JPH0936100A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0936100A JPH0936100A JP7207498A JP20749895A JPH0936100A JP H0936100 A JPH0936100 A JP H0936100A JP 7207498 A JP7207498 A JP 7207498A JP 20749895 A JP20749895 A JP 20749895A JP H0936100 A JPH0936100 A JP H0936100A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- filter
- semiconductor device
- wafer
- chambers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置に関し、エッチング処理中の反応
室からパージラインへの逆汚染を防止すること。 【解決手段】 ローダー室１１から送られたウェハー
が、エッチング装置１３の反応室１２でエッチング処理
された後、アンローダ室１４に送られて前記ウェハーが
取り出され、かつ前記エッチング処理の前後に第１のフ
ィルター１６を介して不活性ガスＮ2が前記各室へパー
ジされてなる半導体装置において、前記各室１１、１
２、１４の近くにそれぞれ第２のフィルター１７、１
８、１９を設け、前記不活性ガスが前記第１のフィルタ
ー１６、及び第２のフィルター１７、１８、１９を介し
て前記各室１１、１２、１４へ流れパージされる。
室からパージラインへの逆汚染を防止すること。 【解決手段】 ローダー室１１から送られたウェハー
が、エッチング装置１３の反応室１２でエッチング処理
された後、アンローダ室１４に送られて前記ウェハーが
取り出され、かつ前記エッチング処理の前後に第１のフ
ィルター１６を介して不活性ガスＮ2が前記各室へパー
ジされてなる半導体装置において、前記各室１１、１
２、１４の近くにそれぞれ第２のフィルター１７、１
８、１９を設け、前記不活性ガスが前記第１のフィルタ
ー１６、及び第２のフィルター１７、１８、１９を介し
て前記各室１１、１２、１４へ流れパージされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係り、
とくにエッチング処理中の反応室からパージラインへの
逆汚染を防止するに適した半導体装置に関する。
とくにエッチング処理中の反応室からパージラインへの
逆汚染を防止するに適した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置は、図に示さ
れる。
れる。
【０００３】図２においては、１は拡散等の熱処理され
た半導体のウェハー（図省略）が収納されるローダー
室、２はローダー室１から送られたウェハーをエッチン
グ処理するドライエッチング装置３の反応室、４は反応
室２からエッチング処理されたウェハーが送られ、収納
するアンローダー室であり、アンローダー室４からウェ
ハーが取り出される。５はパージラインで、矢印の如く
不活性ガスであるＮ2ガスがフィルター６を介してパー
ジライン５ａ、５ｂ、５ｃ内を通して、それぞれローダ
ー室１、反応室２、及びアンローダー室４へ流れる。
た半導体のウェハー（図省略）が収納されるローダー
室、２はローダー室１から送られたウェハーをエッチン
グ処理するドライエッチング装置３の反応室、４は反応
室２からエッチング処理されたウェハーが送られ、収納
するアンローダー室であり、アンローダー室４からウェ
ハーが取り出される。５はパージラインで、矢印の如く
不活性ガスであるＮ2ガスがフィルター６を介してパー
ジライン５ａ、５ｂ、５ｃ内を通して、それぞれローダ
ー室１、反応室２、及びアンローダー室４へ流れる。
【０００４】反応室２においてエッチング処理されてい
る際は、Ｎ2ガスのフィルター６への供給はストップさ
れ、各室１、２、４は真空状態に保たれ、エッチング処
理の前後はＮ2ガスがフィルター６に供給され、各室
１、２、４へ流れて汚染された室内をパージしてクリー
ン状態にする。
る際は、Ｎ2ガスのフィルター６への供給はストップさ
れ、各室１、２、４は真空状態に保たれ、エッチング処
理の前後はＮ2ガスがフィルター６に供給され、各室
１、２、４へ流れて汚染された室内をパージしてクリー
ン状態にする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例によれば、エッチング処理中に、パージライン５ｂ
内に不要なパーティクル（ゴミ）が付着し、そのパーテ
ィクルが次のエッチング処理されるウェハーに付着し
て、汚染され、とくにそのウェハーのコンタクトホール
部の表面にダメージ層を形成することがある。このダメ
ージ層が形成されるとその上に形成されるＡｌ電極との
電気的導通がとれなくなるという問題があった。
来例によれば、エッチング処理中に、パージライン５ｂ
内に不要なパーティクル（ゴミ）が付着し、そのパーテ
ィクルが次のエッチング処理されるウェハーに付着し
て、汚染され、とくにそのウェハーのコンタクトホール
部の表面にダメージ層を形成することがある。このダメ
ージ層が形成されるとその上に形成されるＡｌ電極との
電気的導通がとれなくなるという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、各室の近く
のパージラインに、あらたにフィルターを設けることに
より解決される。
のパージラインに、あらたにフィルターを設けることに
より解決される。
