また、低誘電率および高Ｑ値であるため、
例えば、マイクロ波，ミリ波集積回路等のマイクロ波，
ミリ波帯域で用いられる回路素子用基板，誘電体共振器
用支持台，誘電体共振器，誘電体導波路，誘電体アンテ
ナ等の材料として最適である。
【図１】高周波用回路素子の一例を示す誘電体共振器制
御型マイクロ波発信器の概略断面図である。
御型マイクロ波発信器の概略断面図である。
【図２】試料Ｎｏ．５の結晶構造を示すＸ線回折図であ
る。
る。
【図３】本発明に係る高周波用誘電体磁器組成物の組成
範囲を示す三元組成図である。
範囲を示す三元組成図である。
１・・・誘電体磁器 ２・・・支持部材 ３・・・磁器基板
Claims (2)
- 【請求項１】金属元素としてＭｇ，Ａｌ，Ｓｉからなる
複合酸化物であって、各金属元素の酸化物によるモル比
組成式を ｘＭｇＯ−ｙＡｌ2 Ｏ3 −ｚＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ，ｙ，ｚが １０≦ｘ≦４０ １０≦ｙ≦４０ ２０≦ｚ≦８０ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ を満足するとともに、比誘電率が６以下、かつ、測定周
波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００以上であることを特
徴とする高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】基板上に支持部材を介して誘電体磁器を固
定してなる誘電体共振器において、前記基板および／ま
たは前記支持部材が、金属元素としてＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ
からなる複合酸化物であって、各金属元素の酸化物によ
るモル比組成式を ｘＭｇＯ−ｙＡｌ2 Ｏ3 −ｚＳｉＯ2 と表した時、前記ｘ，ｙ，ｚが １０≦ｘ≦４０ １０≦ｙ≦４０ ２０≦ｚ≦８０ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ を満足するとともに、比誘電率が６以下、かつ、測定周
波数１０ＧＨｚでのＱ値が２０００以上であることを特
徴とする誘電体共振器。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1995
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| DE10114030B8 (de) * | 2000-03-28 | 2005-06-09 | Kyocera Corp. | Dielektrische Porzellanzusammensetzung für Hochfrequenzanwendungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung der dielektrischen Porzellanzusammensetzung zur Herstellung von dielektrischen Resonatoren und Streifenleitungen |
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