JPH0945627A - 半導体製造用熱処理装置 - Google Patents
半導体製造用熱処理装置Info
- Publication number
- JPH0945627A JPH0945627A JP7212459A JP21245995A JPH0945627A JP H0945627 A JPH0945627 A JP H0945627A JP 7212459 A JP7212459 A JP 7212459A JP 21245995 A JP21245995 A JP 21245995A JP H0945627 A JPH0945627 A JP H0945627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core tube
- heat
- reactor core
- heater
- wafer
- Prior art date
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- Pending
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- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半導体製造用熱処理装置に関し、半導体製造
工程における熱処理を安定した環境の下で効率よく行
う。 【解決手段】 ウェハ５を収容する炉芯管２と、この炉
芯管２を加熱するヒーター４を備える半導体製造用熱処
理装置１において、炉芯管２の開放端近傍部Ａの外周表
面をサンドブラスト仕上げとしたものである。
工程における熱処理を安定した環境の下で効率よく行
う。 【解決手段】 ウェハ５を収容する炉芯管２と、この炉
芯管２を加熱するヒーター４を備える半導体製造用熱処
理装置１において、炉芯管２の開放端近傍部Ａの外周表
面をサンドブラスト仕上げとしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造工程にお
ける拡散等に使用される熱処理装置に係り、特に炉芯管
の構造に関するものである。
ける拡散等に使用される熱処理装置に係り、特に炉芯管
の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造用熱処理装置につい
て、図２（ａ）、（ｂ）に基づいて説明をする。図中、
１は半導体製造工程における拡散工程等に使用される熱
処理装置の要部を示しており、半導体素子が形成される
ウェハ５を収容し、反応ガスが流入される炉芯管２と、
この炉芯管２を加熱する熱源であるヒーター４と、断熱
材３とから成っている。一般的に炉芯管２として使用さ
れる石英ガラス管は透明石英ガラス製であるため、熱が
伝導し易い性質を有している。
て、図２（ａ）、（ｂ）に基づいて説明をする。図中、
１は半導体製造工程における拡散工程等に使用される熱
処理装置の要部を示しており、半導体素子が形成される
ウェハ５を収容し、反応ガスが流入される炉芯管２と、
この炉芯管２を加熱する熱源であるヒーター４と、断熱
材３とから成っている。一般的に炉芯管２として使用さ
れる石英ガラス管は透明石英ガラス製であるため、熱が
伝導し易い性質を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このため、熱を逃さ
ず、炉芯管２全体の温度を均一に保つ目的で設けられた
断熱材３があるにも関わらず、ヒーター４から供給され
た熱は、炉芯管２のうち、ヒーター４がない低温部分で
あるウェハ５の搬入出口近傍部及び反応ガス等の流入排
出口近傍部へと伝導してしまい、矢印Ｂ方向へと逃げて
いってしまう。
ず、炉芯管２全体の温度を均一に保つ目的で設けられた
断熱材３があるにも関わらず、ヒーター４から供給され
た熱は、炉芯管２のうち、ヒーター４がない低温部分で
あるウェハ５の搬入出口近傍部及び反応ガス等の流入排
出口近傍部へと伝導してしまい、矢印Ｂ方向へと逃げて
いってしまう。
【０００４】
【課題を解決するための手段】従って、図２（ｂ）で示
す、炉芯管２の長さ方向における温度分布に見える均熱
帯ｌ2はヒーター４により加熱される領域のみとなって
しまい、拡散等の反応が、装置全体としてみると不均一
になるという問題があった。
す、炉芯管２の長さ方向における温度分布に見える均熱
帯ｌ2はヒーター４により加熱される領域のみとなって
しまい、拡散等の反応が、装置全体としてみると不均一
になるという問題があった。
【０００５】また、ウェハ５の搬入出口近傍及び反応ガ
ス等の流入排出口近傍から逃げる熱を補うため、ヒータ
ー４の熱量を大きくする必要がありコスト的にも余計に
かかるという問題もあった。
ス等の流入排出口近傍から逃げる熱を補うため、ヒータ
ー４の熱量を大きくする必要がありコスト的にも余計に
かかるという問題もあった。
【０００６】本発明の目的は、以上に述べたような従来
の炉芯管をもつ半導体製造用熱処理装置の問題に鑑み、
安定した環境の下に効率よく半導体素子を製造すること
のできる半導体製造用熱処理装置を得るにある。
の炉芯管をもつ半導体製造用熱処理装置の問題に鑑み、
安定した環境の下に効率よく半導体素子を製造すること
のできる半導体製造用熱処理装置を得るにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記目
的は、炉芯管の開放端近傍部外周表面をサンドブラスト
仕上げにした、半導体製造用熱処理装置により達成され
る。
的は、炉芯管の開放端近傍部外周表面をサンドブラスト
仕上げにした、半導体製造用熱処理装置により達成され
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明による半導体製造用熱処理
装置の実施例を、図１（ａ）、（ｂ）に基づいて説明す
