JPH09330881A - 半導体ウエハ処理装置のクリーニング方法及び半導体ウエハ処理装置並びに半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ガス反応クリーニングの際のエッチング速度分
布の均一化を図ることにより、生産性を向上する。 【解決手段】長手方向両端に開口部を設けた略偏平な反
応管２内に、ウエハ３ａ，ｂを載置するための開口部８
ａＡ，ｂＡが形成された２枚のウエハ支持板８ａ，ｂを
配置し、反応管２を挟むように対向配置された平行平板
ヒータ１で反応管２の加熱を行いつつ反応管２内にガス
を供給しながら排気することによりウエハ処理を行うＣ
ＶＤ装置１００の、反応管２内壁面の付着した堆積物を
エッチングし除去する。このとき、ウエハ支持板８ａ，
ｂの開口部８ａＡ，ｂＡに、大きさがウエハ３ａ，ｂと
略同一であるウエハ状の板１２ａ，ｂを載置した状態で
エッチングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体製
造プロセスにおいて、ウエハ表面に回路作成を行う半導
体ウエハ処理装置のクリーニング方法に係わり、特に、
処理装置の反応管壁面に反応副生成物の付着堆積が生じ
得る場合に好適な半導体ウエハ処理装置のクリーニング
方法、及び半導体ウエハ処理装置、並びにその処理装置
を用いて製造した半導体素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の製造において、ウエハに回
路作成を行うための処理装置として、ＣＶＤ装置やエッ
チング装置等の種々の真空処理装置が用いられている。
これら装置によるウエハの処理過程において、反応容器
内に発生する反応副生成物等による微小塵埃がウエハ表
面に付着する。これが、半導体素子の製造過程の歩留ま
りや装置稼働率低下の主原因となっている。そこで、こ
のウエハ表面に付着する塵埃を低減するために、成膜に
より反応管の壁面に堆積する反応副生成物を適宜、クリ
ーニング（除去）することが行われる。

【０００３】このような成膜及びクリーニングに関する
公知技術としては、例えば、特開平７−９４４１９号公
報記載のものがある。この公知技術においては、２枚の
平行平板ヒータにより形成される加熱空間内に偏平な石
英製などの反応管を設け、その反応管内部に配置されウ
エハ領域にほぼ相当する部分が切り欠かれたウエハ支持
板上に、半導体ウエハを載置し、加熱しつつ反応管内に
ガスを供給しながら排気することにより、ウエハ表面に
薄膜形成（またはエピタキシャル成長）を行わせる。そ
してこの成膜処理が繰り返されて反応管壁面に反応副生
成物が堆積し、その量が限界量（厚さ）を越え堆積物が
剥がれ落ちてくるようになった場合には、適宜ガス反応
クリーニングを実施し、エッチングによって堆積物を除
去する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
知技術には、以下の課題が存在する。上記公知技術にお
ける、ガス反応クリーニング時の堆積物のエッチング速
度分布を図１３に示す。この図１３は、横軸には反応管
中心を０位置とするガス流れ方向の反応管内位置を、縦
軸にはエッチング速度を無次元化したものをとって表し
たものであり、ガス流れ方向及びウエハ支持板の位置を
概略的に併せて示している。図示されるように、反応管
入口部（図示左側）では、ガス温度が低いことからエッ
チング速度が低いが、温度が上昇すると共に反応が促進
されガス流れ方向にエッチング速度が急激に増加して第
１のピークを迎える。しかしその後、ウエハ支持板の上
流側縁部（以下適宜、前縁という）近傍領域になると、
反応管の壁面と共にウエハ支持板の表面もエッチングす
ることとなってエッチング表面積が約３倍に増加するこ
とから、エッチング速度が大幅に低下する。その後ウエ
ハ支持板前縁領域を通過すると、エッチング表面積が反
応管壁面だけになることから再びエッチング速度が増加
して第２のピークを迎える。その後、ウエハ支持板の下
流側縁部（以下適宜、後縁という）が配置される領域に
なると、前記同様、エッチング表面積の増加によって急
激にエッチング速度が再び低下し、これをすぎるとエッ
チング速度が再増加して第３のピーク値を迎える。そし
て、さらに下流では、温度低下と共にエッチング速度が
低下し、反応管出口部（図示右側）に至る。このよう
に、全体的には、図示するような３つの凸部があるよう
な不均一なエッチング速度分布となる。

【０００５】すなわち、ガス反応クリーニングの際のエ
ッチング速度は上記のような不均一な分布となることか
ら、反応管壁面に付着した堆積物をもれなく全て除去し
ようとすると、相対的にエッチング速度の大きな反応管
中央部（０位置近傍）及びウエハ支持板前縁上流側・後
縁下流側で、反応管の壁面自体がエッチングされること
となり反応管が大きなダメージを受けるようになる。そ
してこのダメージ量が限界値を越えると成膜時における
ウエハの成膜分布が悪くなって異物が多発し、歩留まり
が低下し、生産性が低下するという課題がある。また、
真空容器としての強度不足などが生じて反応管等の部品
を交換する必要が生じ、交換頻度の増加によって装置稼
動率やスループットが低下し、生産性が低下するという
課題も生じる。

