JPH0935310A - 受発光装置及び光学ピックアップ - Google Patents
受発光装置及び光学ピックアップInfo
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- JPH0935310A JPH0935310A JP7200410A JP20041095A JPH0935310A JP H0935310 A JPH0935310 A JP H0935310A JP 7200410 A JP7200410 A JP 7200410A JP 20041095 A JP20041095 A JP 20041095A JP H0935310 A JPH0935310 A JP H0935310A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 増幅手段の動作確認が容易に行われるように
した、受発光装置及び光検出装置を提供すること。 【解決手段】 基板上に形成された発光素子１１と、基
板上に形成された少なくとも一つの光検出手段１４と、
基板上に形成され且つ各光検出手段からの検出信号が入
力端子に入力される少なくとも一つの増幅手段１５とを
含んでおり、さらに、基板上に形成され且つ上記各増幅
手段の入力端子に任意の電圧信号を印加する少なくとも
一つの入力手段１６を備える。
した、受発光装置及び光検出装置を提供すること。 【解決手段】 基板上に形成された発光素子１１と、基
板上に形成された少なくとも一つの光検出手段１４と、
基板上に形成され且つ各光検出手段からの検出信号が入
力端子に入力される少なくとも一つの増幅手段１５とを
含んでおり、さらに、基板上に形成され且つ上記各増幅
手段の入力端子に任意の電圧信号を印加する少なくとも
一つの入力手段１６を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光ディスク
に適用できる受発光装置及び光検出装置及びこれらが用
いられる光学ピックアップに関するものである。
に適用できる受発光装置及び光検出装置及びこれらが用
いられる光学ピックアップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光磁気ディスクの光磁気信号及び
サーボエラーを得るための光学ピックアップは、例え
ば、図３に示すように構成されている。図３において、
光学ピックアップ１は、半導体レーザ素子２と、半導体
レーザ素子２からの光ビームを反射させるプリズム３
と、図示しない対物レンズアクチュエータによって二軸
方向、即ちトラッキング方向及びフォーカシング方向に
移動可能である対物レンズ４と、光検出器５と、光検出
器５からの検出信号を増幅するヘッドアンプ６とを含ん
でいる。
サーボエラーを得るための光学ピックアップは、例え
ば、図３に示すように構成されている。図３において、
光学ピックアップ１は、半導体レーザ素子２と、半導体
レーザ素子２からの光ビームを反射させるプリズム３
と、図示しない対物レンズアクチュエータによって二軸
方向、即ちトラッキング方向及びフォーカシング方向に
移動可能である対物レンズ４と、光検出器５と、光検出
器５からの検出信号を増幅するヘッドアンプ６とを含ん
でいる。
【０００３】そして、光学ピックアップ１は、対物レン
ズ４をフォーカシング方向及びトラッキング方向に移動
して、半導体レーザ素子２から出射されたレーザ光をプ
リズム３で反射させ、さらに対物レンズ４を介して、対
物レンズ４の上方で回転する光ディスクＤの信号記録面
上のある一点に収束合焦させ、光ディスクＤの信号記録
面から反射されたレーザ光（戻り光）を、対物レンズ４
を介して、さらにプリズム３を透過させて、光検出器５
に入射させる。
ズ４をフォーカシング方向及びトラッキング方向に移動
して、半導体レーザ素子２から出射されたレーザ光をプ
リズム３で反射させ、さらに対物レンズ４を介して、対
物レンズ４の上方で回転する光ディスクＤの信号記録面
上のある一点に収束合焦させ、光ディスクＤの信号記録
面から反射されたレーザ光（戻り光）を、対物レンズ４
を介して、さらにプリズム３を透過させて、光検出器５
に入射させる。
【０００４】これにより、光検出器５からの検出信号
は、ヘッドアンプ６により増幅された後、外部に出力さ
れる。ヘッドアンプ６は、例えばオペアンプにより構成
