JPH0940641A - アミドの製造方法 - Google Patents
アミドの製造方法Info
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- JPH0940641A JPH0940641A JP7192909A JP19290995A JPH0940641A JP H0940641 A JPH0940641 A JP H0940641A JP 7192909 A JP7192909 A JP 7192909A JP 19290995 A JP19290995 A JP 19290995A JP H0940641 A JPH0940641 A JP H0940641A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】発煙硫酸や濃硫酸を使用したり、気相条件下で
反応を行なうことなく、液相条件下で、温和な反応温度
で、しかも触媒回収も容易な方法でオキシムを転位させ
てアミドを製造する 【解決手段】イミニウムイオンを担持したゼオライト触
媒にオキシムを液相で接触させ、オキシムを転位させて
アミドを得る。
反応を行なうことなく、液相条件下で、温和な反応温度
で、しかも触媒回収も容易な方法でオキシムを転位させ
てアミドを製造する 【解決手段】イミニウムイオンを担持したゼオライト触
媒にオキシムを液相で接触させ、オキシムを転位させて
アミドを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はオキシムの触媒的液
相転位によるアミドの製造方法に関する。
相転位によるアミドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】オキシムのアミドへの転位反応はベック
マン転位反応としてよく知られており、例えばシクロヘ
キサノンオキシムの転位によるε−カプロタクタムの製
造は工業的にも利用されている。従来、かかるオキシム
のアミドへの転位反応においては、発煙硫酸や濃硫酸が
反応促進剤として使用されてきたが、この方法では大量
の硫酸アンモニウムが副生するという本質的な欠点の
他、装置の腐食など工業的に実施するうえでの多くの問
題があった。
マン転位反応としてよく知られており、例えばシクロヘ
キサノンオキシムの転位によるε−カプロタクタムの製
造は工業的にも利用されている。従来、かかるオキシム
のアミドへの転位反応においては、発煙硫酸や濃硫酸が
反応促進剤として使用されてきたが、この方法では大量
の硫酸アンモニウムが副生するという本質的な欠点の
他、装置の腐食など工業的に実施するうえでの多くの問
題があった。
【０００３】かかる欠点を改良するものとして、シリ
カ、アルミナまたはチタニアに酸化ホウ素を担持した固
体酸化物触媒、及びゼオライト系触媒を用いる方法が提
案されているが、これら固体触媒をオキシムのアミドへ
の転位反応に用いる場合には高温の気相反応条件を採用
する必要があるため、生成したアミド例えばε−カプロ
タクタムの収率の低下、触媒の劣化およびエネルギーコ
ストの増大を伴うなど工業的実施には尚多くの問題があ
る。一方、液相条件下に、温和な反応温度でオキシムを
転位してアミドを得る方法として、本発明者は先にＮ，
Ｎ−ジ置換ホルムアミドもしくはＮ，Ｎ−ジ置換カルボ
ン酸アミドとアルキル化剤からなる反応促進剤を使用す
る方法を提案している（特開平４−２３５１６０号公
報）が、この方法は反応それ自体は上記欠点もなく非常
に優れたものであるが、均一触媒のためにその回収リサ
イクルに難点があった。
カ、アルミナまたはチタニアに酸化ホウ素を担持した固
体酸化物触媒、及びゼオライト系触媒を用いる方法が提
案されているが、これら固体触媒をオキシムのアミドへ
の転位反応に用いる場合には高温の気相反応条件を採用
する必要があるため、生成したアミド例えばε−カプロ
タクタムの収率の低下、触媒の劣化およびエネルギーコ
ストの増大を伴うなど工業的実施には尚多くの問題があ
る。一方、液相条件下に、温和な反応温度でオキシムを
転位してアミドを得る方法として、本発明者は先にＮ，
Ｎ−ジ置換ホルムアミドもしくはＮ，Ｎ−ジ置換カルボ
ン酸アミドとアルキル化剤からなる反応促進剤を使用す
る方法を提案している（特開平４−２３５１６０号公
報）が、この方法は反応それ自体は上記欠点もなく非常
に優れたものであるが、均一触媒のためにその回収リサ
イクルに難点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなことから、
本発明者はオキシムの転位によるアミドの製造方法にお
いて、発煙硫酸や濃硫酸を使用したり、気相条件下で反