【０００６】本発明の目的は、ガス反応クリーニングの
際のエッチング速度分布の均一化を図ることにより、生
産性を向上できる、半導体ウエハ処理装置のクリーニン
グ方法及び半導体ウエハ処理装置並びに半導体素子を提
供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の概念によれば、長手方向両端に開口
部を設けた略偏平な反応管及び前記開口部に設けられた
フランジを備えた反応容器内に、ウエハを載置するため
の開口部が形成された少なくとも１枚のウエハ支持板を
配置し、前記反応管を挟むように対向配置された平行平
板ヒータで該反応管の加熱を行いつつ前記反応容器内に
ガスを供給しながら排気することによりウエハ処理を行
う半導体ウエハ処理装置の、前記反応管内壁面の付着堆
積物をエッチングし除去する半導体ウエハ処理装置のク
リーニング方法において、前記ウエハ支持板の開口部
に、大きさが前記ウエハと略同一である略円板状部材を
載置した状態で、前記エッチングを行うことを特徴とす
る半導体ウエハ処理装置のクリーニング方法が提供され
る。すなわち、略偏平な反応管及びフランジを備えた反
応容器内にウエハ支持板を配置し平行平板ヒータで加熱
しつつガスの供給・排気を行ってウエハ処理を行う半導
体ウエハ処理装置におけるクリーニングは、一般に、ウ
エハ支持板からウエハを取り去った後、ウエハ処理のと
きと同様、反応容器内にウエハ支持板を配置し平行平板
ヒータで加熱しつつエッチングガスの供給・排気を行う
ことにより行われる。このときウエハ支持板のウエハ載
置用の開口部は開放されたままとなるが、このようにし
てクリーニングを行った場合、一般に、ガス流れ方向に
おけるエッチング速度分布は、以下のようになる。ま
ず、反応管入口部では、ガス温度が低いことからエッチ
ング速度が低いが、温度が上昇すると共に反応が促進さ
れガス流れ方向にエッチング速度が急激に増加して第１
のピークを迎える。しかしその後、ウエハ支持板の前縁
近傍領域になると、反応管の壁面と共にウエハ支持板の
表面もエッチングすることとなってエッチング表面積が
約３倍に増加することから、エッチング速度が大幅に低
下する。その後ウエハ支持板前縁領域を通過すると、エ
ッチング表面積が反応管壁面だけになることから再びエ
ッチング速度が増加して第２のピークを迎える。その
後、ウエハ支持板の後縁近傍領域になってエッチング表
面積の増加によって再び急激にエッチング速度が低下
し、これをすぎるとエッチング速度が再増加して第３の
ピークを迎える。そして、さらに下流では、温度低下と
共にエッチング速度が低下して反応管出口部に至る。こ
こで、本発明においては、エッチングを行う際、例えば
反応管内の流れ方向中央部近傍に配置されるウエハ支持
板の、開口部に略円板状部材を載置している。すなわ
ち、ウエハ支持板の前縁と後縁との間にあるウエハ載置
用の開口部が略円板状部材で塞がれている。したがっ
て、上記のようなエッチング速度分布のうち、ウエハ支
持板前縁領域通過後からウエハ支持板後縁領域までの間
が、略円板状部材によってエッチング表面積が増加する
分エッチング速度が低下して第２のピークがほぼ消失
し、ほぼ平坦なエッチング速度分布となる。よって、全
体のエッチング速度分布をより均一化することができ
る。

【０００８】好ましくは、前記半導体ウエハ処理装置の
クリーニング方法において、前記ウエハ支持板を、前記
反応管内壁面と略平行となるように配置し、かつ、該ウ
エハ支持板の数をｎとしたとき、このウエハ支持板が前
記反応管内を高さ方向にｎ＋１分割するように配置する
ことを特徴とする半導体ウエハ処理装置のクリーニング
方法が提供される。すなわち例えば、２つのウエハ支持
板を、反応管内壁面と略平行となるように、かつ反応管
内を高さ方向に３分割するように配置することにより、
ウエハ支持板により仕切られる３つの空間のガス流れに
対する横断面積を等しくできるので、エッチング速度の
均一化を確実に促進することができる。

【０００９】また、好ましくは、前記半導体ウエハ処理
装置のクリーニング方法において、前記ウエハ支持板
を、前記反応管内の流れ方向中央部近傍に配置すること
を特徴とする半導体ウエハ処理装置のクリーニング方法
が提供される。すなわち、ウエハ支持板にウエハを載置
せずウエハ載置用の開口部を開放したままクリーニング
を行った場合の、ウエハ支持板前縁近傍領域〜後縁近傍
領域間の第２のピークは、ウエハ支持板が反応管内の流
れ方向中央部近傍に配置されたときに最も顕著となるこ
とから、このような場合にウエハ支持板に略円板状部材
を載置すれば、最も大きなエッチング速度分布均一化効
果を得ることができる。

【００１０】また上記目的を達成するために、本発明の
第２の概念によれば、長手方向両端に開口部を設けた略
偏平な反応管及び前記開口部に設けられたフランジを備
えた反応容器内に、ウエハを載置するための開口部が形
成された少なくとも１枚のウエハ支持板を配置し、前記
反応管を挟むように対向配置された平行平板ヒータで該
反応管の加熱を行いつつ前記反応容器内にガスを供給し
ながら排気することによりウエハ処理を行う半導体ウエ
ハ処理装置の、前記反応管内壁面の付着堆積物をエッチ
ングし除去する半導体ウエハ処理装置のクリーニング方
法において、前記ウエハ支持板のガス流れ方向の長さ
を、前記反応管の長手方向に対する前記平行平板ヒータ
の有効長さの７５％以上１００％以下としたことを特徴
とする半導体ウエハ処理装置のクリーニング方法が提供
される。このような本発明においては、ウエハ支持板が
相対的に大きくなって、前縁がより上流側に移るととも
に後縁がより下流側に移ることとなるので、第１〜第３
のピークをもつエッチング速度分布のうち、第１及び第
３のピークの値が小さくなる。すなわち、反応管入口部
からガス流れ方向へ温度が十分に上がりきらないうち
に、ウエハ支持板の前縁近傍領域によるエッチング面積
が増加するので、エッチング速度の減少は少なく、そこ
で小さな第１のピークを迎えることとなる。そして、ウ
エハ支持板前縁〜後縁の間では従来同様の大きな第２の
ピークを迎える。その後は、ガス流れ方向の十分下流側
で温度が十分下がった後にエッチング面積が減少するこ
ととなるので、エッチング速度上昇は小さく、小さな第
３のピークを迎える。よって、このような２つのピーク
値の低下により、全体のエッチング速度分布をより均一
化することができる。

【００１１】また、上記目的を達成するために、本発明
の第３の概念によれば、長手方向両端に開口部を設けた
略偏平な反応管及び前記開口部に設けられたフランジを
備えた反応容器内に、ウエハを載置するための開口部が
形成された少なくとも１枚のウエハ支持板を配置し、前
記反応管を挟むように対向配置された平行平板ヒータで
該反応管の加熱を行いつつ前記反応容器内にガスを供給
しながら排気することによりウエハ処理を行う半導体ウ
エハ処理装置の、前記反応管内壁面の付着堆積物をエッ
チングし除去する半導体ウエハ処理装置のクリーニング
方法において、前記ウエハ支持板のガス流れ方向の長さ
を、前記反応管の長手方向に対する前記平行平板ヒータ
の有効長さの７５％以上１００％以下とし、かつ、該ウ
エハ支持板の開口部に、大きさが前記ウエハと略同一で
ある略円板状部材を載置した状態で、前記エッチングを
行うことを特徴とする半導体ウエハ処理装置のクリーニ
ング方法が提供される。