されていて、図示の場合、光検出器５と共に一つのＩＣ
（ヘッドアンプＩＣ）７に集積されている。
は、ヘッドアンプ６により増幅された後、外部に出力さ
れる。ヘッドアンプ６は、例えばオペアンプにより構成
されていて、図示の場合、光検出器５と共に一つのＩＣ
（ヘッドアンプＩＣ）７に集積されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな光学ピックアップ１においては、ヘッドアンプＩＣ
７の単体の動作確認を行なう場合には、光検出器５に対
して任意の強度の光を入射させる必要がある。そして、
光検出器５に対してレーザ光を照射して動作確認を行な
うためには、光学系の校正が不可欠であり、設定作業が
複雑で面倒である。このため、実際問題として、ヘッド
アンプＩＣ７の動作確認は困難であり、ヘッドアンプＩ
Ｃ７を内蔵する光学ピックアップ１の歩留まりが低下す
ることになるため、光学ピックアップ１のコストが高く
なってしまうという問題があった。
うな光学ピックアップ１においては、ヘッドアンプＩＣ
７の単体の動作確認を行なう場合には、光検出器５に対
して任意の強度の光を入射させる必要がある。そして、
光検出器５に対してレーザ光を照射して動作確認を行な
うためには、光学系の校正が不可欠であり、設定作業が
複雑で面倒である。このため、実際問題として、ヘッド
アンプＩＣ７の動作確認は困難であり、ヘッドアンプＩ
Ｃ７を内蔵する光学ピックアップ１の歩留まりが低下す
ることになるため、光学ピックアップ１のコストが高く
なってしまうという問題があった。
【０００６】本発明は、以上の点に鑑み、増幅手段の動
作確認が容易に行われるようにした、受発光装置及び光
検出装置を提供することを目的としている。
作確認が容易に行われるようにした、受発光装置及び光
検出装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、基板上に形成された発光素子と、基板上に形成さ
れた少なくとも一つの光検出手段と、基板上に形成され
且つ各光検出手段からの検出信号が入力端子に入力され
る少なくとも一つの増幅手段とを含んでおり、さらに、
基板上に形成され且つ前記増幅手段の入力端子に任意の
電圧信号を印加する少なくとも一つの入力手段を備えて
いる受発光装置により、達成される。
れば、基板上に形成された発光素子と、基板上に形成さ
れた少なくとも一つの光検出手段と、基板上に形成され
且つ各光検出手段からの検出信号が入力端子に入力され
る少なくとも一つの増幅手段とを含んでおり、さらに、
基板上に形成され且つ前記増幅手段の入力端子に任意の
電圧信号を印加する少なくとも一つの入力手段を備えて
いる受発光装置により、達成される。
【０００８】また、上記目的は、本発明によれば、基板
上に形成された発光素子と、前記発光素子からの光を光
ディスクの記録面に収束させるためにこの光ディスクの
トラックを横切る方向と、ディスクに近接，離間する方
向とに駆動される対物レンズと、この光ディスクからの
戻り光が入射するように基板上に形成された少なくとも
一つの光検出手段と、基板上に形成され且つ前記光検出
手段からの信号が入力される少なくとも一つの増幅手段
とを含んでおり、さらに、基板上に形成され且つ前記増
幅手段の入力端子に任意の電圧信号を印加する少なくと
も一つの入力手段を備えている、光学ピックアップによ
り、達成される。
上に形成された発光素子と、前記発光素子からの光を光
ディスクの記録面に収束させるためにこの光ディスクの
トラックを横切る方向と、ディスクに近接，離間する方
向とに駆動される対物レンズと、この光ディスクからの
戻り光が入射するように基板上に形成された少なくとも
一つの光検出手段と、基板上に形成され且つ前記光検出
手段からの信号が入力される少なくとも一つの増幅手段
とを含んでおり、さらに、基板上に形成され且つ前記増
幅手段の入力端子に任意の電圧信号を印加する少なくと
も一つの入力手段を備えている、光学ピックアップによ
り、達成される。
【０００９】上記構成によれば、受発光装置及び光検出
装置の基板上に、任意の電圧信号を印加する入力手段が
備えられているので、入力手段をテスト端子として使用
することにより、増幅手段に対して任意の電圧信号を印
加することが可能である。従って、増幅手段単体の動作
確認が容易に行われることになる。上記入力手段と上記
増幅手段との間に、直列に接続された保護抵抗を備えて