【０００７】上記構成によれば、エッチング処理中の反
応室２からパージライン５ｂへ逆流して、パージライン
５ｂ内への不要なパーティクルの付着が抑制され、その
パーティクルによるウェハー表面のダメージ層の形成を
防止できる。
応室２からパージライン５ｂへ逆流して、パージライン
５ｂ内への不要なパーティクルの付着が抑制され、その
パーティクルによるウェハー表面のダメージ層の形成を
防止できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る半導体装置の
実施例について、図１に基づいて説明する。
実施例について、図１に基づいて説明する。
【０００９】図１においては、１１は拡散等の熱処理さ
れた半導体のウェハー（図省略）が収納されるローダー
室、１２はローダー室１１から送られたウェハーをエッ
チング処理するドライマッチング装置１３の反応室、１
４は反応室２からエッチング処理されたウェハーが送ら
れ、収納するアンローダー室であり、アンローダー室１
４からエッチング処理されたウェハーが取り出される。
れた半導体のウェハー（図省略）が収納されるローダー
室、１２はローダー室１１から送られたウェハーをエッ
チング処理するドライマッチング装置１３の反応室、１
４は反応室２からエッチング処理されたウェハーが送ら
れ、収納するアンローダー室であり、アンローダー室１
４からエッチング処理されたウェハーが取り出される。
【００１０】１５はパージラインで、矢印の如く不活性
ガスであるＮ2ガスがフィルター１６を介してパージラ
イン１５ａ、１５ｂ、１５ｃ内を通って、それぞれロー
ダー室１１、反応室１２、及びアンローダー室１４の各
室へ流れる。ここまでは、上述した従来例と同様の構成
であるが、本願発明においては、各パージライン１５
ａ、１５ｂ、１５ｃにあらたにフィルター１７、１８、
１９が設けられている。
ガスであるＮ2ガスがフィルター１６を介してパージラ
イン１５ａ、１５ｂ、１５ｃ内を通って、それぞれロー
ダー室１１、反応室１２、及びアンローダー室１４の各
室へ流れる。ここまでは、上述した従来例と同様の構成
であるが、本願発明においては、各パージライン１５
ａ、１５ｂ、１５ｃにあらたにフィルター１７、１８、
１９が設けられている。
【００１１】反応室１２においてエッチング処理されて
いる際は、Ｎ2ガスのフィルター１６への供給はストッ
プされ、各室１１、１２、１４は真空状態に保たれ、エ
ッチング処理の前後はＮ2ガスがフィルター１６に供給
され、フィルター１７、１８、１９をそれぞれ通ってク
リーンなＮ2ガスが各室１１、１２、１４へ流れて室内
をパージする。
いる際は、Ｎ2ガスのフィルター１６への供給はストッ
プされ、各室１１、１２、１４は真空状態に保たれ、エ
ッチング処理の前後はＮ2ガスがフィルター１６に供給
され、フィルター１７、１８、１９をそれぞれ通ってク
リーンなＮ2ガスが各室１１、１２、１４へ流れて室内
をパージする。
【００１２】ここで、フィルター１７、１８、１９は、
各室１１、１２、１４の近くのパージライン１５ａ、１
５ｂ、１５ｃに、それぞれ設けられ、エッチング処理中
に発生する不要なパーティクルが、とくにパージライン
１５ｂ内に流れこんで付着するのを防止する役目をもっ
ている。そしてパージライン１５ｂに付着する不要なパ
ーティクルが抑制されることにより、次のエッチング処
理の際に、そのパーティクルによるウェハー表面のダメ
ージ層の発生を防止している。
各室１１、１２、１４の近くのパージライン１５ａ、１
５ｂ、１５ｃに、それぞれ設けられ、エッチング処理中
に発生する不要なパーティクルが、とくにパージライン
１５ｂ内に流れこんで付着するのを防止する役目をもっ
ている。そしてパージライン１５ｂに付着する不要なパ
ーティクルが抑制されることにより、次のエッチング処
理の際に、そのパーティクルによるウェハー表面のダメ
ージ層の発生を防止している。
【００１３】
【発明の効果】上述の如く、本発明に係る半導体装置に
よれば、ローダー室から送られたウェハーが、エッチン
グ装置の反応室でエッチング処理された後、アンローダ
室に送られて前記ウェハーが取り出され、かつ前記エッ
チング処理の前後に第１のフィルターを介して不活性ガ
スが前記各室へパージされてなる半導体装置において、
前記各室の近くにそれぞれ第２のフィルターを設け、前
記不活性ガスが前記第１のフィルター、及び第２のフィ
ルターを介して前記各室へ流れパージされてなるため、
エッチング処理中の反応室からパージラインへ逆流し
て、パージライン内への不要なパーティクルの付着が抑
制され、そのパーティクルによるウェハー表面のダメー
ジ層の形成を防止でき、エッチング処理されたウェハー
の、とくにコンタクトホール部とその上に形成されるＡ
ｌ電極との電気的導通が良好となる等の利点が生じる。
よれば、ローダー室から送られたウェハーが、エッチン
グ装置の反応室でエッチング処理された後、アンローダ
室に送られて前記ウェハーが取り出され、かつ前記エッ
チング処理の前後に第１のフィルターを介して不活性ガ
スが前記各室へパージされてなる半導体装置において、
前記各室の近くにそれぞれ第２のフィルターを設け、前
記不活性ガスが前記第１のフィルター、及び第２のフィ
ルターを介して前記各室へ流れパージされてなるため、
エッチング処理中の反応室からパージラインへ逆流し
て、パージライン内への不要なパーティクルの付着が抑
制され、そのパーティクルによるウェハー表面のダメー
ジ層の形成を防止でき、エッチング処理されたウェハー
の、とくにコンタクトホール部とその上に形成されるＡ
ｌ電極との電気的導通が良好となる等の利点が生じる。
【図１】本発明に係る半導体装置の実施例を示す図。