【００１２】また、上記目的を達成するために、本発明
の第４の概念によれば、長手方向両端に開口部を設けた
略偏平な反応管及び前記開口部に設けられたフランジを
備えた反応容器内に、ウエハを載置するための開口部が
形成された少なくとも１枚のウエハ支持板を配置し、前
記反応管を挟むように対向配置された平行平板ヒータで
該反応管の加熱を行いつつ前記反応容器内にガスを供給
しながら排気することによりウエハ処理を行う半導体ウ
エハ処理装置の、前記反応管内壁面の付着堆積物をエッ
チングし除去する半導体ウエハ処理装置のクリーニング
方法において、前記ウエハ支持板の位置を前記反応管の
長手方向に移動させつつ、前記エッチングを行うことを
特徴とする半導体ウエハ処理装置のクリーニング方法が
提供される。これにより、第１〜第３のピークをもつ不
均一なエッチング速度分布が、クリーニング時間の経過
とともに反応管長手方向に移動していくこととなるの
で、全体のエッチング速度分布を最終的により均一化す
ることができる。

【００１３】好ましくは、上記半導体ウエハ処理装置の
クリーニング方法において、前記略円板状部材として、
前記堆積物と同一材料で構成されたものを用いることを
特徴とする半導体ウエハ処理装置のクリーニング方法が
提供される。

【００１４】さらに好ましくは、前記半導体ウエハ処理
装置のクリーニング方法において、前記略円板状部材と
して、石英板を用いることを特徴とする半導体ウエハ処
理装置のクリーニング方法が提供される。

【００１５】また上記目的を達成するために、本発明の
第５の概念によれば、長手方向両端に開口部を設けた略
偏平な反応管及び前記開口部に設けられたフランジを備
えた反応容器内に、ウエハを載置するための開口部が形
成された少なくとも１枚のウエハ支持板を配置し、前記
反応管を挟むように対向配置された平行平板ヒータで該
反応管の加熱を行いつつ前記反応容器内にガスを供給し
ながら排気することによりウエハ処理を行う半導体ウエ
ハ処理装置において、前記ウエハ支持板のガス流れ方向
の長さを、前記反応管の長手方向に対する前記平行平板
ヒータの有効長さの７５％以上１００％以下としたこと
を特徴とする半導体ウエハ処理装置が提供される。

【００１６】また上記目的を達成するために、本発明の
第６の概念によれば、長手方向両端に開口部を設けた略
偏平な反応管及び前記開口部に設けられたフランジを備
えた反応容器内に、ウエハを載置するための開口部が形
成された少なくとも１枚のウエハ支持板を配置し、前記
反応管を挟むように対向配置された平行平板ヒータで該
反応管の加熱を行いつつ前記反応容器内にガスを供給し
ながら排気することによりウエハ処理を行う半導体ウエ
ハ処理装置において、前記ウエハ支持板の位置を前記反
応管の長手方向に移動させる移動手段を設けたことを特
徴とする半導体ウエハ処理装置が提供される。

【００１７】また上記目的を達成するために、本発明の
第７の概念によれば、ゲート電極配線のポリシリコン
膜、リンドープポリシリコン膜、層間絶縁のための酸化
膜・リンガラス膜、及びキャパシタ絶縁のためのＳi₃Ｎ
₄膜のうち少なくとも１つの膜を備えた半導体素子にお
いて、前記少なくとも１つの膜を請求項９又は１０記載
の半導体処理装置を用いて成膜したことを特徴とする半
導体素子が提供される。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照しつつ説明する。これらの実施形態はいずれも、い
わゆるホットウォール式ＣＶＤ装置におけるクリーニン
グ方法に関する実施形態である。

【００１９】本発明の第１の実施形態を図１〜図６によ
り説明する。本実施形態のクリーニング方法の対象とな
るＣＶＤ装置１００の構造を表す水平断面図及び側断面
図を図１及び図２に示す。なおこれら図１及び図２に
は、成膜処理対象であるウエハ３ａ，ｂも併せて示して
ある。これら図１及び図２において、ＣＶＤ装置１００
は、軸線をほぼ水平にして配置され、長手方向両端に開
口部を備えた偏平な反応管２と、その反応管２の内部に
反応管２壁面とほぼ平行となるように（例えばほぼ水平
に）上下２段に配置された矩形のウエハ支持板８ａ,８
ｂと、反応管２の上下に反応管２を挟んで対向して配置
され、反応管２を加熱する加熱炉を構成する平行平板型
のヒータ１と、反応管２の両端開口部に結合されたフラ
ンジ９ａ，９ｂと、そのフランジ９ａ，９ｂの肉厚内に
反応管２の軸線と垂直方向にかつ中心から上方に向かっ
て形成されたガス供給口４ａ，４ｂと、フランジ９ａ，
９ｂの中心から下方に向かって形成された排気口５ａ，
５ｂと、ヒータ１の外周に設けられた断熱材７と、フラ
ンジ９ａ，９ｂの外側に結合されそのフランジ９ａ，９
ｂの中心開口に当面するゲートバルブ１０ａ，ｂと、反
応管２とフランジ９ａ，９ｂとの接触部のシールをそれ
ぞれ行うＯリング１８ａ，１８ｂとを備えている。

【００２０】ヒータ１は複数に分割された構造となって
おり、ウエハ３ａ，３ｂの温度分布が均一になるように
各々の発熱量が調整可能となっている。そしてこのヒー
タ１の外側に設けられた断熱材７により、ヒータ１から
周囲への放熱を減らし、消費電力を低減できるように配
慮されている。

【００２１】上下２段に設けられたウエハ支持板８ａ，
８ｂには、成膜対象となるウエハ３ａ，３ｂを載置する
ための、ウエハ３ａ，３ｂとほぼ同一の開口部８ａＡ及
び８ｂＡ（図示せず）がそれぞれ形成されており、ま
た、フォーク１１（後述）が動く領域が切り欠かれた構
造となっている。各ウエハ支持板８にはそれぞれ１枚の
ウエハ３が載置可能となっており、これによって、１枚
あるいは２枚のウエハ３が同時に処理される。また、２
つのウエハ支持板８ａ，８ｂは、図２に示されるよう
に、反応管２内を高さ方向に３分割するように配置され
ており、また流れ方向に対しては、図１に示されるよう
に、反応管２の中央部近傍になるように配置されてい
る。さらに、これらウエハ支持板８ａ，ｂは、図２に示
されるガス流れ方向の長さＬ1が、反応管２の長手方向
に対する平行平板ヒータ１の有効長さＬ2の７５％未満
となっている。