いる場合には、増幅手段が入力側にて外部入力から保護
される。上記増幅手段が、利得抵抗を有していて、この
利得抵抗と上記保護抵抗が、一つのＩＣチップ上に形成
されている場合には、利得抵抗と保護抵抗の抵抗比が、
ＩＣチップのバラツキにかかわらず一定に保持されるこ
とになるので、動作確認の際の誤差が抑制されることに
なる。
装置の基板上に、任意の電圧信号を印加する入力手段が
備えられているので、入力手段をテスト端子として使用
することにより、増幅手段に対して任意の電圧信号を印
加することが可能である。従って、増幅手段単体の動作
確認が容易に行われることになる。上記入力手段と上記
増幅手段との間に、直列に接続された保護抵抗を備えて
いる場合には、増幅手段が入力側にて外部入力から保護
される。上記増幅手段が、利得抵抗を有していて、この
利得抵抗と上記保護抵抗が、一つのＩＣチップ上に形成
されている場合には、利得抵抗と保護抵抗の抵抗比が、
ＩＣチップのバラツキにかかわらず一定に保持されるこ
とになるので、動作確認の際の誤差が抑制されることに
なる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する
旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものでは
ない。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する
旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものでは
ない。
【００１１】図１は、本発明による受発光装置を組み込
んだ光学ピックアップの好適な実施の形態を示す模式図
である。図１において、光学ピックアップ１０は、発光
素子としての半導体レーザ素子１１と、半導体レーザ素
子１１からの光ビームを光磁気ディスクＭＯへ向けて反
射させるプリズム１２と、図示しない対物レンズアクチ
ュエータによって光ディスクのトラックを横切る方向
と、ディスクに近接，離間する方向との二軸方向、即ち
トラッキング方向及びフォーカシング方向に移動可能で
ある対物レンズ１３と、光検出器１４と、光検出器１４
からの検出信号を増幅する増幅手段としてのヘッドアン
プ１５と、さらに入力手段としてのテスト入力端子１６
とを含んでいる。この対物レンズアクチュエータは、例
えば公知の電磁駆動型アクチュエータが用いられる。
んだ光学ピックアップの好適な実施の形態を示す模式図
である。図１において、光学ピックアップ１０は、発光
素子としての半導体レーザ素子１１と、半導体レーザ素
子１１からの光ビームを光磁気ディスクＭＯへ向けて反
射させるプリズム１２と、図示しない対物レンズアクチ
ュエータによって光ディスクのトラックを横切る方向
と、ディスクに近接，離間する方向との二軸方向、即ち
トラッキング方向及びフォーカシング方向に移動可能で
ある対物レンズ１３と、光検出器１４と、光検出器１４
からの検出信号を増幅する増幅手段としてのヘッドアン
プ１５と、さらに入力手段としてのテスト入力端子１６
とを含んでいる。この対物レンズアクチュエータは、例
えば公知の電磁駆動型アクチュエータが用いられる。
【００１２】そして、光学ピックアップ１０は、対物レ
ンズ１３をフォーカシング方向及びトラッキング方向に
移動して、半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ
光をプリズム１２で反射させ、さらに対物レンズ１３を
介して、対物レンズ１３の上方で回転する光磁気ディス
クＭＯの信号記録面上のある一点に収束合焦させる。光
磁気ディスクＭＯの信号記録面から反射されたレーザ光
（戻り光）は、対物レンズ１３を介して、さらにプリズ
ム１２を透過させて、光検出器１４に入射される。これ
により、光検出器１４からの検出信号は、ヘッドアンプ
１５により増幅された後、外部に出力される。
ンズ１３をフォーカシング方向及びトラッキング方向に
移動して、半導体レーザ素子１１から出射されたレーザ
光をプリズム１２で反射させ、さらに対物レンズ１３を
介して、対物レンズ１３の上方で回転する光磁気ディス
クＭＯの信号記録面上のある一点に収束合焦させる。光
磁気ディスクＭＯの信号記録面から反射されたレーザ光
（戻り光）は、対物レンズ１３を介して、さらにプリズ
