JPH0943114A - クライオスタットミクロトーム - Google Patents
クライオスタットミクロトームInfo
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- JPH0943114A JPH0943114A JP8218099A JP21809996A JPH0943114A JP H0943114 A JPH0943114 A JP H0943114A JP 8218099 A JP8218099 A JP 8218099A JP 21809996 A JP21809996 A JP 21809996A JP H0943114 A JPH0943114 A JP H0943114A
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- microtome
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- G01N1/06—Devices for withdrawing samples in the solid state, e.g. by cutting providing a thin slice, e.g. microtome
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- G01N1/06—Devices for withdrawing samples in the solid state, e.g. by cutting providing a thin slice, e.g. microtome
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- G01N2001/066—Drive details electric
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T83/00—Cutting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 標本の大きさ及び形状とは無関係に自動的に
且つ信頼性をもって切り取り位置を見出すクライオスタ
ットミクロトームを提供する。 【解決手段】 ミクロトームカッタ（９）と標本（１
０）との間に、数ボルトの電圧が印加し、標本（１０）
とミクロトームカッタ（９）とが機械的に接触したとき
に、標本（１０）の固有導電性があることにより発生す
るわずかな電流と、その結果として起こる標本（１０）
におけるわずかな電圧降下を測定して、その出力があら
かじめ規定された閾値電圧を越えたときに、標本（１
０）とミクロトームカッタ（９）との送り運動を自動的
に停止させる。
且つ信頼性をもって切り取り位置を見出すクライオスタ
ットミクロトームを提供する。 【解決手段】 ミクロトームカッタ（９）と標本（１
０）との間に、数ボルトの電圧が印加し、標本（１０）
とミクロトームカッタ（９）とが機械的に接触したとき
に、標本（１０）の固有導電性があることにより発生す
るわずかな電流と、その結果として起こる標本（１０）
におけるわずかな電圧降下を測定して、その出力があら
かじめ規定された閾値電圧を越えたときに、標本（１
０）とミクロトームカッタ（９）との送り運動を自動的
に停止させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、顕微鏡観察用の、
生体組織あるいは他の物質の薄片を作成するためのミク
ロトーム、特にクライオスタット（低温槽）ミクロトー
ムに関する。
生体組織あるいは他の物質の薄片を作成するためのミク
ロトーム、特にクライオスタット（低温槽）ミクロトー
ムに関する。
【０００２】
【従来の技術】ミクロトームを使用して切り取るべき標
本を切り取る前、又は標本とミクロトームカッタとが成
す角度を変化させた後に初めて切り取る前には、まず、
標本とカッタを互いに相対的に切断位置へ移動させなけ
ればならない。原理の上ではミクロトームの送り出し機
構を利用することができ、標本とカッタとの間隔を相対
的に広くとった状態から始めて、標本から第１の薄片が
切り離されるまで、切断運動を実行し、その後、標本と
カッタを設定された薄片厚さに対応させて送る。しかし
ながら、この方法はルーチンとして適用するには時間が
かかりすぎるので、実際には、オペレータは標本とミク
ロトームカッタの相対的な高速送りによって切り取り位
置を調整しようとする。ところが、この調整の正確さと
それに要する時間は、オペレータの経験や技能によって
左右される。
本を切り取る前、又は標本とミクロトームカッタとが成
す角度を変化させた後に初めて切り取る前には、まず、
標本とカッタを互いに相対的に切断位置へ移動させなけ
ればならない。原理の上ではミクロトームの送り出し機
構を利用することができ、標本とカッタとの間隔を相対
的に広くとった状態から始めて、標本から第１の薄片が
切り離されるまで、切断運動を実行し、その後、標本と
カッタを設定された薄片厚さに対応させて送る。しかし
ながら、この方法はルーチンとして適用するには時間が
かかりすぎるので、実際には、オペレータは標本とミク
ロトームカッタの相対的な高速送りによって切り取り位
置を調整しようとする。ところが、この調整の正確さと
それに要する時間は、オペレータの経験や技能によって
左右される。
【０００３】切り取り位置を自動的に見出すために、米
国特許第３，６６７，３３０号では、電動駆動される送
り出し機構にエンドスイッチを設け、エンドスイッチに
到達したときに、標本とミクロトームカッタとの高速送
りを自動的に停止させることを提案している。ただし、
この場合、送り出し運動の停止後の、標本とミクロトー
ムカッタとの離間距離がミクロトームカッタの方向での
標本の寸法によって異なるという欠点がある。すなわ
ち、寸法の小さい標本の場合には間隔は相対的に広い
が、非常に大きい標本の場合、カッタは標本の中へ既に
相対的に大きく侵入しているので、その後に薄片を切り
離すときに標本を損傷するおそれがある。
国特許第３，６６７，３３０号では、電動駆動される送
り出し機構にエンドスイッチを設け、エンドスイッチに
到達したときに、標本とミクロトームカッタとの高速送
りを自動的に停止させることを提案している。ただし、
この場合、送り出し運動の停止後の、標本とミクロトー
ムカッタとの離間距離がミクロトームカッタの方向での
標本の寸法によって異なるという欠点がある。すなわ
ち、寸法の小さい標本の場合には間隔は相対的に広い
が、非常に大きい標本の場合、カッタは標本の中へ既に