【００２２】なお、以上の構成において、反応管２とフ
ランジ９ａ，９ｂとが反応容器を構成する。

【００２３】次に、上記構成のＣＶＤ装置１００におけ
る成膜方法について説明する。まず、いずれか一方のゲ
ートバルブ１０ａ（又は１０ｂ）を開放し、フォーク１
１に載せられたウエハ３ａ，３ｂが、ゲートバルブ１０
ａ（又は１０ｂ）を通して反応管２の内部に水平状態で
挿入される。挿入されたウエハ３ａ，３ｂは、フォーク
１１からウエハ支持板８に移し替えられ、開口部８ａＡ
及び８ｂＡに載置される。その後、フォーク１１を引き
抜き、ゲートバルブ１０ａ（又は１０ｂ）が閉められ
る。

【００２４】載置されたウエハ３ａ，３ｂは、ヒータ１
により加熱され、同時に、ガス供給口４ａ（又は４ｂ）
のいずれか一方から成膜ガスを供給してガスをウエハ３
ａ，３ｂ表面に対し図１，２中白矢印（又は黒矢印）の
ようにほぼ平行に流すとともに、反応管２の両端に形成
された排気口５ｂ（又は５ａ）から排気する。これによ
り、反応管２内を所望の温度と圧力にし、ウエハ３ａ，
３ｂの表面に熱反応により薄膜を形成し、あるいはエピ
タキシャル成長を行わせることで成膜を行う。このと
き、反応管２内の壁面には、反応副生成物が堆積してい
く。

【００２５】ここで、このようなＣＶＤ装置１００の成
膜時反応管壁面温度分布、及び反応副生成物の堆積厚さ
分布について、図３及び図４により詳細に説明する。ま
ず図３は、成膜時の反応管２壁面の温度分布を示す図で
ある。すなわち、図１及び図２に示されるＣＶＤ装置１
００において、ウエハ３ａ，３ｂの中心と反応管２の中
心とが一致するように配置し、ウエハ３ａ，３ｂの温度
をある設定温度にした場合における反応管２の壁面温度
分布の測定した結果である。なお横軸には、反応管２中
心位置を０として表した反応管２内のガス流れ方向にお
ける位置、縦軸に反応管２壁面温度をとって表してい
る。図示のように、反応管中央部に比べ、図示左右側の
反応管２開口部近傍の壁面温度が低くなっていることが
わかる。これは、反応管２とフランジ９ａ，９ｂとの接
触部のシール用に用いられるＯリング１８ａ，１８ｂの
耐熱温度（現状技術では、２００〜３００℃）以下にシ
ール部の温度を下げるためにフランジ９ａ，ｂを冷却し
ており、これによって反応管２中央部から両端部に向か
って熱が流れ、両端部の温度が中央部の温度より下がる
からである。

【００２６】図４は、上記のような温度分布のもとで成
膜ガスを反応管２の一方向から流しウエハ３ａ，３ｂに
成膜を行った場合の、反応管２壁面への反応副生成物の
堆積速度分布の測定結果である。この図４は、反応管２
内の圧力が、３００Ｐａ、２００Ｐａ、及び１２０Ｐａ
の３つの場合についての結果を示しており、横軸には、
反応管２中心位置を０として表した反応管２内のガス流
れ方向における位置、縦軸には堆積速度を無次元化した
ものをとって表している。図４に示されるように、ガス
流入側（図示左側）の開口部では、温度が低いことから
堆積速度が遅いが、下流側になるほど温度が上昇して成
膜ガスの反応が促進され、徐々に堆積速度が増加してピ
ーク値に達する。その後、ウエハ３ａ，３ｂの領域でガ
ス消費とともになだらかに減少した後、排気側（図示右
側）の開口部に向かって堆積速度は急激に低下するよう
になる。

【００２７】図１及び図２に戻り、成膜が終了したら、
ゲートバルブ１０ａ（又は１０ｂ）を開放し、再びフォ
ーク１１をゲートバルブ１０ａ（又は１０ｂ）を通して
反応管２内部に挿入する。そしてウエハ３ａ，３ｂをウ
エハ支持板８の開口部８ａＡ及び８ｂＡからフォーク１
１に移し替えた後、フォーク１１を引き抜いてウエハ３
ａ，３ｂを反応管２から取り出す。

【００２８】以上のような成膜処理を繰り返すにつれ、
しだいに、反応管２の壁面に堆積した反応副生成物が厚
くなり、ある限界量（限界厚さ）を越えると、これら堆
積物が反応管２内に剥がれ落ちてくるようになる。よっ
て、この堆積物を除去するために、適宜、ガス反応クリ
ーニングを実施する必要がある。本実施形態の要部であ
る、ガスクリーニング方法について図５を用いて説明す
る。まず、大きさがウエハ３ａ，ｂと略同一である略円
板状の部材、例えばウエハ状の板１２ａ，１２ｂが用意
される。このときのウエハ状の板１２ａ，１２ｂの材質
としては、反応管２への堆積物と同質のものが最適であ
るが、これが困難である場合には、反応管２の汚染など
を考慮し石英板を用いることが好ましい。

【００２９】そして、いずれか一方のゲートバルブ１０
ａ（又は１０ｂ）を開放し、ウエハ状の板１２ａ，１２
ｂがフォーク１１に載せられて、ゲートバルブ１０ａ
（又は１０ｂ）を通して反応管２の内部に水平状態で挿
入される。挿入されたウエハ状の板１２ａ，１２ｂは、
フォーク１１から、ウエハ支持板８に移し替えられ、ウ
エハ３ａ，３ｂの代わりに開口部８ａＡ及び８ｂＡに載
置される。その後、フォーク１１を引き抜き、ゲートバ
ルブ１０ａ（又は１０ｂ）が閉められる。

【００３０】そして、図５に示されるように、反応管２
がヒータ１により加熱され、同時に、ガス供給口４ａ
（又は４ｂ）からＣlＦ₃等のクリーニングガスを供給し
てガスをウエハ状の板１２ａ，１２ｂの表面にほぼ平行
に流すと共に、反応管２の両端に形成された排気口５ｂ
（又は５ａ）から排気する。これにより、反応管２内を
所望の温度と圧力にし、反応管２内壁面に付着した堆積
物をエッチングし除去する。

【００３１】以上のようなクリーニングが終了したら、
ゲートバルブ１０ａ（又は１０ｂ）を開放し、再びその
ゲートバルブ１０ａを通して、フォーク１１を反応管２
の内部に挿入し、ウエハ状の板１２ａ，１２ｂをウエハ
支持板８ａ，８ｂの開口部８ａＡ及び８ｂＡからフォー
ク１１に移し替えた後、フォーク１１を引き抜いてウエ
ハ状の板１２ａ，１２ｂを反応管２から取り出す。

