JPH0936343A - 集積化導波路内光回折格子形成法と集積化光デバイス - Google Patents

集積化導波路内光回折格子形成法と集積化光デバイス

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JPH0936343A
JPH0936343A JP8161736A JP16173696A JPH0936343A JP H0936343 A JPH0936343 A JP H0936343A JP 8161736 A JP8161736 A JP 8161736A JP 16173696 A JP16173696 A JP 16173696A JP H0936343 A JPH0936343 A JP H0936343A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低損失の集積化導波路内光回折格子の形成法
を提供する。 【解決手段】 本法では該導波路はその縦軸の一部の方
向の厚みと幅が周期的に変動するような導波路を構成す
る連続材料層を基板上に堆積する堆積ステップを有す
る。この堆積は少くとも１個のエッジ方向の幅が周期的
に変動するマスクを用い前記連続層の中の少くとも一部
の層を領域選択エピタキシャル成長法で堆積し実現す
る。本マスクを用いて堆積した連続層は複数の量子井戸
層を構成するがこれは相互にバリヤ層で分離されており
またまとまって多重量子井戸スタックを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導波路を形成する
ためのエピタキシャル成長法に係り、特に光回折格子を
内蔵する導波路を形成するため領域選択エピタキシャル
成長を用いるエピタキシャル成長法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光集積回路は、半導体基板上にあって相
互に光学的に通じている複数の光デバイスからできてい
る。光集積回路を生成する方法では一度に一種の光デバ
イスを形成する方法が大部分である。というのはあるエ
ピタキシャル成長で堆積される量子井戸（ＱＷ）材料の
バンドギャップを領域で変えることができないためであ
る。前記の方法では、例えば、レーザのような第１の光
デバイスを形成するのに必要なエピタキシャル成長層は
その基板全体上で成長される。ここでその成長時間やそ
の成長のために用いるソース材料濃度の選択は、その所
望デバイスとして機能するよう、例えば、バンドギャッ
プのような所要特性を、堆積する該量子井戸（ＱＷ）材
料が有するように行う。
【０００３】そこでこの第１の光デバイスが所望される
領域においてこれらの層はマスクされる。次に、非保護
領域におけるこれらの層はエッチングされるが、これは
例えば、変調器または導波路のような他のデバイスが所
望されるところである。エッチング後、このエッチング
された領域における該基板上に第２の光デバイスに対応
する層が成長される。この第２の光デバイスの成長のた
めの成長条件は該ＱＷ材料がその適切なバンドギャップ
を有するよう調節される。第３の光デバイスを所望する
場合、再びこれらの層は、マスクされ、エッチングさ
れ、条件を調整して、第３番目のシリーズのエピタキシ
ャル成長層はそのエッチング領域で成長される。
【０００４】以上説明した逐次成長を用いる方法は、ま
とめて“エッチング／再成長”法と呼ばれる。エッチン
グ／再成長法ではレーザやアクティブ・エレメントのよ
うなデバイスが、例えば、導波路や光回折格子のような
他のデバイスと同一光学面で同時に形成されることはな
い、というのはこのようなデバイスには種々のバンドギ
ャップを有するＱＷが必要とされるためである。さらに
このエッチング／再成長法によって成長されたデバイス
では、種々のデバイス間の光インタフェースが高品位で
ない場合が多く、そこで内部反射やカップリングの損失
となることが多い。領域選択エピタキシャル成長（ＳＡ
Ｅ）法はこのエッチング／再成長法に付随する光インタ
フェースの低品位問題を最小にするエピタキシャル成長
法である。
【０００５】ＳＡＥ法を用いると、ＱＷ材料のバンドギ
ャップは、単一の成長法によって同一面において変化さ
せることができる。したがって種々の光デバイスを規定
する層を同時に成長させることができる。これについて
はここに引例とする下記文献を挙げることができこれを
参照のこと。すなわち、Joynerら、“Extremely Large
Band Gap Shifts for MQW Structures by Selective Ep
itaxy on SiO 2 Masked Substrates”IEEE Photo.Tec
h.Lett.,Vol.4,No.9(Sept.1992)1006-09およびCaneau
ら、“Selective Organometallic Vapor Phase Epitaxy
of Ga and In Compounds :A Comparison of TMIn and
TEGa versus TMIn and TMGa ”J. CrystalGrowth ,Vol.