相対的に大きく侵入しているので、その後に薄片を切り
離すときに標本を損傷するおそれがある。
【０００４】この問題を解決するために、出願人の欧州
特許第Ａ１−０５４４１８１号からは、標本のカッタ側
の表面と接触したときにレリーズフラグによって操作さ
れるエンドスイッチを設けることが知られている。この
構成では、標本のカッタ側の表面がカッタの平面に到達
する前に、送り出し運動は停止する。そのときに残る距
離はどの設定角度に対しても一定であり、そのため、追
加移動経路としてプログラムに組込むことができる。と
ころが、カッタの角度を変えた後に、残り経路の変更を
プログラムするか又は別の残り経路に切替えることが必
要になる。ユーザがこの操作を忘れると、標本への接近
を確実に行えなくなる。
特許第Ａ１−０５４４１８１号からは、標本のカッタ側
の表面と接触したときにレリーズフラグによって操作さ
れるエンドスイッチを設けることが知られている。この
構成では、標本のカッタ側の表面がカッタの平面に到達
する前に、送り出し運動は停止する。そのときに残る距
離はどの設定角度に対しても一定であり、そのため、追
加移動経路としてプログラムに組込むことができる。と
ころが、カッタの角度を変えた後に、残り経路の変更を
プログラムするか又は別の残り経路に切替えることが必
要になる。ユーザがこの操作を忘れると、標本への接近
を確実に行えなくなる。
【０００５】ドイツ特許第Ａ１−３５００５９６号に
は、薄片の厚さの調整のために、標本及びミクロトーム
カッタを通って形成される容量性距離センサが設けられ
たミクロトームが記載されている。しかし、このような
構成では、標本の表面とカッタとが成す角度が様々に異
なるとき、又は標本の表面とミクロトームカッタとの間
隔は同じでも表面の形状が様々に異なるときに、発生す
るキャパシタンスが異なってくるので、これは、初めて
切り取りを行う前の送り停止、すなわち、切り取り位置
の確定又はミクロトームカッタと標本とが成す角度を変
えた後に初めて切り取りを行う前の送り停止には適して
いない。
は、薄片の厚さの調整のために、標本及びミクロトーム
カッタを通って形成される容量性距離センサが設けられ
たミクロトームが記載されている。しかし、このような
構成では、標本の表面とカッタとが成す角度が様々に異
なるとき、又は標本の表面とミクロトームカッタとの間
隔は同じでも表面の形状が様々に異なるときに、発生す
るキャパシタンスが異なってくるので、これは、初めて
切り取りを行う前の送り停止、すなわち、切り取り位置
の確定又はミクロトームカッタと標本とが成す角度を変
えた後に初めて切り取りを行う前の送り停止には適して
いない。
【０００６】米国特許第５，２８２，４０４号には、標
本の表面とミクロトームカッタとの相対位置を確定する
ために、カッタと標本との間の導電率を検出できるよう
になるまで、カッタと標本を互いに接近させることが既
に提案されている。しかしながら、このミクロトームは
導電性物質で被覆された標本を必要とする。そのために
付加的な準備工程が必要であることを考えると、その被
覆工程は許容できないほどの標本の変質又は損傷を招く
おそれがある。
本の表面とミクロトームカッタとの相対位置を確定する
ために、カッタと標本との間の導電率を検出できるよう
になるまで、カッタと標本を互いに接近させることが既
に提案されている。しかしながら、このミクロトームは
導電性物質で被覆された標本を必要とする。そのために
付加的な準備工程が必要であることを考えると、その被
覆工程は許容できないほどの標本の変質又は損傷を招く
おそれがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、クラ
イオスタットミクロトーム用として通常の方法で製作さ
れた生物標本について、標本の大きさ及び形状とは無関
係に自動的に且つ信頼性をもって切り取り位置を見出す
クライオスタットミクロトームを提供することである。
イオスタットミクロトーム用として通常の方法で製作さ
れた生物標本について、標本の大きさ及び形状とは無関
係に自動的に且つ信頼性をもって切り取り位置を見出す
クライオスタットミクロトームを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的は、請求項１の
特徴を有するクライオスタットミクロトームにより達成
される。本発明の有利な構成は請求項２〜１２から明白
である。以下具体的に説明する。
特徴を有するクライオスタットミクロトームにより達成
される。本発明の有利な構成は請求項２〜１２から明白
である。以下具体的に説明する。
【０００９】本発明によるミクロトームの場合、ミクロ
トームカッタと標本との間に電圧を印加する。ミクロト
ームカッタと標本とが機械的に接触したときに、凍結し
た標本の固有導電率によって発生する電圧降下の変化又
は標本を流れる電流を検出する電子回路が設けられてい
る。所定の値の電圧降下が検出されたとき、ミクロトー
ムカッタと標本の互いに向かい合う送り運動を制御回路
により自動的に停止させる。
トームカッタと標本との間に電圧を印加する。ミクロト
ームカッタと標本とが機械的に接触したときに、凍結し
た標本の固有導電率によって発生する電圧降下の変化又
は標本を流れる電流を検出する電子回路が設けられてい
る。所定の値の電圧降下が検出されたとき、ミクロトー
ムカッタと標本の互いに向かい合う送り運動を制御回路
により自動的に停止させる。
【００１０】本発明は、凍結した生物標本がカッタの刃
によって標本に加えられる圧力に従って決まる固有導電
率を有し、且つ固有導電率の変化に起因する標本におけ
る電圧降下の変化を十分正確に検出できるという事実を
利用している。
によって標本に加えられる圧力に従って決まる固有導電
率を有し、且つ固有導電率の変化に起因する標本におけ
る電圧降下の変化を十分正確に検出できるという事実を
利用している。
【００１１】標本における電圧降下又は標本を流れる電
流が様々に異なる値をとるとき、標本のその都度の温度
に従って送り運動を停止させる制御回路を設けると特に
好都合であることがわかっている。これにより、標本の
導電率の変化の温度依存性は、−１０℃から−５０℃の
範囲の正規のあらゆる切り取り温度に対して切り取り位
置が高い精度をもって調整されるような広い範囲にわた
って補正される。標本温度を検出するために、クライオ
スタット内の標本の付近に温度センサが設けられてい
る。
流が様々に異なる値をとるとき、標本のその都度の温度
に従って送り運動を停止させる制御回路を設けると特に
好都合であることがわかっている。これにより、標本の
導電率の変化の温度依存性は、−１０℃から−５０℃の