【００３２】以上のような本実施形態のクリーニング方
法における作用効果を図６により説明する。図６は、本
実施形態のガス反応クリーニング時の堆積物のエッチン
グ速度分布を示したものであり、前述した図１３と同様
に、横軸には反応管中心を０位置とするガス流れ方向の
反応管内位置を、縦軸にはエッチング速度を無次元化し
たものをとって表したものであり、ガス流れ方向及びウ
エハ支持板の位置を概略的に併せて示している。この図
６に示されるように、反応管２入口部（図示左側）で
は、ガス温度が低いことからエッチング速度が低いが、
温度が上昇すると共に反応が促進されガス流れ方向にエ
ッチング速度が急激に増加して第１のピークを迎える。
しかしその後、ウエハ支持板８ａ，８ｂの前縁近傍領域
になると、反応管２の壁面と共にウエハ支持板８ａ，８
ｂの表面もエッチングすることとなってエッチング表面
積が約３倍に増加することから、エッチング速度が大幅
に低下する。ここまでは図１３に示された従来方法によ
る挙動とほぼ同様である。

【００３３】しかしながら、これ以降のウエハ支持板８
ａ，８ｂの前縁領域通過後からウエハ支持板８ａ，８ｂ
後縁領域までの間は、ウエハ支持板８ａ，８ｂの前縁と
後縁との間にあるウエハ載置用の開口部８ａＡ，８ｂＡ
がウエハ状の板１２ａ，１２ｂで塞がれていることによ
り、エッチング表面積が増加する分エッチング速度が低
下し、図１３に見られたような第２のピークがほぼ消失
し、ほぼ平坦なエッチング速度分布となる。

【００３４】その後は、図１３と同様、ウエハ支持板８
ａ，８ｂを過ぎてエッチング速度が再増加し第３のピー
ク値を迎え、そして、さらに下流では、温度低下と共に
エッチング速度が低下し、反応管出口部（図示右側）に
至る。

【００３５】したがって、以上のように図１３と図６と
の比較で明らかなように、本実施形態のクリーニング方
法によれば、ウエハ支持板８ａ，ｂ前縁領域通過後から
ウエハ支持板８ａ，ｂ後縁領域までの間の第２のピーク
がほぼ消失しほぼ平坦なエッチング速度分布となり全体
のエッチング速度分布がその分均一化する。よって、反
応管２壁面に付着した堆積物をもれなく全て除去する場
合でも、第１ピーク位置に相当するウエハ支持板８ａ，
ｂ前縁のすぐ上流側、第３ピーク位置に相当するウエハ
支持板８ａ，ｂ後縁のすぐ下流側以外は、大きなダメー
ジを与えることがない。したがって、異物発生等による
歩留まり低下を抑制し生産性を向上することができる。
また、反応管２等の部品交換・ウエット洗浄の頻度を低
減して装置稼動率やスループットを向上し、これによっ
ても生産性を向上することができる。

【００３６】また本実施形態のＣＶＤ装置１００のよう
にウエハ支持板８ａ，ｂが反応管２内の流れ方向中央部
近傍に配置した構成において、もし従来方法のようにウ
エハ支持板８ａ，ｂにウエハ載置用の開口部８ａＡ，ｂ
Ａを開放したままクリーニングを行った場合、図１３に
示したようなウエハ支持板８ａ，ｂ前縁近傍領域〜後縁
近傍領域間の第２のピークが最も顕著となる。したがっ
て、このようなＣＶＤ装置１００においてウエハ支持板
８ａ，ｂにウエハ状の板１２ａ，ｂを載置することで、
最も大きなエッチング速度分布均一化効果を得ることが
できる。

【００３７】なお、上記実施形態で用いたＣＶＤ装置１
００においては、２つのウエハ３を同時に処理すべく、
２つのウエハ支持板８ａ，ｂが反応管２内を高さ方向に
３分割するように配置されていたが、これに限られな
い。すなわち、ウエハ支持板８は、反応管２内に１つ配
置しても、３つ以上配置してもよい。但し、１つのウエ
ハ支持板８の場合は反応管２内を高さ方向に２分割する
ように配置し、３つのウエハ支持板８の場合は反応管２
内を高さ方向に４分割するように配置することが好まし
い。すなわち言い換えれば、ウエハ支持板８の数をｎ個
としたとき、このウエハ支持板８が反応管２内を高さ方
向にｎ＋１分割するように配置することが好ましい。こ
れによって、ｎ個のウエハ支持板８により仕切られるｎ
＋１個の空間のガス流れに対する横断面積を等しくでき
るので、エッチング速度の均一化を確実に促進できると
いう効果がある。

【００３８】本発明の第２の実施形態を図７〜図９を用
いて説明する。この実施形態は、ウエハ状の板を用いる
ことなくエッチング速度の均一化を図る場合の実施形態
である。第１の実施形態と同等の部材には同一の符号を
付す。まず、本実施形態のクリーニング方法の対象とな
るＣＶＤ装置２００の構造を表す側断面図を図７に示
す。この図７において、ＣＶＤ装置２００が第１の実施
形態のＣＶＤ装置１００と異なる点は、ウエハ支持板２
０８ａ，ｂのガス流れ方向の長さＬ1が、反応管２の長
手方向に対する平行平板ヒータ１の有効長さＬ2の７５
％以上１００％以下とし、これによってヒータ１領域を
ウエハ３ａ，ｂの直径の２倍程度にしていることであ
る。このときウエハ支持板２０８ａ，ｂの開口部２０８
ａＡ，ｂＡは、第１の実施形態のウエハ支持板８ａ，ｂ
の開口部８ａＡ，ｂＡとほぼ同じ位置に同じ大きさで設
けられている。その他の構成はＣＶＤ装置１００とほぼ
同様である。

【００３９】また、このような構成のＣＶＤ装置２００
により行われる成膜方法も、第１の実施形態とほぼ同様
である。すなわち、反応管２内のウエハ支持板８の開口
部８ａＡ及び８ｂＡに載置されたウエハ３ａ，ｂ（図７
では図示せず）がヒータ１により加熱され、ガス供給口
４ａ（又は４ｂ）からの成膜ガスを供給するとともに排
気口５ｂ（又は５ａ）から排気し、ウエハ３ａ，３ｂの
表面に成膜を行う。