応を行なうことなく、液相条件下で、温和な反応温度で
アミドが得られ、しかも触媒回収も容易な方法について
検討の結果、本発明に至った。
本発明者はオキシムの転位によるアミドの製造方法にお
いて、発煙硫酸や濃硫酸を使用したり、気相条件下で反
応を行なうことなく、液相条件下で、温和な反応温度で
アミドが得られ、しかも触媒回収も容易な方法について
検討の結果、本発明に至った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、イミ
ニウムイオンを担持したゼオライト触媒にオキシムを液
相で接触させることを特徴とするアミドの製造方法を提
供するものである。
ニウムイオンを担持したゼオライト触媒にオキシムを液
相で接触させることを特徴とするアミドの製造方法を提
供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明はイミニウムイオンを担持
したゼオライト触媒を使用するものであるが、イミニウ
ムイオンとしては、通常、アルキル化剤とＮ，Ｎ−ジア
ルキルホルムアミドから生成したイミニウムイオンが用
いられる。ここで、アルキル化剤としてはジメチル硫
酸、ジエチル硫酸などのジアルキル硫酸、メタンスルホ
ン酸メチル、トリフルオロメタンスルホン酸エチル、ベ
ンゼンスルホン酸エチルなどのスルホン酸エステル、あ
るいはトリメチルオキソニウムテトラフルオロボレー
ト、トリメチルオキソニウムヘキサフルオロアンチモネ
ートなどのトリアルキルオキソニウム塩が用いられる。
また、このようなアルキル化剤を直接用いる代わりに、
三フッ化ホウ素エーテラート、ヘテロポリ酸、無水硫酸
などの強酸とエポキシ化合物との反応によって得られる
生成物をアルキル化剤として用いることもできる。
したゼオライト触媒を使用するものであるが、イミニウ
ムイオンとしては、通常、アルキル化剤とＮ，Ｎ−ジア
ルキルホルムアミドから生成したイミニウムイオンが用
いられる。ここで、アルキル化剤としてはジメチル硫
酸、ジエチル硫酸などのジアルキル硫酸、メタンスルホ
ン酸メチル、トリフルオロメタンスルホン酸エチル、ベ
ンゼンスルホン酸エチルなどのスルホン酸エステル、あ
るいはトリメチルオキソニウムテトラフルオロボレー
ト、トリメチルオキソニウムヘキサフルオロアンチモネ
ートなどのトリアルキルオキソニウム塩が用いられる。
また、このようなアルキル化剤を直接用いる代わりに、
三フッ化ホウ素エーテラート、ヘテロポリ酸、無水硫酸
などの強酸とエポキシ化合物との反応によって得られる
生成物をアルキル化剤として用いることもできる。
【０００７】また、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドと
しては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジプロピルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジブチ
ルホルムアミドなどが挙げられる。
しては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジプロピルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジブチ
ルホルムアミドなどが挙げられる。
【０００８】イミニウムイオンは、このようなアルキル
化剤とＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドを反応させるこ
とにより容易にホルムイミニウム塩として得ることがで
きる。このときの両者の使用割合は、アルキル化剤に対
してＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドが化学量論量と同
等もしくはそれ以上である。反応は無溶媒中でも進行す
るが、通常は溶媒中で行われ、溶媒としてはベンゼン、
トルエン、ヘキサン、ヘプタンなどの炭化水素溶媒、
１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素溶
媒、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセタミドやアセトニトリル、
ベンゾニトリルなどの非プロトン性極性溶媒など反応に
不活性な溶媒が挙げられる。しかし、Ｎ，Ｎ−ジアルキ
ルホルムアミドを溶媒を兼ねて過剰量用いて反応させる
ことが最も好ましい。反応温度は通常２０℃以上、１０
０℃以下好ましくは８０℃以下である。
化剤とＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドを反応させるこ