132(1993)364-70である。
【０００６】このＳＡＥ法においては、例えば、ＳｉＯ
x またはＳｉＮx のような絶縁マスクを基板上に堆積さ
せる。通常このようなマスクにはギャップを形成するよ
うに間隔をあけて配置した２個のストリップがある。例
えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素
（Ａｓ）およびりん（Ｐ）のようなエピタキシャル成長
層を形成するためのソース材料は、例えば、有機金属気
相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）のような方法に
よって通常送られる。この気相から達するソース材料
は、該マスクが開放されている領域、つまりその基板が
カバーされていない非マスク領域において、エピタキシ
ャル成長する。このマスク自身に達したソース材料は容
易に核の形成とはならない。適当な温度とマスク幅が与
えられるとこのマスクに達したソース材料の大部分はそ
の気相に再入拡散し、その局部的濃度勾配に起因するも
のであるが、それは非マスク領域に達する。
【０００７】完全な非マスク領域に比べると、ＩｎＧａ
ＡｓおよびＩｎＧａＡｓＰのエピタキシャル成長層の両
者のギャップに生ずるＱＷ成長はより厚くまたインジウ
ムがより濃くなる。この効果は通常のＭＯＶＰＥ成長条
件下におけるＩｎとＧａの相対的な拡散係数に起因する
ものである。このＱＷ層が厚くなると、その量子閉込め
シュタルク効果に変化が生じ長波長（低エネルギー・バ
ンドギャップ）ＱＷ材料となる。またインジュウム含量
が増加するとまた長波長ＱＷ材料となる。そこで量子サ
イズ効果と化合物組成の変化の両者から、そのギャップ
におけるＱＷはそのマスクから離れた領域より低いエネ
ルギーのバンドギャップにシフトする。したがって、こ
のギャップにおけるＱＷの屈折率はこのギャップ外の領
域に比べて増加する。
【０００８】このマスク幅対ギャップ幅の比を変化させ
て、ＱＷ材料の組成を変化させ、ＱＷ材料のバンドギャ
ップを変化させ、ＱＷ材料の屈折率を変化させることが
できる。例えば、米国特許第５、４１８、１８３号にお
いては、ＳＡＥ法を用いてレーザとパッシブ導波路はそ
れぞれそのＱＷが同一材料面に存在するよう形成され
る。ところが、光回折格子、導波路および他のアクティ
ブ・デバイスをエッチング／再成長法によって一緒に形
成しようとする場合、これらの形成は異なる面であるか
またはその伝搬面における界面反射に起因する損失が大
きいかのいずれかの問題があり、この課題の解決が所望
されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】光回折格子、導波路お
よび他のアクティブ・デバイスを同一面に形成し損失の
小さい低損失集積化導波路内光回折格子を形成する集積
化導波路内光格子形成法が所望されている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明が提供する光導波
路内光回折格子形成法は、同一材料層、したがって同一
面に光回折格子と導波路を形成する方法であって、さら
には、例えば、レーザのようなアクティブ・デバイスを
同時に同一面に形成することができる方法である。本発
明の基板上の集積化導波路内光回折格子形成法は、その
縦軸の一部の方向の幅が周期的に変動するような導波路
を構成する連続材料層を基板上に堆積する堆積ステップ
を有する、そしてこの堆積ステップは次のように実現さ
れるステップである。すなわち、これは該連続層の中の
少くとも一部の層を少くとも１個のエッヂ方向の幅が周
期的に変動する幅変動マスクを用いて領域選択エピタキ
シャル成長法によって堆積する堆積ステップで実現す
る。
【００１１】この幅変動マスクによって堆積された連続
層は、バリヤ層によって相互に分離された複数の量子井
戸層を構成し、これがまとまって多重量子井戸スタック
を形成する。さらに本発明は基板やその基板上に形成さ
れた導波路を含む集積光デバイスを提供する。この導波
路はその縦軸の一部の方向の幅と厚みが周期的に変動す
る導波路である。この周期については該縦軸方向で前記
のように変動する場合または該縦軸方向で変らず一定で
ある場合が可能である。
【００１２】
【実施の形態例】本発明は、図１に示すような埋め込み
ヘテロ構造導波路の内部に形成する光回折格子について
説明を行うが、本発明はこれに限らず、例えば、ストリ
ップをロ−ドしたストリップ・ロード型導波路のような
他の導波路構造内の回折格子の形成にも同様に適用でき
ることはこの技術分野の当業者には明らかである。光回
折格子を内蔵する導波路は、種々のディバイスに利用可
能であるが、例えば、これは広帯域フィルタに用いられ
る回折格子結合導波路で回折格子の役目をすることがで
きる。図１に例示する埋め込みヘテロ構造導波路２には