【００４０】そして、このような成膜処理が繰り返され
た後、ＣＶＤ装置２００に対してもガスクリーニングが
行われるが、この本実施形態のクリーニング方法が第１
のクリーニング方法と異なる点は、上記ウエハ支持板の
位置の違いのほかには、ウエハ状の板１２ａ，ｂを使用
せず、ウエハ支持板２０８ａ，ｂの開口部２０８ａＡ，
２０８ｂＡを露出させたままエッチングを行う点であ
る。すなわち、ウエハ支持板２０８の開口部２０８ａＡ
及び２０８ｂＡを露出したまま、反応管２がヒータ１に
より加熱され、ガス供給口４ａ（又は４ｂ）からＣlＦ₃
等のクリーニングガスを供給するとともに排気口５ｂ
（又は５ａ）から排気し、反応管２内壁面に付着した堆
積物をエッチングし除去する。

【００４１】以上のようなＣＶＤ装置２００を用いたク
リーニング方法における作用効果を図８及び図９により
説明する。まず、ＣＶＤ装置２００の成膜時の反応管２
壁面の温度分布を図８に示す。個の図は、第１の実施形
態における図３にほぼ相当する図であり、図３と同様、
ＣＶＤ装置２００においてウエハ３ａ，３ｂの中心と反
応管２の中心とが一致するように配置し、ウエハ３ａ，
３ｂの温度をある設定温度にした場合における反応管２
の壁面温度分布を測定した結果である。図８において、
図３と同様、反応管２中央部に比べ、図示左右側の反応
管２開口部近傍の壁面温度が低くなっている。これを詳
細にみると、ヒータ有効長さＬ2の７５％に相当する位
置では反応管２の中央部の温度より約５０℃温度が低下
しており、ヒータ有効長さＬ2の１００％に相当する位
置では、反応管２の中央部の温度より約１５０℃温度が
低下することがわかった。ここにおいて、既に述べてき
たように、ガスクリーニングにおけるエッチング速度は
温度によって大きく変化し、例えばＳi₃Ｎ₄膜の場合に
は５０℃温度が低下するとエッチング速度が約半分にな
る。したがって、例えば本実施形態のようにウエハ支持
板２０８ａ，ｂのガス流れ方向の長さＬ1を、反応管２
の長手方向に対する平行平板ヒータ１の有効長さＬ2の
７５％以上１００％以下とし、ウエハ支持板１０８ａ，
ｂの前縁・後縁を反応管２のより開口部側に配置するこ
ととすれば、その分ウエハ支持板２０８ａ，ｂが低温領
域すなわちエッチング速度の低い領域に配置されること
となるので、エッチング表面積の変化に伴う局所的エッ
チング速度の増加を抑制できる。このことを具体的に図
９に示す。

【００４２】図９は、本実施形態のガス反応クリーニン
グ時の堆積物のエッチング速度分布を示したものであ
り、第１の実施形態における図６に相当する図である。
図６と同様に、横軸には反応管中心を０位置とするガス
流れ方向の反応管内位置を、縦軸にはエッチング速度を
無次元化したものをとって表し、ガス流れ方向及びウエ
ハ支持板の位置を概略的に併せて示している。図９にお
いて、反応管２入口部（図示左側）ではガス温度が低い
ことからエッチング速度が低く、温度が上昇すると共に
反応が促進されガス流れ方向にエッチング速度が増加し
てくる。しかし十分に増加しないうちにウエハ支持板２
０８ａ，ｂの前縁近傍領域となってエッチング表面積が
増加し、エッチング速度が低下するので、ウエハ支持板
２０８ａ，ｂの前縁近傍領域で小さな第１のピークを迎
える。その後、ウエハ支持板２０８ａ，８ｂの前縁領域
通過後からウエハ支持板２０８ａ，８ｂ後縁領域までの
間は、図１３に示した従来方法と同様、開口部２０８ａ
Ａ，ｂＡの存在によるエッチング表面積の減少、及びウ
エハ支持板２０８ａ，ｂ後縁近傍領域のエッチング表面
積の増大により、大きな第２のピークを迎える。

【００４３】そしてその後は、ウエハ支持板２０８ａ，
ｂ後縁が下流側に広いことから、ガス流れ方向の十分下
流側で温度が十分下がった後にエッチング面積が減少す
るので、エッチング速度上昇は小さく、小さな第３のピ
ークを迎える。以上の挙動を、図６と比較すれば明らか
なように、本実施形態のクリーニング方法によれば、第
１のピーク及び第３のピークの２つのピーク値が低下し
全体のエッチング速度分布がその分均一化する。よっ
て、第１の実施形態同様、反応管２壁面に付着した堆積
物をもれなく全て除去する場合でも、第２ピーク位置に
相当するウエハ支持板２０８ａ，ｂ開口部２０８ａＡ，
ｂＡ中央部以外は、大きなダメージを与えることがな
い。したがって、異物発生等による歩留まり低下を抑制
し生産性を向上することができる。また、反応管２等の
部品交換・ウエット洗浄の頻度を低減して装置稼動率や
スループットを向上し、これによっても生産性を向上す
ることができる。全体のエッチング速度分布をより均一
化することができる。

【００４４】なお、本願発明者等は、上記のような作用
効果を奏するウエハ支持板８ａ，ｂのガス流れ方向の長
さＬ1と、反応管２の長手方向に対する平行平板ヒータ
１の有効長さＬ2との比を種々変えて検討した結果、エ
ッチング速度分布の均一化という作用効果を得られるの
は７５％以上１００％以下であると判断した。これは、
７５％未満では、ウエハ支持板２０８ａ，ｂ前縁・後縁
によるエッチング速度低減効果が高温によるエッチング
速度増加に追いつかず、第１及び第３のピークを十分小
さくすることができないからである。また１００％より
大きい場合はヒータ有効長さＬ2の外となるが、この領
域ではエッチング速度が中央部の１／８以下に低下して
おり、ウエハ支持板２０８ａ，ｂ前縁・後縁によるエッ
チング速度低減を行ってもエッチング速度の均一化に対
する意義が薄いからである。

【００４５】本発明の第３の実施形態を図１０により説
明する。本実施形態は、第２の実施形態のＣＶＤ装置を
用い、第１の実施形態と同様の方法でクリーニングを行
う場合の実施形態である。第１及び第２の実施形態と同
等の部材には同一の符号を付す。本実施形態で用いるＣ
ＶＤ装置は、第２の実施形態のＣＶＤ装置２００と同様
のものである。すなわち、ウエハ支持板２０８ａ，ｂの
ガス流れ方向の長さＬ1が、反応管２の長手方向に対す
る平行平板ヒータ１の有効長さＬ2の７５％以上１００
％以下となっている。そして、このような構成のＣＶＤ
装置により行われる成膜方法も第２の実施形態とほぼ同
様である。そして、このような成膜処理が繰り返された
後、ＣＶＤ装置に対してガスクリーニングを行うが、こ
のとき、第１の実施形態と同様、ウエハ支持板２０８
ａ，ｂの開口部２０８ａＡ，ｂＡに、大きさがウエハ３
ａ，ｂと略同一であるウエハ状の板を載置して行う。

