JPH0945987A - 半導体レーザ素子 - Google Patents

半導体レーザ素子

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JPH0945987A
JPH0945987A JP19445595A JP19445595A JPH0945987A JP H0945987 A JPH0945987 A JP H0945987A JP 19445595 A JP19445595 A JP 19445595A JP 19445595 A JP19445595 A JP 19445595A JP H0945987 A JPH0945987 A JP H0945987A
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JP
Japan
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semiconductor laser
substrate
laser device
optical waveguide
plane
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JP19445595A
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Toshiaki Tanaka
俊明 田中
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
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    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 導波路や共振器の形成が困難であった窒化物
材料において、半導体レ−ザに適する導波路共振構造を
形成し、また共振器端面にＤＢＲ構造高反射膜を形成し
て、青紫色波長領域においてより低閾値動作の半導体レ
−ザを実現する。 【解決手段】 サファイア基板（０００１）Ｃ面上にGa
N材料からなる層３まで結晶成長し、絶縁膜マスク４の
パタ−ンを用いて、層５から７までの導波路構造を含み
ＤＢＲ構造高反射膜８までを選択成長する。このとき、
導波路構造では、発光活性層が光導波層に埋め込まれた
形である実屈折率導波型のＢＨ構造を構成する。ＤＢＲ
構造膜８は、共振器端面高反射膜としてだけではなく、
電流狭窄層とフォトンリサイクル用の高反射膜としても
働く。この後、電極１０及び１１を蒸着して、スクライ
ブすることにより図示の素子縦断面を得る。 【効果】 ＤＢＲ構造高反射膜を設けない素子に比べ、
閾値電流を1/10から1/15に低減できた。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報処理或は光応用
計測光源に適する半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】青色波長領域で発光する光デバイスに関
して、従来技術では例えばGaInN/AlGaN材料を用いた例
が示されており、公知例１）アプライド・フィジックス
・レター1994年,64巻,1687-1689頁(Appl. Phys. Lett.,
64, 1687-1689(1994).)に青色発光ダイオードを構成す
る素子構造の詳細が述べられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、窒
化物系材料を用いた青色発光素子に適する素子構造のう
ち発光活性層や光導波層の構成について言及している
が、レーザダイオードに要求される光導波路や共振器構
造、さらには共振器端面反射膜構造に関する詳細な内容
については述べてられていない。
【０００４】本発明の目的は、半導体レーザに適する光
導波路と共振器構造を新たに示し、共振器端面に対して
ブラック分布反射型(DBR; Distributed Bragg Reflecto
r)構造からなる高反射率を有した端面反射膜を結晶成長
により形成するものである。本発明は、特にこれまで導
波路や共振器の形成が困難であったNitride材料におい
て効果があり、半導体レーザに適する導波路共振構造を
形成するとともに、共振器端面に対してＤＢＲ構造高反
