JPH0943853A

JPH0943853A - パターン形成方法

Info

Publication number: JPH0943853A
Application number: JP7190804A
Authority: JP
Inventors: Sachiko Hattori; 佐知子服部
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1995-07-26
Filing date: 1995-07-26
Publication date: 1997-02-14

Abstract

(57)【要約】【課題】この発明は半導体装置等の製造工程の、特に
リソグラフィーに関し、薄膜からなるパターン形成方法
に係わるものである。【解決手段】被加工基板上にレジスト膜を所定の厚さ
に被膜し、その後、露光、現像処理を行うことによって
得られるレジストパターンは、その端部にテーパー角が
生じている。このテーパー角を解消し、レジストパター
ンの側面の角度を被加工基板の一主面に対して垂直にす
るために、レジストパターンの端部を残し、他の領域を
露光し、その後加熱することによって、紫外線による露
光を行った領域を軟化させる。これによってレジストパ
ターンの端部のテーパー角は被加工基板の一主面に対し
て垂直になり、このレジストパターンを用いて被加工基
板に異方性エッチングを行うことで設計寸法通りのパタ
ーンに加工することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、微細な構造を持
つ半導体装置等の形成方法に関し、特にレジストパター
ンをマスクとして用いるパターン形成方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】微細加工に係わるフォトリソグラフィー
では、必要なパターンが描かれたマスクを介して被加工
基板上に被膜されたレジストに対して露光、現像等を行
い、レジストパターンを得るのが一般的な方法である。
また、最近の傾向として微細加工や下層パターンと上層
パターンとの重ね合わせ精度向上等が要求されている
が、実際にレジストパターンの形成を行うとレジストパ
ターンの上部表面には、レジストパターンの端部から中
央に向かってストレスが生じ、レジストパターンの端部
断面が被加工基板に対して傾斜を持つものとなってしま
う。微細加工をする上では、レジストパターンを正確な
形状にすること、即ち、レジストパターンの端部断面に
生じる傾斜（以下、テーパー角と記す。）をなくし、垂
直な側面を持つレジストパターンを得ることが重要とな
ってきている。特に、大面積のレジストパターン、若し
くは一続きの大面積のレジストパターン内にホールパタ
ーンが形成されたようなレジストパターンの場合は、そ
の端部、若しくはホールの側面のテーパー角の為にその
後の異方性エッチングによって設計寸法通りのパターン
が形成できず、レジストパターンのテーパー角に沿っ
て、被エッチング膜がエッチングされるため、形成され
たパターンの端部にテーパー角が生じる、またはレジス
トパターン内のホールが傾いて形成されるために、エッ
チング後の被加工膜のホールの面積が減少する等の問題
点があった。

【０００３】図７（ａ）ないし図７（ｄ）にテーパー角
を有するレジストパターンが形成される過程を示す。図
７（ａ）の符号１で示すものは単結晶シリコンからなる
ウェハ基板等の上層に被加工膜が積層された被加工基板
を示すものである。この被加工基板１の一主面上にレジ
スト膜２を形成し（図７（ｂ））、その後、加工しよう
とするパターンが刻まれたパターニング用のマスク３を
介して紫外線を照射し（紫外線照射方向を矢印４で示
す）、露光を行い、レジスト膜２の一部の露光領域５と
露光されていない領域とでレジストの状態を変化させる
（図７（ｃ））。次に、現像を行うことで露光領域５の
レジストを除去し、端部にテーパー角をもつレジストパ
ターン２ａが形成される（図７（ｄ））。