範囲の正規のあらゆる切り取り温度に対して切り取り位
置が高い精度をもって調整されるような広い範囲にわた
って補正される。標本温度を検出するために、クライオ
スタット内の標本の付近に温度センサが設けられてい
る。
【００１２】ミクロトームカッタと標本との間に印加さ
れる電圧が低いとき、標本の導電率が温度によって大き
く左右されるために、標本における電圧降下を正規のあ
らゆる温度に対して十分な精度で検出できるとは限ら
ず、また、１２ボルトを越える電圧では、安全技術面の
問題が起こり、さらに、標本を通る電圧又は電流によっ
て発生する標本の変質を予期しなければならないので、
好ましくは、この電圧を３ボルトから１２ボルトにすべ
きであろう。
れる電圧が低いとき、標本の導電率が温度によって大き
く左右されるために、標本における電圧降下を正規のあ
らゆる温度に対して十分な精度で検出できるとは限ら
ず、また、１２ボルトを越える電圧では、安全技術面の
問題が起こり、さらに、標本を通る電圧又は電流によっ
て発生する標本の変質を予期しなければならないので、
好ましくは、この電圧を３ボルトから１２ボルトにすべ
きであろう。
【００１３】印加される電圧は電子回路の測定前置増幅
器の供給電圧と一致しているのが好ましい。付加的な電
圧変換は不要である。測定前置増幅器はインピーダンス
変換器として、すなわち、前置増幅器の出力を反転入力
端子に帰還させる構成をもって接続できる。測定前置増
幅器の非反転入力端子は標本又はミクロトームのカッタ
と電気的に接続すると共に、抵抗器を介して高い抵抗を
もって測定前置増幅器の供給電圧と接続しているべきで
あろう。そこで、抵抗の大きい抵抗器と標本は分圧器回
路を構成しており、標本を介して降下する電圧は供給電
圧と、抵抗の大きい抵抗器を介して降下する電圧との差
に相当する。−３０℃から−５０℃の標本温度について
も標本における電圧降下の十分な変化を検出できるよう
に、抵抗の大きい抵抗器は少なくとも１０メガオーム、
好ましくは少なくとも２２メガオームの値を有している
べきであろう。
器の供給電圧と一致しているのが好ましい。付加的な電
圧変換は不要である。測定前置増幅器はインピーダンス
変換器として、すなわち、前置増幅器の出力を反転入力
端子に帰還させる構成をもって接続できる。測定前置増
幅器の非反転入力端子は標本又はミクロトームのカッタ
と電気的に接続すると共に、抵抗器を介して高い抵抗を
もって測定前置増幅器の供給電圧と接続しているべきで
あろう。そこで、抵抗の大きい抵抗器と標本は分圧器回
路を構成しており、標本を介して降下する電圧は供給電
圧と、抵抗の大きい抵抗器を介して降下する電圧との差
に相当する。−３０℃から−５０℃の標本温度について
も標本における電圧降下の十分な変化を検出できるよう
に、抵抗の大きい抵抗器は少なくとも１０メガオーム、
好ましくは少なくとも２２メガオームの値を有している
べきであろう。
【００１４】ミクロトームカッタと標本との間に電圧を
印加できるようにするために、それら２つの部分を互い
に絶縁しておかなければならない。そのためには、標本
載置台を収納する働きをする被検体ホルダをミクロトー
ムの電気絶縁性の絶縁体に受け入れる構成が有利であ
る。これにより、場合によっては標本とミクロトームカ
ッタとの電気的短絡を引き起こす可能性のある切片くず
による汚れが十分に排除される場所に電気的絶縁は成立
することになる。この場合、発生する切断力が絶縁体の
重大な変形を招くのを阻止するために、この絶縁体はセ
ラミック又はガラス繊維補強プラスチックから製造され
ているべきであろう。
印加できるようにするために、それら２つの部分を互い
に絶縁しておかなければならない。そのためには、標本
載置台を収納する働きをする被検体ホルダをミクロトー
ムの電気絶縁性の絶縁体に受け入れる構成が有利であ
る。これにより、場合によっては標本とミクロトームカ
ッタとの電気的短絡を引き起こす可能性のある切片くず
による汚れが十分に排除される場所に電気的絶縁は成立
することになる。この場合、発生する切断力が絶縁体の
重大な変形を招くのを阻止するために、この絶縁体はセ
ラミック又はガラス繊維補強プラスチックから製造され
ているべきであろう。
【００１５】ミクロトームのモータから発する電磁散乱
放射によって電圧降下の測定を誤ることのないように、
測定前置抵抗器は標本のできる限り近くに配置されてい
るべきであろう。そのために、絶縁体を中空シリンダと
して構成し且つ抵抗の大きい抵抗器及び電子低域フィル
タを含めて測定前置抵抗器を中空シリンダ形の絶縁体の
内部に配置すると特に有利である。以下、図面に示した
実施例に基づいて本発明の個々の点をさらに詳細に説明
する。
放射によって電圧降下の測定を誤ることのないように、
測定前置抵抗器は標本のできる限り近くに配置されてい
るべきであろう。そのために、絶縁体を中空シリンダと
して構成し且つ抵抗の大きい抵抗器及び電子低域フィル
タを含めて測定前置抵抗器を中空シリンダ形の絶縁体の
内部に配置すると特に有利である。以下、図面に示した
実施例に基づいて本発明の個々の点をさらに詳細に説明
する。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１のクライオスタット（低温
槽）ミクロトームは、それ自体は周知である断熱クライ
オスタットハウジングを有する。図中、１はハウジング
の断熱外壁である。標本又はカッタの交換時並びに洗浄
時にクライオスタットの内部スペース１ｂにあるミクロ
トームを操作できるように、クライオスタットの前面に
は、透明材料から成る開閉フラップ１ａが設けられてい
る。クライオスタットの内部スペース１ｂの中に設けら
れ、クライオスタットの外にある圧縮機３に接続された
熱交換器２によって、クライオスタットの内部スペース
１ｂを周囲温度から−５０℃まで冷却することができ
る。このようなクライオスタットミクロトームの通常の
動作温度は、標本のコンシステンシーにもよるが、−１
０℃から−５０℃の範囲である。クライオスタットの内
部スペース１ｂの温度を温度センサ４によって絶えず測
定し、温度センサ４により測定された温度がコンソール
（図示せず）でユーザが入力した目標温度と一致するよ
うに、圧縮機３の冷却性能を制御する。このようにクラ
イオスタットの温度を制御するために、温度センサ４
と、圧縮機３と、制御プロセッサ６とは接続装置７を介
して互いに接続されている。この場合、接続装置７は個
々のコンポーネントの間のインタフェースを構成してい
る。
槽）ミクロトームは、それ自体は周知である断熱クライ
オスタットハウジングを有する。図中、１はハウジング