【００４６】以上のような本実施形態においては、第１
の実施形態で述べたエッチング速度分布における第２の
ピークの消失効果と、第２の実施形態で述べた第１及び
第３のピークの低減効果との両方の相乗効果により、図
１０に示すように、全体のエッチング速度分布を極めて
良好に均一化することができる。

【００４７】本発明の第４の実施形態を図１１及び図１
２により説明する。本実施形態は、クリーニング中にウ
エハ支持板を移動させる場合の実施形態である。第１〜
第３の実施形態と同等の部材には同一の符号を付す。本
実施形態のクリーニング方法の対象となるＣＶＤ装置３
００の構造を表す側断面図を図１１に示す。この図１１
において、ＣＶＤ装置３００が第１の実施形態のＣＶＤ
装置１００と異なる点は、ウエハ支持板８ａ，ｂに移動
棒３１２を固定し、この移動棒３１２を駆動装置３１３
で駆動することにより、ウエハ支持板８ａ，ｂを反応管
２の長手方向に移動可能に構成していることである。そ
の他の構成はＣＶＤ装置１００とほぼ同様である。

【００４８】このＣＶＤ装置３００で行われる成膜方法
は、第１の実施形態とほぼ同様であるので説明を省略す
る。すなわち駆動装置３１３は作動させず、ウエハ支持
板８ａ，ｂは静止させた状態で成膜を行う。

【００４９】そして、このような成膜処理が繰り返され
た後、ＣＶＤ装置３００に対しガスクリーニングが行わ
れるが、この本実施形態のクリーニング方法が第１のク
リーニング方法と異なる点は、駆動装置３１３を作動さ
せてウエハ支持板８ａ，ｂを移動させつつエッチングを
行う点である。すなわち、ウエハ支持板８ａ，ｂを図１
２に示すように反応管２内の右端近傍に寄せておいた
後、駆動装置３１３で図１２中の左側に移動させつつ、
反応管２をヒータ１で加熱し、さらにガス供給口４ａ
（又は４ｂ）からＣlＦ3等のクリーニングガスを供給す
るとともに排気口５ｂ（又は５ａ）から排気する。

【００５０】その他の点は、第１の実施形態とほぼ同様
である。

【００５１】本実施形態においては、図１３に示したよ
うな第１〜第３のピークをもつ不均一なエッチング速度
分布が、クリーニング時間の経過と共に反応管２の長手
方向んび移動していくこととなるので、全体のエッチン
グ速度分布を最終的に均一化することができる。よっ
て、第１の実施形態同様、反応管２壁面に付着した堆積
物をもれなく全て除去する場合でも、反応管２に大きな
ダメージを与えることがないので、異物発生等による歩
留まり低下を抑制し生産性を向上することができる。ま
た、反応管２等の部品交換・ウエット洗浄の頻度を低減
して装置稼動率やスループットを向上し、これによって
も生産性を向上することができる。

【００５２】なお、第１〜第３実施形態によるクリーニ
ング方法において、上記第４の実施形態のように駆動装
置及び移動棒を設け、クリーニング中にウエハ支持板を
移動させる方法もある。

【００５３】その他の実施形態として、上記第１〜第４
の実施形態によるクリーニングを行ったＣＶＤ装置を用
いて製作した、半導体素子のゲート電極配線のポリシリ
コン膜、リンドープポリシリコン膜、層間絶縁膜のため
の酸化膜・リンガラス膜、及びキャパシタ絶縁膜のため
のＳi₃Ｎ₄膜等を備えた半導体素子があり、これらは、
ウエハ３への塵埃の付着が極めて少ない、良好な品質の
半導体素子を得ることができる。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、反応管内における全体
のエッチング速度分布をより均一化することができる。
したがって、反応管壁面に付着した堆積物をもれなく全
て除去する場合にも、反応管の壁面自体をエッチングし
ダメージを与えることが少なくなるので、異物発生等に
よる歩留まり低下を抑制し生産性を向上することができ
る。また、反応管等の部品交換・ウエット洗浄の頻度を
低減して装置稼動率やスループットを向上し、これによ
っても生産性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態のクリーニング方法の
対象となるＣＶＤ装置の構造を表す水平断面図である。