る。但し、図２（ａ）、（ｂ）と同じものについては同
符号を付し、詳細な説明は省略する。図１（ａ）中、２
は半導体製造工程中の拡散工程に使用される、透明石英
ガラス製の炉芯管であり、Ａ部は、この炉芯管２のう
ち、ウェハ５を搬入出するための開口部近傍部、及び反
応ガス流入、排気をするための開口部近傍部であり、こ
れら近傍部Ａの外周表面がサンドブラスト仕上げとなっ
ている。
装置の実施例を、図１（ａ）、（ｂ）に基づいて説明す
る。但し、図２（ａ）、（ｂ）と同じものについては同
符号を付し、詳細な説明は省略する。図１（ａ）中、２
は半導体製造工程中の拡散工程に使用される、透明石英
ガラス製の炉芯管であり、Ａ部は、この炉芯管２のう
ち、ウェハ５を搬入出するための開口部近傍部、及び反
応ガス流入、排気をするための開口部近傍部であり、こ
れら近傍部Ａの外周表面がサンドブラスト仕上げとなっ
ている。
【０００９】このため、表面に何の加工もしない透明石
英ガラスに比べると、曇ガラスとすることで、熱が透過
しにくくなるので熱源であるヒーター４により供給され
た熱が伝導するのに時間がかかり、保温効果が上がる。
英ガラスに比べると、曇ガラスとすることで、熱が透過
しにくくなるので熱源であるヒーター４により供給され
た熱が伝導するのに時間がかかり、保温効果が上がる。
【００１０】この結果、図１（ｂ）で示す炉芯管２の長
さ方向における温度分布に見える均熱帯ｌ1は、図２
（ｂ）で示す従来の均熱帯ｌ2に比べると、ｌ1＞ｌ2と
なり、ヒーター４で加熱される領域以外にも及び、装置
全体としてみると拡散等の反応がより均一化され、ウェ
ハ５への影響も小さくなる。
さ方向における温度分布に見える均熱帯ｌ1は、図２
（ｂ）で示す従来の均熱帯ｌ2に比べると、ｌ1＞ｌ2と
なり、ヒーター４で加熱される領域以外にも及び、装置
全体としてみると拡散等の反応がより均一化され、ウェ
ハ５への影響も小さくなる。
【００１１】また、ウェハ５の搬入出口近傍部及び反応
ガス等の流入排出口近傍部の保温効果が大きくなるた
め、ヒーター４の熱量も比例して少なくてすみ、省エネ
ルギー、低コスト化を図ることができる。
ガス等の流入排出口近傍部の保温効果が大きくなるた
め、ヒーター４の熱量も比例して少なくてすみ、省エネ
ルギー、低コスト化を図ることができる。
【００１２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、簡単な構成で半導体製造工程における拡散等
の熱処理を、安定した環境の下で効率よく行うことがで
きるため、製品の品質向上、歩留り向上及び省エネルギ
ー、低コスト化を図ることができる。
によれば、簡単な構成で半導体製造工程における拡散等
の熱処理を、安定した環境の下で効率よく行うことがで
きるため、製品の品質向上、歩留り向上及び省エネルギ
ー、低コスト化を図ることができる。
【図１】（ａ）は本発明による半導体製造用熱処理装置
の実施例の要部を示す断面図である。（ｂ）は、（ａ）
に示す半導体製造用熱処理装置の長さ方向における温度
分布を示す図である。
の実施例の要部を示す断面図である。（ｂ）は、（ａ）
に示す半導体製造用熱処理装置の長さ方向における温度
分布を示す図である。
【図２】（ａ）は従来の半導体製造用熱処理装置の一例
の要部を示す断面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す半
導体製造用熱処理装置の長さ方向における温度分布を示
す図である。
の要部を示す断面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す半
導体製造用熱処理装置の長さ方向における温度分布を示
す図である。
１ 半導体製造用熱処理装置 ２ 炉芯管 ３ 断熱材 ４ ヒーター ５ ウェハ
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハを収容する炉芯管と、該炉芯管を
加熱するヒーターとからなる半導体製造用熱処理装置に
おいて、該炉芯管の開放端近傍部外周表面をサンドブラ
スト仕上げとしたことを特徴とする半導体製造用熱処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7212459A JPH0945627A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 半導体製造用熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7212459A JPH0945627A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 半導体製造用熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945627A true JPH0945627A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16622988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7212459A Pending JPH0945627A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 半導体製造用熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945627A (ja) |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP7212459A patent/JPH0945627A/ja active Pending
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