ム１２を透過させて、光検出器１４に入射される。これ
により、光検出器１４からの検出信号は、ヘッドアンプ
１５により増幅された後、外部に出力される。
【００１３】上記プリズム１２の半導体レーザ素子１１
に向いた傾斜面１２ａは、ハーフミラー面となるように
半透過膜（図示せず）を備えており、半導体レーザ素子
１１からのレーザ光は、その例えばＳ偏光成分が、プリ
ズム１２の傾斜面にて対物レンズ１３に向かって上方に
反射されるようになっている。上方に反射されたレーザ
光は、上述のように、対物レンズ１３を介して、光磁気
ディスクＭＯの信号記録面に収束され、光磁気ディスク
ＭＯの信号記録面に照射されたレーザ光は、光磁気ディ
スクＭＯ上で反射される際に、カー効果を受けて、偏光
面が回転されたＰ成分（光磁気信号を含む成分）とな
る。このＰ成分を含む光磁気ディスクＭＯからの戻り光
は、再び、対物レンズ１３を介して、プリズム１２の半
透過膜に入射され、この半透過膜で、透過して、プリズ
ム１２内に入射する。
に向いた傾斜面１２ａは、ハーフミラー面となるように
半透過膜（図示せず）を備えており、半導体レーザ素子
１１からのレーザ光は、その例えばＳ偏光成分が、プリ
ズム１２の傾斜面にて対物レンズ１３に向かって上方に
反射されるようになっている。上方に反射されたレーザ
光は、上述のように、対物レンズ１３を介して、光磁気
ディスクＭＯの信号記録面に収束され、光磁気ディスク
ＭＯの信号記録面に照射されたレーザ光は、光磁気ディ
スクＭＯ上で反射される際に、カー効果を受けて、偏光
面が回転されたＰ成分（光磁気信号を含む成分）とな
る。このＰ成分を含む光磁気ディスクＭＯからの戻り光
は、再び、対物レンズ１３を介して、プリズム１２の半
透過膜に入射され、この半透過膜で、透過して、プリズ
ム１２内に入射する。
【００１４】ここで、光分離光学系としてのプリズム１
２の傾斜面１２ａには、光磁気ディスクＭＯの記録情報
を読みだすために、例えば、偏光分離膜が設けられてい
る。これにより、ディスクＭＯからの戻り光に含まれる
上記Ｐ偏光成分が所定の比率で透過されるようになって
いる。プリズム１２内に入射されたレーザ光は、プリズ
ム１２から外部に出射して、光検出器１４に導かれる。
２の傾斜面１２ａには、光磁気ディスクＭＯの記録情報
を読みだすために、例えば、偏光分離膜が設けられてい
る。これにより、ディスクＭＯからの戻り光に含まれる
上記Ｐ偏光成分が所定の比率で透過されるようになって
いる。プリズム１２内に入射されたレーザ光は、プリズ
ム１２から外部に出射して、光検出器１４に導かれる。
【００１５】上記光検出器１４は、入射する戻り光のＰ
偏光成分に対応した検出信号を出力し、この出力信号
は、ヘッドアンプ１５により増幅された後、外部に出力
される。
偏光成分に対応した検出信号を出力し、この出力信号
は、ヘッドアンプ１５により増幅された後、外部に出力
される。
【００１６】ヘッドアンプ１５は、この場合オペアンプ
により構成されていて、図示の場合、その反転入力端子
に、光検出器１４からの検出信号が入力されると共に、
その非反転入力端子には、利得抵抗Ｒｆ１を介して基準
電圧Ｖｒｅｆが印加される。さらに、ヘッドアンプ１５
は、その出力端子と反転入力端子の間に、帰還抵抗とし
ての利得抵抗Ｒｆ２が接続されている。さらに、テスト
入力端子１６は、保護抵抗Ｒｔを介して、ヘッドアンプ
１５の反転入力端子に接続されている。
により構成されていて、図示の場合、その反転入力端子
に、光検出器１４からの検出信号が入力されると共に、
その非反転入力端子には、利得抵抗Ｒｆ１を介して基準
電圧Ｖｒｅｆが印加される。さらに、ヘッドアンプ１５
は、その出力端子と反転入力端子の間に、帰還抵抗とし
ての利得抵抗Ｒｆ２が接続されている。さらに、テスト
入力端子１６は、保護抵抗Ｒｔを介して、ヘッドアンプ
１５の反転入力端子に接続されている。
【００１７】ここで、上記ヘッドアンプ１５は、光検出
器１４，利得抵抗Ｒｆ１，Ｒｆ２，保護抵抗Ｒｔ及びテ
スト入力端子１６と共に、一つの集積回路，即ち、ＩＣ
（ヘッドアンプＩＣ）１７として構成されている。
器１４，利得抵抗Ｒｆ１，Ｒｆ２，保護抵抗Ｒｔ及びテ
スト入力端子１６と共に、一つの集積回路，即ち、ＩＣ
（ヘッドアンプＩＣ）１７として構成されている。
【００１８】本実施の形態による光学ピックアップ１０
は以上のように構成されており、半導体レーザ素子１１