【０００４】このテーパー角を持つレジストパターン２
ａを用いて異方性エッチングを行うことによって形成さ
れるパターンの形状を図８（ａ）ないし図８（ｃ）に、
また同様にテーパー角を有するレジストパターン２ａを
用いて、イオン注入のマスクとした時のイオン注入状況
を図９に示す。まず、テーパー角を持つレジストパター
ン２ａを用いて異方性エッチングを行う場合、図８
（ａ）に示すように、ウェハ基板１ａ上に被加工膜１ｂ
が形成されている被加工基板１の一主面に対して垂直方
向に異方性ドライエッチングを行う。このときのエッチ
ング方向を符号６の矢印で示す。また、この時、エッチ
ングしようとしている設計寸法は符号７で示す領域であ
る。ウェハ基板１ａの表面が露出するまでエッチングを
行うと、レジストパターン２ａの上面から所定の高さだ
けエッチングされ、このレジストパターンのテーパー角
の傾斜に沿って被加工膜１ｂはエッチングされ、パター
ン８が形成される。その後、レジストパターン２ａを除
去すると、設計寸法７よりも小さいパターン８が形成さ
れる。このようなパターンでは、設計したパターンと寸
法が異なるだけでなく、その抵抗値などにも影響が生
じ、最終的に形成した装置などの特性を悪くする等の問
題がある。

【０００５】また、図９にテーパー角を有するレジスト
パターン２ａを用いて、例えばソース／ドレイン領域形
成のためのイオン注入（イオン注入方向９）を行う場合
を示す。イオン注入のマスクとなるレジストパターン
は、その端部にテーパー角が生じているため、打ち込ま
れたイオンがレジスト膜を突き抜けて被加工基板１に注
入された状態となり、イオン注入領域１０の寸法が設計
の寸法１１よりも大きくなるという問題が生じる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来のレジストパター
ンを用いたパターン形成方法では、レジストパターンの
端部に生じるテーパー角の為に、設計寸法通りの加工を
する際の精度が落ちるという問題点があった。

【０００７】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、テーパー角を持つレジスト
パターンを形成した場合においても、垂直な側面を持つ
レジストパターンにすることが可能であり、テーパー角
を持たない、パターン端部の断面が被加工基板に対して
垂直となっているレジストパターンを用いて、その下地
に対して精度の良い加工をすることが可能なパターン形
成方法を得ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明に係るパターン
形成方法は、被加工基板上にポジ型フォトレジストから
なるテーパー角を有するレジストパターンを形成する第
一の工程、上記レジストパターンの端部の断面角度を被
加工基板の一主面に対して垂直にする第二の工程、上記
端部が垂直なレジストパターンをマスクとして被加工基
板を加工し、所定のパターンを形成する第三の工程を含
むものとする。

【０００９】また、この発明に係るパターン形成方法
は、被加工基板上にポジ型フォトレジストからなるレジ
ストパターンを形成する第一の工程、上記レジストパタ
ーンの一部に紫外線を照射する第二の工程、上記レジス
トパターンを加熱し、第二の工程において紫外線を照射
した領域のレジストを軟化させる第三の工程、上記軟化
させたレジストパターンをマスクとして被加工基板を加
工し、所定のパターンを形成する第四の工程を含むもの
とする。

【００１０】さらに、この発明に係るパターン形成方法
は、ポジ型フォトレジストからなり被加工基板上に形成
されたレジストパターンの一部、若しくは少なくとも一
部に紫外線を照射する第二の工程において紫外線を照射
する領域はレジストパターンの端部を含まない領域とす
るものである。

【００１１】また、この発明に係るパターン形成方法
は、被加工基板上にポジ型フォトレジストからなるレジ
ストパターンを形成する第一の工程、上記レジストパタ
ーンに波長３６５ｎｍの紫外線を照射する第二の工程、
上記レジストパターンを所定の温度で１０〜６０秒間加
熱し、第二の工程において紫外線を照射した領域のレジ
ストを軟化させる第三の工程、上記レジストパターンを
マスクとして被加工基板を加工し、所定のパターン形成
する第四の工程を含むものである。

【００１２】さらに、この発明に係るパターン形成方法
は、被加工基板上に形成されるポジ型フォトレジストか
らなり、一続きのレジストパターン中に複数のホールパ
ターンが形成されたレジストパターンを用いるものであ
る。

【００１３】また、この発明に係るパターン形成方法
は、被加工基板上にポジ型フォトレジストからなるレジ
ストパターンを形成後、紫外線を照射したレジストパタ
ーンを加熱する際にホットプレートを用いるものとす
る。