とにより容易にホルムイミニウム塩として得ることがで
きる。このときの両者の使用割合は、アルキル化剤に対
してＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドが化学量論量と同
等もしくはそれ以上である。反応は無溶媒中でも進行す
るが、通常は溶媒中で行われ、溶媒としてはベンゼン、
トルエン、ヘキサン、ヘプタンなどの炭化水素溶媒、
１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素溶
媒、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセタミドやアセトニトリル、
ベンゾニトリルなどの非プロトン性極性溶媒など反応に
不活性な溶媒が挙げられる。しかし、Ｎ，Ｎ−ジアルキ
ルホルムアミドを溶媒を兼ねて過剰量用いて反応させる
ことが最も好ましい。反応温度は通常２０℃以上、１０
０℃以下好ましくは８０℃以下である。
【０００９】イミニウムイオンをゼオライトに担持させ
る方法としては、上記方法により得たホルムイミニウム
塩を含む反応液にゼオライトを加え、上記と同様の温度
で攪拌しながら、イオン交換によりイミニウムイオンを
ゼオライトに担持させてもよいし、ゼオライトの共存下
にアルキル化剤とＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドを反
応させてイミニウムイオンを生成せしめると同時にゼオ
ライトに直接担持させてもよい。また、エピクロロヒド
リンなどのエポキシ化合物とＮ，Ｎ−ジアルキルホルム
アミドを直接ゼオライトに接触させ、イミニウムイオン
を生成せしめると同時にゼオライトに担持させてもよ
い。前者の方法によりイミニウムイオンをゼオライトに
担持させた場合には、通常、その処理マスを減圧下に濃
縮して未反応原料等を除去することにより、イミニウム
イオン担持ゼオライト触媒として使用され、後者の方法
による場合にはＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドでイミ
ニウムイオン担持ゼオライトを洗浄して過剰のエピクロ
ロヒドリンを除去してイミニウムイオン担持ゼオライト
触媒とされ、この方法による場合には固定床液相流通反
応における固定触媒相として有利に使用される。
る方法としては、上記方法により得たホルムイミニウム
塩を含む反応液にゼオライトを加え、上記と同様の温度
で攪拌しながら、イオン交換によりイミニウムイオンを
ゼオライトに担持させてもよいし、ゼオライトの共存下
にアルキル化剤とＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドを反
応させてイミニウムイオンを生成せしめると同時にゼオ
ライトに直接担持させてもよい。また、エピクロロヒド
リンなどのエポキシ化合物とＮ，Ｎ−ジアルキルホルム
アミドを直接ゼオライトに接触させ、イミニウムイオン
を生成せしめると同時にゼオライトに担持させてもよ
い。前者の方法によりイミニウムイオンをゼオライトに
担持させた場合には、通常、その処理マスを減圧下に濃
縮して未反応原料等を除去することにより、イミニウム
イオン担持ゼオライト触媒として使用され、後者の方法
による場合にはＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドでイミ
ニウムイオン担持ゼオライトを洗浄して過剰のエピクロ
ロヒドリンを除去してイミニウムイオン担持ゼオライト
触媒とされ、この方法による場合には固定床液相流通反
応における固定触媒相として有利に使用される。
【００１０】イミニウムイオンを担持するための担体と
して用いられるゼオライトは特に制限されないが、フォ
ージャサイト型、モルデナイト型などの比較的大きな細
孔径を有するゼオライトが好ましく、フォージャサイト
型ゼオライトとしては特にＹ型ゼオライトが好ましい。
ゼオライトのカチオン種はＨ+ 型、アルカリカチオン
（Ｎａ+ ）型あるいは遷移金属カチオン型などのいずれ
も用いることができる。これらの内、イミニウムイオン
をイオン交換法で担持する場合にはアルカリカチオン
（Ｎａ+ ）型を用いるのが好ましく、エポキシ化合物と
Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドを直接ゼオライトに接
触させてイミニウムイオンを生成、担持させる方法の場
合は酸性を示すＨ+ 型あるいは遷移金属カチオン型を用
いるのが好ましい。遷移金属カチオン型としては特にラ