から出射されたレーザ光が、プリズム１２の傾斜面で、
例えばそのＳ偏光成分が分離反射される。反射されたレ
ーザ光は、対物レンズ１３を介して、光磁気ディスクＭ
Ｏの信号記録面のある一点に集束され、光磁気ディスク
ＭＯで反射される際に、カー効果により光磁気信号を含
むＰ成分となる。光磁気ディスクＭＯで反射された戻り
光は、再び、対物レンズ１３を介して、プリズム１２の
傾斜面に入射し、その半透過膜に入射した戻り光は、一
部が透過して、プリズム１２内に入射する。プリズム１
２内に入射した戻り光は、プリズム１２から外部に出射
した後、光検出器１４に入射する。
は以上のように構成されており、半導体レーザ素子１１
から出射されたレーザ光が、プリズム１２の傾斜面で、
例えばそのＳ偏光成分が分離反射される。反射されたレ
ーザ光は、対物レンズ１３を介して、光磁気ディスクＭ
Ｏの信号記録面のある一点に集束され、光磁気ディスク
ＭＯで反射される際に、カー効果により光磁気信号を含
むＰ成分となる。光磁気ディスクＭＯで反射された戻り
光は、再び、対物レンズ１３を介して、プリズム１２の
傾斜面に入射し、その半透過膜に入射した戻り光は、一
部が透過して、プリズム１２内に入射する。プリズム１
２内に入射した戻り光は、プリズム１２から外部に出射
した後、光検出器１４に入射する。
【００１９】光検出器１４は、その固有の変換効率Ｓ
（Ａ／Ｗ）に基づいて、
（Ａ／Ｗ）に基づいて、
【数１】 に示すように、入射信号即ち光電力信号Ｐ（Ｗ）を、電
流信号Ｉ（Ａ）に変換し、ヘッドアップ１５は、
流信号Ｉ（Ａ）に変換し、ヘッドアップ１５は、
【数２】 で与えられる電圧信号Ｖｏｕｔを出力する。
【００２０】かくして、戻り光が光検出器１４に入射す
ることにより、光検出器１４から出力される検出信号
は、ヘッドアンプ１５によって増幅された後、外部に出
力され、図示しない外部の制御回路等において、光磁気
信号や、例えばいわゆる差動３分割法（Ｄ−３ＤＦ法）
により、フォーカス信号が検出され、また第一の光検出
器４の各センサ部の検出信号の差に基づいて、トラッキ
ングエラーが検出される。
ることにより、光検出器１４から出力される検出信号
は、ヘッドアンプ１５によって増幅された後、外部に出
力され、図示しない外部の制御回路等において、光磁気
信号や、例えばいわゆる差動３分割法（Ｄ−３ＤＦ法）
により、フォーカス信号が検出され、また第一の光検出
器４の各センサ部の検出信号の差に基づいて、トラッキ
ングエラーが検出される。
【００２１】ここで、ヘッドアンプＩＣ１７の単体の動
作確認を行なう場合には、ヘッドアンプＩＣ１７に備え
られたテスト入力端子１６に対して、外部から、任意の
テスト電圧信号Ｖｔｅｓｔを入力する。これにより、
作確認を行なう場合には、ヘッドアンプＩＣ１７に備え
られたテスト入力端子１６に対して、外部から、任意の
テスト電圧信号Ｖｔｅｓｔを入力する。これにより、
【数３】 であることを検証することにより、ヘッドアンプＩＣ１
７の動作確認が行われることになる。ところで、上記Ｒ
ｆ及びＲｔは、共にヘッドアンプＩＣ１７上に形成され
ているので、両者の比である（Ｒｆ／Ｒｔ）は、ヘッド
アンプＩＣ１７のチップのロットによるバラツキにかか
わらず一定に保持されることになる。従って、ヘッドア
ンプＩＣ１７のロットバラツキによる動作確認の誤差が
抑制されることになる。
７の動作確認が行われることになる。ところで、上記Ｒ
ｆ及びＲｔは、共にヘッドアンプＩＣ１７上に形成され
ているので、両者の比である（Ｒｆ／Ｒｔ）は、ヘッド
アンプＩＣ１７のチップのロットによるバラツキにかか
わらず一定に保持されることになる。従って、ヘッドア
ンプＩＣ１７のロットバラツキによる動作確認の誤差が
抑制されることになる。
【００２２】図２は、本発明による受発光装置を組み込
んだ光学ピックアップの第二のを示す図である。図２に
おいて、光学ピックアップ２０は、光検出器１４からの
検出信号が、ヘッドアンプ１５の非反転入力端子に入力
されると共に、テスト入力端子１６が保護抵抗Ｒｔを介
してヘッドアンプ１５の非反転入力端子に接続されてい
る点を除いては、図１に示した光学ピックアップ１０と
同様の構成である。
んだ光学ピックアップの第二のを示す図である。図２に
おいて、光学ピックアップ２０は、光検出器１４からの
検出信号が、ヘッドアンプ１５の非反転入力端子に入力