【００１４】

【作用】この発明の請求項１に係るパターン形成方法
は、テーパー角を有するレジストパターン形成後、レジ
ストパターンの端部に生じていたテーパー角を解消し、
レジストパターンの端部の断面を被加工基板の一主面に
対して垂直にした後、このレジストパターンをマスクと
して被加工基板を加工し、レジストパターンの形状と同
じ寸法のパターンを得る。

【００１５】また、この発明の請求項２に係るパターン
形成方法は、通常のレジストパターン形成工程によって
形成されたレジストパターンの一部に紫外線を照射する
ことで、レジストパターンを軟化しやすい状態に変化さ
せ、その後、加熱することで紫外線を照射した領域のレ
ジストパターンを軟化させ、レジストパターンの端部に
生じていたテーパー角を解消し、被加工基板の一主面に
対して垂直にした後、このレジストパターンをマスクと
して被加工基板を加工し、レジストパターンの形状と同
じ寸法のパターンを得る。

【００１６】さらに、この発明の請求項３に係るパター
ン形成方法は、通常のレジストパターン形成工程によっ
て形成されたレジストパターンの端部を含まない領域に
対して紫外線の照射を行い、他の領域のレジストを軟化
させることで、レジストパターンの端部に生じていたテ
ーパー角を解消し、被加工基板の一主面に対して垂直に
した後、このレジストパターンをマスクとして被加工基
板を加工し、レジストパターンの形状と同じ寸法のパタ
ーンを得る。

【００１７】また、この発明の請求項４に係るパターン
形成方法は、通常のレジストパターン形成工程によって
形成されたレジストパターンに所定の波長の紫外線を照
射し、その後所定温度、時間で加熱することで紫外線を
照射された領域のレジストパターンを軟化させ、レジス
トパターンの端部に生じていたテーパー角を解消した
後、このレジストパターンをマスクとして被加工基板を
加工し、レジストパターンの形状と同じ寸法のパターン
を得る。

【００１８】さらに、この発明の請求項５に係るパター
ン形成方法は、通常のレジストパターン形成工程によっ
て形成された複数個のホールパターンを有する一続きの
レジストパターンに対して紫外線を照射し、軟化しやす
い状態とし、その後、加熱することによってレジストを
軟化させ、レジストパターンの端部に生じていたテーパ
ー角を解消した後、このレジストパターンをマスクとし
て被加工基板を加工し、レジストパターンの形状と同
じ、寸法精度の良いホールパターンを有するパターンを
得る。

【００１９】また、この発明の請求項６に係るパターン
形成方法は、通常のレジストパターン形成工程によって
形成されたレジストパターンに紫外線を照射した後、こ
のレジストパターンを加熱する際に所定温度に設定した
ホットプレートを用いて、このホットプレート上に被加
工基板が直接接するように配置し加熱を行い、レジスト
を軟化させ、テーパー角を解消した後、これをマスクと
して被加工基板の加工を行い、レジストパターンの形状
と同じ寸法のパターンを得る。

【００２０】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．次に、この発明のパターン形成方法を用
いて、例えば正方形のパターンを形成する場合について
説明する。図１（ａ）に示す図面に付された符号１は、
半導体基板の一主面に二酸化シリコン等からなる絶縁膜
や、ポリシリコン膜等からなる導電膜を所定の厚さに積
層した被加工基板を示している。この被加工基板１上に
キノンジアジト（ＤＮＱ）−ノボラック系レジスト（以
下レジストと記す。）を回転塗布し、その後、ホットプ
レートを用いて、７０〜１１０°Ｃの温度で、加熱時間
３０〜６０秒間のプリベーク処理を行い、厚さ１μｍ程
度のポジ型フォトレジスト膜（レジスト膜）２を形成す
る（図１（ａ））。