射膜を施すことにより、青紫色波長領域においてより低
閾値動作の半導体レーザを実現させることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段を以下に説明する。
【０００６】本発明では、用いる単結晶基板の面方位と
光導波路を形成する方向を規定し、かつ絶縁膜マスクを
用いた選択結晶成長技術を利用することにより、発光活
性層を光導波層の中に埋め込んだ形の導波路構造を作製
する。このとき、発光活性層横方向に対して実屈折率差
を設けた横モード制御型埋め込み(BH; Buried Heterost
ructure)構造を形成できるとともに、同時に導波光の共
振方向においてFabry-Perot共振器端面に相当する側面
が基板に対して垂直である、光導波路構造を形成でき
る。上記導波路構造に引き続いて、導波光の共振方向に
おいて基板に対して垂直になる側面に対して、選択成長
によりＤＢＲ構造の高反射膜を設けることにより、高反
射率を有した共振器端面を作製する。
【０００７】
【作用】目的を達成するため、上記手段の作用について
説明する。
【０００８】本発明では、まず単結晶基板として半導体
基板或いはセラミックス基板を用い、半導体基板の場合
には、基板面方位(111)面を有するZinc Blende構造であ
るか或いは基板面方位が(0001)C面を有するWurtzite構
造であり、またセラミックス単結晶基板であるときには
基板面方位が(0001)C面を有するWurtzite構造である基
板を用いる。
【０００９】これらの基板表面に対して、絶縁膜マスク
を形成し、選択成長技術を用いることにより、基板面に
垂直な導波路構造や共振器構造を作製できる。さらに、
基板における導波路ストライプの作製方向を指定する
と、基板面に垂直な導波路側面と共振器面を同時に形成
できる。ストライプ構造を作製する方向は、Wurtzite構
造であり(0001)C面を有した基板上では、該基板の(11-2
0)A面に垂直である方向に設定し、またZinc Blende構造
であり(111)A面又は(111)B面を有した基板上では、それ
ぞれ(1-10)面と(110)面に平行となる方向に導波路構造
を作製した場合に相当する。このとき、上記の導波路構
造では、実屈折率差で基本横モードを安定に制御して導
波するＢＨ構造が一回の結晶成長によって実現できる。
導波光は、ＢＨ導波路構造の発光活性層と光導波層を伝
搬し、共振方向では結晶成長によって形成されたFabry-
Perot共振器面の間を繰り返し反射して増幅される。
【００１０】しかしながら、通常のIII-Ｖ族半導体材料
では、その屈折率からすると端面の反射率は３０％程度
であり、特にNitride材料では屈折率が低いため端面反
射率は２０％程度と小さい。従来の技術では、端面の酸
化や劣化を防止するために、レーザ素子を劈開した後に
端面保護膜を形成する装置において、誘電体膜により端
面を被覆するのが通常であり、端面の反射率を高めるた
めには、屈折率の異なる２種類の誘電体膜を周期的に繰
り返して高反射膜を形成する。この工程では、素子の作
製プロセスが増えるとともに、劈開した素子の端面を一
度空気中に晒すことになるので、共振器表面の酸化や不
純物付着汚染を避けることができない。このことは、素
子の信頼性に大きく影響し、寿命を短くする要因とな
る。これに対して、本発明では、選択成長により基板面
に垂直な共振器面を作製できるので、導波路構造を作製
するのに引き続き連続して結晶成長することにより、２
種類の屈折率の異なる結晶層からＤＢＲ構造を構成し
て、レーザ光の波長に対して高反射膜を設定できる。さ
らに、空気中に晒すことなく同一装置内で高反射端面保
護膜を形成でき、端面の酸化や汚染がなく清浄な界面を
保つことができる。端面反射率は、ＤＢＲ構造における
繰り返し周期数に依存するので、任意の値に設定するこ
とが可能である。ＤＢＲ構造の高反射膜としては、９０
％以上の最高反射率を達成できた。端面の高反射膜は、
端面ミラー損失を低減して、素子の低閾値化をもたら
す。
【００１１】また、共振器端面に設けるＤＢＲ構造膜
は、不純物をドープしていないので、光導波路のストラ
イプ方向では電流狭窄層としても機能させることができ
る。さらに、ＢＨ構造からなる光導波路において、基板
面に垂直な側面に設けられたＤＢＲ構造高反射膜は、導