基板２１を含み、この上にバッファ層２４を形成する。
このバッファ層２４上にその導波路コアとしての役目を
する多重量子井戸（ＭＱＷ）スタック２６を形成する。
【００１３】このＭＱＷスタック２６はクラッド層５１
に埋め込まれる。以下に詳述するように、光回折格子２
７はこのＭＱＷスタック２６内に形成される。さらにこ
の基板２１上にまたアクティブ・デバイス４を形成する
ことができる。このアクティブ・デバイス４には光学的
アクティブ構造体を含むことができ、これには、例え
ば、レーザ、変調器、スイッチ、同調可能フィルタ、導
波路変換器および光検出器を挙げることができる。この
導波路２とアクティブ・デバイス４はＳＡＥ法により同
一層に形成することができる。導波路とアクティブ・デ
バイスをＳＡＥ法によりこの同一層に形成する方法は、
ここに引例とする米国特許第５、４１８、１８３号に述
べられており、ここではさらにこの説明は行わない。
【００１４】この導波路とアクティブ・デバイスは適当
な層、ただしこの層はそのアクティブ・デバイスの特定
の性質に応じた層であるが、この層によって覆うことが
できる。本発明においては、前述のＳＥＡ法によって埋
め込みヘテロ導波路２は次のように形成される。つま
り、そのＭＱＷスタック２６を形成しようとするバッフ
ァ層２４上にマスクを堆積する。そして適当な構造のマ
スクを選択し光回折格子２７をそこに含むようにそのＭ
ＱＷスタック２６を形成することができる。図２はその
基板２１とバッファ層２４上に配置したマスク例４０を
示す平面図である。本発明のこのマスクによって該基板
が暴露される周期的ギャップ４１が規定される。
【００１５】このマスクは、下記に限定するものではな
いが、例えば、ＳｉＯx 、ＳｉＮx、特にはＳｉＯ2 の
ような、絶縁材料から好ましくは構成される。このマス
ク４０は、下記に限定するものではないが、例えば、プ
ラズマ支援化学気相堆積法、電子ビーム蒸着法またはス
パッタリングのような適当な方法で形成することができ
る。このマスク４０でパターニングされる材料は、通常
約３０００Ａ（以下オングストロームの略称とする）の
厚みに堆積され、次にエッチングされ所望のマスクの構
成を生成する。このマスク４０の厚みはフォトリソグラ
フィのパターニングの際にフォトレジストを露光するの
に用いる光の波長にほぼ等しいものが好ましい。このよ
うな厚みの場合は他の厚みの場合に比し、例えば、シャ
ープなエッジのように、マスク図形の向上がその結果と
して得られる。
【００１６】このマスクには一対のストリップがありそ
の幅が周期的に変動する。図２にはこの周期的変動例と
して鋸歯状の変動例を示す。ギャップ４１の幅の変動が
そのストリップの幅の変動を反映する。このマスク４０
とそのギャップ４１を形成する２個のストリップの幅は
大きさが該ギャップで成長するＭＱＷ材料が導波路を形
成するのに適する大きさであることが必要である。例え
ば、１．３ミクロンの有効バンドギャップ（３．２５の
有効屈折率）を有する低損失導波路層は次のＭＱＷスタ
ック２６から形成することができる。すなわち、１．３
ミクロンのバンドギャップを有する９０Ａの厚みのＩｎ
ＧａＡｓＰバリヤ材料および１．６ミクロンのバンドギ
ャップを有する５０Ａの厚みのＩｎＧａＡｓＰ量子井戸
材料の交互層からできているＭＱＷスタックである。
【００１７】しかし、このギャップ４１が比較的狭い領
域においては、その有効バンドギャップは約１．４ミク
ロン以上で有効屈折率は３．３以上となり得る。図２に
示す特定のマスクは２個の鋸歯状のストリップから形成
された変動例であるが、本発明では他の形状のマスクも
適用可能である。具体的には、その光の伝搬する方向で
周期的に変動するギャップを規定するようなマスク形状
を適用することができる。さらには、この周期が一定の
場合もまた可変の場合も可能である。例えば、図３ない
し図５に示す他のマスク形状も本発明においては適用可
能である。図２ないし図５においては、同じ符号番号を
用いて同じエレメントを識別し参照とした。
【００１８】図４および図５では周期が一定していない
で変動するマスク形状の例を示す。このマスクを構成す
る２個のストリップは相互に対称である必要はない。例
えば、図２に示すマスクの２個のストリップの一方の１
個は鋸歯状のエッジを有するようにし他方の１個は真直
ぐなエッジを有するように修正する場合も可能である。
さらに図３ないし図５に示すように、２個の連続ストリ
ップではなく一連の離散的エレメントとして構成するマ
スクの場合も可能である。図２ないし図５に示したマス
ク形状は説明のためのみの例であって、これら特定の例
に本発明を限定すべきではないことはこの技術分野の当
業者には明らかである。このマスクを堆積した後、その
ＭＱＷスタック２６をＳＡＥ法を用いて成長させる。こ
のＭＱＷスカック２６は複数のＱＷ層からできている。