【００２１】その後、被加工基板１の薄膜を残す領域に
ついては、その領域上に所定の大きさの正方形のマスク
パターンを含むマスク３をかけ、その後、紫外線を照射
（紫外線照射方向を符号４で示す。）することでレジス
トパターンのマスクで覆っていない領域（露光領域）５
のレジストを感光させ、現像液に溶けやすい状態にする
（図１（ｃ））。その後、温度１００〜１３０°Ｃ、加
熱時間３０〜１２０秒間の条件でポストベーク処理を行
い、さらに、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド２．０〜２．４％溶液で処理時間３０〜１８０秒間
の現像処理を行うことによって感光したレジストを除去
し、未露光のレジストのみを残した状態とし、レジスト
パターン２ａを形成する。このレジストパターン２ａの
被加工基板１に対して垂直な断面の形状は、レジストパ
ターン２ａの表面に端部から中央に向かうストレスが生
じるため、図１（ｄ）に示すように、端部にテーパー角
を持つ構造となる。

【００２２】次に、図１（ｄ）に示したレジストパター
ン２ａの端部及びレジストパターン２ａ以外の領域をマ
スク１２で覆い、一続きのレジストパターンの５０〜９
８％の領域にマスクがかからないように設定し、波長３
６５ｎｍの紫外線（ｉ線）を用いて露光（紫外線照射方
向を符号１３で示す。）を行い、露光領域２ｂを感光さ
せる（図１（ｅ））。その後、ホットプレートを用いて
被加工基板上のレジストパターン２ａ及び２ｂを１１０
〜２００°Ｃ、加熱時間１０秒以上で熱処理する。この
熱処理によって、図１（ｅ）において紫外線を照射され
た領域２ｂのレジストは軟化し、レジストパターン２ａ
の表面の端部から中央部に向かうストレスが弱まり、レ
ジスト側面に生じていたテーパー角が小さくなって、結
果的にレジストパターン２ａの端部の断面が被加工基板
の一主面に対して垂直になる（図１（ｆ））。

【００２３】その後、テーパー角が解消されたレジスト
パターンを用いて、レジストパターンに対して被加工膜
の選択比が高くなる条件で異方性ドライエッチングを行
い、レジストパターンの寸法と同じ寸法の被加工膜のパ
ターンを得ることが可能となる。

【００２４】また、この発明の実施の際に用いるレジス
トとしてキノンジアジト（ＤＮＱ）−ノボラック系レジ
スト、現像液としてテトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイド２．０〜２．４％溶液をそれぞれ一例として
挙げたが、他の物質を用いることも可能であり、さら
に、通常のレジストパターン形成の際の露光後のポスト
ベークは他の物質の条件などの関係で行う場合と行わな
い場合があり、ポストベークを行う場合においても温
度、時間等の調整を行う必要がある。次に代表的なパタ
ーン形成工程の処理条件を示す。まず、図１（ｃ）に示
すパターン形成工程の露光後のポストベークは１１０°
Ｃの温度で６０秒間程度とし、その後の現像工程におい
ては、６０秒程度の現像時間とし、図１（ｄ）に示すよ
うなレジストパターン２ａを得、その後の紫外線照射工
程において形成したレジストパターン２ａの中央部を含
むパターン全面積の９０％の領域を、選択的に露光し、
未露光のレジストパターン端部を額縁状に残した状態と
なるようにする。その後、ホットプレート１４を用いて
１５０°Ｃの温度で６０秒間程度の加熱を行い、前の工
程において露光を行ったレジストパターン２ａの９０％
の領域のレジストを軟化させることで、レジストパター
ン２ａの最適なストレス緩和を行うことができ、側面が
被加工基板１に対して垂直となるレジストパターンを形
成し、このレジストパターンをマスクとして処理を行う
ことで精度の高い加工が可能となる。さらに、レジスト
パターン２ａを軟化させることによって、軟化させた領
域において被加工基板１とこの被加工基板１上に形成し
たレジストパターン２ａとの密着性が向上し、エッチン
グ工程などにおけるレジストパターンのはがれを抑制す
ることが可能となり、さらに精度の高い加工が可能とな
る。