波路の共振方向から外れて漏れだす発光成分を反射し
て、発光活性層に帰還させるように働く。これらのこと
は、素子の低閾値高効率動作につながる。
【００１２】本発明では、導波路層を高品質な結晶によ
り構成するために、選択成長に用いる絶縁膜マスクを形
成する際に、導波路構造を作製するための中央部のマス
クパターンに隣接して、両端に同様なマスク形状からな
るダミーパターンを設けておく。これにより、中央部の
パタ−ン端部に形成される異常成長層を回避し、形状の
制御性を格段に向上できる。ダミーパターンに成長され
た結晶層には電流を注入せず、中央部の結晶性のよい導
波路構造のみに電流を注入することによって、レーザ素
子の低閾値や高効率動作が一層期待できる。
【００１３】以上により、基本横モードで安定にレーザ
光を伝搬させる導波路構造を作製するとともに、高反射
率を有した共振器端面反射膜構造と電流狭窄構造を兼ね
るＤＢＲ構造により、低閾値高効率で動作する半導体レ
ーザを得る。
【００１４】
【実施例】
実施例１ 本発明の一実施例を図１，２及び３により説明する。図
１において、(0001)C面を有するα-Al2O3基板１上に、G
aNバッファ層２，ｎ型GaN光導波層３まで有機金属気相
成長法により結晶成長する。その後、共振器端面を選択
成長により形成するために、絶縁膜マスクパターン４を
リソグラフィーにより形成する。このとき、図２におい
て絶縁膜マスク４のストライプ方向を該α-Al2O3基板１
の(11-20)A面と平行な方向に設定しておく。次に、選択
成長により、ｎ型GaN光導波層５，AlGaN光分離閉じ込め
層とGaN量子障壁層及びGaInN量子井戸層からなる圧縮歪
多重量子井戸活性層６，ｐ型GaN光導波層７，GaInNとAl
GaNを周期的に設けたアンドープＤＢＲ構造高反射膜８
を順次設ける。このとき、発振波長をλとし、GaInNとA
lGaNの屈折率をそれぞれｎ1,ｎ2としたときに、光導波
構造の側面である共振器端面に対して、ＤＢＲ構造高反
射膜が膜厚λ/4ｎ1のGaInN層と膜厚λ/4ｎ2のAlGaN層と
から周期的に繰り返されるように、形成してある。次
に、リソグラフィーにより形成した絶縁膜マスクを用い
て、層３に到るまで層８,７,６及び５をエッチング除去
した後、絶縁膜マスク９を設ける。絶縁膜マスク９を利
用して、層８を層７に到るまでエッチング除去して、幅
５〜８μｍのストライプを形成する。これにより、ＤＢ
Ｒ構造高反射膜８を電流狭窄層とした利得導波型構造が
できる。さらに、ｐ電極１０とｎ電極１１のパターンを
蒸着する。最後に、導波路構造をスクライブにより切り
出して、図１に示す素子縦断面と図３に示す共振方向の
素子横断面を得る。
【００１５】本実施例によると、利得導波型の導波路構
造と基板に垂直な共振器構造を同時に作製でき、引き続
き連続して選択成長により共振器端面に対してＤＢＲ構
造高反射膜を形成できる。本素子では、共振器面を基板
の劈開によって形成する必要性がなく、光導波路構造の
作製に連続した結晶成長の工程により、共振器端面高反
射膜を作製できた。さらに反射膜を施さない素子では、
発光活性層や光導波層の屈折率が低く２０％程度の端面
反射率であったのに対し、本素子では実質的に７５％以
上の端面反射率を得ることができた。ＤＢＲ構造高反射
膜８を設けていない素子に比べて、閾値電流を1/4から1
/8に低減できた。本素子は室温において発振し、発振波
長４１０〜４３０ｎｍの範囲であった。
【００１６】実施例２ 本発明の他実施例を説明する。実施例１と同様に素子を
作製するが、図４（ｂ）に示す絶縁膜マスク４の窓領域
の間隔を１〜２μｍ範囲に狭く設け、光導波路のストラ
イプ方向を該α-Al2O3基板１の(11-20)A面と垂直な方向
に設定して、選択成長により実施例１と同じ結晶層から
なる導波路構造を構成させる。このようにして、図４
（ａ）に示す素子縦断面と図５に示す共振方向の素子横
断面を得る。
【００１７】本実施例によると、電流狭窄効果が大きく
屈折率導波型のＢＨ導波路構造と基板面に垂直な共振器
構造を同時に作製でき、共振器端面に対してＤＢＲ構造
高反射膜を形成できる。本素子では、ＤＢＲ構造高反射
膜８を設けていない素子に比べて、端面反射率を実質的
に８０％以上に設定することができた。これらにより、
実施例１の素子よりも低閾値で動作する素子を得ること
ができ、実施例１においてＤＢＲ構造高反射膜８を設け