の断熱外壁である。標本又はカッタの交換時並びに洗浄
時にクライオスタットの内部スペース１ｂにあるミクロ
トームを操作できるように、クライオスタットの前面に
は、透明材料から成る開閉フラップ１ａが設けられてい
る。クライオスタットの内部スペース１ｂの中に設けら
れ、クライオスタットの外にある圧縮機３に接続された
熱交換器２によって、クライオスタットの内部スペース
１ｂを周囲温度から−５０℃まで冷却することができ
る。このようなクライオスタットミクロトームの通常の
動作温度は、標本のコンシステンシーにもよるが、−１
０℃から−５０℃の範囲である。クライオスタットの内
部スペース１ｂの温度を温度センサ４によって絶えず測
定し、温度センサ４により測定された温度がコンソール
（図示せず）でユーザが入力した目標温度と一致するよ
うに、圧縮機３の冷却性能を制御する。このようにクラ
イオスタットの温度を制御するために、温度センサ４
と、圧縮機３と、制御プロセッサ６とは接続装置７を介
して互いに接続されている。この場合、接続装置７は個
々のコンポーネントの間のインタフェースを構成してい
る。
【００１７】クライオスタットの内部スペース１ｂに
は、ミクロトームそのものがさらに配置されている。ミ
クロトームは接地電位にある固定金属基板８を含み、そ
の基板の、クライオスタットの前部領域には、金属製カ
ッタ９を収納した同様に金属製カッタホルダ５が配置さ
れている。
は、ミクロトームそのものがさらに配置されている。ミ
クロトームは接地電位にある固定金属基板８を含み、そ
の基板の、クライオスタットの前部領域には、金属製カ
ッタ９を収納した同様に金属製カッタホルダ５が配置さ
れている。
【００１８】切断すべき標本１０は被検体載置台１１の
上に載せられている。標本を迅速且つ容易に交換できる
ように、被検体載置台１１には、継手玉１３に固定締付
け可能であるシリンダボルト１２が設けられている。標
本１０を交換するときには、継手玉１３から締付けねじ
（図示せず）をゆるめた後に、被検体載置台１１を水平
方向に前方へ引き出し、別の標本を載せた別の被検体載
置台と交換することができる。
上に載せられている。標本を迅速且つ容易に交換できる
ように、被検体載置台１１には、継手玉１３に固定締付
け可能であるシリンダボルト１２が設けられている。標
本１０を交換するときには、継手玉１３から締付けねじ
（図示せず）をゆるめた後に、被検体載置台１１を水平
方向に前方へ引き出し、別の標本を載せた別の被検体載
置台と交換することができる。
【００１９】継手玉１３は標本１０とミクロトームカッ
タ９の相対的な向きを調整する働きをする。継手玉１３
はシリンダヘッド１４の中にさらに回転自在に受け入れ
られており、クランプジョー１５によって、継手玉１３
の設定位置をクランプすることができる。
タ９の相対的な向きを調整する働きをする。継手玉１３
はシリンダヘッド１４の中にさらに回転自在に受け入れ
られており、クランプジョー１５によって、継手玉１３
の設定位置をクランプすることができる。
【００２０】シリンダヘッド１４は導電性ねじ１６によ
り円筒形の絶縁体１７と螺合されている。絶縁体１７は
きわめて強固な電気絶縁性の材料、たとえば、セラミッ
ク又はガラス繊維補強プラスチックから製造されてい
る。
り円筒形の絶縁体１７と螺合されている。絶縁体１７は
きわめて強固な電気絶縁性の材料、たとえば、セラミッ
ク又はガラス繊維補強プラスチックから製造されてい
る。
【００２１】絶縁体シリンダ１７の大部分は金属中空シ
リンダ１８の内部にさらに収納されており、この中空シ
リンダ１８は金属性のシリンダガイド１９の中に水平方
向に移動自在であるように受け入れられている。標本１
０とミクロトームカッタ９との調節運動をするために、
すなわち、標本１０の切り口の前方で標本をミクロトー
ムカッタ９の付近へ移動させ、その後、標本を切り取る
たびに、所定の切断厚さだけカッタを進ませるために、
金属中空シリンダ１８をシリンダガイド１９に対して水
平方向に摺動させる。この調節運動のために、シリンダ
ガイド１９に当接してねじ付きロッド２０を有するステ
ップモータ２１が設けられ、中空シリンダ１８には、ね
じ付きロッド２０がねじ込まれる雌めじが設けられてい
る。中空シリンダ１８、その雌ねじ、シリンダガイド１
９及びステップモータ２１のねじ付きロッド２０は互い
に同軸に配置されている。
リンダ１８の内部にさらに収納されており、この中空シ
リンダ１８は金属性のシリンダガイド１９の中に水平方
向に移動自在であるように受け入れられている。標本１
０とミクロトームカッタ９との調節運動をするために、
すなわち、標本１０の切り口の前方で標本をミクロトー
ムカッタ９の付近へ移動させ、その後、標本を切り取る
たびに、所定の切断厚さだけカッタを進ませるために、
金属中空シリンダ１８をシリンダガイド１９に対して水
平方向に摺動させる。この調節運動のために、シリンダ
ガイド１９に当接してねじ付きロッド２０を有するステ
ップモータ２１が設けられ、中空シリンダ１８には、ね
じ付きロッド２０がねじ込まれる雌めじが設けられてい
る。中空シリンダ１８、その雌ねじ、シリンダガイド１
９及びステップモータ２１のねじ付きロッド２０は互い
に同軸に配置されている。
【００２２】切断運動を行うために、シリンダガイド１
９はそのシリンダ軸に対して垂直に移動自在であるよう
に、ガイドレール２２に受け入れられており、ガイドレ
ール自体はミクロトームの基板８に固定結合している。
ミクロトーム切断を行うために、シリンダガイド１９は
二重矢印により指示するように垂直の方向に移動され
る。
９はそのシリンダ軸に対して垂直に移動自在であるよう
に、ガイドレール２２に受け入れられており、ガイドレ
ール自体はミクロトームの基板８に固定結合している。
ミクロトーム切断を行うために、シリンダガイド１９は
二重矢印により指示するように垂直の方向に移動され
る。
【００２３】絶縁体１７は、中空シリンダ１８の内部に
延びている領域に、凹部１７ａを有している。すなわ
ち、絶縁体の一部は中空のシリンダとして構成されてい
る。この凹部１７ａの中には、図２に示し且つ以下にさ
らに詳細に説明する前置増幅器回路を有する回路基板２
３が配置されている。前置増幅器回路の入力端子は、同
様に絶縁体１７の凹部１７ａの中に配置された弾性金属
板２５に接続し、シリンダヘッド１４を固定するため
に、ねじ１６が金属板２５を押圧する。ねじ１６の頭部
と、被検体載置台１１のボルト１２との間に、金属圧縮
ばね２６がさらに設けられている。このように、金属製
の被検体載置台１１は前置増幅器回路基板２３の入力端
子と電気的に接続しており、金属ばね２５，２６によっ