【図２】従来例に係る半導体装置を示す図。
１、１１ ローダー室 ２、１２ 反応室 ３、１３ ドライエッチング装置 ４、１４ アンローダー室 ５、５ａ、５ｂ、５ｃ、１５、１５ａ、１５ｂ、１５ｃ
パージライン ６、１６、１７、１８、１９ フィルター
パージライン ６、１６、１７、１８、１９ フィルター
Claims (1)
- 【請求項１】 ローダ室から送られたウェハーが、エッ
チング装置の反応室でエッチング処理された後、アンロ
ーダ室に送られて前記ウェハーが取り出され、かつ前記
エッチング処理の前後に第１のフィルターを介して不活
性ガスが前記各室のパージされてなる半導体装置におい
て、前記各室の近くにそれぞれ第２のフィルターを設
け、前記不活性ガスが前記第１のフィルター、及び第２
のフィルターを介して前記各室へ流れパージされてなる
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7207498A JPH0936100A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7207498A JPH0936100A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936100A true JPH0936100A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16540716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7207498A Pending JPH0936100A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936100A (ja) |
-
1995
- 1995-07-21 JP JP7207498A patent/JPH0936100A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101376897B1 (ko) | 액체 메니스커스를 이용한 포스트 에칭 웨이퍼 표면 세정 | |
| JP3319397B2 (ja) | 半導体製造装置およびこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2007165935A (ja) | スクラバ中の金属を除去する方法 | |
| JP2003077879A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JPH1116858A (ja) | 成膜装置のクリーニング方法及び処理方法 | |
| JP5037241B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
| US20100319726A1 (en) | Substrate preparation using megasonic coupling fluid meniscus | |
| US8011116B2 (en) | Substrate proximity drying using in-situ local heating of substrate | |
| US8236382B2 (en) | Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same | |
| JP2002025952A (ja) | 半導体ウエーハの処理方法 | |
| JPH0936100A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3066691B2 (ja) | マルチチャンバー処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| US5868853A (en) | Integrated film etching/chamber cleaning process | |
| JPH11354514A (ja) | クラスターツール装置及び成膜方法 | |
| JP4733856B2 (ja) | 高密度プラズマｃｖｄ装置のリモートプラズマクリーニング方法 | |
| JP2004055927A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JPH08195382A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2004119628A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4149620B2 (ja) | 基板銅めっき処理方法 | |
| WO2022091609A1 (ja) | エピタキシャルウェーハの洗浄方法 | |
| JP2001077072A (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| JPH0786170A (ja) | 枚葉式ホットウォール処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| JP2004127990A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05335278A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH05326478A (ja) | ウェーハの洗浄方法およびその装置 |