ていない素子に比べて、閾値電流を1/10から1/15に低減
できた。
【００１８】実施例３ 本発明の他実施例を説明する。実施例２と同様に素子を
作製するが、実施例２に相当するストライプ導波路部と
共振器端面部に相当するマスクパターンの外側に、図６
（ｂ）に示すようなダミーパターンを形成した絶縁膜マ
スク４を設ける。その後、選択成長により実施例２と同
じ結晶層からなる導波路構造を構成させる。このように
して、図６（ａ）に示す素子縦断面と図７に示す共振方
向の素子横断面を得る。図７の素子横断面は、結晶層を
残したまま素子の作製プロセスを行ったものであり、共
振器端面部近傍にダミーパターン上の結晶層が残存して
いる。レーザ光の出射する片方の前端面部では、残存し
た結晶層をエッチング除去して素子を完成させる。
【００１９】本実施例によると、実施例２よりも導波路
層の結晶性及び形状制御性をより向上させることができ
たので、活性層の発光効率や導波路の光損失を改善でき
た。また、ＤＢＲ構造膜の結晶性や膜厚制御性も向上で
きるので、反射率やその制御性も改善できた。本素子で
は、ＤＢＲ構造高反射膜８を設けていない素子に比べ
て、端面反射率を実質的に９０％以上に設定することが
できた。これらにより、実施例２の素子よりも低閾値で
動作する素子を得ることができ、実施例１においてＤＢ
Ｒ構造高反射膜８を設けていない素子に比べて、閾値電
流を1/20から1/25に低減できた。また、レーザ光を出射
する片方の端面部では、ダミーパターン上の結晶層を残
しておくことにより、後端面部では見かけ上反射率を大
きくした、非対称の反射率を有した反射膜を作製できて
いる。このため、前端面部の方から光出力を大きくとれ
ることになる。さらに、近端反射による縦モードのカッ
プリングを利用して、縦モードを単一にして安定化させ
ることができた。このことは、戻り光に誘起される雑音
特性を改善でき、低雑音特性を付加させることができ
た。
【００２０】実施例４ 本発明の他実施例を説明する。実施例３と同様にして素
子を作製するが、基板を変えて他の材料系に対して適用
した。(111)B面を有するGaAs基板を１として用いて、そ
の上にｎ型GaAsバッファ層２，ｎ型GaInP層とｎ型GaAs
層からなる光導波層３をまず結晶成長する。次に、素子
の共振器面を結晶面(110)面に相当するように、絶縁膜
マスク４のパターンを形成する。その上にｎ型GaInP光
導波層５，アンドープGaAs光分離閉じ込め層とアンドー
プGaInAsP量子障壁層及びアンドープGaInAs圧縮歪量子
井戸層からなる多重量子井戸構造活性層６，ｐ型GaInP
層とｐ型GaAs層からなる光導波層７，アンドープGaAs/A
lInPＤＢＲ構造高反射膜８を選択成長する。この後、実
施例３と同様な作製プロセスを経て、素子断面を得る。
本実施例の素子では、実屈折率導波型のＢＨ構造とＤ
ＢＲ構造高反射膜により、室温において閾値電流０.１
ｍＡ以下の値を達成し、ＤＢＲ構造高反射膜を導入しな
い場合に比べて、閾値電流を1/20〜1/30に低減すること
が可能であった。発振波長は、９７０〜９９０ｎｍの範
囲であった。
【００２１】実施例５ 本発明の他実施例を説明する。実施例３と同様にして素
子を作製するが、上記実施例とは、基板を変えて他の材
料系に対して適用した。(111)B面を有するInP基板を１
として用いて、その上にｎ型InPバッファ層２，ｎ型InP
光導波層３をまず結晶成長する。次に、素子の共振器面
を結晶面(110)面に相当するように、絶縁膜マスク４の
パターンを形成する。その上にｎ型InP光導波層５，ア
ンドープAlInAs光分離閉じ込め層とアンドープGaInAsP
量子障壁層及びアンドープGaInAsP圧縮又は引張歪量子
井戸層からなる多重量子井戸構造活性層６，ｐ型InP層
とGaInAs層からなる光導波層７，アンドープGaInAs/AlI
nAsＤＢＲ構造高反射膜８を選択成長する。この後、実
施例３と同様な作製プロセスを経て、素子断面を得る。
【００２２】本実施例の素子では、実屈折率導波型のＢ
Ｈ構造とＤＢＲ構造高反射膜により、室温において閾値
電流０.２ｍＡ以下の値を達成し、ＤＢＲ構造高反射膜
を導入しない場合に比べて、閾値電流を1/20〜1/30に低
減することが可能であった。発振波長は、１３００〜１
３５０ｎｍの範囲であった。
【００２３】