【図２】図１に示されたＣＶＤ装置の構造を表す側断面
図である。

【図３】図１に示されたＣＶＤ装置の成膜時の反応管壁
面温度分布を表す図である。

【図４】図１に示されたＣＶＤ装置の反応副生成物の堆
積厚さ分布を示す図である。

【図５】図１に示されたＣＶＤ装置でガス反応クリーニ
ングを行っている時の様子を表す側断面図である。

【図６】ガス反応クリーニング時の堆積物のエッチング
速度分布を示した図である。

【図７】本発明の第２の実施形態のクリーニング方法の
対象となるＣＶＤ装置の構造を表す側断面である。

【図８】図７に示されたＣＶＤ装置の成膜時の反応管壁
面温度分布を表す図である。

【図９】ガス反応クリーニング時の堆積物のエッチング
速度分布を示した図である。

【図１０】本発明の第３実施形態によるガス反応クリー
ニング時の堆積物のエッチング速度分布を示した図であ
る。

【図１１】本発明の第４の実施形態によるクリーニング
方法の対象となるＣＶＤ装置の構造を表す側断面図であ
る。

【図１２】ガス反応クリーニング時の様子を表す断面図
である。

【図１３】従来のクリーニング方法による堆積物のエッ
チング速度分布を示した図である。

【符号の説明】

１ ヒータ ２ 反応管 ３ａ，ｂ ウエハ ４ａ，ｂ ガス供給口 ５ａ，ｂ 排気口 ７ 断熱材 ８ａ，ｂ ウエハ支持板 ８ａＡ，ｂＡ 開口部 ９ａ，ｂ フランジ １０ａ，ｂ ゲートバルブ １１ フォーク １２ａ，ｂ ウエハ状の板 １８ａ，ｂ Ｏリング ２０８ａ，ｂ ウエハ支持板 ２０８ａＡ，ｂＡ 開口部 ３１２ 移動棒 ３１３ 駆動装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内野 敏幸 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 長手方向両端に開口部を設けた略偏平な
   反応管及び前記開口部に設けられたフランジを備えた反
   応容器内に、ウエハを載置するための開口部が形成され
   た少なくとも１枚のウエハ支持板を配置し、前記反応管
   を挟むように対向配置された平行平板ヒータで該反応管
   の加熱を行いつつ前記反応容器内にガスを供給しながら
   排気することによりウエハ処理を行う半導体ウエハ処理
   装置の、前記反応管内壁面の付着堆積物をエッチングし
   除去する半導体ウエハ処理装置のクリーニング方法にお
   いて、 前記ウエハ支持板の開口部に、大きさが前記ウエハと略
   同一である略円板状部材を載置した状態で、前記エッチ
   ングを行うことを特徴とする半導体ウエハ処理装置のク
   リーニング方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウエハ処理装置の
   クリーニング方法において、前記ウエハ支持板を、前記
   反応管内壁面と略平行となるように配置し、かつ、該ウ
   エハ支持板の数をｎとしたとき、このウエハ支持板が前
   記反応管内を高さ方向にｎ＋１分割するように配置する
   ことを特徴とする半導体ウエハ処理装置のクリーニング
   方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の半導体ウエハ処理装置の
   クリーニング方法において、前記ウエハ支持板を、前記
   反応管内の流れ方向中央部近傍に配置することを特徴と
   する半導体ウエハ処理装置のクリーニング方法。
4. 【請求項４】 長手方向両端に開口部を設けた略偏平な
   反応管及び前記開口部に設けられたフランジを備えた反
   応容器内に、ウエハを載置するための開口部が形成され
   た少なくとも１枚のウエハ支持板を配置し、前記反応管
   を挟むように対向配置された平行平板ヒータで該反応管
   の加熱を行いつつ前記反応容器内にガスを供給しながら
   排気することによりウエハ処理を行う半導体ウエハ処理
   装置の、前記反応管内壁面の付着堆積物をエッチングし
   除去する半導体ウエハ処理装置のクリーニング方法にお
   いて、 前記ウエハ支持板のガス流れ方向の長さを、前記反応管
   の長手方向に対する前記平行平板ヒータの有効長さの７
   ５％以上１００％以下としたことを特徴とする半導体ウ
   エハ処理装置のクリーニング方法。
5. 【請求項５】 長手方向両端に開口部を設けた略偏平な
   反応管及び前記開口部に設けられたフランジを備えた反
   応容器内に、ウエハを載置するための開口部が形成され
   た少なくとも１枚のウエハ支持板を配置し、前記反応管
   を挟むように対向配置された平行平板ヒータで該反応管
   の加熱を行いつつ前記反応容器内にガスを供給しながら
   排気することによりウエハ処理を行う半導体ウエハ処理
   装置の、前記反応管内壁面の付着堆積物をエッチングし
   除去する半導体ウエハ処理装置のクリーニング方法にお
   いて、 前記ウエハ支持板のガス流れ方向の長さを、前記反応管
   の長手方向に対する前記平行平板ヒータの有効長さの７
   ５％以上１００％以下とし、かつ、 該ウエハ支持板の開口部に、大きさが前記ウエハと略同
   一である略円板状部材を載置した状態で、前記エッチン
   グを行うことを特徴とする半導体ウエハ処理装置のクリ
   ーニング方法。
6. 【請求項６】 長手方向両端に開口部を設けた略偏平な
   反応管及び前記開口部に設けられたフランジを備えた反
   応容器内に、ウエハを載置するための開口部が形成され
   た少なくとも１枚のウエハ支持板を配置し、前記反応管
   を挟むように対向配置された平行平板ヒータで該反応管
   の加熱を行いつつ前記反応容器内にガスを供給しながら
   排気することによりウエハ処理を行う半導体ウエハ処理
   装置の、前記反応管内壁面の付着堆積物をエッチングし
   除去する半導体ウエハ処理装置のクリーニング方法にお
   いて、 前記ウエハ支持板の位置を前記反応管の長手方向に移動
   させつつ、前記エッチングを行うことを特徴とする半導
   体ウエハ処理装置のクリーニング方法。
7. 【請求項７】 請求項１又は５記載の半導体ウエハ処理
   装置のクリーニング方法において、前記略円板状部材と
   して、前記堆積物と同一材料で構成されたものを用いる
   ことを特徴とする半導体ウエハ処理装置のクリーニング
   方法。
8. 【請求項８】 請求項７記載の半導体ウエハ処理装置の
   クリーニング方法において、前記略円板状部材として、
   石英板を用いることを特徴とする半導体ウエハ処理装置
   のクリーニング方法。
9. 【請求項９】 長手方向両端に開口部を設けた略偏平な
   反応管及び前記開口部に設けられたフランジを備えた反
   応容器内に、ウエハを載置するための開口部が形成され
   た少なくとも１枚のウエハ支持板を配置し、前記反応管
   を挟むように対向配置された平行平板ヒータで該反応管
   の加熱を行いつつ前記反応容器内にガスを供給しながら
   排気することによりウエハ処理を行う半導体ウエハ処理
   装置において、 前記ウエハ支持板のガス流れ方向の長さを、前記反応管
   の長手方向に対する前記平行平板ヒータの有効長さの７
   ５％以上１００％以下としたことを特徴とする半導体ウ
   エハ処理装置。
10. 【請求項１０】 長手方向両端に開口部を設けた略偏平
    な反応管及び前記開口部に設けられたフランジを備えた
    反応容器内に、ウエハを載置するための開口部が形成さ
    れた少なくとも１枚のウエハ支持板を配置し、前記反応
    管を挟むように対向配置された平行平板ヒータで該反応
    管の加熱を行いつつ前記反応容器内にガスを供給しなが
    ら排気することによりウエハ処理を行う半導体ウエハ処
    理装置において、 前記ウエハ支持板の位置を前記反応管の長手方向に移動
    させる移動手段を設けたことを特徴とする半導体ウエハ
    処理装置。
11. 【請求項１１】 ゲート電極配線のポリシリコン膜、リ
    ンドープポリシリコン膜、層間絶縁のための酸化膜・リ
    ンガラス膜、及びキャパシタ絶縁のためのＳi₃Ｎ₄膜の
    うち少なくとも１つの膜を備えた半導体素子において、 前記少なくとも１つの膜を請求項９又は１０記載の半導
    体処理装置を用いて成膜したことを特徴とする半導体素
    子。