【００２５】実施の形態２．次に、他の実施の形態２に
ついて説明する。まず、実施の形態１と同様に、図１
（ａ）ないし図１（ｄ）のように厚さ約１μｍの通常の
レジストパターン２ａを形成する。尚、簡単のため、レ
ジストパターンの形状は、実施の形態１と同様の正方形
とする。その後、マスクを介してレジストパターン５０
〜９８％を占める領域に対して３６５ｎｍの波長の紫外
線（ｉ線）を用いて露光を行う。このときのレジストパ
ターンを上から見た図を図２に示す。紫外線を照射する
領域２ｂは、実施の形態１では一続きの形状であった
が、本実施の形態では複数個に別れており、この図で
は、露光領域２ｂを４つに分けている。その後の、加熱
工程によって、レジストを軟化させることでレジストパ
ターンにかかるストレスを緩和することができ、テーパ
ー角を解消できる。この実施の形態のように、レジスト
を軟化させる部分を複数個とすることで、局部的にスト
レスの緩和が必要となる部分を中心に紫外線照射を行
い、レジストを軟化させることも可能である。また、レ
ジストパターンを部分的に軟化させるため、軟化させた
領域において被加工基板１とこの被加工基板１上に形成
したレジストパターンとの密着性が向上し、エッチング
工程などにおけるレジストパターンのはがれを抑制する
ことが可能となり、さらに精度の高い加工が可能とな
る。

【００２６】実施の形態３．次に、さらに別の実施の形
態について、図３を用いて説明する。この実施の形態に
おいても、図１と同様に、図１（ａ）ないし図１（ｄ）
のように厚さ約１μｍの通常のレジストパターン２ａを
形成する。尚、簡単のためレジストパターンの形状は正
方形とする。その後、マスクを介してレジストパターン
５０〜９８％を占める領域に対して３６５ｎｍの波長の
紫外線（ｉ線）を用いて露光を行う。このときのレジス
トパターンを上から見た図を図３に示す。図３に示すよ
うに、露光領域２ｂを格子状にしても、実施の形態１、
実施の形態２において示した場合と同様に、レジスト加
熱後は、レジストパターンの端部に生じるテーパー角の
原因となるストレスを緩和することができる。また、レ
ジストパターンを軟化させるため、軟化させた領域にお
いて被加工基板とこの被加工基板１上に形成したレジス
トパターンとの密着性が向上し、エッチング工程などに
おけるレジストパターンのはがれを抑制することが可能
となり、さらに精度の高い加工が可能となる。

【００２７】実施の形態４．次に、また別の実施の形態
について、図４を用いて説明する。図において符号１５
ｂは、線状のパターンを形成する際の、レジストパター
ン１５ａの内、レジストを軟化させる領域を示すもので
あり、形成したレジストパターンに対する露光領域１５
ｂは、既に説明した実施の形態１ないし３と同様に、こ
の実施の形態においても、パターン面積の５０〜９８％
とし、露光後、レジストパターン１５ａ（１５ｂを含
む）を加熱することによって、レジスト膜内に生じたス
トレスを緩和し、レジストパターン１５ａの端部の断面
を被加工基板に対して垂直とでき、正確な異方性ドライ
エッチングが可能となり、高い寸法精度のパターンの形
成が可能となる。また、レジストパターンを部分的に軟
化させるため、軟化させた領域において被加工基板１と
この被加工基板１上に形成したレジストパターン１５ａ
との密着性が向上し、エッチング工程などにおけるレジ
ストパターン１５ａのはがれを抑制することが可能とな
り、さらに精度の高い加工が可能となる。

【００２８】実施の形態５．半導体装置の高集積化に伴
ってコンタクトホールの微細化も強いられており、コン
タクトホール形成時の異方性エッチングに用いるレジス
トパターンを正確に形成しなければ寸法精度の良いコン
タクトホールの形成が困難となる。このことを踏まえ、
さらに別の実施の形態について、図５（ａ）ないし図５
（ｅ）及び図６を用いて説明する。尚、図５（ｂ）ない
し図５（ｅ）は、図５（ａ）中のＡ−Ａ断面図を示して
いる。本実施の形態と既に説明した実施の形態１ないし
実施の形態４との違いは、形成しようとするパターンの
形状にあり、本実施の形態において形成しようとしてい
るのはコンタクトホールを含むパターンである。ここで
は、比較的大きな一続きのレジストパターンに、行及び
列方向に規則的にホールパターンが形成されたレジスト
パターンの場合を考える。