【００１９】このスタックの各ＱＷ層はバリヤ層によっ
て分離されている。このＭＱＷスタック２６に用いるこ
とが可能な材料系の例としては、ＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ
Ｐ、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰおよびＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ
ＧａＡｓＰの材料系を挙げることができる。この技術分
野の当業者には明らかなように、多数のパラメタがこの
ＱＷ材料の特性に影響する。特定の利用に適用するＱＷ
材料を成長させるのにこれらのパラメタを変化させる方
法は従来周知である。光導波路の利用の場合には光閉込
めを最大にし損失を小さくするようこのＱＷスタック２
６を特製する必要がある。この低損失に関しては、自由
キャリヤ吸収特性、散乱および他の損失機構を考慮する
必要がある。
【００２０】前記ＳＡＥ法の特性から個々のＱＷは比較
的広いギャップ部分に比し比較的狭いギャップ部分にお
いてはより厚くインジウム含量はより大きくなる。つま
り図２に示すような特定のマスクの場合には該ＱＷの厚
みとインジウム含量はその全ギャップ４１方向において
周期的に変動する。この厚みとインジウム含量の変動の
ためバンドギャップ・エネルギーもさらに屈折率も周期
的に変動する。この屈折率の周期的変動が完全に形成さ
れた導波路において光回折格子となる。このＭＱＷスタ
ック２６が形成された後、そのマスク４０は適当なエッ
チング剤、例えば、ＨＦ、または気相化学エッチング法
を用いてエッチングされる。次にこのＭＱＷスタック２
６は、図１に示す埋め込みヘテロ構造導波路のクラッド
層５１としての役目をする材料、例えば、ＩｎＰのよう
な比較的低屈折率材料に埋め込まれなければならない。
【００２１】またこの基板上にレーザを形成する際には
電流ブロキング層のＦｅ／ＩｎＰを電気絶縁用に用いる
ことができる。このＭＱＷスタック２６の形成に続くこ
れら作製ステップに関する詳細は周知でここではさらに
説明を行わない。この作製に関する詳細については、例
えば、“A Multifrequency WG laser by SAE” IEEEPho
to.Tech.Lett. Vol.6 pp1277-1279 、1994、を挙げる
ことができ、これを参照のこと。このＭＱＷスタック２
６により設定された導波路コアを伝搬する光波は、この
導波路コアの厚みと幅の周期的な変動に起因する屈折率
の周期的な変動を受ける。したがって本発明の方法によ
り形成された埋め込みヘテロ構造導波路はその中に光回
折格子を効果的に内蔵する。
【００２２】さらに、これら導波路、回折格子およびア
クティブ・デバイスは単一面に形成することが可能とな
る。すなわち、該光波が伝搬する種々のデバイスのＭＱ
Ｗ層はすべて共通面にあるように設けることができる。
このためにここで得られたデバイスはその種々のコンポ
ーネント間の光インタフェースの品位が既知のエッチン
グ／再成長法により得られたものより実質的に向上す
る。本発明により形成される光回折格子は完全な２次元
回折格子である、というのはこの導波路をそのｚ方向に
伝搬する光はそのｘとｙの両方向で厚みと幅の変動に起
因する屈折率の変動を受けるからである。すなわち、こ
の導波路はその縦軸方向の屈折率プロフィールがこの縦
軸に交差する二方向で周期的に変動するプロフィールで
ある。
【００２３】これに反し、従来のエッチング／再成長法
によって光回折格子が形成された場合、その屈折率は前
記交差する２方向の中の１方向のみに変動し、これは生
じた複屈折に起因することが可能で望ましいことではな
い。以上光回折格子を内蔵する埋め込みヘテロ構造導波
路を形成する方法を説明したが、留意すべき点としては
他の構成の導波路も本発明の方法によって形成可能なこ
とである。本発明によって回折格子を内蔵できる他の導
波路構造には種々のストリップ型導波路、例えば、スト
リップ・レイズ型、リッジ・ガイド型、ストリップ・ロ
ード型、を挙げることができ、これらの構造について
は、例えば、T.Tamir 、ed. 、IntegratedOptics 、(Sp
ringer-Verlag 1979) pp62-63 、に述べられておりこ
れを参照のこと。
【００２４】以上の説明は、本発明の実施の一形態例に
関するもので、この技術分野の当業者であれば、さらに
本発明の種々の変形例が考え得るが、それらはいずれも
本発明の技術的範囲に包含される。尚、特許請求の範囲
に記載した参照番号は発明の容易なる理解のためで、そ
の技術的範囲を制限するよう解釈されるべきではない。
【００２５】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明の方法によ