て、被検体載置台１１とシリンダヘッド１４も同時に容
易且つ迅速に交換可能な構成が保証される。同時に、前
置増幅器回路基板２３を絶縁体１７の凹部１７ａの中に
配置しているために、標本１０と前置増幅器回路基板２
３とを接続する導線をできる限り短くすることができる
ので、たとえば、シリンダガイド１９を垂直方向に移動
させるための駆動モータ（図示せず）から、又はステッ
プモータ２１からの電気的制御信号が特に前置増幅器の
入力端子に漏れることはない。
延びている領域に、凹部１７ａを有している。すなわ
ち、絶縁体の一部は中空のシリンダとして構成されてい
る。この凹部１７ａの中には、図２に示し且つ以下にさ
らに詳細に説明する前置増幅器回路を有する回路基板２
３が配置されている。前置増幅器回路の入力端子は、同
様に絶縁体１７の凹部１７ａの中に配置された弾性金属
板２５に接続し、シリンダヘッド１４を固定するため
に、ねじ１６が金属板２５を押圧する。ねじ１６の頭部
と、被検体載置台１１のボルト１２との間に、金属圧縮
ばね２６がさらに設けられている。このように、金属製
の被検体載置台１１は前置増幅器回路基板２３の入力端
子と電気的に接続しており、金属ばね２５，２６によっ
て、被検体載置台１１とシリンダヘッド１４も同時に容
易且つ迅速に交換可能な構成が保証される。同時に、前
置増幅器回路基板２３を絶縁体１７の凹部１７ａの中に
配置しているために、標本１０と前置増幅器回路基板２
３とを接続する導線をできる限り短くすることができる
ので、たとえば、シリンダガイド１９を垂直方向に移動
させるための駆動モータ（図示せず）から、又はステッ
プモータ２１からの電気的制御信号が特に前置増幅器の
入力端子に漏れることはない。
【００２４】前置増幅器回路基板２３の出力と、前置増
幅器の給電は３線ケーブル２７によって行われ、このケ
ーブルは中空シリンダ１８とシリンダガイド１９にある
開口を通り、接続装置７に接続している。前置増幅器の
出力信号は制御プロセッサ６に供給される。制御プロセ
ッサ６の回路基板上には、測定信号の処理に必要なアナ
ログ／デジタル変換器と、前置増幅器回路基板２３に対
する低電圧回路網が設けられている。
幅器の給電は３線ケーブル２７によって行われ、このケ
ーブルは中空シリンダ１８とシリンダガイド１９にある
開口を通り、接続装置７に接続している。前置増幅器の
出力信号は制御プロセッサ６に供給される。制御プロセ
ッサ６の回路基板上には、測定信号の処理に必要なアナ
ログ／デジタル変換器と、前置増幅器回路基板２３に対
する低電圧回路網が設けられている。
【００２５】前置増幅器回路基板２３に配置される回路
を図２に詳細に示す。この回路は、一般に、測定増幅器
２８を備えており、その測定増幅器２８の出力が反転入
力端子に帰還されることにより、インピーダンス変換器
を構成している。２７ａ及び２７ｂは演算増幅器２８の
供給導線であり、導線２７ａは５ボルトの正供給電圧に
あり、導線２７ｂは接地電位にある。演算増幅器２８の
出力端子２７ｃと、接地導線２７ｂとの間には、１０μ
Ｆの容量を有し、測定増幅器２８の出力抵抗と共に約１
００Ｈｚの限定周波数を有する低域フィルタを形成する
第１のコンデンサ（Ｃ１）が接続している。この低域フ
ィルタリングによって、演算増幅器２８と接続装置７と
の間で出力導線２７ｃにもれてしまう妨害信号が抑制さ
れる。接地導線２７ｂと測定増幅器２８の非反転入力端
子との間には、０．３３ｎＦの容量を有する第２のコン
デンサ（Ｃ２）が接続され、測定増幅器２８の正供給導
線２７ａと非反転入力端子との間には、２２メガオーム
の抵抗器（Ｒ１）が接続している。第２のコンデンサ
（Ｃ２）は抵抗器（Ｒ１）と共に、２５Ｈｚの限界周波
数を有する低域フィルタを形成する。この低域フィルタ
により、標本１０と測定増幅器２８の非反転入力端子と
の間に混入する妨害が抑制される。
を図２に詳細に示す。この回路は、一般に、測定増幅器
２８を備えており、その測定増幅器２８の出力が反転入
力端子に帰還されることにより、インピーダンス変換器
を構成している。２７ａ及び２７ｂは演算増幅器２８の
供給導線であり、導線２７ａは５ボルトの正供給電圧に
あり、導線２７ｂは接地電位にある。演算増幅器２８の
出力端子２７ｃと、接地導線２７ｂとの間には、１０μ
Ｆの容量を有し、測定増幅器２８の出力抵抗と共に約１
００Ｈｚの限定周波数を有する低域フィルタを形成する
第１のコンデンサ（Ｃ１）が接続している。この低域フ
ィルタリングによって、演算増幅器２８と接続装置７と
の間で出力導線２７ｃにもれてしまう妨害信号が抑制さ
れる。接地導線２７ｂと測定増幅器２８の非反転入力端
子との間には、０．３３ｎＦの容量を有する第２のコン
デンサ（Ｃ２）が接続され、測定増幅器２８の正供給導
線２７ａと非反転入力端子との間には、２２メガオーム
の抵抗器（Ｒ１）が接続している。第２のコンデンサ
（Ｃ２）は抵抗器（Ｒ１）と共に、２５Ｈｚの限界周波
数を有する低域フィルタを形成する。この低域フィルタ
により、標本１０と測定増幅器２８の非反転入力端子と
の間に混入する妨害が抑制される。
【００２６】測定増幅器２８の非反転入力端子は前置増
幅器回路の入力端子を構成しており、金属板２５に導通
接続し、それによって標本１０と接続されている。標本
１０とカッタ９が互いに離間している間は、離間の結果
として、標本１０と、接地電位にあるミクロトームカッ
タ９との間に電気的接続は成立していないので、標本１
０は抵抗器（Ｒ１）を介して測定前置増幅器２８の供給
電位（Ｕb）である＋５Ｖを受けている。そのため、標
本１０とミクロトームカッタ９との間には、５Ｖの電圧
が印加されることになる。ミクロトームカッタ９と標本
１０が機械的に接触したとき、ミクロトームカッタ９が
凍結した標本１０に圧力を加えるため、標本１０の固有
導電率は増加する。その原因は、カッタの尖った刃が加
える圧力によって標本１０の内部の氷の結晶が溶融し、
その結果、導電率が増加すると推測される。標本の電気
抵抗は標本の厚さと、クライオスタットの温度とによっ
て決まる。標本の厚さにもよるが、クライオスタットの
温度が−１０℃のとき、電気抵抗は約７〜１０メガオー
ムであり、−５０℃のときは約２００メガオームであ
る。この標本の抵抗と前置増幅器回路の抵抗器（Ｒ１）
が分圧器回路を形成する。標本１０の固有導電率が高い
ほど、測定増幅器２８の非反転入力端子に印加される電
圧は低くなる。測定増幅器２８の非反転入力端子におけ
るこの電圧降下は、増幅器の出力端子２７ｃでもほぼ同
じ電流増幅電圧変化を発生させ、制御プロセッサ６は、
この電圧変化があらかじめ規定されたしきい値電圧（Ｕ
s） に到達したことを検出する。それに続いて、制御プ