ンタノイドカチオン（Ｌａ3+，Ｃｅ3+など）型が好まし
く使用される。
して用いられるゼオライトは特に制限されないが、フォ
ージャサイト型、モルデナイト型などの比較的大きな細
孔径を有するゼオライトが好ましく、フォージャサイト
型ゼオライトとしては特にＹ型ゼオライトが好ましい。
ゼオライトのカチオン種はＨ+ 型、アルカリカチオン
（Ｎａ+ ）型あるいは遷移金属カチオン型などのいずれ
も用いることができる。これらの内、イミニウムイオン
をイオン交換法で担持する場合にはアルカリカチオン
（Ｎａ+ ）型を用いるのが好ましく、エポキシ化合物と
Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドを直接ゼオライトに接
触させてイミニウムイオンを生成、担持させる方法の場
合は酸性を示すＨ+ 型あるいは遷移金属カチオン型を用
いるのが好ましい。遷移金属カチオン型としては特にラ
ンタノイドカチオン（Ｌａ3+，Ｃｅ3+など）型が好まし
く使用される。
【００１１】このようなイミニウムイオンを担持したゼ
オライト触媒を用いてオキシムを転位させてアミドを製
造する方法としては、かかるイミニウムイオン担持ゼオ
ライト触媒を反応溶媒中に分散させたスラリー状として
原料オキシムと接触反応させるか、あるいは反応塔中に
充填して固定床とし、これに原料オキシム溶液を流通さ
せて反応させる方法など、通常の固体触媒を用いる一般
的な方法が適用され、特に限定されない。かかる反応に
おける反応溶媒としては、通常はイミニウムイオン源で
あるＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドがそのまま溶媒と
して用いられるが、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘ
プタンなどの炭化水素溶媒、１，２−ジクロロエタンな
どのハロゲン化炭化水素溶媒、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセ
タミドやアセトニトリル、ベンゾニトリルなどの非プロ
トン性極性溶媒など反応に不活性な溶媒を用いてもよ
く、もちろん、必要に応じてこれらを混合して使用して
もよい。反応温度は通常２０〜１５０℃、好ましくは４
０〜１３０℃である。
オライト触媒を用いてオキシムを転位させてアミドを製
造する方法としては、かかるイミニウムイオン担持ゼオ
ライト触媒を反応溶媒中に分散させたスラリー状として
原料オキシムと接触反応させるか、あるいは反応塔中に
充填して固定床とし、これに原料オキシム溶液を流通さ
せて反応させる方法など、通常の固体触媒を用いる一般
的な方法が適用され、特に限定されない。かかる反応に
おける反応溶媒としては、通常はイミニウムイオン源で
あるＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミドがそのまま溶媒と
して用いられるが、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘ
プタンなどの炭化水素溶媒、１，２−ジクロロエタンな
どのハロゲン化炭化水素溶媒、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセ
タミドやアセトニトリル、ベンゾニトリルなどの非プロ
トン性極性溶媒など反応に不活性な溶媒を用いてもよ
く、もちろん、必要に応じてこれらを混合して使用して
もよい。反応温度は通常２０〜１５０℃、好ましくは４
０〜１３０℃である。
【００１２】尚、この方法において、水分はオキシムの
転位反応を阻害するため、原材料中には水分が含まれな
いようにすることが好ましいが、脱水剤の併用は触媒活
性の向上に有効であり、脱水剤の共存下ににオキシムを
ゼオライト触媒と接触させることによりアミドを得るこ
とができる。かかる脱水剤としてはホウ酸トリフェニル
が特に好ましく使用される。
転位反応を阻害するため、原材料中には水分が含まれな
いようにすることが好ましいが、脱水剤の併用は触媒活
性の向上に有効であり、脱水剤の共存下ににオキシムを
ゼオライト触媒と接触させることによりアミドを得るこ
とができる。かかる脱水剤としてはホウ酸トリフェニル
が特に好ましく使用される。
【００１３】このような方法により、オキシムが容易に
アミドに転位されるが、この反応における原料オキシム
は何ら制限されることなくアルドキシムであってもケト
キシムであってもよく、たとえばアセトアルドキシム、
アセトンオキシム、２−ブタノンオキシム、ベンズアル
デヒドオキシム、アセトフェノンオキシム、ベンゾフェ
ノンオキシム、シクロペンタノンオキシム、シクロヘキ