【発明の効果】本発明により、実屈折率差によって基本
横モードを安定に導波できるＢＨストライプ構造を作製
するとともに、共振器端面にはＤＢＲ構造高反射膜を形
成して、低閾値動作を達成した。本素子は、ＤＢＲ構造
高反射膜を設けていない素子に比べ、閾値電流を少なく
とも1/5から1/10に低減できた。特に、これまで導波路
や共振器構造の形成が困難であったNitride材料におい
て、上記導波路共振構造とＤＢＲ構造高反射膜により、
室温におけるレーザ素子の低閾値動作を確認できた。室
温における発振波長は、青紫色の波長領域であり、４１
０〜４３０ｎｍの範囲であった。
【００２４】本発明の実施例では、(0001)C面を有した
サファイア基板や(111)面を有したGaAs,InP基板上に作
製した半導体レーザについて説明したが、その他Wurtzi
te構造であるSiC基板や、Zinc Blende構造であるInAs,G
aSb,GaAsP,GaInAs,ZnSe,ZnS等の基板上に作製した半導
体レーザに対しても本発明の内容を適用できることは言
うまでもない。
【００２５】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す素子構造縦断面図。
【図２】本発明の一実施例における絶縁膜マスク上面
図。
【図３】本発明の一実施例における素子構造横断面図。
【図４】本発明の他実施例を示す素子構造縦断面図
（ａ）と絶縁膜マスク上面図（ｂ）。
【図５】本発明の他実施例における素子構造横断面図。
【図６】本発明の他実施例を示す素子構造縦断面図
（ａ）と絶縁膜マスク上面図（ｂ）。
【図７】本発明の他実施例における素子構造横断面図。
【符号の説明】
１．(0001)C面サファイア単結晶基板、２．GaNバッファ
層、３．ｎ型GaN光導波層、４．絶縁膜マスク、５．ｎ
型GaN光導波層、６．GaInN/GaN/AlGaN多重量子井戸構造
活性層、７．ｐ型GaN光導波層、８．GaInN/AlGaNＤＢＲ
構造高反射膜、９．絶縁膜、１０．ｐ電極、１１．ｎ電
極。

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】単結晶基板上に設けた発光素子の光導波路
    構造において、該光導波路を伝搬して導波光が共振する
    方向に対して、Fabry-Perot共振器となる両端面が該基
    板に垂直な面により形成されており、かつ該共振器形成
    の後に両端面にはブラック分布反射型(DBR; Distribute
    d Bragg Reflector)構造からなる高反射膜を設けてある
    ことを特徴とする半導体レーザ素子。
  2. 【請求項２】請求項１記載の半導体レーザ素子におい
    て、該光導波路は矩形状の断面形状を有しており、該導
    波路上面は基板面と平行で一様に平坦な面であり、該導
    波路側面は基板に対して垂直でかつ一様な平滑面であっ
    て、該光導波路構造内部では禁制帯幅の小さな発光層が
    禁制帯幅の大きな光導波層に埋め込まれた形を有してい
    ることにより、活性層横方向では実屈折率差によって基
    本横モードが安定に導波される埋込み型(BH; Buried He
    terostructure)ストライプ構造を構成しており、かつ導
    波光が共振する方向では基板に対して垂直な面が共振器
    端面となっており、該共振器端面にＤＢＲ構造からなる
    高反射膜を設けてあることを特徴とする半導体レーザ素
    子。
  3. 【請求項３】請求項１又は２記載の半導体レーザ素子に
    おいて、絶縁膜マスクと選択成長技術を用いて、矩形状
    のＢＨ光導波路構造と基板に垂直な共振器端面を同時に
    形成し、引き続き連続して選択成長技術により該共振器
    端面にＤＢＲ構造高反射膜を設けてあることを特徴とす
    る半導体レーザ素子。
  4. 【請求項４】請求項３記載の半導体レーザ素子におい
    て、上記光導波路構造と共振器端面及びＤＢＲ構造高反
    射膜を一回の連続した結晶成長により設けてあることを
    特徴とする半導体レーザ素子。
  5. 【請求項５】請求項１から４のいずれかに記載の半導体
    レーザ素子において、屈折率の異なる少なくとも２種類
    の結晶層を周期的に繰り返し、屈折率がｎ1とｎ2である