ロセッサ６はステップモータ２１を停止させ、それによ
り、標本の摺動を停止させる。
幅器回路の入力端子を構成しており、金属板２５に導通
接続し、それによって標本１０と接続されている。標本
１０とカッタ９が互いに離間している間は、離間の結果
として、標本１０と、接地電位にあるミクロトームカッ
タ９との間に電気的接続は成立していないので、標本１
０は抵抗器（Ｒ１）を介して測定前置増幅器２８の供給
電位（Ｕb）である＋５Ｖを受けている。そのため、標
本１０とミクロトームカッタ９との間には、５Ｖの電圧
が印加されることになる。ミクロトームカッタ９と標本
１０が機械的に接触したとき、ミクロトームカッタ９が
凍結した標本１０に圧力を加えるため、標本１０の固有
導電率は増加する。その原因は、カッタの尖った刃が加
える圧力によって標本１０の内部の氷の結晶が溶融し、
その結果、導電率が増加すると推測される。標本の電気
抵抗は標本の厚さと、クライオスタットの温度とによっ
て決まる。標本の厚さにもよるが、クライオスタットの
温度が−１０℃のとき、電気抵抗は約７〜１０メガオー
ムであり、−５０℃のときは約２００メガオームであ
る。この標本の抵抗と前置増幅器回路の抵抗器（Ｒ１）
が分圧器回路を形成する。標本１０の固有導電率が高い
ほど、測定増幅器２８の非反転入力端子に印加される電
圧は低くなる。測定増幅器２８の非反転入力端子におけ
るこの電圧降下は、増幅器の出力端子２７ｃでもほぼ同
じ電流増幅電圧変化を発生させ、制御プロセッサ６は、
この電圧変化があらかじめ規定されたしきい値電圧（Ｕ
s） に到達したことを検出する。それに続いて、制御プ
ロセッサ６はステップモータ２１を停止させ、それによ
り、標本の摺動を停止させる。
【００２７】標本の固有導電率は温度により大きく左右
されるので、前置増幅器の出力端子における様々に異な
るしきい値電圧（Ｕs） に対して、送り運動は温度セン
サ４により測定される温度に従って停止される。しきい
値電圧（Ｕs） のこの温度依存性を図３に示す。抵抗器
Ｒ１の抵抗が２２メガオームであるとき、しきい値電圧
は−１０℃から−４０℃の間は直線的に変化し、−１０
℃のときには、標本とミクロトームカッタとが接触して
いない場合に現れる。供給電圧（Ｕb） とほぼ一致する
増幅器の出力電圧の１２．５％の値を有し、−４０℃の
ときにはその９４％の値を有する。−４０℃より低い温
度では、しきい値電圧（Ｕs） はこの出力の９４％のま
ま変わらない。−１０℃から−４０℃の温度において
は、温度に対するしきい値電圧の依存性を制御プロセッ
サ６により、実際の温度の値に基づいて公式Ｕs＝ａ
*（Ｔ−Ｔo）＋ｂ に従って計算される。式中、Ｔは温
度の値であり、Ｔo は−１０℃の最大許容温度であり、
係数ａは０．１２Ｖ／℃である。係数ｂは、標本とミク
ロトームカッタが接触していないときに現れる増幅器の
出力電圧の１／８に相当する。標本とミクロトームカッ
タとの接触の有無を検出するために、クライオスタット
の温度に応じてしきい値電圧（Ｕs） のそれぞれの値は
プロセッサにより利用され、温度が−４０℃から−５０
℃の場合には、−４０℃に付随するしきい値電圧の値を
使用する。
されるので、前置増幅器の出力端子における様々に異な
るしきい値電圧（Ｕs） に対して、送り運動は温度セン
サ４により測定される温度に従って停止される。しきい
値電圧（Ｕs） のこの温度依存性を図３に示す。抵抗器
Ｒ１の抵抗が２２メガオームであるとき、しきい値電圧
は−１０℃から−４０℃の間は直線的に変化し、−１０
℃のときには、標本とミクロトームカッタとが接触して
いない場合に現れる。供給電圧（Ｕb） とほぼ一致する
増幅器の出力電圧の１２．５％の値を有し、−４０℃の
ときにはその９４％の値を有する。−４０℃より低い温
度では、しきい値電圧（Ｕs） はこの出力の９４％のま
ま変わらない。−１０℃から−４０℃の温度において
は、温度に対するしきい値電圧の依存性を制御プロセッ
サ６により、実際の温度の値に基づいて公式Ｕs＝ａ
*（Ｔ−Ｔo）＋ｂ に従って計算される。式中、Ｔは温
度の値であり、Ｔo は−１０℃の最大許容温度であり、
係数ａは０．１２Ｖ／℃である。係数ｂは、標本とミク
ロトームカッタが接触していないときに現れる増幅器の
出力電圧の１／８に相当する。標本とミクロトームカッ
タとの接触の有無を検出するために、クライオスタット
の温度に応じてしきい値電圧（Ｕs） のそれぞれの値は
プロセッサにより利用され、温度が−４０℃から−５０
℃の場合には、−４０℃に付随するしきい値電圧の値を
使用する。
【００２８】本発明によるミクロトームにおいて自動的
に進行する機能ステップを図４にブロック線図として示
す。オペレータが新たな標本又は別の標本を設置した後
に、入力コンソール（図示せず）にある自動標本接近の
ためのキー２９を操作すると、制御プロセッサ６は、ま
ず、ステップ３０で、被検体載置台１１がミクロトーム
カッタの高さにあるか否かを問合わせる。同じ高さにな
い場合、切断運動を手動操作で駆動するミクロトームで
は、ステップ４５へ進むことによってルーチンから出
る。切断運動を電動駆動するミクロトームにおいては、
被検体載置台はミクロトームカッタの高さに自動的に調
整される。
に進行する機能ステップを図４にブロック線図として示
す。オペレータが新たな標本又は別の標本を設置した後
に、入力コンソール（図示せず）にある自動標本接近の
ためのキー２９を操作すると、制御プロセッサ６は、ま
ず、ステップ３０で、被検体載置台１１がミクロトーム
カッタの高さにあるか否かを問合わせる。同じ高さにな
い場合、切断運動を手動操作で駆動するミクロトームで
は、ステップ４５へ進むことによってルーチンから出
る。切断運動を電動駆動するミクロトームにおいては、
被検体載置台はミクロトームカッタの高さに自動的に調
整される。
【００２９】被検体載置台１１がミクロトームカッタの
高さに達した後、ステップ３１で、温度センサ４により
測定されたクライオスタットの温度が−１０℃から−５
０℃の許容範囲内にあるか否かを判定する。その許容範
囲にないならば、ステップ３１ａで、誤り通知を発生し
且つ表示装置（図示せず）に表示する。温度が許容範囲
内にあれば、その後のステップ３２で、前置増幅器の出
力電圧が供給電圧（Ｕb） の少なくとも９６％に達して
いるか否かを判定する。この条件が満たされていれば、
ステップ３２ａで、標本とミクロトームカッタとの間に
既に接触が成立していることをユーザに表示する誤り通
知を発生する。前置増幅器の出力電圧が供給電圧の９６
％未満である場合には、ステップ３３で実際の出力電圧