サノンオキシム、シクロドデカノンオキシムなどが挙げ
られる。
アミドに転位されるが、この反応における原料オキシム
は何ら制限されることなくアルドキシムであってもケト
キシムであってもよく、たとえばアセトアルドキシム、
アセトンオキシム、２−ブタノンオキシム、ベンズアル
デヒドオキシム、アセトフェノンオキシム、ベンゾフェ
ノンオキシム、シクロペンタノンオキシム、シクロヘキ
サノンオキシム、シクロドデカノンオキシムなどが挙げ
られる。
【００１４】かかる本発明の方法によりオキシムの転位
反応を実施すれば、触媒が固体のため反応液からの分離
が極めて容易であり、しかも回収された触媒は繰り返し
使用することができる。また、生成アミドは触媒分離後
の反応液を晶析、蒸留、吸着分離などの通常の方法で処
理することにより容易に単離、精製することができる。
反応を実施すれば、触媒が固体のため反応液からの分離
が極めて容易であり、しかも回収された触媒は繰り返し
使用することができる。また、生成アミドは触媒分離後
の反応液を晶析、蒸留、吸着分離などの通常の方法で処
理することにより容易に単離、精製することができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明の方法によれば、液相でオキシム
からアミドへの転位反応が容易に行われ、しかも触媒の
分離、回収も容易であり、かつ固定床連続流通反応も可
能となって、プロセスの効率が非常に向上するなどアミ
ドの工業的製造法として有利である。
からアミドへの転位反応が容易に行われ、しかも触媒の
分離、回収も容易であり、かつ固定床連続流通反応も可
能となって、プロセスの効率が非常に向上するなどアミ
ドの工業的製造法として有利である。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明がこれによって限定されるものでない
ことはいうまでもない。
明するが、本発明がこれによって限定されるものでない
ことはいうまでもない。
【００１７】実施例１ 内容積３０ｍｌの耐熱ガラス製フラスコにＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド１．５ｍｌおよびジメチル硫酸０．２
５ミリモルを加え、６０℃で１時間攪拌してホルムイミ
ニウム塩を生成せしめた。この反応液にＮａＹゼオライ
ト０．１ｇ加え、同温度で２４時間攪拌してイオン交換
を行なった後、これを減圧下に濃縮してホルムイミニウ
ムイオン担持触媒を得た。これにＮ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド１．５ｍｌ、シクロヘキサノンオキシム０．５
ｇおよびホウ酸トリフェニル０．１ｇを加え、６０℃で
２時間攪拌して転位反応を行なった。その結果、シクロ
ヘキサノンオキシムの転化率３４％でε−カプロラクタ
ムが得られた。
チルホルムアミド１．５ｍｌおよびジメチル硫酸０．２
５ミリモルを加え、６０℃で１時間攪拌してホルムイミ
ニウム塩を生成せしめた。この反応液にＮａＹゼオライ
ト０．１ｇ加え、同温度で２４時間攪拌してイオン交換
を行なった後、これを減圧下に濃縮してホルムイミニウ
ムイオン担持触媒を得た。これにＮ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド１．５ｍｌ、シクロヘキサノンオキシム０．５
ｇおよびホウ酸トリフェニル０．１ｇを加え、６０℃で
２時間攪拌して転位反応を行なった。その結果、シクロ
ヘキサノンオキシムの転化率３４％でε−カプロラクタ
ムが得られた。
【００１８】実施例２ 内容積３０ｍｌの耐熱ガラス製フラスコにＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド１．５ｍｌおよびジメチル硫酸０．２
５ミリモルを加え、６０℃で１時間攪拌してホルムイミ
ニウム塩を生成せしめた。この反応液にＮａＹゼオライ
ト０．１ｇ加え、同温度で２４時間攪拌してイオン交換
を行なった後、これを減圧下に濃縮した。これにＮ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド１．５ｍｌを添加し、円心分離
により上澄み液を除いてホルムイミニウムイオン担持ゼ
オライト触媒を得た。これにＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド１．５ｍｌ、シクロヘキサノンオキシム０．５ｇお
よびホウ酸トリフェニル０．１ｇを加え、６０℃で２時
間攪拌して転位反応を行なった。その結果、シクロヘキ
サノンオキシムの転化率１７％でε−カプロラクタムが
得られた。