【００２９】まず、実施の形態１ないし実施の形態４に
示した場合と同様に、図１（ａ）の被加工基板１上にポ
ジ型フォトレジストを厚さ約１μｍとなるように塗布
し、図１（ｂ）に示すような状態とする。次に、図５
（ａ）に示すホールパターンが空けられたマスク１６を
用い、図５（ｂ）に示すようにマスク１６を介してレジ
ストに３６５ｎｍの波長の紫外線（ｉ線）を符号４で示
した矢印方向に照射し、露光を行う。その後、ポストベ
ークを行い、次に紫外線を露光したことによってアルカ
リ性の現像液に対して可溶となった部分のレジストを現
像処理によって除去する。図５（ｂ）に示すように、被
加工基板１の全面にレジスト膜が形成されていた時に、
露光されたコンタクトホール部分の上部のレジストは被
加工基板１面に対して垂直に配置されているが、現像処
理によって、露光された部分のレジストが除去されて、
残ったレジストパターン１７は表面に働くストレスによ
って、レジストパターン１７のエッジ部分にテーパー角
が生じている。また、図５（ｃ）に示すレジストパター
ン１７の断面図を見て分かるように、コンタクトホール
を形成する領域上に空けられたレジストパターンのホー
ル部分の傾きが、パターンの端部に近いほど大きくなっ
ている。このようなレジストパターン１７を用いて、異
方性ドライエッチングを行うと、特にレジストパターン
１７端部に形成するコンタクトホールはテーパー角が大
きくなる傾向にあるため、被加工基板１に形成するホー
ルパターンの面積が小さくなり、設計通りの寸法とする
ことができなくなる。

【００３０】そこで、図５（ｄ）に示すように、この発
明においては、形成されたテーパー角を有するレジスト
パターン１７の全面に対して、３６５ｎｍの波長の紫外
線（ｉ線）を照射し（紫外線照射方向を符号１８で示
す）、レジストを感光させることでレジストを軟化させ
やすい物質１７ａに変える。その後、ホットプレート１
４を用いて温度１１０〜２００°Ｃ、加熱時間１０〜６
０秒間の処理を行う。この加熱処理によってレジストは
軟化し、レジストパターン１７内に生じているストレス
を緩和でき、生じていたテーパー角を解消し、被加工基
板１の一主面に対してレジスト膜の断面を垂直に成形す
ることができる（図５（ｅ））。このストレスを緩和さ
れたレジストパターン１７ａを用いて、被加工基板１の
一主面に対して垂直な方向（符号１９で示す）に異方性
エッチングを行うと、図６に示すように、寸法通りのエ
ッチングが可能となる。

【００３１】

【発明の効果】この発明の請求項１及び２に係る発明
は、通常のレジストパターン形成時にレジストパターン
の端部に生じていたテーパー角を解消し、被加工基板の
一主面に対して垂直な側面を持つパターンを形成するこ
とができ、この垂直な断面を持つレジストパターンを用
いて異方性エッチングを行うことで寸法精度の良いパタ
ーンを形成できるという効果がある。

【００３２】さらに、この発明の請求項３に係る発明
は、通常のレジストパターン形成工程によって形成した
レジストパターンの端部を除く領域に対して紫外線を照
射し、加熱することでレジストを軟化させる。一方、レ
ジストパターンの端部は軟化させることなく、レジスト
パターンの形状を保持することで加熱によるレジストパ
ターンの大幅な変形を抑制し、さらにレジストパターン
の端部に生じていたテーパー角を解消し、被加工基板の
一主面に対して垂直な側面を持つパターンを形成するこ
とができ、この垂直な断面を持つレジストパターンを用
いて異方性エッチングを行うことで寸法精度の良いパタ
ーンを形成できるという効果がある。

【００３３】さらに、この発明の請求項４に係る発明
は、通常のレジストパターン形成工程によって形成され
たテーパー角を有するレジストパターンの全面に紫外線
を照射し、軟化しやすくし、さらに加熱することでレジ
ストパターンを完全に溶解しない程度に軟化させること
でテーパー角を解消し、被加工基板の一主面に対して垂
直な側面を持つパターンを形成することができ、この垂
直な断面を持つレジストパターンを用いて異方性エッチ
ングを行うことで寸法精度の良いパターンを形成できる
という効果がある。