を測定し、ステップ３４では、実際の出力電圧及び実際
の温度値に基づき、上記の式に従ってしきい値電圧（Ｕ
s） を計算する。それに続いて、ステップ３５では、標
本送り出しのためのステップモータ２１を始動させ、標
本をミクロトームカッタに向かって移動させる（水平方
向運動）。標本の移動中、絶えずステップ３６において
前置増幅器２８の出力電圧を測定し、ステップ３７で
は、出力電圧が計算されたしきい値電圧（Ｕs） より既
に小さくなっているか否かを判定する。しきい値電圧が
出力電圧より小さいならば、決定ステップ４３で、ユー
ザが適切なキーの操作によって自動標本接近を中断させ
るための命令を入力したか否かを判定する。入力されて
いた場合、ステップ４４でステップモータ２１を停止さ
せ、機能ステップ４５においてルーチンから出る。そう
でない場合には、前置増幅器２８の出力電圧がしきい値
電圧（Ｕs） より小さくなるまで、ステップモータ（２
１）の動作を継続し、機能ステップ（３８）に到達する
ことによってステップモータ２１は停止する。その後の
機能ステップ３９では、ステップモータ２１が反転する
ように制御し、標本をミクロトームカッタから２００μ
ｍだけ離間させる。次の質問ループ４０では、被検体載
置台が最上位置にあるか否かを判定する。最上位置にな
い場合には、ステップ４２で、ユーザが中断命令を発し
たか否かを判定する。中断命令も入力されていないなら
ば、質問への返答がイエスになるまで、質問ステップ４
０、４２を改めて実行する。被検体載置台の最上位置を
検出するために、周知のように、光障壁（図示せず）が
設けられている。
高さに達した後、ステップ３１で、温度センサ４により
測定されたクライオスタットの温度が−１０℃から−５
０℃の許容範囲内にあるか否かを判定する。その許容範
囲にないならば、ステップ３１ａで、誤り通知を発生し
且つ表示装置（図示せず）に表示する。温度が許容範囲
内にあれば、その後のステップ３２で、前置増幅器の出
力電圧が供給電圧（Ｕb） の少なくとも９６％に達して
いるか否かを判定する。この条件が満たされていれば、
ステップ３２ａで、標本とミクロトームカッタとの間に
既に接触が成立していることをユーザに表示する誤り通
知を発生する。前置増幅器の出力電圧が供給電圧の９６
％未満である場合には、ステップ３３で実際の出力電圧
を測定し、ステップ３４では、実際の出力電圧及び実際
の温度値に基づき、上記の式に従ってしきい値電圧（Ｕ
s） を計算する。それに続いて、ステップ３５では、標
本送り出しのためのステップモータ２１を始動させ、標
本をミクロトームカッタに向かって移動させる（水平方
向運動）。標本の移動中、絶えずステップ３６において
前置増幅器２８の出力電圧を測定し、ステップ３７で
は、出力電圧が計算されたしきい値電圧（Ｕs） より既
に小さくなっているか否かを判定する。しきい値電圧が
出力電圧より小さいならば、決定ステップ４３で、ユー
ザが適切なキーの操作によって自動標本接近を中断させ
るための命令を入力したか否かを判定する。入力されて
いた場合、ステップ４４でステップモータ２１を停止さ
せ、機能ステップ４５においてルーチンから出る。そう
でない場合には、前置増幅器２８の出力電圧がしきい値
電圧（Ｕs） より小さくなるまで、ステップモータ（２
１）の動作を継続し、機能ステップ（３８）に到達する
ことによってステップモータ２１は停止する。その後の
機能ステップ３９では、ステップモータ２１が反転する
ように制御し、標本をミクロトームカッタから２００μ
ｍだけ離間させる。次の質問ループ４０では、被検体載
置台が最上位置にあるか否かを判定する。最上位置にな
い場合には、ステップ４２で、ユーザが中断命令を発し
たか否かを判定する。中断命令も入力されていないなら
ば、質問への返答がイエスになるまで、質問ステップ４
０、４２を改めて実行する。被検体載置台の最上位置を
検出するために、周知のように、光障壁（図示せず）が
設けられている。
【００３０】質問ステップ４０において被検体載置台が
最上位置にある場合には、続くステップ４１で、ステッ
プモータ２１の動作を再び反転させ、標本はステップ３
９における距離と同じ距離、すなわち、２００μｍだけ
ミクロトームカッタに向かって動き、その後、機能ステ
ップ４５に到達することによってルーチンから出る。そ
こで、標本の切り離しが始まり、標本は通常通りに切り
取られる。
最上位置にある場合には、続くステップ４１で、ステッ
プモータ２１の動作を再び反転させ、標本はステップ３
９における距離と同じ距離、すなわち、２００μｍだけ
ミクロトームカッタに向かって動き、その後、機能ステ
ップ４５に到達することによってルーチンから出る。そ
こで、標本の切り離しが始まり、標本は通常通りに切り
取られる。
【００３１】ステップ３９において標本とカッタが互い
に離間することにより、被検体載置台が最上位置へ戻る
ときに、標本とカッタとが互いに確実に離間する結果と
なり、標本の損傷は全く起こらない。切り取り運動を電
動駆動する方式のミクロトームの場合、被検体載置台の
最上位置への戻りも自動的に実行可能である。
に離間することにより、被検体載置台が最上位置へ戻る
ときに、標本とカッタとが互いに確実に離間する結果と
なり、標本の損傷は全く起こらない。切り取り運動を電
動駆動する方式のミクロトームの場合、被検体載置台の
最上位置への戻りも自動的に実行可能である。
【００３２】以上説明した実施形態の場合、標本とミク
ロトームカッタが接触していないときの前置増幅器の出
力電圧に基づいて、しきい値電圧（Ｕs） を常に新たに
計算する。その代わりに、それぞれの温度に対応するし
きい値電圧のデータテーブルをメモリに記憶させておく
ことも可能であろう。その場合には、しきい値電圧を計
算するのではなく、実際の温度に対応する値をテーブル
から選び出すだけで良いであろう。しかしながら、先に
説明した実施形態と比較して、この方法は、カッタと標
本とが接触していないときの同じ出力電圧が常に狭い限
界の中に存在しているか、あるいは、各々の装置の制御
回路ごとに個別のデータテーブルを確定しなければなら
ないという欠点を有する。これに対し、先に説明した実
施形態においては、前置増幅器の出力電圧はシリーズの
中で４〜５％変動しても良く、それにもかかわらず、関
数係数ａについて常に同じ、先に挙げた値を適用するこ
とができる。
ロトームカッタが接触していないときの前置増幅器の出
力電圧に基づいて、しきい値電圧（Ｕs） を常に新たに
計算する。その代わりに、それぞれの温度に対応するし
きい値電圧のデータテーブルをメモリに記憶させておく
ことも可能であろう。その場合には、しきい値電圧を計