チルホルムアミド１．５ｍｌおよびジメチル硫酸０．２
５ミリモルを加え、６０℃で１時間攪拌してホルムイミ
ニウム塩を生成せしめた。この反応液にＮａＹゼオライ
ト０．１ｇ加え、同温度で２４時間攪拌してイオン交換
を行なった後、これを減圧下に濃縮した。これにＮ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド１．５ｍｌを添加し、円心分離
により上澄み液を除いてホルムイミニウムイオン担持ゼ
オライト触媒を得た。これにＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド１．５ｍｌ、シクロヘキサノンオキシム０．５ｇお
よびホウ酸トリフェニル０．１ｇを加え、６０℃で２時
間攪拌して転位反応を行なった。その結果、シクロヘキ
サノンオキシムの転化率１７％でε−カプロラクタムが
得られた。
【００１９】実施例３ 内容積３０ｍｌの耐熱ガラス製フラスコにＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド３ｍｌ、エピクロロヒドリン０．１ｍ
ｌおよびＬａＹゼオライト０．２ｇを加え、５０℃で１
時間攪拌してホルムイミニウムイオン担持ゼオライト触
媒を含む溶液を調製した。これにシクロヘキサノンオキ
シム０．５ｇおよびホウ酸トリフェニル０．１ｇを加
え、５０℃で２時間攪拌して転位反応を行なった。その
結果、シクロヘキサノンオキシムの転化率１４％でε−
カプロラクタムが得られた。また、触媒のターンオーバ
ー数は１７であった。
チルホルムアミド３ｍｌ、エピクロロヒドリン０．１ｍ
ｌおよびＬａＹゼオライト０．２ｇを加え、５０℃で１
時間攪拌してホルムイミニウムイオン担持ゼオライト触
媒を含む溶液を調製した。これにシクロヘキサノンオキ
シム０．５ｇおよびホウ酸トリフェニル０．１ｇを加
え、５０℃で２時間攪拌して転位反応を行なった。その
結果、シクロヘキサノンオキシムの転化率１４％でε−
カプロラクタムが得られた。また、触媒のターンオーバ
ー数は１７であった。
【００２０】実施例４〜７ 実施例３における触媒調製条件を表１に示す条件に変更
する以外は実施例３に準じてシクロヘキサノンオキシム
の転位反応を行なった。得られた結果を表１に示す。
する以外は実施例３に準じてシクロヘキサノンオキシム
の転位反応を行なった。得られた結果を表１に示す。
【００２１】
【００２２】実施例８ 分枝管を有する耐熱ガラス製反応管の途中までガラスビ
ーズを詰め、その上にグラスウールを均一に敷き、その
上にＬａＹゼオライト０．６ｇを載せた後さらにその上
にガラスビーズを反応管の枝分かれした部分まで詰め
た。この反応管を電気炉にセットし、窒素気流中（６０
０ｍｌ／ｈ）、３００℃で３時間、前処理焼成を行なっ
た。その後、６０℃まで温度を下げ、マイクロフィーダ
ーにてエピクロロヒドリン０．１５ｍｌとＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド３ｍｌの混合液を１．７ｍｌ／ｈの速
度で反応管に供給し、１時間保持した。その後、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミドのみを１時間流通させて過剰の
エピクロロヒドリンを除去した。その後、反応管を１０
０℃まで昇温し、シクロヘキサノンオキシム０．５ｇ、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５ｍｌおよびホウ酸ト
リフェニル０．１ｇからなる反応原料液を１．７ｍｌ／
ｈの速度で反応管に供給した。原料液の供給開始から所
定時間毎に反応液をサンプリングし、シクロヘキサノン
オキシム転化率をガスクロマトグラフィーにて分析した
ところ、表２に示す結果を得た。
ーズを詰め、その上にグラスウールを均一に敷き、その
上にＬａＹゼオライト０．６ｇを載せた後さらにその上
にガラスビーズを反応管の枝分かれした部分まで詰め
た。この反応管を電気炉にセットし、窒素気流中（６０
０ｍｌ／ｈ）、３００℃で３時間、前処理焼成を行なっ
た。その後、６０℃まで温度を下げ、マイクロフィーダ
ーにてエピクロロヒドリン０．１５ｍｌとＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド３ｍｌの混合液を１．７ｍｌ／ｈの速
度で反応管に供給し、１時間保持した。その後、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミドのみを１時間流通させて過剰の
エピクロロヒドリンを除去した。その後、反応管を１０