されると共に、テスト入力端子１６が保護抵抗Ｒｔを介
してヘッドアンプ１５の非反転入力端子に接続されてい
る点を除いては、図１に示した光学ピックアップ１０と
同様の構成である。
【００２３】即ち、半導体レーザ素子１１，プリズム１
２，対物レンズ１３，光検出器１４，ヘッドアンプ１５
自体は、図１の光学ピックアップ１０と同様に構成され
ており、ヘッドアンプＩＣ２１における保護抵抗Ｒｔと
光検出器１４のヘッドアンプ１５に対する結線のみが異
なる。
２，対物レンズ１３，光検出器１４，ヘッドアンプ１５
自体は、図１の光学ピックアップ１０と同様に構成され
ており、ヘッドアンプＩＣ２１における保護抵抗Ｒｔと
光検出器１４のヘッドアンプ１５に対する結線のみが異
なる。
【００２４】この場合、図１の光学ピックアップ１０に
おいては、動作確認のために、式３が検証されるのに対
して、本実施の形態の光学ピックアップ２０において
は、以下の式即ち
おいては、動作確認のために、式３が検証されるのに対
して、本実施の形態の光学ピックアップ２０において
は、以下の式即ち
【数４】 が検証されればよい。
【００２５】上記実施の形態においては、何れの光学ピ
ックアップ１０，２０においても、光検出器１４及びヘ
ッドアンプ１５は、一つづつ備えられているが、実際の
光学ピックアップにおいては、複数の光検出器１４また
はセンサ部と、これらに対応する複数のヘッドアンプが
備えられているが、このような構成の光学ピックアップ
においても、本発明を適用して、各ヘッドアンプにテス
ト入力端子としての入力手段を備えることが可能であ
る。さらに、上記実施の形態においては、光磁気ディス
クＭＯの記録再生の場合について説明したが、これに限
らず、他の光記録媒体の記録再生のための受発光装置に
本発明を適用することが可能である。また、上記実施の
形態においては、発光手段である半導体レーザ素子１１
を備えている受発光装置について説明したが、発光手段
を含まない、光検出装置に本発明を適用し得ることは明
らかである。
ックアップ１０，２０においても、光検出器１４及びヘ
ッドアンプ１５は、一つづつ備えられているが、実際の
光学ピックアップにおいては、複数の光検出器１４また
はセンサ部と、これらに対応する複数のヘッドアンプが
備えられているが、このような構成の光学ピックアップ
においても、本発明を適用して、各ヘッドアンプにテス
ト入力端子としての入力手段を備えることが可能であ
る。さらに、上記実施の形態においては、光磁気ディス
クＭＯの記録再生の場合について説明したが、これに限
らず、他の光記録媒体の記録再生のための受発光装置に
本発明を適用することが可能である。また、上記実施の
形態においては、発光手段である半導体レーザ素子１１
を備えている受発光装置について説明したが、発光手段
を含まない、光検出装置に本発明を適用し得ることは明
らかである。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、受発
光装置及び光検出装置の基板上に、任意の電圧信号を印
加する入力手段が備えられているので、入力手段をテス
ト端子として使用することにより、増幅手段に対して任
意の電圧信号を印加することにより、増幅手段単体の動
作確認が容易に行われることになる。
光装置及び光検出装置の基板上に、任意の電圧信号を印
加する入力手段が備えられているので、入力手段をテス
ト端子として使用することにより、増幅手段に対して任
意の電圧信号を印加することにより、増幅手段単体の動
作確認が容易に行われることになる。
【図１】本発明による受発光装置を備えた光学ピックア
ップの第一の実施の形態を示すブロック図である。
ップの第一の実施の形態を示すブロック図である。
【図２】本発明による受発光装置を備えた光学ピックア
ップの第二の実施の形態を示すブロック図である。
ップの第二の実施の形態を示すブロック図である。
【図３】従来の受発光装置を備えた光学ピックアップの
一例を示す模式図である。
一例を示す模式図である。
１０ 光学ピックアップ １１ 半導体レーザ素子（発光素子） １２ プリズム １２ａ 傾斜面 １３ 対物レンズ １４ 光検出器（受光素子） １５ ヘッドアンプ（増幅手段） １６ テスト入力端子（入力手段） １７ ヘッドアンプＩＣ ２０ 光学ピックアップ ２１ ヘッドアンプＩＣ