    結晶層を用いたとき、結晶層の膜厚はレーザの発振波長
    をλとしたときにそれぞれλ/4ｎ1とλ/4ｎ2に設定する
    ことにより、該ＤＢＲ構造高反射膜を構成してあること
    を特徴とする半導体レーザ素子。
  6. 【請求項６】請求項１から５のいずれかに記載の半導体
    レーザ素子において、屈折率の異なりかつ格子定数が異
    なる少なくとも２種類の結晶層を周期的に繰り返したと
    きに、少なくとも２種類の結晶層では格子歪がそれぞれ
    反対の符号でありかつ歪量が全体の膜厚において補償さ
    れている該ＤＢＲ構造高反射膜を構成していることを特
    徴とする半導体レーザ素子。
  7. 【請求項７】請求項１から６のいずれかに記載の半導体
    レーザ素子において、上記光導波路構造において共振器
    端面に設けた同一の該ＤＢＲ構造高反射膜が、同時に電
    流狭窄層としても機能する光導波路構造を設けることを
    特徴とする半導体レーザ素子。
  8. 【請求項８】請求項１から７のいずれかに記載の半導体
    レーザ素子において、上記光導波路構造において共振器
    端面に設けた該ＤＢＲ構造高反射膜が該光導波路層の側
    面にも同じ構造を保って形成してあることにより、共振
    方向から外れて外部に漏れだす発光成分を反射し、発光
    活性層に帰還させる高反射膜として機能した、フォトン
    リサイクルできる光導波路構造を設けることを特徴とす
    る半導体レーザ素子。
  9. 【請求項９】請求項１から８のいずれかに記載の半導体
    レーザ素子において、該単結晶基板が半導体基板のとき
    には、六方晶系のWurtzite構造であって基板面方位が(0
    001)C面を有する基板であり、或いはZinc Blende構造で
    あってかつ基板面方位が(111)面を有した基板である
    か、またセラミックス単結晶基板であるときには六方晶
    系のWurtzite構造であって基板面方位が(0001)C面を有
    している、該単結晶基板上に設けられていることを特徴
    とする半導体レーザ素子。
  10. 【請求項１０】請求項８記載の半導体レーザ素子におい
    て、(0001)C面を有する六方晶系Wurtzite構造の基板上
    に該光導波路構造を設ける場合には、導波路を形成する
    方向を該基板の(11−20)A面に垂直である方向に設定す
    ることを特徴とする半導体レーザ素子。
  11. 【請求項１１】請求項９記載の半導体レーザ素子におい
    て、(111)面を有するZinc Blende構造の基板上に該光導
    波路構造を設ける場合に、基板面方位が(111)A面のとき
    導波路を形成する方向を該基板の(1-10)面に平行である
    方向とし、基板面方位が(111)B面のとき導波路を形成す
    る方向を(110)面に平行である方向に設定することを特
    徴とする半導体レーザ素子。
  12. 【請求項１２】請求項１から１１のいずれかに記載の半
    導体レーザ素子において、該光導波路構造の両外側に相
    当する領域にダミーパターンを設定し、これを含めて光
    導波路構造選択成長用の絶縁膜マスクを構成して光導波
    路を設けることを特徴とする半導体レーザ素子。
  13. 【請求項１３】請求項１２記載の半導体レーザ素子にお
    いて、導波路の両外側に相当するダミーパターン領域に
    設けたストライプ構造に対して絶縁膜マスクでカバーす
    ることにより電流を注入しないように設定してあり、内
    側の導波路構造にのみ電流を注入できるようにしてある
    ことを特徴とする半導体レーザ素子。
  14. 【請求項１４】請求項１から１３のいずれかに記載の半
    導体レーザ素子において、該発光活性層は量子井戸層に
    より構成した単一或は多重量子井戸構造であることを特
    徴とする半導体レーザ素子。
  15. 【請求項１５】請求項１４記載の半導体レーザ素子にお
    いて、該発光活性層は格子歪を導入した歪量子井戸層に
    より構成した単一或は多重歪量子井戸構造であることを
    特徴とする半導体レーザ素子。
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