【００３４】また、この発明の請求項５に係る発明は、
通常のレジストパターン形成工程によって形成した複数
個のホールパターンを有するレジストパターンのテーパ
ー角を解消し、コンタクトホールを正確に形成できると
いう効果がある。

【００３５】さらに、この発明の請求項６に係る発明
は、通常のレジストパターン形成工程によって形成した
レジストパターンに紫外線を照射し、レジストを軟化し
やすい状態にした後、加熱する際に、所定の温度に設定
されたホットプレートの上に直接被加工基板を置くこと
で素早く被加工基板上に形成されたレジストパターンの
温度を上昇させることが可能となる。この時の処理時間
が短くても十分な効果が得られるため、製造時間の短縮
及びこの製造時間の短縮に伴ってレジストの構成要素で
ある溶媒の蒸発を抑制できるなどの効果がある。また、
レジストパターンを部分的に軟化させるため、軟化させ
た領域において被加工基板とこの被加工基板上に形成し
たレジストパターンとの密着性が向上し、エッチング工
程などにおけるレジストパターンのはがれを抑制するこ
とが可能となり、さらに精度の高い加工が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１を示す図。

【図２】この発明の実施の形態２を示す図。

【図３】この発明の実施の形態３を示す図。

【図４】この発明の実施の形態４を示す図。

【図５】この発明の実施の形態５を示す図。

【図６】この発明の実施の形態の説明に必要な図。

【図７】従来の技術を示す図。

【図８】従来の技術を示す図。

【図９】従来の技術を示す図。

【符号の説明】

１被加工基板１ａウェハ基板１ｂ被加工膜２レジスト膜２ａレジストパターン２ｂ露光領域３マスク４紫外線照射方
向５露光領域６エッチング方
向７設計寸法８パターン９イオン注入方向１０イオン注入領
域１１設計寸法１２マスク１３イオン注入方向１４ホットプレ
ート１５ａ線形レジストパターン１５ｂ露光領域１６マスク１７レジストパ
ターン１８紫外線照射方向１９エッチング
方向

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被加工基板上にポジ型フォトレジストか
らなるテーパー角を有するレジストパターンを形成する
第一の工程、レジストパターンの端部の断面角度を被加
工基板の一主面に対して垂直にする第二の工程、上記端
部が垂直なレジストパターンをマスクとして被加工基板
を加工し、所定のパターンを形成する第三の工程を含む
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】被加工基板上にポジ型フォトレジストか
らなるレジストパターンを形成する第一の工程、上記レ
ジストパターンの一部に紫外線を照射する第二の工程、
上記レジストパターンを加熱し、第二の工程において紫
外線を照射した領域のレジストを軟化させる第三の工
程、上記軟化させたレジストパターンをマスクとして被
加工基板を加工し、所定のパターンを形成する第四の工
程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】第二の工程において紫外線を照射する領
域はレジストパターンの端部を含まない領域であること
を特徴とする請求項２記載のパターン形成方法。
【請求項４】被加工基板上にポジ型フォトレジストか
らなるレジストパターンを形成する第一の工程、上記レ
ジストパターンに波長３６５ｎｍの紫外線を照射する第
二の工程、上記レジストパターンを所定の温度で１０〜
６０秒間加熱し、第二の工程において紫外線を照射した
領域のレジストを軟化させる第三の工程、上記レジスト
パターンをマスクとして被加工基板を加工し、所定のパ
ターンを形成する第四の工程を含むことを特徴とするパ
ターン形成方法。
【請求項５】被加工基板上に形成されるポジ型フォト
レジストからなるレジストパターンは、一続きのレジス
トパターン中に複数個のホールパターンが形成されたも
のであることを特徴とする請求項４記載のパターン形成
方法。
【請求項６】第三の工程においてホットプレートを用
いてレジストパターンを加熱することを特徴とする請求
項２ないし４のいずれか一項記載のパターン形成方法。