０℃まで昇温し、シクロヘキサノンオキシム０．５ｇ、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５ｍｌおよびホウ酸ト
リフェニル０．１ｇからなる反応原料液を１．７ｍｌ／
ｈの速度で反応管に供給した。原料液の供給開始から所
定時間毎に反応液をサンプリングし、シクロヘキサノン
オキシム転化率をガスクロマトグラフィーにて分析した
ところ、表２に示す結果を得た。
【００２３】
【００２４】実施例９ ホウ酸トリフェニル０．１ｇを使用しない以外は実施例
８と同様にして反応を行ない、同様に原料液の供給開始
から所定時間毎に反応液をサンプリングしてシクロヘキ
サノンオキシム転化率をガスクロマトグラフィーにて分
析したところ、表３に示す結果を得た。
８と同様にして反応を行ない、同様に原料液の供給開始
から所定時間毎に反応液をサンプリングしてシクロヘキ
サノンオキシム転化率をガスクロマトグラフィーにて分
析したところ、表３に示す結果を得た。
【００２５】
Claims (11)
- 【請求項１】イミニウムイオンを担持したゼオライト触
媒にオキシムを液相で接触させることを特徴とするアミ
ドの製造方法。 - 【請求項２】イミニウムイオンを、アルキル化剤とＮ，
Ｎ−ジアルキルホルムアミドの反応により生成せしめる
請求項１に記載のアミドの製造方法。 - 【請求項３】アルキル化剤がジアルキル硫酸、スルホン
酸エステルまたはトリアルキルオキソニウム塩である請
求項２に記載のアミドの製造方法。 - 【請求項４】イミニウムイオンを担持したゼオライト触
媒が、アルキル化剤とＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド
の反応によりイミニウムイオンを生成せしめ、次いで、
イオン交換によってゼオライト上に担持させたものであ
る請求項１に記載のアミドの製造方法。 - 【請求項５】イミニウムイオンを担持したゼオライト触
媒が、アルキル化剤とＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド
をゼオライトの存在下に反応させ、イミニウムイオンを
生成せしめると同時にゼオライト上に担持させたもので
ある請求項１に記載のアミドの製造方法。 - 【請求項６】アルキル化剤がジアルキル硫酸である請求
項４または５に記載のアミドの製造方法。 - 【請求項７】イミニウムイオンを担持したゼオライト触
媒が、エポキシ化合物とＮ，Ｎ−ジアルキルホルムアミ
ドを酸性ゼオライトに接触させて得たゼオライト触媒で
ある請求項１に記載のアミドの製造方法。 - 【請求項８】エポキシ化合物がエピクロロヒドリンであ
る請求項７に記載のアミドの製造方法。 - 【請求項９】ゼオライトが、ランタノイドカチオンでイ
オン交換されたＹ型ゼオライトである請求項１に記載の
アミドの製造方法。 - 【請求項１０】脱水剤の共存下に接触させる請求項１に
記載のアミドの製造方法。 - 【請求項１１】脱水剤がホウ酸トリフェニルである請求
項１０に記載のアミドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7192909A JPH0940641A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | アミドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7192909A JPH0940641A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | アミドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0940641A true JPH0940641A (ja) | 1997-02-10 |
Family
ID=16299003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7192909A Pending JPH0940641A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | アミドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0940641A (ja) |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP7192909A patent/JPH0940641A/ja active Pending
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