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に形成された発光素子と、 基板上に形成された少なくとも一つの光検出手段と、 基板上に形成され且つ前記光検出手段からの検出信号が
入力端子に入力される少なくとも一つの増幅手段と、を
含んでおり、 さらに、基板上に形成され且つ前記増幅手段の入力端子
に任意の電圧信号を印加する少なくとも一つの入力手段
を備えていることを特徴とする受発光装置。 - 【請求項２】 前記入力手段と前記増幅手段との間に、
直列に接続された保護抵抗を備えていることを特徴とす
る請求項１に記載の受発光装置。 - 【請求項３】 前記増幅手段が、利得抵抗を有してい
て、 この利得抵抗と前記保護抵抗が、一つの集積回路に形成
されていることを特徴とする請求項２に記載の受発光装
置。 - 【請求項４】 基板上に形成された少なくとも一つの光
検出手段と、 基板上に形成され且つ前記光検出手段からの検出信号が
入力端子に入力される少なくとも一つの増幅手段と、を
含んでおり、 さらに、基板上に形成され且つ前記増幅手段の入力端子
に任意の電圧信号を印加する少なくとも一つの入力手段
を備えていることを特徴とする光検出装置。 - 【請求項５】 基板上に形成された発光素子と、 前記発光素子からの光を光ディスクの記録面に収束させ
るためにこの光ディスクのトラックを横切る方向と、デ
ィスクに近接，離間する方向とに駆動される対物レンズ
と、 この光ディスクからの戻り光が入射するように基板上に
形成された少なくとも一つの光検出手段と、 基板上に形成され且つ前記光検出手段からの信号が入力
される少なくとも一つの増幅手段とを含んでおり、 さらに、基板上に形成され且つ前記増幅手段の入力端子
に任意の電圧信号を印加する少なくとも一つの入力手段
を備えていることを特徴とする光学ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7200410A JPH0935310A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 受発光装置及び光学ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7200410A JPH0935310A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 受発光装置及び光学ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0935310A true JPH0935310A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16423860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7200410A Pending JPH0935310A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 受発光装置及び光学ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0935310A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006275757A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Mitsumi Electric Co Ltd | 検出装置及びそのテスト方法 |
-
1995
- 1995-07-13 JP JP7200410A patent/JPH0935310A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006275757A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Mitsumi Electric Co Ltd | 検出装置及びそのテスト方法 |
| JP4586608B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2010-11-24 | ミツミ電機株式会社 | 光検出装置及びそのテスト方法 |
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