り、この導波路コアを伝搬する光はその厚みと幅の周期
的変動に起因する屈折率の変動を受けて効果的な光回折
格子を形成しまたこれら導波路、回折格子およびアクテ
ィブ・デバイス（例、レーザ）は単一面に形成されこれ
らコンポーネント間の光インタフェースは従来のエッチ
ング／再成長法に比し高品位となり損失の小さい低損失
集積化導波路内光回折格子を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明により構成された埋め込みヘテロ構造導
波路を示す略図である。
【図２】本発明の導波路を形成するための材料を堆積で
きるマスク例を示す平面図である。1
【図３】本発明の導波路を形成するための材料を堆積で
きるマスク例を示す平面図である。
【図４】本発明の導波路を形成するための材料を堆積で
きるマスク例を示す平面図である。
【図５】本発明の導波路を形成するための材料を堆積で
きるマスク例を示す平面図である。
【符号の説明】
２ 埋め込みヘテロ構造導波路 ４ アクティブ・デバイス（例、レーザ） ２１ 基板 ２４ バッファ層 ２６ （コア層）多重量子井戸（ＭＱＷ）スタック ２７ 光回折格子 ４０ マスク ４１ ギャップ ５１ クラッド層

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板（２１）上の集積化導波路（２）内
    に光回折格子（２７）を形成する集積化導波路内光回折
    格子形成法において、 該導波路はその縦軸の一部の方向の厚みと幅が周期的に
    変動するような導波路を構成する連続材料層（２６）を
    基板上に堆積する堆積ステップを有することを特徴とす
    る集積化導波路内光回折格子形成法。
  2. 【請求項２】 前記堆積ステップは、さらに、前記連続
    層の中の少なくとも一部の層を少なくとも１個のエッジ
    方向の幅が周期的に変動するマスク（４０）を用いる領
    域選択エピタキシャル成長法により堆積する堆積ステッ
    プを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記マスクは絶縁材料の２個のストリッ
    プを有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記マスクは絶縁材料の複数のストリッ
    プを有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記マスクを用いて堆積した該連続層の
    中のある層は複数の多重量子井戸層を有し、この複数の
    多重量子井戸は相互にバリヤ層により分離されておりま
    たまとまって多重量子井戸スタック（２６）を形成す
    る、ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記周期的に変動する厚みと幅はその縦
    軸方向において実質的に一定の周期を有することを特徴
    とする請求項１に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記周期的に変動する厚みと幅はその縦
    軸方向において変動する周期を有することを特徴とする
    請求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記導波路は埋め込みヘテロ構造導波路
    であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記導波路はリッジ・ガイド型導波路お
    よびストリップ・ロード型導波路からなるグループから
    選択した導波路であることを特徴とする請求項２に記載
    の方法。
  10. 【請求項１０】 さらに、前記基板上にアクティブ・デ
    バイスを形成する材料層を堆積する堆積ステップを有
    し、該アクティブ・デバイスは前記導波路の該多重量子
    井戸スタックと共通面上にある多重量子井戸層を有する
    アクティブ・デバイスである、ことを特徴とする請求項
    ５に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記アクティブ・デバイスはレーザで
    あることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記アクティブ・デバイスは、変調
    器、スイッチ、同調可能フィルタ、波長変換器および光
    検出器からなるグル−プから選択された装置であること
    を特徴とする請求項１０に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記多重量子井戸スタックは、ＩｎＧ