算するのではなく、実際の温度に対応する値をテーブル
から選び出すだけで良いであろう。しかしながら、先に
説明した実施形態と比較して、この方法は、カッタと標
本とが接触していないときの同じ出力電圧が常に狭い限
界の中に存在しているか、あるいは、各々の装置の制御
回路ごとに個別のデータテーブルを確定しなければなら
ないという欠点を有する。これに対し、先に説明した実
施形態においては、前置増幅器の出力電圧はシリーズの
中で４〜５％変動しても良く、それにもかかわらず、関
数係数ａについて常に同じ、先に挙げた値を適用するこ
とができる。
【００３３】図示した実施形態の場合、前置増幅器の回
路基板は標本側に配置されている。カッタホルダをミク
ロトームの基板に対して絶縁し、前置増幅器の回路基板
をこの絶縁手段の中でカッタホルダの付近に配置するこ
とも可能であるのは自明であり、その場合、カッタホル
ダを増幅器の入力端子に接続すべきである。ところが、
この代替構成においては、絶縁部が切り取りくずによる
ひどい汚れにさらされているので、カッタと標本が短絡
し、その結果、調整運動の停止が早すぎてしまうという
事態が起こりうる。
路基板は標本側に配置されている。カッタホルダをミク
ロトームの基板に対して絶縁し、前置増幅器の回路基板
をこの絶縁手段の中でカッタホルダの付近に配置するこ
とも可能であるのは自明であり、その場合、カッタホル
ダを増幅器の入力端子に接続すべきである。ところが、
この代替構成においては、絶縁部が切り取りくずによる
ひどい汚れにさらされているので、カッタと標本が短絡
し、その結果、調整運動の停止が早すぎてしまうという
事態が起こりうる。
【図１】 本発明によるクライオスタットミクロトーム
のミクロトームカッタ及び標本支持部を含む領域の断面
図。
のミクロトームカッタ及び標本支持部を含む領域の断面
図。
【図２】 標本支持部に一体に組込まれた測定増幅器の
回路図。
回路図。
【図３】 送り運動を停止させるための電圧降下と、ク
ライオスタットの温度との関係を示すグラフ。
ライオスタットの温度との関係を示すグラフ。
【図４】 標本を切り取るときの送り制御回路の流れ
図。
図。
４…温度センサ、６…制御プロセッサ、９…ミクロトー
ムカッタ、１０…標本、１１…被検体載置台、１３…継
手玉、１５…クランプジョー、１６…導電性ねじ、１７
…絶縁体、１７ａ…凹部、２８…測定前置増幅器。
ムカッタ、１０…標本、１１…被検体載置台、１３…継
手玉、１５…クランプジョー、１６…導電性ねじ、１７
…絶縁体、１７ａ…凹部、２８…測定前置増幅器。
Claims (13)
- 【請求項１】 凍結した標本（１０）を切り取るクライ
オスタットミクロトームにおいて、ミクロトームカッタ
（９）と標本（１０）との互いに向き合う方向への送り
運動をミクロトームカッタ（９）と標本（１０）とが機
械的に接触したときに自動的に停止させる制御回路
（６，３７，３８）を有し、それが、カッタ（９）と標
本（１０）との間に電圧を印加しておき、標本（１０）
が固有導電率をもつことによってミクロトームカッタ
（９）と標本（１０）が機械的に接触したときに標本で
起こる電圧降下の変化又は標本（１０）を通過する電流
を検出する電子回路（６，２３，２８）を送り運動を停
止させるために備えているクライオスタットミクロトー
ム。 - 【請求項２】 クライオスタットの中に温度センサ
（４）が設けられており、標本における電圧降下が所定
の値（Ｕs） に達したとき又は標本を電流が流れたとき
に、制御回路（６，３７，３８）は送り運動を停止させ
るようになっており、その所定の値（Ｕs） はクライオ
スタットの温度に従って異なる請求項１記載のクライオ
スタットミクロトーム。 - 【請求項３】 電圧は最高でも１２ボルトである請求項
１又は２記載のクライオスタットミクロトーム。 - 【請求項４】 電子回路は測定前置増幅器（２８）を含
み且つ印加される電圧は測定前置増幅器（２８）の供給
電圧（Ｕb） と一致する請求項１から３のいずれか１項
に記載のクライオスタットミクロトーム。 - 【請求項５】 測定前置増幅器はインピーダンス変換器
として接続されている請求項４記載のクライオスタット
ミクロトーム。 - 【請求項６】 測定前置増幅器（２８）の一方の入力端
子は標本（１０）又はミクロトームカッタ（９）と電気
的に接続し且つ電気抵抗器（Ｒ１）を介して高い抵抗を
受けつつ測定前置増幅器（２８）の電圧供給部に接続し
ている請求項４又は５記載のクライオスタットミクロト
ーム。 - 【請求項７】 抵抗の大きい抵抗器は少なくとも１０メ
ガオームの抵抗で、２２メガオームが最も好ましい請求
項６記載のクライオスタットミクロトーム。 - 【請求項８】 被検体載置台（１１）を収納する被検体
ホルダ（１３，１５，１６）は、電気絶縁性の絶縁体
（１７）に受け入れられている請求項１から７のいずれ
か１項に記載のクライオスタットミクロトーム。 - 【請求項９】 絶縁体（１７）は凹部（１７ａ）を有
し、測定前置増幅器（２８）は絶縁体（１７）の凹部
（１７ａ）の中に配置されている請求項８記載のクライ
オスタットミクロトーム。 - 【請求項１０】 絶縁体（１７）はセラミック又はガラ
ス繊維補強プラスチックから製造されている請求項８又
は９記載のクライオスタットミクロトーム。 - 【請求項１１】 送り運動の停止後に標本（１０）とミ
クロトームカッタ（９）との運動を自動的に反転させ、
標本（１０）とミクロトームカッタ（９）を所定の間隔
だけ互いに離間させ、標本（１０）が最上位置に到達し
た後は、ミクロトームカッタ（９）と標本（１０）を前
記所定の間隔だけ再び互いに向かって移動させる制御回
路（６，３９，４１）が設けられている請求項１から１
０のいずれか１項に記載のクライオスタットミクロトー
ム。 - 【請求項１２】 制御回路（６）はプログラム（２９〜
４５）を含み且つ所定の電圧（Ｕs） はプログラム（２
９〜４５）の経過に従って関数係数に基づいて計算され
る請求項２から１１のいずれか１項に記載のクライオス
タットミクロトーム。 - 【請求項１３】 ミクロトームカッタ（９）と凍結した
標本（１０）の互いに向かい合う方向の送り運動をミク
ロトームカッタ（９）と標本（１０）とが機械的に接触
したときに自動的に停止させ、標本（１０）とミクロト
ームカッタ（９）との間に電圧を印加しておき、送り運
動を停止させるために、凍結した標本（１０）が固有導
電率を有することによって標本を通って発生する電流又
は標本における電圧降下を検出するようにクライオスタ
ットミクロトームを動作させる方法。
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