    ａＡｓ／ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰおよびＩｎＧ
    ａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰからなるグループから選択され
    た材料系から形成されることを特徴とする請求項５に記
    載の方法。
  14. 【請求項１４】 （Ａ）基板と、 （Ｂ）前記基板上に形成した導波路であって、該導波路
    はその縦軸の一部の方向の厚みと幅が周期的に変動する
    導波路を有することを特徴とする集積化光デバイス。
  15. 【請求項１５】 前記周期的に変動する厚みと幅は該縦
    軸方向で変動する周期を有することを特徴とする請求項
    １４に記載のデバイス。
  16. 【請求項１６】 前記周期的に変動する厚みと幅は該縦
    軸方向で一定の周期を有することを特徴とする請求項１
    ４に記載のデバイス。
  17. 【請求項１７】 前記幅は鋸歯状に変動することを特徴
    とする請求項１６に記載のデバイス。
  18. 【請求項１８】 前記導波路は埋め込みヘテロ構造導波
    路であることを特徴とする請求項１４に記載のデバイ
    ス。
  19. 【請求項１９】 前記導波路は、リッジ・ガイド型導波
    路およびストリップ・ロード型導波路からなるグループ
    から選択された導波路であることを特徴とする請求項１
    ４に記載のデバイス。
  20. 【請求項２０】 さらに、（Ｃ）前記基板上に形成され
    該導波路と共通面上にあるアクティブ・デバイスを有す
    ることを特徴とする請求項１４に記載のデバイス。
  21. 【請求項２１】 前記アクティブ・デバイスはレーザ、
    変調器、スイッチ、同調可能フィルタ、波長変換器およ
    び光検出器からなるフループから選択された装置である
    ことを特徴とする請求項２０に記載のデバイス。
  22. 【請求項２２】 導波路は多重量子井戸スタックから形
    成されたコアを有することを特徴とする請求項１４に記
    載のデバイス。
  23. 【請求項２３】 前記多重量子井戸スタックは、ＩｎＧ
    ａＡｓ／ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰおよびＩｎＧ
    ａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰからなるグループから選択され
    た材料系から形成されることを特徴とする請求項２２に
    記載のデバイス。
  24. 【請求項２４】 前記導波路とアクティブ・デバイスは
    それぞれ共通面にある多重量子井戸スタック材料を有
    し、該多重量子井戸材料はＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ、Ｉｎ
    ＧａＡｓＰ／ＩｎＰおよびＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ
    Ｐからなる材料系から選択されることを特徴とする請求
    項２１に記載のデバイス。
  25. 【請求項２５】 前記導波路は該縦軸に交差する二方向
    で周期的に変動する該縦軸方向の屈折率プロフィールを
    有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記導波路は該縦軸に交差する二方向
    で周期的に変動する該縦軸方向の屈折率プロフィールを
    有することを特徴とする請求項１４に記載のデバイス。
  27. 【請求項２７】 半導体基板上の集積化導波路内に光回
    折格子を形成する集積化導波路内光回折格子形成法にお
    いて、 （Ａ）幅が周期的に変動する部分を持つギャップ（４
    １）を形成するよう分離された少なくとも２個のストリ
    ップを有するマスク（４０）を堆積するマスク堆積ステ
    ップと、 （Ｂ）パッシブ導波路を形成するために好適な多重量子
    井戸材料（２６）を堆積する多重量子井戸材料堆積ステ
    ップと、 （Ｃ）堆積多重量子井戸材料が該ギャップと同様に変動
    する幅を持つよう前記マスクを除去する除去ステップ
    と、 （Ｄ）導波路クラッド（５１）としての役目をするよう
    前記多重量子井戸材料の屈折率より小さい屈折率を有す
    る材料を堆積するクラッド堆積ステップを有することを
    特徴とする集積化導波路内光回折格子形成法。
JP8161736A 1995-06-27 1996-06-21 集積化導波路内光回折格子形成法と集積化光デバイス Pending JPH0936343A (ja)

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